JP2010534620A - 低oh、odレベルを有する溶融シリカおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
円柱形スートブランクを、He中1%のCOを含む雰囲気を用いて、3時間に亘り炉内で乾燥させた。炉の温度を2時間に亘り1100℃から1200℃まで上昇させた。乾燥工程後、このブランクを、5mm/分の降下速度、すなわち、ブランクが垂直炉を通って下方に動かされる速度で、酸化させ、焼結した。焼結したスートブランクのテーパー状の端部を除去し、残りの均一な円柱形スートブランクの断面について、OH濃度を測定した。このOH濃度は、スートブランクの中間点、スートブランクの頂部、およびスートブランクの底部で採取した断面サンプルについて測定した。ここに用いたように、「頂部」および「底部」は、垂直炉に関するスートブランクの垂直方向を称する。頂部と底部の断面の各々は、スートブランクの円柱部分のそれぞれの端部からの、この円柱部分の全長の5%である距離に位置する地点で得た。例えば、100cmの長さを有する円柱形スートブランクについて、頂部の断面サンプルは、このスートブランクの円柱部分の上面から5cmの地点で採取され、中間点の断面サンプルは、円柱部分の中間点で採取され、底部の断面サンプルは、スートブランクの底面から5cmの地点で採取される。図1は、頂部(図1の(1))、中間点(2)、および底部(3)に関する円柱片のコアの中心から測定した焼結したブランク中のOH濃度をプロットしたグラフである。結果として得られたOH濃度は、軸方向に80ppmから120ppmに、半径方向に80ppmから35ppmに及んだ。これらの結果は、水素と二酸化炭素を生成するCOとOHとの反応、それゆえ、CO乾燥プロセスが、1200℃未満の温度では不十分であることを示している。
円柱形スートブランクを、He中1%のCOを含む雰囲気中において1200℃で2時間に亘り炉内で乾燥させ、その後、約1500℃に維持された区域を有する垂直炉に、5mm/分の下方駆動速度で同じ雰囲気中において焼結した。実施例1に記載したように、スートブランクのテーパー状の端部を取り除き、残りの均一な円柱形スートブランクの断面について、OH濃度を測定した。図2は、頂部(図2の(1))、中間点(2)、および底部(3)に関する円柱片のコアの中心から測定した焼結したブランク中のOH濃度をプロットしたグラフである。軸方向において、OH濃度は8ppmから11ppmまで変動するのに対し、半径方向におけるOH能の度は、11ppmからほぼゼロの値までに及んだ。それゆえ、1200℃より高い温度でのCO乾燥の有効性により、実施例1において観察されたOH濃度より1桁から2桁のOH濃度の減少がもたらされた。
円柱形スートブランクを、16時間に亘り1225℃で1%のCOを含有するヘリウム雰囲気中において乾燥させ、1時間に亘り2%の酸素を含有するヘリウム雰囲気中において酸化させ、3〜6時間に亘り2%の酸素を含有するヘリウム雰囲気中において1225℃で焼結した。実施例1に記載したように、このスートブランクのテーパー状端部を取り除き、残りの均一な円柱形スートブランクの断面について、OH濃度を測定した。得られた円柱形溶融シリカ片のOH濃度が、頂部(図3の(1))、中間点(2)、および底部(3)に関する円柱片のコアの中心からの距離の関数として図3にプロットされている。このOH濃度は、コアの中心から約20cmまで延在する領域において約1ppm未満であったのに対し、溶融シリカ片の外面に近い(中心から約22cm以上)のOH濃度は、焼結中に存在した微量の水により外面がドープされたために、6ppmから7ppmに及んだ。
円柱形スートブランクを、16時間に亘り1225℃で1%のCOを含有するヘリウム雰囲気中において乾燥させた。乾燥工程のほぼ中間で乾燥雰囲気に1時間に亘り重水素(D2)を加えた。このヘリウム雰囲気中の重水素濃度は0.3%であった。次いで、このスートブランクを、1時間に亘り2%の酸素を含有するヘリウム雰囲気中において酸化させ、3〜6時間に亘り2%の酸素を含有するヘリウム雰囲気中において1225℃で焼結した。実施例1に記載したように、このスートブランクのテーパー状端部を取り除き、残りの均一な円柱形スートブランクの断面について、OH濃度とOD濃度を測定した。得られた円柱形溶融シリカ片のOH濃度が、頂部(図4の(1))、中間点(2)、および底部(3)に関する円柱片のコアの中心からの距離の関数として図4にプロットされている。このOH濃度は、コアの中心から約22cmまで延在する領域において約0.5ppmと測定されたのに対し、溶融シリカ片の外面に近い(中心から約24cm以上)のOH濃度は、焼結中に存在した微量の水により外面がドープされたために、約1.8ppmから約2.4ppmに及んだ。この溶融シリカ片のOD濃度が、頂部(図5の(1))、中間点(2)、および底部(3)に関する円柱片のコアの中心からの距離の関数として図5にプロットされている。約2ppmのOD濃度で、スペクトル雑音は、この実施例に記載された溶融シリカサンプルについて約2700cm-1でのOD吸収を圧倒し、それゆえ、OD濃度をゼロまで減少させた。
Claims (10)
- 約10ppm未満のOHおよびODの平均総濃度を有する溶融シリカ物品であって、
a. スートブランクを提供し、
b. 前記スートブランクを、一酸化炭素を含む無ハロゲン雰囲気中で乾燥させ、
c. 乾燥した前記スートブランクを酸化させ、
d. 前記ブランクを焼結して、前記溶融シリカ物品を形成する、
各工程により形成されることを特徴とする溶融シリカ物品。 - 前記乾燥したブランクに重水素および軽水素の内の少なくとも一方がドープされていることを特徴とする請求項1記載の溶融シリカ物品。
- 前記OHおよびODの総濃度が、前記OHおよびODの平均総濃度から4ppm未満しか変動しないことを特徴とする請求項2記載の溶融シリカ物品。
- 前記OHおよびODの総濃度が、前記OHおよびODの平均総濃度から0.4ppm未満しか変動しないことを特徴とする請求項2または3記載の溶融シリカ物品。
- 前記OHおよびODの平均総濃度が約1ppm未満であることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載の溶融シリカ物品。
