JP2005510997A - 少なくとも1つの超電導体に給電する装置 - Google Patents

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Abstract

少なくとも1つの超電導巻線(2)に電気エネルギを供給する装置に関する。スリップリングを用いた従来装置における、スリップリングの磨耗に伴う寿命の問題を解決し、かつ電流導線を経由して侵入する熱を低減するために、エネルギ源と超電導体との間に少なくとも1台の変圧器を設け、その一次側はエネルギ源、二次側は超電導体に接続する。昇圧用の変圧器を用いることで、二次側電流導線の断面積を減少させつつ大きな電力を供給でき、侵入熱の低減が図れる。降圧用の第2の変圧器を低温部に設け、超電導巻線に適合した低圧・大電流に変換することも可能である。

Description

本発明は、超電導を達成すべく、少なくとも1つの所定温度に冷却される、少なくとも1つの超電導体、特に少なくとも1つの超電導巻線に給電する装置に関する。
電動機に回転子コイルとして組み込まれる超電導巻線を持つ超電導回転子は、米国特許第5482919号明細書で公知である。超電導巻線は冷却システムにより超電導状態を示す低温に冷却される。その際、好適には35K以上の転移温度で超電導状態になる高温超電導材料(HTSL材料)が用いられる。コイルの冷却は、ギフォード・マクマホン循環プロセス又はスターリング循環プロセスで冷却を行う冷却システムで実行できる。
超電導コイルにはスリップリングを介して交流電流が供給される。しかし、これにはブラシの摩耗が伴い、電動機の寿命にとって明らかに欠点となる。冷却される領域内に多量の熱がスリップリングを経て侵入することも問題である。例えば冷却領域内に、熱伝導によってのみ冷却される電流導線が20〜40Kの温度の下で、少なくとも45W/kAの熱を導入する。超電導体と2本の電流導線に例えば300Aの運転電流を流す場合、少なくとも27Wの熱が流入する。これは通常の大容量ギフォード・マクマホン冷却器のほぼ総冷却容量(20Kにおいて約25W)に相当する。しかもその際、電流導線の熱損失が高ければ高い程コイルの運転温度も高くなり、超電導体の臨界電流が減少し、コイルの達成可能な磁界も減少する。従って米国特許第5482919号明細書により公知の電動機では、経済的な運転と効率的な電流供給は条件付きでしか可能でない。
そこで本発明の課題は、できるだけ効率的かつ経済的に運転可能な、少なくとも1つの超電導体、特に少なくとも1つの超電導巻線に電気エネルギを供給する装置を提供することである。その際、特に電流導線を経る熱侵入をできるだけ少くし、もって超電導体の損失を無くし、超電導巻線において巻線又はコイル内の磁界強度の対応する減少を懸念する必要がないようにする。
この課題は、請求項1に記載の構成によって解決される。
超電導を達成すべく少なくとも1つの所定温度に冷却される、少なくとも1つの超電導体、特に少なくとも1つの超電導巻線に電気エネルギを供給する請求項1記載の装置は、少なくとも1つの電気エネルギ源と、エネルギ源と超電導体間で電気エネルギを伝達する少なくとも1台の変圧器とを備え、変圧器の一次巻線が電気エネルギ源に電気的に接続され、変圧器の二次巻線が超電導体に電気的に接続される。
本発明は、電気エネルギ源と超電導体間で電気エネルギを伝達すべく少なくとも1台の変圧器を用いるという考えに基づいている。変圧器はエネルギ源から超電導体へと電気エネルギのブラシレス伝達を可能にし、その結果、回転する巻線、例えば電動機の回転子コイルの場合、摩耗を伴うブラシを省略できる。
冷却される超電導体への熱侵入は、変圧器により明らかに減少する。即ち好ましい実施形態では、変圧器の変圧比(電圧変成比)の適切な選択で、エネルギ源から供給する電圧を昇圧させ、もって同一給電容量の場合、変圧器から被冷却超電導体への必要電流をより少なくできる。その結果変圧器と超電導体との間の電流導線の断面積を減少させ得る。より細い電流導線を用いることで、電流導線を経る熱侵入量を明らかに減らせる。この実施形態は、特に変圧器の一次巻線と二次巻線が高温レベル、即ち超電導体を有する冷却領域の外部にあり、高温領域から被冷却領域又は低温領域への移行が電流導線で行われる場合に有利である。
