JP2005508704A5

JP2005508704A5 -

Info

Publication number: JP2005508704A5
Application number: JP2003543510A
Authority: JP
Filing date: 2002-11-03
Publication date: 2006-01-05
Anticipated expiration: 2022-11-03

Claims

眼球に衝撃波ダメージ又は熱ダメージをほとんど与えることなく強膜組織をシングルショットで厚さ５−３０μｍで融除するようになっている、レーザビームを生成するレーザ光源であって、１００μｓを越える滞留時間及び１００μｍより大きなスポットサイズの少なくとも一方の条件を備えて前記ビームが前記眼球に入射するものと、
前記眼球の外側からの前記ビームの前記眼球への照準を合わせるようになっている眼球有効位置コントローラと、
を有する、眼球に眼科手術を行う装置。
レーザビームを使用して眼科処置中に眼球を観察する眼球用顕微鏡を有することを特徴とする、請求項１に記載の装置。
前記顕微鏡によって観察される、除去される前記組織を表示するモニタを有することを特徴とする、請求項２に記載の装置。
前記レーザの視線と顕微鏡のそれを混合するビームコンバイナを有することを特徴とする、請求項２または３に記載の装置。
前記位置コントローラは、前記レーザ光源と患者の眼球との相対位置及び角度を固定する眼球フレームを有することを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の装置。
前記位置コントローラは、前記レーザビームの入口と空間的に走査するレーザビームの出口を備えたスキャナを有することを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の装置。
眼球上で所望のパターンで組織を除去するために前記スキャナを駆動する、制御回路を有することを特徴とする、請求項６に記載の装置。
眼球上で前記手術の進行を監視し、進行信号を生成するセンサを有することを特徴とする、請求項７に記載の装置。
除去される組織の画像を取得するカメラと、
前記画像を処理するイメージプロセッサと、
を有することを特徴とする、請求項８に記載の装置。
前記進行信号を使用して前記組織除去状態の指標を生成することを特徴とする、請求項８または９に記載の装置。
前記回路は、前記組織除去の制御ループを閉じるために前記指標を使用することを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
前記組織除去状態の指標は、組織除去エリアに残された組織の厚さを含むことを特徴とする、請求項１０または１１に記載の装置。
前記組織除去状態の指標は、組織除去エリアに残された組織を通る浸出レートを含むことを特徴とする、請求項１０または１１に記載の装置。
前記センサは眼圧を計測することを特徴とする、請求項８に記載の装置。
前記センサは非穿孔性のセンサであることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
前記センサは接触型のセンサであることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
前記制御回路は、前記センサから信号を受信することを特徴とする、請求項８に記載の装置。
ユーザ入力を有し、前記制御回路は前記センサからの信号に相当する前記入力への入力内容を受信及び解釈することを特徴とする、請求項８に記載の装置。
前記コンバイナと一体となったフレームを有し、このフレームは前記レーザビームを前記眼球の少なくとも一部に対してブロックすることを特徴とする、請求項１から１８のいずれかに記載の装置。
前記レーザ光源はＣＯ_２レーザ光源であることを特徴とする、請求項１から１９のいずれかに記載の装置。
本発明の例示的な実施形態では、前記レーザ光源は同位体^１３Ｃ^１６Ｏ_２レーザ光源であることを特徴とする、請求項１から１９のいずれかに記載の装置。
前記レーザ光源はエルビウム：ＹＳＧＧレーザ光源であることを特徴とする、請求項１から１９のいずれかに記載の装置。
前記レーザ光源は波長が１．８μｍ近辺であるダイオードレーザ光源であることを特徴とする、請求項１から１９のいずれかに記載の装置。
前記レーザ光源はＵＶレーザ光源であることを特徴とする、請求項１から１９のいずれかに記載の装置。
前記レーザ光源は、第２の可視波長の照準光を生成し、これは前記レーザビームと整列していることを特徴とする、請求項１から２４のいずれかに記載の装置。
前記レーザビームはパルス状のレーザであり、各パルスはシングルショットであることを特徴とする、請求項１から２５のいずれかに記載の装置。
前記レーザ光はパルス状のレーザであり、複数のパルスがシングルショットとしてグループ化されていることを特徴とする、請求項１から２５のいずれかに記載の装置。
前記レーザビームは連続的なレーザであり、人工的にゲート制御されてショットを生成することを特徴とする、請求項１から２５のいずれかに記載の装置。
前記滞留時間が１００ｍｓより長いことを特徴とする、請求項１から２８のいずれかに記載の装置。
前記スポットサイズが１００μｍより大きいことを特徴とする、請求項１から２８のいずれか又は２９に記載の装置。
各ショットの継続時間が１ｍｓより大きいことを特徴とする、請求項２６から２８のいずれかに記載の装置。
前記回路は、非穿孔性トラベクレクトミーに適したリザーバの形状に強膜組織を除去するよう形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の装置。
前記回路は、非穿孔性トラベクレクトミーに適した浸出エリアの形状に強膜組織を除去するよう形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の装置。
前記ビームは５ワットより大きいパワーを有することを特徴とする、請求項１から２８又は２９−３３のいずれかに記載の装置。
前記レーザはシングルショットで１０−３０μｍを融除することを特徴とする、請求項１から２８又は２９−３４のいずれかに記載の装置。
前記レーザはシングルショットで１６−２５μｍを融除することを特徴とする、請求項１から２８又は２９−３４のいずれかに記載の装置。
前記レーザはシングルショットで１６−２０μｍを融除することを特徴とする、請求項１から２８又は２９−３４のいずれかに記載の装置。