JP2005354017A - Optically-hardening reaction control imprint mold and imprint processing method using the same, and imprint processed product - Google Patents

Optically-hardening reaction control imprint mold and imprint processing method using the same, and imprint processed product Download PDF

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俊夫 久保田
Mamoru Onda
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small imprint device that does not generate an optically hardened resinous film after irradiating light. <P>SOLUTION: In an optically-hardening reaction control imprint mold 1, an optically-hardening imprint mold 1 uses a substrate of optically-transparent artificial quartz, sapphire, polycarbonate, etc., and has a convexo-concave pattern formed thereon. A resinous film, an inorganic film, and the like for controlling an optically-hardening reaction are formed onto the convexo-concave pattern. Also, an imprint processing method is disclosed using the same. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

発明の詳細な説明Detailed Description of the Invention

本発明はナノ、ミクロンレベルの微細な凹凸パターン形状を有する金型を被印刷部材に押圧し、被印刷部材に凹凸パターン形状を転写印刷するインプリント加工用金型、それを用いたインプリント加工法、ならびインプリント金型と加工法を用いたインプリント加工製品に関するものである。  The present invention relates to an imprint mold for pressing a mold having a fine uneven pattern shape of nano and micron level to a printed member, and transferring and printing the uneven pattern shape on the printed member, and imprint processing using the same The present invention relates to an imprinted product using a method, an imprint mold, and a processing method.

CD−ROM,DVD−ROMなどの光ディスクは、現在フォトリソグラフィー法で作成した金属製の樹脂成型用金型による、ドットパターンの樹脂成型法によって作られている。この光ディスクには映像、音楽などのデータがドットパターンとして記録されており、これをレーザー光で読みとり再生される。
またMOなどの光磁気ディスクでは、同じく金属金型によるドットパターンの形成後に、磁性体薄膜が記録薄膜として形成されている。MOではこの記録薄膜のデータをレーザー光で読み出しできるほか、消去、書き込みなども可能で、繰り返し記録(消去、書きこみ)が可能な記録媒体として市販されている。最近、これらの記録媒体は小型軽量化、携帯性、保管性、管理性、大容量化などの高い市場要求から、年々記録密度の向上が求められている。光インプリント法と呼ばれる方法では、パターン形成用樹脂に光硬化型の感光性の樹脂を用いる方法である。またパターン形成用の金型には、主に光を透過できる人工石英やサファイアなどの基板を用い、この基板にEB法(電子ビーム法)で微細なパターンを形成し、ドライエッチングして凹凸を形成した金型が用いられる。インプリントでは金型の材質は金属でない場合でも、慣例的に金型と呼んでいる。EB法では100ナノメーター以下のドットパターンの形成が容易であり、これを金型として用いることにより、高密度記録媒体の形成が可能になる。また記録媒体用樹脂に光硬化型を用いることによって、熱可塑性樹脂を用いる場合と比較して、低温でのドットパターンの形成が可能になり、熱によるパターンの歪みなどに配慮することなく、高密度な記録が可能な特徴がある。
Optical disks such as CD-ROMs and DVD-ROMs are currently made by a dot pattern resin molding method using a metal resin molding die created by photolithography. Data such as video and music are recorded as dot patterns on this optical disc, and this is read and reproduced with laser light.
Also, in magneto-optical disks such as MO, a magnetic thin film is formed as a recording thin film after forming a dot pattern with a metal mold. The MO is commercially available as a recording medium that can read the data of the recording thin film with a laser beam, as well as erasing and writing, and capable of repeated recording (erasing and writing). Recently, these recording media have been required to improve recording density year by year due to high market demands such as reduction in size and weight, portability, storability, manageability, and increase in capacity. In a method called a photoimprint method, a photo-curable photosensitive resin is used as a pattern forming resin. The pattern forming mold is mainly made of a substrate such as artificial quartz or sapphire that can transmit light. A fine pattern is formed on this substrate by the EB method (electron beam method), and the unevenness is formed by dry etching. The formed mold is used. In the imprint, even if the mold material is not metal, it is customarily called a mold. In the EB method, it is easy to form a dot pattern of 100 nanometers or less. By using this as a mold, it is possible to form a high-density recording medium. In addition, by using a photo-curing type resin for recording media, it becomes possible to form dot patterns at a lower temperature than when thermoplastic resins are used. There is a feature that enables high-density recording.