しかし他の実施形態では、エネルギ源に接続される変圧器の一次巻線が高温レベルにあり、超電導体に接続される二次巻線が低温レベルにあるようにしてもよい。この場合、電流導線も完全に低温領域内に配設できるので、電流導線はもはや超電導体への熱侵入に関与しなくなる。また熱絶縁を変圧器の無接触の両巻線間で行える。ここで変圧比は、実用上任意に設定でき、特に1にすることもできる。
超電導体又は巻線への電気エネルギの伝達は無接触で行われ、従って摩耗は生じない。電気エネルギを超電導体に導入する手段として変圧器を用いることで、冷却領域内への熱侵入量を僅かに保ち、同時に超伝導効率も維持できる。更に運転条件を変更した際も回転子コイルの励磁を可能とする高電力密度を達成すべく、装置を大幅に小形化できる。
本発明による装置の他の好ましい実施態様、変形例および適用例は請求項1に従属する請求項の1つに示す。
本発明の思想を具現化する際、以下のように種々の実施態様が考えられる。例えば変圧器の一次巻線と二次巻線を軸心方向に対向して配置できる。それとは別に、一次コイルと二次コイルを放射方向に対向して配置してもよい。更に変圧器の一次巻線と二次巻線を共通の磁束導体に接して、又はその上に、又はその内部に配置したり、固有の磁束導体に接して、又はその上に、又はその内部に配置したりしてもよい。変圧器の一次巻線を二次巻線の凹所内に配置し、その逆に二次巻線を一次巻線の凹所内に配置してもよい。
一実施形態では、変圧器の一次巻線と二次巻線を空隙で分離する。他の実施形態では、両巻線間の間隔を、非導電性(誘電性)の電気絶縁材料、特に熱を伝えにくい性質(熱絶縁性)を兼ね備えた材料からなる積層体又は隔壁により保持する。この種の材料として、特にファイバ強化プラスチックが考えられる。この隔壁は、特に超電導体を収納する低温タンクの壁であり得る。
変圧器は、一般に一次巻線に印加されるエネルギ源からの交流電圧を、二次巻線に誘導される交流電圧に変換する。
変圧器二次巻線の交流電圧は、一実施形態では変圧器一次巻線の交流電圧より低い。他の実施形態では、変圧器二次巻線の交流電圧は変圧器一次巻線の交流電圧より高い。
更に他の実施形態では、変圧器と超電導回転子コイルの間に第2の変圧器を配置する。第1の変圧器の一次巻線と二次巻線を、共に電動機の冷却領域の外部に配置すると特に好ましい。即ち、それらの部分を例えば実質的に周囲温度環境に置く。その際、第2の変圧器を冷却領域内に配置するとよい。第2の変圧器の一次巻線を第1の変圧器の二次巻線に接続し、一次巻線に印加した交流電圧を変成し、その二次巻線に超電導体用に準備した交流電圧を誘導する。第2の変圧器の二次巻線に誘導されるこの交流電圧は、第1の変圧器で昇圧した電圧分だけ特に超電導体のために再び降圧すべく、第2の変圧器の一次巻線に印加する交流電圧より低くするとよい。
しかし第2の変圧器の二次巻線に誘導される交流電圧は、必要に応じて、第2の変圧器の一次巻線に印加される交流電圧より高くしてもよい。
更に超電導体又は回転子コイルを動作させるべく、変圧器と超電導体又はコイルとの間或いは第2の変圧器と超電導体又はコイルとの間に少なくとも1つの整流器を設け得る。その場合、特に少なくとも1つのMOSFETスイッチを有する回路とすることが考えられる。整流器は遠隔制御可能になし得る。
一般に変圧器電圧の周波数は広範囲に選定できる。特に電動機の効率は、第1の変圧器と第2の変圧器の少なくとも一方を高周波で運転することで増大できる。
特に有利な実施形態では、少なくとも1つの超電導体は回転可能であり、特に電動機では回転子コイルとして回転する。その際、好ましくは変圧器の一次巻線を超電導体に対して相対的に固定配置し、変圧器の二次巻線を超電導体と一緒に回転可能とする。
図1〜4は本発明の種々の実施例を示す。