- 前記スートブランクがゲルマニウムを実質的に含まないことを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の溶融シリカ物品。
- 溶融シリカ物品を製造する方法であって、
a. スートブランクを提供し、
b. 前記スートブランクを、一酸化炭素を含む無ハロゲン雰囲気中で乾燥させ、
c. 乾燥した前記スートブランクを酸化させ、
d. 前記ブランクを焼結して、前記溶融シリカ物品を形成する、
各工程を有してなり、
前記溶融シリカ物品が、約10ppm未満のOHおよびODの平均総濃度を有することを特徴とする方法。 - 前記スートブランクを無ハロゲン雰囲気中で乾燥させる工程が、該スートブランクを、不活性ガス、一酸化炭素、および重水素含有種と軽水素含有種の内の少なくとも一方を含む無ハロゲン雰囲気中において約1150℃から約1300℃までの範囲の温度で加熱する工程を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記乾燥したスートブランクを酸化させる工程が、該乾燥したスートブランクを、不活性ガスおよび酸素を含む酸化雰囲気中において所定の温度で酸化させる工程を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記スートブランクを、該スートブランクを乾燥させる工程の前に、所定の時間に亘り所定の温度で予熱する工程をさらに含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
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Cited By (1)
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US9027668B2 (en) | 2008-08-20 | 2015-05-12 | Foro Energy, Inc. | Control system for high power laser drilling workover and completion unit |
US9669492B2 (en) | 2008-08-20 | 2017-06-06 | Foro Energy, Inc. | High power laser offshore decommissioning tool, system and methods of use |
US8571368B2 (en) | 2010-07-21 | 2013-10-29 | Foro Energy, Inc. | Optical fiber configurations for transmission of laser energy over great distances |
US9664012B2 (en) | 2008-08-20 | 2017-05-30 | Foro Energy, Inc. | High power laser decomissioning of multistring and damaged wells |
MX355677B (es) | 2008-08-20 | 2018-04-25 | Foro Energy Inc Star | Método y sistema para hacer avanzar un pozo de perforación utilizando un láser de potencia alta. |
US9089928B2 (en) | 2008-08-20 | 2015-07-28 | Foro Energy, Inc. | Laser systems and methods for the removal of structures |
US9347271B2 (en) * | 2008-10-17 | 2016-05-24 | Foro Energy, Inc. | Optical fiber cable for transmission of high power laser energy over great distances |
US8263511B2 (en) * | 2008-12-31 | 2012-09-11 | Corning Incorporated | High purity fused silica with low absolute refractive index |
JP2012031052A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-02-16 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス体を製造する方法及びeuvリソグラフィ用の光学部材を製造する方法 |
EP2608713A4 (en) | 2010-08-27 | 2014-01-08 | Milwaukee Electric Tool Corp | THERMAL DETECTION SYSTEMS, METHODS AND DEVICES |
US9409255B1 (en) | 2011-01-04 | 2016-08-09 | Nlight, Inc. | High power laser imaging systems |
US9429742B1 (en) | 2011-01-04 | 2016-08-30 | Nlight, Inc. | High power laser imaging systems |
US10095016B2 (en) * | 2011-01-04 | 2018-10-09 | Nlight, Inc. | High power laser system |
US9720244B1 (en) | 2011-09-30 | 2017-08-01 | Nlight, Inc. | Intensity distribution management system and method in pixel imaging |
US10794769B2 (en) | 2012-08-02 | 2020-10-06 | Milwaukee Electric Tool Corporation | Thermal detection systems, methods, and devices |