従来のCD−ROM,MOなどの場合、通常のドットパターンの形状は、幅0.4μm、深さ0.4μm、長さ0.9〜3.3μmである。これに対して、光インプリント法では、この1/10サイズのドットパターンの形成が可能であり、10倍の記録密度が達成できる。この光インプリント技術の開発によって、近い将来100GBの記録媒体の製造が可能になると期待されている。
この光インプリント技術は、1995年Chouによって始めて紹介された。この分野の学術論文はまだ数少ないが、例えば、砥粒学会誌、第46巻、第6号、p282、(2002)にナノインプリントの技術の現状として紹介されている。このなかで、金型にはEBでパターンを形成しドライエッチングで凹凸を形したサファイアを用い、上部から紫外線を照射して樹脂を硬化させる。このサファイア金型は、論文の中ではモールドと称している。また光インプリントリソグラフィ装置として、印刷装置の図面が掲載されている。この紹介論文の金型保持部を図1に断面図で示す。これによればサファイア製のインプリント金型1が上にあり、下には基板(被印刷部材)2がステージ4上に配置されていて、ステージ4はステージ上昇矢印6の方向に上昇して、サファイア製の金型1に押圧される。
In the case of a conventional CD-ROM, MO, etc., the normal dot pattern has a width of 0.4 μm, a depth of 0.4 μm, and a length of 0.9 to 3.3 μm. On the other hand, in the optical imprint method, it is possible to form a dot pattern of 1/10 size, and a recording density of 10 times can be achieved. The development of this optical imprint technology is expected to enable the production of a 100 GB recording medium in the near future.
This optical imprint technology was first introduced by Chou in 1995. Although there are still few academic papers in this field, it is introduced as the current state of nanoimprint technology, for example, in the Journal of Abrasive Grains, Vol. 46, No. 6, p282, (2002). Among these, sapphire, which has a pattern formed with EB and has irregularities formed by dry etching, is used for the mold, and the resin is cured by irradiating ultraviolet rays from above. This sapphire mold is called a mold in the paper. Also, a drawing of a printing apparatus is published as an optical imprint lithography apparatus. The mold holding part of this introduction paper is shown in a sectional view in FIG. According to this, the sapphire imprint mold 1 is on the upper side, and the substrate (printed member) 2 is disposed on the stage 4 below, and the stage 4 is raised in the direction of the stage rising arrow 6. The sapphire mold 1 is pressed.

この従来のインプリント金型を用いた微細印刷加工技術を図2にを用いて更に詳細に説明する。従来技術ではまず図2(a)のように、人工石英、サファイアなどの光透過性の基板(被印刷部材)2を用い、その表面に凹凸の形状を加工したインプリント金型1を用意する。このインプリント金型1の凹凸パターンの形状加工は、先に示したように、例えばレジスト塗布〜EB加工後のドライエッチングや、ケミカルウェットエッチングなどによって行なう。次にインプリント金型1を光硬化型感光性樹脂7を塗布した基板(被印刷部材)2に対して位置合わせし、大気中や減圧下または真空中で機械的な圧力を加えながら押し当てる。光硬化型感光性樹脂7は未硬化の段階では加圧流動性を有するので、基板(被印刷部材)2上には加圧によりインプリント金型1の凹凸の形状にそったレプリカレジストパターンが形成される。減圧下や真空中で行なう方法では、感光性樹脂、金型、および金型と基板間の内臓ガス体を排出できるので、より微細なインプリント加工に適している。
次に紫外線を照射してからインプリント金型1を基板(被印刷部材)2から剥離すると、光硬化反応の終了した光硬化樹脂パターン8が形成される。このときインプリント金型1で排除しきれなかった、光硬化樹脂残膜9も同時に形成される。この光硬化樹脂残膜9は同様に紫外線照射されるので、光硬化反応が終了している。次にこの光硬化樹脂残膜9を除去するために、例えばドライケミカルエッチングやプラズマアッシングなどをおこなうと、最終的なレプリカレジストパターン(d)が完成する。そしてさらにこのレプリカレジストパターンを用いて、基板(被印刷部材)2の微細エッチング加工をおこなうと、基板(被印刷部材)2にはインプリント金型1の逆パターンであるエッチングパターン10が形成される。基板(被印刷部材)2の微細エッチング加工は、通常ドライエッチングやウエットケミカルエッチングなどの工法によって行なわれる。
The fine printing technique using this conventional imprint mold will be described in more detail with reference to FIG. In the prior art, first, as shown in FIG. 2 (a), an imprint mold 1 is prepared by using a light-transmitting substrate (printed member) 2 such as artificial quartz or sapphire and processing the shape of the irregularities on the surface. . The shape processing of the concavo-convex pattern of the imprint mold 1 is performed, for example, by dry etching after resist coating to EB processing or chemical wet etching as described above. Next, the imprint mold 1 is aligned with the substrate (printed member) 2 coated with the photocurable photosensitive resin 7 and pressed while applying mechanical pressure in the air, under reduced pressure, or in vacuum. . Since the photo-curable photosensitive resin 7 has pressure fluidity at an uncured stage, a replica resist pattern is formed on the substrate (printed member) 2 along the uneven shape of the imprint mold 1 by pressurization. It is formed. The method performed under reduced pressure or in vacuum is suitable for finer imprint processing because the photosensitive resin, the mold, and the internal gas body between the mold and the substrate can be discharged.
Next, when the imprint mold 1 is peeled from the substrate (printed member) 2 after being irradiated with ultraviolet rays, a photo-curing resin pattern 8 in which the photo-curing reaction has ended is formed. At this time, a photocurable resin residual film 9 that could not be completely removed by the imprint mold 1 is also formed. Since this photocuring resin residual film 9 is similarly irradiated with ultraviolet rays, the photocuring reaction is completed. Next, for example, dry chemical etching or plasma ashing is performed in order to remove the photocured resin residual film 9, whereby a final replica resist pattern (d) is completed. Further, when the substrate (printing member) 2 is finely etched using the replica resist pattern, an etching pattern 10 which is the reverse pattern of the imprint mold 1 is formed on the substrate (printing member) 2. The Fine etching of the substrate (member to be printed) 2 is usually performed by a method such as dry etching or wet chemical etching.