図1は、超電導回転子コイル(巻線)2を含む電動機1を示す。回転子コイル2は超電導状態を示すように冷却される。そのため電動機1は、図1に鎖線で示す冷却領域9を備え、該領域9は低温タンク13の内部に設けられている。冷却領域9の冷却のため、例えばギフォード・マクマホン循環プロセスやスターリング循環プロセスを利用する冷却装置が用いられる。回転子コイル2は35K以上の転移温度で超電導状態となる高温超電導材料(HTSL材料)からなっている。
回転子コイル2は特に固定配置された電源系統部15内に設けられた電気エネルギ源3から給電される。電気エネルギ伝達のため第1の変圧器4が設けられ、該変圧器4は一次巻線5を備える。この一次巻線5は二次巻線6に同軸配置されている。両巻線5、6間には空隙7が存在する。一次巻線5が固定配置されているのに対し、二次巻線6は回転可能である。二次巻線6は略示した回転子13に固定的に接続され、回転子13自体は図示しない軸受内に軸14で軸支されている。
変圧器4の一次巻線5はエネルギ源3に電気的に接続されている。エネルギ源3は交流電圧U1、即ち時間的に変化し、特に極性が変化する交流電圧を発生し、それを変圧器4の一次巻線5に印加する。交流電圧U1は空隙7を経て変圧器4の二次巻線6に出力電圧を誘導する。二次巻線6に誘導される出力電圧も交流電圧であり、符号U2で示す。交流電圧U2の周波数は一般に元の交流電圧U1の周波数に一致するのに対し、両交流電圧U2とU1の比U2/U1、即ち所謂変圧比又は電圧変成比は、一次巻線5と二次巻線6の選択、特に巻数比の選択により調整できる。
図1から解るように、第1の変圧器4の両巻線5、6は冷却領域9の外部、即ち実質的に周囲温度TUにある。
第1の変圧器4の二次巻線6に第2の変圧器8が接続されている。第2の変圧器8は回転子コイル2に接続され、それに電気エネルギを供給する。第2の変圧器8は超電導温度TSに保たれた冷却領域9内に配置されている。第2の変圧器8の一次巻線80は電流導線68を経て第1の変圧器4の二次巻線6に電気的に接続されている。それに対し図1の変圧器8の二次巻線81の中間タップは、回転子コイル2に電気的に接続されている。第2の変圧器8の二次巻線81に発生する電圧も交流電圧であり、符号U3で示す。
高熱状態にある変圧器4の二次巻線6から、冷却領域9内に延びる電流導線68を経て冷却領域9内へ侵入する熱を減少させるため、電源系統部15から供給される交流電圧U1を変圧器4により高電圧U2に昇圧させる。その場合、変圧比は少なくとも2、特に少なくとも5又は10以上にしてもよい。高電圧U2とすることで、同一伝達電力の際に電流導線68に流れる電流を減少させ、もって作用する抵抗増大による損失電力の増大を来すことなく電流導線68の断面積を明らかに減少させ得る。
両変圧器4と8は高周波で動作する。動作周波数は、典型的には100Hz〜1MHzとし、また、それ以下又はそれ以上にすることもできる。
両変圧器4と8は、各々広い範囲内で自由に選択できる変圧比を持つ。
電気エネルギ源3から供給されるエネルギは、第1の変圧器4で高電圧U2と小電流に変成され、電流導線68を経て「冷却部」内の第2の変圧器8に導入される。
第2の変圧器8で電気エネルギは低電圧U3と大電流に変成される。その結果、第2の変圧器8を経て超電導回転子コイル2の回路内の電流が必要な値になる。その際、電圧U2は低電圧U3に降下する。冷却領域9内、即ち低温では、僅かな熱損失しか生じない。
次に整流器、即ち図1の2つのMOSFETスイッチを持つ整流器回路内で、超電導回転子コイル2の運転に必要な直流への整流が行われる。整流器10の運転のため、MOSFETのゲートの駆動電圧の位相制御が必要である。この位相制御は、一緒に回転する制御部(制御装置)16によって僅かな電力消費の下で行われる。
制御部16は、簡略表示の遠隔制御装置17にて無接触で駆動制御される。これは、例えば赤外線伝送、光ファイバスリップリング又は無線通信にて行われる。いずれにしろ遠隔制御装置17は、通常温度と電圧に関する回転子コイル2の運転監視に必要である。制御部16や遠隔制御装置17の電源のためのエネルギは変圧器4から取ってもよい。
図2、3および4は各々電動機1の構造的変形例を示す。
図1の変圧器4の一次巻線5と二次巻線6が軸14の軸心方向に対向して隣接配置されているのに対し、図2の両巻線5、6は放射方向に対向して隣接配置されている。従って図2では、空隙7は中空シリンダ状をなしている。電動機1のその他の構成は図1のものと実質的に同一である。