US9310248B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-12 | Nlight, Inc. | Active monitoring of multi-laser systems |
US10011517B2 (en) * | 2013-06-06 | 2018-07-03 | Corning Incorporated | Optical preforms and methods for forming the same |
US20140373571A1 (en) | 2013-06-19 | 2014-12-25 | Corning Incorporated | Fused silica glass article having improved resistance to laser damage |
US9709810B2 (en) | 2014-02-05 | 2017-07-18 | Nlight, Inc. | Single-emitter line beam system |
TWI771375B (zh) | 2017-02-24 | 2022-07-21 | 美商康寧公司 | 高寬高比玻璃晶圓 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7010A (en) * | 1850-01-08 | Machine for cutting shingles | ||
JPH08133753A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-28 | Tosoh Corp | 光学用合成石英ガラス及びその製造方法並びにその用途 |
JPH08183621A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | Tosoh Corp | 高純度、高耐熱性シリカガラスの製造方法 |
JP2003112944A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Tosoh Corp | 真空紫外光用高均質合成石英ガラス、その製造方法及びこれを用いた真空紫外光用マスク基板 |
JP2003112943A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Tosoh Corp | 真空紫外光用合成石英ガラス、その製造方法及びこれを用いた真空紫外光用マスク基板 |
JP2005523863A (ja) * | 2002-04-26 | 2005-08-11 | ヘレーウス テネーヴォ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 低oh含有率を有する円筒状石英ガラス体の製造方法 |
JP2006298754A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co Kg | 石英ガラスの光学部材、この光学部材の製造方法そしてそれの利用 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9815357D0 (en) * | 1998-07-15 | 1998-09-16 | Tsl Group Plc | Improvements in and relating to the manufacture of synthetic vitreous silica ingot |
JP4540034B2 (ja) | 2000-12-22 | 2010-09-08 | コーニング インコーポレイテッド | 還元剤を用いたスート・プリフォームの処理 |
US6813908B2 (en) | 2000-12-22 | 2004-11-09 | Corning Incorporated | Treating an optical fiber preform with carbon monoxide |
US6776012B2 (en) | 2001-06-26 | 2004-08-17 | Fitel Usa Corp. | Method of making an optical fiber using preform dehydration in an environment of chlorine-containing gas, fluorine-containing gases and carbon monoxide |
US20040057692A1 (en) | 2002-08-28 | 2004-03-25 | Ball Laura J. | Low loss optical fiber and method for making same |
KR100653861B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2006-12-05 | 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 | 합성 석영 유리의 제조 방법 및 합성 석영 유리체 |
WO2005054144A1 (en) | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Lg Cable Ltd. | Fabrication method of optical fiber preform and optical fiber containing few hydroxyl groups |
US7506522B2 (en) * | 2004-12-29 | 2009-03-24 | Corning Incorporated | High refractive index homogeneity fused silica glass and method of making same |