発明が解決しようとする課題Problems to be solved by the invention

従来技術で述べたように、感光性樹脂は金型の押圧によって加圧流動し、凹凸のレプリカレジストパターンが形成されるが、同時に光硬化樹脂残膜も形成される。このため通常、光硬化樹脂残膜の厚さを薄くする手段として、印刷時の押圧を大きくするなどの対策がとられる。しかし押圧を高めると、インプリント金型に大きな力が加わり、インプリント金型の破損の原因になるばかりでなく、インプリント装置のインプリント金型取り付け構造部が大きくなり、装置全体が大型化するなどの欠点がある。また特に光インプリントにおいてはインプリント金型の上部は光照射のために解放する必要があるので、インプリント金型の保持は金型周囲を支える治具を用いて行なわれる。この治具に大きな力を加えると、インプリント金型の撓み変形が発生するので、押圧を高めることにも限界がある。
さらに光硬化樹脂残膜を除去するためのドライエッチングにおいては、光硬化樹脂残膜を完全に除去しようとすると、光硬化樹脂残膜以外のレプリカレジストパターンまでエッチングし、損傷させる危険があるので、特に50〜100nmの微細ドットパターンでは問題になっている。
As described in the prior art, the photosensitive resin flows under pressure by pressing the mold to form an uneven replica resist pattern, but at the same time, a photocuring resin residual film is also formed. For this reason, as a means for reducing the thickness of the photocurable resin residual film, measures such as increasing the pressure during printing are usually taken. However, when the pressure is increased, a large force is applied to the imprint mold, which not only causes damage to the imprint mold, but also increases the size of the imprint mold mounting structure of the imprint apparatus, which increases the overall size of the apparatus. There are disadvantages such as. In particular, in optical imprinting, the upper part of the imprint mold needs to be released for light irradiation, and therefore the imprint mold is held using a jig that supports the periphery of the mold. If a large force is applied to the jig, the imprint mold will bend and deform, and there is a limit to increasing the pressure.
Furthermore, in dry etching for removing the photocuring resin residual film, if the photocuring resin residual film is to be completely removed, there is a risk of etching and damaging the replica resist pattern other than the photocuring resin residual film. This is particularly a problem with fine dot patterns of 50 to 100 nm.

したがって、発明が解決しようとする課題は、
1) 光照射後の光硬化樹脂残膜を無くすこと。
2) インプリント装置を小型化すること。
3) より微細なパターン形成を可能にすること。
4) インプリント工程を短縮し、工程の削減により最終的なインプリント技術を応用した加工製品のコストを低減すること。
である。
Therefore, the problem to be solved by the invention is
1) Eliminate the photocuring resin residual film after light irradiation.
2) To reduce the size of the imprint apparatus.
3) To enable finer pattern formation.
4) To shorten the imprint process and reduce the cost of processed products applying the final imprint technology by reducing the process.
It is.

課題を解決するための手段Means for solving the problem

光透過性の人工石英、サファイア、ポリカーボネートなどの基板用い、その基板に凹凸形状のパターンを形成してなる光硬化型インプリント金型において、光硬化反応を遮断できる光硬化反応制御膜を設ける。  A photo-curing reaction control film capable of blocking photo-curing reaction is provided in a photo-curing imprint mold using a light-transmitting artificial quartz, sapphire, polycarbonate, or the like and forming a concave-convex pattern on the substrate.