図3は、変圧器4の一次巻線5が、該巻線5と二次巻線6に共通の磁束導体(ヨーク)65のリング状空所11内に配置された電動機1を示している。
ここでは、他の構成例と同様に、渦電流の発生を防止すべく変圧器4の磁束を導くヨーク65は、フェライトからなる積層鉄板(変圧器鉄板)で構成されている。しかし、高い運転周波数、即ちMHz領域の周波数では、変圧器鉄板なしに対向両巻線5、6による固定側から回転側への誘導的な伝達も可能である。
電動機1の他の変形例として、図4では回転子2への電気エネルギの供給のために唯一の変圧器4を用い、図1〜3の実施例で用いた第2の変圧器8は設けていない。
ここで変圧器4の固定配置した一次巻線5は「高温」、即ち略周囲温度TUにある。それに対し回転する二次巻線6は「低温」、即ち超電導温度TSにある。
両巻線5、6間の空隙は、非導電性材料の隔壁12で満たされている。該材料として特にファイバ強化プラスチックが使用できる。この結果、場合により巻線5、6間に図1〜3の構成のものより大きな間隔が生じても、高周波数での変圧器運転に何らの問題も生じない。ここで、隔壁12は低温タンク13の壁の一部である。
従って全体として簡単な構造が得られる。
図5は回転子コイル2の電流Iを時間tの関数として示す。ここには、次の3つの運転状態を図示している。
回転子コイル2の急速充電(充電モード18、MOSFET:充電回路)のため、大電力の伝送が必要である。そのため充電回路の整流器ブリッジのゲートへの信号供給が同期化され、電源系統部の高電圧と高周波数の少なくとも一方により大きなエネルギ伝達が保障される。
運転中(保持モード19、MOSFET:充電回路)、HTSLコイルの極小損失分しかエネルギ供給が行われない。そのため低電圧・低周波数で十分である。
放電(放電モード20、MOSFET:放電回路)のため、MOSFET同期の位相が180°シフトされる。急速放電のために再び高電圧・高周波数が選択される。
MOSFETの適用に伴う利点は、高電圧・高周波数が実現可能なことであり、その結果変動する運転条件への迅速な適応が可能である。同期外れ時の巻線保護のため、保護ダイオードを使用できる。
それ故コイルの放電は、低温のMOSFETスイッチを有する変圧器/整流器の原理に従って行われる。
以上述べた実施例によれば、回転子電圧が回転速度に依存する誘導機とは異なり、上述のエネルギ伝達が好ましいことに回転速度にほぼ依存しないようにすることもできる。
以上述べた実施例により、本発明の目的が以下のようにして達成される。
即ち、電動機のブラシを省略し、摩耗なしの運転ができる。更に全体として非常に小型な構造を持ち、従って電動機の電力密度を向上させ得る。最後にエネルギ導入に伴い冷却領域内に侵入する熱量を極小化し、従って超電導効果の効率的な利用を達成できる。
第1の実施例による超電導回転子コイルを持つ同期電動機の縦断面図。 図1による電動機の他の構成例を示す断面図。 図1又は図2に対する更に他の構成例を示す断面図。 図1、2又は3に対する他の構成例を示す断面図。 回転子コイルに流れる電流の時間推移を示す線図。
符号の説明
1 電動機、2 超電導回転子コイル、3 エネルギ源、4、8 変圧器、5、80 一次巻線、6、81 二次巻線、7 空隙、9 冷却領域、10 整流器、11 空所、12 隔壁、13 低温タンク、14 軸、15 電源系統部、16 制御部、17 遠隔制御装置、18 充電モード、19 保持モード、20 放電モード、65 磁束導体、68 電流導線

Claims (25)

  1. 超電導を達成すべく少なくとも1つの所定温度(TS)に冷却される少なくとも1つの超電導体(2)、特に超電導巻線に電気エネルギを供給する装置であって、
    少なくとも1つの電気エネルギ源(3)と、電気エネルギ源(3)と超電導体(2)の間にあり、電気エネルギを伝達する少なくとも1台の変圧器(4、8)とを備え、
    変圧器(4)の一次巻線(5)が電気エネルギ源(3)に、そして変圧器(4)の二次巻線(6)が超電導体(2)に各々電気的に接続された装置。