US7589039B2 (en) | 2004-12-29 | 2009-09-15 | Corning Incorporated | Synthetic silica having low polarization-induced birefringence, method of making same and lithographic device comprising same |
US7635658B2 (en) * | 2005-11-07 | 2009-12-22 | Corning Inc | Deuteroxyl-doped silica glass, optical member and lithographic system comprising same and method of making same |
US20070105703A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Bookbinder Dana C | Deuteroxyle-doped silica glass, optical member and lithographic system comprising same and method of making same |
KR101494477B1 (ko) * | 2007-05-09 | 2015-02-17 | 코닝 인코포레이티드 | 낮은 oh 및 od 수준을 갖는 유리 |
US8268740B2 (en) * | 2008-02-07 | 2012-09-18 | Corning Incorporated | Halide free glasses having low OH, OD concentrations |
-
2007
- 2007-07-27 US US11/881,599 patent/US8062986B2/en active Active
-
2008
- 2008-07-18 CN CN201610132512.2A patent/CN105541090A/zh active Pending
- 2008-07-18 JP JP2010519202A patent/JP5650528B2/ja active Active
- 2008-07-18 WO PCT/US2008/008836 patent/WO2009017613A1/en active Application Filing
- 2008-07-18 EP EP08794601.8A patent/EP2178804B1/en active Active
- 2008-07-18 CN CN200880108221A patent/CN101801864A/zh active Pending
- 2008-07-18 KR KR1020107004705A patent/KR101504377B1/ko active IP Right Grant
- 2008-07-24 TW TW097128209A patent/TWI380957B/zh active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7010A (en) * | 1850-01-08 | Machine for cutting shingles | ||
JPH08133753A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-28 | Tosoh Corp | 光学用合成石英ガラス及びその製造方法並びにその用途 |
JPH08183621A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-16 | Tosoh Corp | 高純度、高耐熱性シリカガラスの製造方法 |
JP2003112944A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Tosoh Corp | 真空紫外光用高均質合成石英ガラス、その製造方法及びこれを用いた真空紫外光用マスク基板 |
JP2003112943A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Tosoh Corp | 真空紫外光用合成石英ガラス、その製造方法及びこれを用いた真空紫外光用マスク基板 |
JP2005523863A (ja) * | 2002-04-26 | 2005-08-11 | ヘレーウス テネーヴォ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 低oh含有率を有する円筒状石英ガラス体の製造方法 |
JP2006298754A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co Kg | 石英ガラスの光学部材、この光学部材の製造方法そしてそれの利用 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009184912A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Corning Inc | 低濃度のohおよびodを有する、ハロゲン化物を含まないガラス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009017613A1 (en) | 2009-02-05 |
KR20100058525A (ko) | 2010-06-03 |
US8062986B2 (en) | 2011-11-22 |
CN101801864A (zh) | 2010-08-11 |
JP5650528B2 (ja) | 2015-01-07 |
TWI380957B (zh) | 2013-01-01 |
KR101504377B1 (ko) | 2015-03-19 |
US20090029842A1 (en) | 2009-01-29 |
EP2178804A1 (en) | 2010-04-28 |
TW200922888A (en) | 2009-06-01 |
CN105541090A (zh) | 2016-05-04 |
EP2178804B1 (en) | 2014-12-24 |
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