課題を解決するための手段のひとつを図3により説明する。図3(a)に示すように、インプリント金型1の凸部表面に光硬化反応制御高分子膜11を設ける。この光硬化反応制御高分子膜11は、光硬化反応に用いる光源の波長の光に対しての遮断膜、または吸収膜などの機能性高分子膜からなっている。この光硬化反応制御高分子膜の付与は例えば、金型のドライエッチング加工に用いるレジスト膜が紫外線を透過しない材料であれば、このレジスト膜を剥離せずに、そのまま光硬化反応制御高分子膜として用いることによっても可能である。この光硬化反応制御高分子膜を有するインプリント金型を、光硬化型感光性樹脂7を塗布した基板(被印刷部材)2に位置合わせして、加圧しながら押し当てると(図3(b))、光硬化反応制御高分子膜直下の光硬化型感光性樹脂7は光硬化反応が進まない。したがって、未硬化のままで残った残膜は水や溶剤に可溶なので、金型剥離直後の簡単な洗浄により光硬化樹脂パターン8が現れる(図3(c))。この光硬化樹脂パターン8をレジストとして、各種ドライエッチングやウエットケミカルエッチング法によって基板をエッチングすると、エッチングパターン10が完成する(図3(d))。  One means for solving the problem will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3A, a photocuring reaction control polymer film 11 is provided on the surface of the convex portion of the imprint mold 1. The photocuring reaction control polymer film 11 is made of a functional polymer film such as a blocking film for light having a wavelength of a light source used for the photocuring reaction or an absorption film. For example, if the resist film used in the dry etching process of the mold is a material that does not transmit ultraviolet rays, the photocuring reaction control polymer film is not peeled off and the photocuring reaction control polymer film is used as it is. It is also possible to use as When the imprint mold having the photocuring reaction control polymer film is aligned with the substrate (printed member) 2 coated with the photocurable photosensitive resin 7 and pressed while pressing (FIG. 3B). )), The photo-curing photosensitive resin 7 directly under the photo-curing reaction control polymer film does not proceed with the photo-curing reaction. Accordingly, the remaining film remaining uncured is soluble in water or a solvent, so that the photo-curing resin pattern 8 appears by simple cleaning immediately after the mold is peeled (FIG. 3C). The etching pattern 10 is completed when the substrate is etched by various dry etching or wet chemical etching methods using the photocurable resin pattern 8 as a resist (FIG. 3D).

もう一つの手段を図4で説明する。図4ではインプリント金型1にポリマー金型1bを用いる。ポリマー金型1bには光硬化反応制御高分子膜11が形成されている。この光硬化反応制御高分子膜11は、例えばフォトマスクを用い感光性樹脂の露光、現像によるにより作成することができる。また非感光性樹脂の場合には、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザなどでパターンを形成しても良い。光硬化反応制御高分子膜の厚さは、金型用ベース基板1a上に最初に塗布する感光性樹脂や非感光性樹脂の厚さによって選定できる。この場合の感光性樹脂や非感光性樹脂には、光硬化型感光性樹脂の露光に用いる光源の光を遮断できる特性を持った樹脂を選定する。金型用ベース基板1aには、例えば紫外線を透過する人工石英やサファイア、またはポリカーボネートなどの板を用いる。
このポリマー金型1bを図3同様に、光硬化型感光性樹脂を塗布した基板(被印刷部材)2に位置合わせして、加圧しながら押し当てると(図4(b))、光硬化反応制御高分子膜直下の感光性樹脂は光硬化反応が進まない。したがって、未硬化のままで残った残膜は水や溶剤に可溶なので、金型剥離直後の簡単な洗浄により光硬化樹脂パターン8が現れる(図4(c))。この光硬化樹脂パターンをレジストとして、各種ドライエッチングやウエットケミカルエッチング法によって基板をエッチングすると、エッチングパターン10が完成する(図4(d))。
Another means will be described with reference to FIG. In FIG. 4, a polymer mold 1 b is used as the imprint mold 1. A photocuring reaction control polymer film 11 is formed on the polymer mold 1b. The photocuring reaction control polymer film 11 can be formed by exposing and developing a photosensitive resin using, for example, a photomask. In the case of a non-photosensitive resin, the pattern may be formed by an excimer laser, a carbon dioxide gas laser, or the like. The thickness of the photocuring reaction control polymer film can be selected depending on the thickness of the photosensitive resin or non-photosensitive resin that is first applied onto the mold base substrate 1a. As the photosensitive resin or non-photosensitive resin in this case, a resin having a characteristic capable of blocking light from a light source used for exposure of the photocurable photosensitive resin is selected. For the mold base substrate 1a, a plate made of, for example, artificial quartz, sapphire, or polycarbonate that transmits ultraviolet rays is used.
When this polymer mold 1b is aligned with a substrate (printing member) 2 coated with a photo-curable photosensitive resin, as in FIG. 3, and pressed with pressure (FIG. 4 (b)), a photo-curing reaction is performed. The photo-curing reaction does not proceed with the photosensitive resin directly under the control polymer film. Therefore, the remaining film remaining uncured is soluble in water or a solvent, so that the photo-curing resin pattern 8 appears by simple cleaning immediately after the mold is peeled off (FIG. 4C). Etching pattern 10 is completed when the substrate is etched by various dry etching or wet chemical etching methods using this photo-curing resin pattern as a resist (FIG. 4D).