  2. 超電導体が回転する請求項1記載の装置。
  3. 変圧器(4)の二次巻線(6)が一次巻線(5)に対し相対的に回転可能であり、超電導体(2)と共に回転する請求項2記載の装置。
  4. 変圧器(4)の一次巻線(5)と二次巻線(6)が空隙(7)を介して対向する請求項1から3の1つに記載の装置。
  5. 変圧器(4)の一次巻線(5)と二次巻線(6)間に、電気および熱絶縁性の少なくとも一方の性質を持つ材料からなる積層物又は隔壁(12)が配置された請求項1から3の1つに記載の装置。
  6. 超電導体(2)が、冷却された領域(9)の内部に配置された請求項1から5の1つに記載の装置。
  7. 変圧器(4)の一次巻線(5)が、冷却された領域(9)の外部に配置されたことと、変圧器(4)の二次巻線(6)が、冷却された領域(9)の内部に配置されたこととの少なくとも一方の要件を備えた請求項6記載の装置。
  8. 変圧器(4)の一次巻線(5)と二次巻線(6)の双方が、冷却された領域(9)の外部に配置された請求項6記載の装置。
  9. 変圧器(4)が、一次巻線(5)に印加された交流電圧(U1)を二次巻線(6)の交流電圧(U2)に変換する請求項1から8の1つに記載の装置。
  10. 変圧器(4)の二次巻線(6)の交流電圧(U2)が、変圧器(4)の一次巻線(5)の交流電圧(U1)より低い請求項9記載の装置。
  11. 変圧器(4)の二次巻線(6)の交流電圧(U2)が、変圧器(4)の一次巻線(5)の交流電圧(U1)より高い請求項9記載の装置。
  12. 変圧器(4)の二次巻線(6)と超電導体(2)との間に、第2の変圧器(8)が電気的に接続された請求項1から11の1つに記載の装置。
  13. 第2の変圧器(8)が冷却された領域(9)の内部に配置された、請求項6に従属する請求項12、又は請求項6に従属する請求項7から11の1つに従属する請求項12記載の装置。
  14. 第1の変圧器(4)の二次巻線(6)に接続された第2の変圧器(8)の一次巻線(80)に印加される電圧(U2)が、第2の変圧器(8)の二次巻線(81)で超電導体(2)のために用いる交流電圧(U3)に変換される請求項12又は13記載の装置。
  15. 第2の変圧器(8)の二次巻線(81)の交流電圧(U3)が、第2の変圧器(8)の一次巻線(80)の交流電圧(U2)より低い請求項14記載の装置。
  16. 第2の変圧器(8)の二次巻線(81)の交流電圧(U3)が、第2の変圧器(8)の一次巻線(80)の交流電圧(U2)より高い請求項14記載の装置。
  17. 第1の変圧器(4)と超電導体(2)との間、又は第2の変圧器(8)と超電導体(2)との間に、少なくとも1つの整流器(10)、特に少なくとも1つのMOSFETスイッチを含む整流器が接続された請求項1から16の1つに記載の装置。
  18. 整流器(10)が遠隔制御(17)される請求項17記載の装置。
  19. 第1の変圧器(4)と第2の変圧器(8)の少なくとも一方が高周波数で運転される請求項17記載の装置。
  20. 少なくとも1台の変圧器(4)の一次巻線(5)と二次巻線(6)が軸方向に対向して配置された請求項1から19の1つに記載の装置。
  21. 変圧器(4)の一次巻線(5)と二次巻線(6)が放射方向に対向して配置された請求項1から20の1つに記載の装置。
  22. 変圧器(4)の一次巻線(5)と二次巻線(6)が、各々共通の磁束導体(65)上又はその内部に配置された請求項1から21の1つに記載の装置。
  23. 変圧器(4)の一次巻線(5)と二次巻線(6)が、各々固有の磁束導体(65)上又はその内部に配置された請求項1から22の1つに記載の装置。
  24. 少なくとも1つの超電導巻線(2)と、少なくとも1つの超電導巻線(2)に給電するための請求項1から23の1つに記載の装置とを備えた電動機。
  25. 少なくとも1つの超電導巻線(2)が回転可能な回転子の構造部分である請求項24記載の電動機。

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