また別の手段を図5で説明する。この例では光硬化反応制御膜として、光硬化反応制御無機質膜12を用いた無機質膜金型1cによる方法である。光硬化反応制御無機質膜12は例えば、フォトリソグラフィー用メタルマスクなどに用いるクロム蒸着膜や、ニッケルなどの無電解めっき膜、または酸化クロムなどのセラミック膜でも構わない。この光硬化反応制御無機質膜12は、蒸着後やめっき後のフォトリソグラフィで形成できる。また銅などの電気めっきで形成する場合には、まず金型用ベース基板1aに銅などの蒸着薄膜を全面に形成する。その後この蒸着薄膜の上部に電気めっきレジストパターンを形成し、必要とする厚さの電気銅めっきを施す。そして最後に電気めっきレジストと電気めっきレジスト直下の銅の蒸着薄膜を剥離する方法によって光硬化反応制御無機質膜を形成できる。この光硬化反応制御無機質膜は紫外線などの照射で膜特性が劣化しない特徴がある。
この光硬化反応制御無機質膜を有するインプリント金型を用いることによって、光硬化樹脂残膜の無い感光性樹脂パターンを形成でき、前述同様、基板(被印刷部材)の各種ドライエッチングやウエットケミカルエッチングを行なうことができる
Another means will be described with reference to FIG. In this example, the method is based on an inorganic film mold 1c using a photocuring reaction control inorganic film 12 as a photocuring reaction control film. The photocuring reaction controlled inorganic film 12 may be, for example, a chromium vapor deposition film used for a metal mask for photolithography, an electroless plating film such as nickel, or a ceramic film such as chromium oxide. This photocuring reaction controlled inorganic film 12 can be formed by photolithography after vapor deposition or plating. In the case of forming by electroplating such as copper, first, a vapor deposition thin film such as copper is formed on the entire surface of the mold base substrate 1a. Thereafter, an electroplating resist pattern is formed on the vapor-deposited thin film, and electroplating with a required thickness is performed. Finally, the photocuring reaction controlled inorganic film can be formed by a method of peeling the electroplating resist and the copper deposited thin film immediately below the electroplating resist. This photocuring reaction controlled inorganic film has a characteristic that the film characteristics are not deteriorated by irradiation with ultraviolet rays or the like.
By using an imprint mold having this photocuring reaction controlled inorganic film, a photosensitive resin pattern without a photocuring resin residual film can be formed. As described above, various dry etching and wet chemical etching of a substrate (printed member) Can do

さらに微細なパターン形成用としてEB加工法などで製造したマスター金型を用いて、ポリマーサブ金型を用いる方法がある。この方法は図2で示したと同じ方式で、基板(被印刷部材)2に紫外線を透過する人工石英やサファイアなどを用いる。この上に紫外線を遮断できる感光性樹脂膜を形成して、インプリント金型1をマスター金型として紫外線を照射すると、マスター金型に対するサブマスター版(レプリカ版)が完成する(図1(d))。この方式では図1に示すように光硬化樹脂残膜が形成されるので、光硬化樹脂パターン8を損傷しないように配慮しながら、凹部の光硬化樹脂残膜9をドライエッチング等で除去する。この方式ではEB加工によってマスター金型を作成するので、50nm〜1μmの非常に微細なパターンを形成できる特徴がある。この光硬化反応制御膜を有するインプリント金型を用いることによって、光硬化樹脂残膜の無い感光性樹脂パターンを形成でき、前述同様、基板(被印刷部材)の各種ドライエッチングやウエットケミカルエッチングを行なうことができる。  Further, there is a method of using a polymer sub mold using a master mold manufactured by an EB processing method or the like for forming a fine pattern. This method is the same method as shown in FIG. 2, and artificial quartz or sapphire that transmits ultraviolet rays is used for the substrate (member to be printed) 2. A photosensitive resin film capable of blocking ultraviolet rays is formed thereon, and when the ultraviolet rays are irradiated using the imprint mold 1 as a master mold, a sub-master plate (replica plate) for the master mold is completed (FIG. 1 (d) )). In this method, a photocurable resin residual film is formed as shown in FIG. 1, and thus the photocurable resin residual film 9 in the recesses is removed by dry etching or the like while taking care not to damage the photocurable resin pattern 8. This method has a feature that a very fine pattern of 50 nm to 1 μm can be formed because a master mold is formed by EB processing. By using an imprint mold having this photo-curing reaction control film, a photosensitive resin pattern having no photo-curing resin residual film can be formed. As described above, various dry etching and wet chemical etching of a substrate (printed member) can be performed. Can be done.

実施例1を図3を用いて説明する。図3(a)に示すように、インプリント金型1の凸部表面に光硬化反応制御高分子膜11を設ける。金型用ベース基板1には人工石英またはサファイアなどを用いる。光硬化反応制御高分子膜11は、光硬化反応に用いる光源の波長の光に対しての遮断膜、または吸収膜などの機能性高分子膜からなっている。実施例1では、金型のエッチング加工に用いるエッチングレジスト膜を紫外線を遮断、または吸収できる材料とし、このレジスト膜を剥離せずにそのまま制御膜として用いる。紫外線を遮断できる機能性材料としては、例えば酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化チタンなどがある。これらの材料のナノ粒子(粒子径50〜100nmφ)をエッチングレジスト膜に分散配合する。これらナノ粒子を分散させる感光性樹脂には例えば、高感度のネガ型遠紫外感光性樹脂(DeepUV/波長250〜300nm)である、ポリグリシジルメタクリレートのメチルマレイン酸付与物やクロルメチル化ポリスチレン、またはポジ型のポリメチルイソプロペニルケトンやポリメチルメタクリレートなどを用いる。この光遮断ナノ粒子を分散させた感光性樹脂を、インプリント金型1の材料である人工石英、サファイアなどの上に塗布してから、露光、現像によりエッチングレジスト膜となる感光性樹脂パターンを形成する。その後人工石英、サファイアを例えばフッ酸水溶液でウエットケミカルエッチングすると、紫外線を遮断できる光硬化反応制御高分子膜を有するインプリント金型1が完成する。  Example 1 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3A, a photocuring reaction control polymer film 11 is provided on the surface of the convex portion of the imprint mold 1. Artificial quartz or sapphire is used for the mold base substrate 1. The photocuring reaction control polymer film 11 is composed of a functional polymer film such as a blocking film for light having a wavelength of a light source used for the photocuring reaction or an absorption film. In Example 1, the etching resist film used for the etching process of the mold is made of a material capable of blocking or absorbing ultraviolet rays, and this resist film is used as it is as a control film without being peeled off. Examples of functional materials that can block ultraviolet rays include cerium oxide, zinc oxide, and titanium oxide. Nanoparticles of these materials (particle diameter 50-100 nmφ) are dispersed and blended into the etching resist film. Examples of the photosensitive resin in which these nanoparticles are dispersed include, for example, a high-sensitivity negative far ultraviolet photosensitive resin (Deep UV / wavelength 250 to 300 nm), polyglycidyl methacrylate methylmaleic acid-adduct, chloromethylated polystyrene, A type of polymethyl isopropenyl ketone or polymethyl methacrylate is used. The photosensitive resin in which the light-blocking nanoparticles are dispersed is applied onto artificial quartz, sapphire or the like that is the material of the imprint mold 1, and then a photosensitive resin pattern that becomes an etching resist film by exposure and development is formed. Form. Thereafter, when the artificial quartz and sapphire are wet-chemically etched with a hydrofluoric acid aqueous solution, for example, the imprint mold 1 having a photocuring reaction control polymer film capable of blocking ultraviolet rays is completed.

この光硬化反応制御高分子膜を有するインプリント金型1を、パターン形成用の光硬化型感光性樹脂7を塗布した基板(被印刷部材)2に位置合わせして、加圧しながら押し当てる(図3(b))。パターン形成用の感光性樹脂には、ウエットケミカルエッチングに耐性のある解像力2〜4μmのネガ型の2,6−(4’−アジドベンザル)メチルシクロヘキサノン(露光波長365nm)などを用いることができる。光硬化反応制御高分子膜を有するインプリント金型は、光硬化反応制御高分子膜直下の感光性樹脂7は光硬化反応が進まない。したがって、未硬化のままで残った残膜は有機溶剤や水系溶剤に可溶なので、金型剥離直後の簡単な溶剤洗浄により光硬化樹脂パターン8が現れる(図3(c))。この光硬化樹脂パターンをレジストとして基板(被印刷部材)2をウエットケミカルエッチングでエッチングすると、エッチングパターン10が完成する(図3(d))。  The imprint mold 1 having this photo-curing reaction control polymer film is aligned with a substrate (printed member) 2 coated with a photo-curing photosensitive resin 7 for pattern formation and pressed while being pressed ( FIG. 3 (b)). As the photosensitive resin for pattern formation, negative 2,6- (4'-azidobenzal) methylcyclohexanone (exposure wavelength 365 nm) having a resolution of 2 to 4 [mu] m and resistant to wet chemical etching can be used. In the imprint mold having the photocuring reaction control polymer film, the photocuring reaction does not proceed in the photosensitive resin 7 immediately below the photocuring reaction control polymer film. Accordingly, since the remaining film remaining uncured is soluble in an organic solvent or an aqueous solvent, the photo-curing resin pattern 8 appears by simple solvent cleaning immediately after the mold is peeled off (FIG. 3C). When the substrate (member to be printed) 2 is etched by wet chemical etching using the photocurable resin pattern as a resist, the etching pattern 10 is completed (FIG. 3D).

この場合の基板(非印刷部材)2としては、例えば、銅箔(5〜20μm厚さ)を配線導体として用いる半導体装置実装用のプリント基板があげられる。プリント基板のなかでも特にモジュール基板では、半導体素子(ベアチップ)をモジュール基板上に直接に搭載するために、配線幅5〜10μmの微細な配線導体が必要になっている。銅箔のエッチングには、塩化第二銅や塩化第二鉄の水溶液が通常用いられる。エッチング終了後、光硬化樹脂パターン8を剥離するとモジュール基板が完成する。
また他の応用例では、ガラス基板を用いた、マイクロ化学チップやDNA解析用のマイクロ生化学チップがある。これらのマイクロチップでは、微量の検体を短時間で解析ができるように、流路が数10μmのマイクロ流路のチップが必要になっている。このマイクロチップの場合も光硬化反応制御型インプリント金型を用いることにより、光硬化樹脂残膜の無い感光性樹脂パターンをガラス基板上に形成でき、CFを用いたドライケミカルエッチングやフッ酸水溶液を用いたウエットケミカルエッチングにより微細な溝をガラス基板に形成することができる。
Examples of the substrate (non-printing member) 2 in this case include a printed circuit board for mounting a semiconductor device using a copper foil (5 to 20 μm thick) as a wiring conductor. Among printed circuit boards, in particular, module boards require fine wiring conductors having a wiring width of 5 to 10 μm in order to directly mount semiconductor elements (bare chips) on the module board. An aqueous solution of cupric chloride or ferric chloride is usually used for etching the copper foil. After the etching is completed, the photocurable resin pattern 8 is peeled off to complete the module substrate.
Other application examples include a microchemical chip using a glass substrate and a microbiochemical chip for DNA analysis. These microchips require a microchannel chip having a flow path of several tens of μm so that a very small amount of sample can be analyzed in a short time. Also in the case of this microchip, by using a photo-curing reaction control type imprint mold, a photosensitive resin pattern without a photo-curing resin residual film can be formed on a glass substrate, and dry chemical etching using CF 4 or hydrofluoric acid Fine grooves can be formed in the glass substrate by wet chemical etching using an aqueous solution.

実施例2を図4により説明する。実施例2はインプリント金型1にポリマー金型1bを用いるものである。ポリマー金型1bには光硬化反応制御高分子膜11を光遮断機能を有する感光性樹脂を用いて形成する。光遮断機能を有する感光性樹脂には、実施例1で述べた酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化チタンなどのナノ粒子を分散配合した、ネガ型感光性レジストのポリグリシジルメタクリレートのメチルマレイン酸付与物やクロルメチル化ポリスチレン、またはポジ型のポリメチルイソプロペニルケトンやポリメチルメタクリレートなどを用いる。この感光性樹脂を石英またはサファイアまたはポリカーボネートなどの金型用ベース基板1a上に塗布してから、フォトマスクを用い感光性樹脂の露光、現像によるによりポリマー金型1bを作る。またこのポリマー金型では非感光性樹脂を用いることもできる。この場合には、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザなどによって光硬化反応制御高分子膜11を形成する。非感光性樹脂では、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化チタンのナノ粒子を分散配合しても良いが、それ自身が紫外線を吸収して紫外線遮断機能を有する、ベンゾフェノン系樹脂や、マロン酸エステル系樹脂を用いることもできる。  A second embodiment will be described with reference to FIG. In Example 2, a polymer mold 1 b is used as the imprint mold 1. A photocuring reaction control polymer film 11 is formed on the polymer mold 1b using a photosensitive resin having a light blocking function. The photosensitive resin having a light blocking function is a negative-type photosensitive resist polyglycidyl methacrylate-methylmaleic acid-imparted product in which nanoparticles such as cerium oxide, zinc oxide, and titanium oxide described in Example 1 are dispersed and blended. Chlormethylated polystyrene, positive polymethylisopropenyl ketone, polymethyl methacrylate, or the like is used. The photosensitive resin is applied on a mold base substrate 1a such as quartz, sapphire, or polycarbonate, and then a polymer mold 1b is formed by exposure and development of the photosensitive resin using a photomask. In this polymer mold, a non-photosensitive resin can also be used. In this case, the photocuring reaction control polymer film 11 is formed by an excimer laser, a carbon dioxide gas laser, or the like. For non-photosensitive resins, nanoparticles of cerium oxide, zinc oxide, and titanium oxide may be dispersed and blended, but benzophenone-based resins and malonic ester-based resins that themselves absorb ultraviolet rays and have an ultraviolet blocking function Can also be used.

光硬化反応制御高分子膜11の厚さは、金型用ベース基板1a上に最初に塗布する感光性樹脂や非感光性樹脂の厚さによって決まる。ポリマー金型1bを光硬化型感光性樹脂を塗布した基板(被印刷部材)2に位置合わせして、加圧しながら押し当てると(図4(b))、光硬化反応制御高分子膜直下の感光性樹脂は光硬化反応が進まない。したがって、未硬化のままで残った残膜は水系溶剤や有機溶剤に可溶なので、金型剥離直後の簡単な洗浄により光硬化樹脂パターン8が現れる(図4(c))。この光硬化樹脂パターン8をエッチングレジスト膜として、基板(非印刷部材)2を各種ドライエッチングやウエットケミカルエッチングによりエッチングし、最後に光硬化樹脂パターン8を剥離すると、エッチングパターン10が完成する(図4(d))。
このポリマー金型の応用としては、実施例1と同様にモジュール基板やマイクロ化学チップ,マイクロ生化学チップが挙げられる。
The thickness of the photocuring reaction control polymer film 11 is determined by the thickness of the photosensitive resin or non-photosensitive resin that is first applied on the mold base substrate 1a. When the polymer mold 1b is aligned with the substrate (printed member) 2 coated with the photocurable photosensitive resin and pressed while pressing (FIG. 4B), the polymer mold 1b is directly under the photocurable reaction control polymer film. The photo-curing reaction does not proceed with the photosensitive resin. Therefore, since the remaining film remaining uncured is soluble in an aqueous solvent or an organic solvent, the photo-curing resin pattern 8 appears by simple cleaning immediately after the mold is peeled (FIG. 4C). The photocuring resin pattern 8 is used as an etching resist film, the substrate (non-printing member) 2 is etched by various dry etching or wet chemical etching, and finally the photocuring resin pattern 8 is peeled to complete the etching pattern 10 (FIG. 4 (d)).
Examples of the application of the polymer mold include a module substrate, a microchemical chip, and a microbiochemical chip as in the first embodiment.

実施例3を図5により説明する。実施例3では光硬化反応制御膜として、金型用ベース基板1a上の光硬化反応制御無機質膜12(以下簡単に無機質膜と記述する)を用いる。無機質膜としては例えば、フォトリソグラフィーに用いるメタルマスクのクロム蒸着膜や、ニッケルなどの無電解めっき膜、または酸化クロムなどのセラミック膜を用いる。金型用ベース基板1aには、人工石英やサファイアなどを用い、その上にこれら光硬化反応制御無機質膜12を形成する。この無機質膜のパターンは、ベース基板上への全面蒸着後、または全面無電解めっき後の通常のフォトリソグラフィ法で形成することができる。また銅やニッケル、またはクロムなどの電気めっきで形成する場合には、まず金型用ベース基板1aに銅、ニッケル、クロムなどの蒸着薄膜を全面に形成する。その後この蒸着薄膜の上部に感光性樹脂の露光現像によるめっきレジストパターンをフォトマスクを用いて形成する。次に必要とする厚さの電気めっきを施す。そして最後にめっきレジストパターンと電気めっきレジスト直下の銅の蒸着薄膜を剥離して光硬化反応制御無機質膜12を形成すると無機質膜金型1cが完成する。この光硬化反応制御無機質膜を有するインプリント金型を用いることによって、光硬化樹脂残膜の無い感光性樹脂パターンを形成でき、前述同様、基板(被印刷部材)2の各種ドライエッチングやウエットケミカルエッチングを行なうことができる
このポリマー金型の応用には、実施例1、2と同様にモジュール基板やマイクロ化学チップ,マイクロ生化学チップがある。
A third embodiment will be described with reference to FIG. In Example 3, a photocuring reaction control inorganic film 12 (hereinafter simply referred to as an inorganic film) on the mold base substrate 1a is used as the photocuring reaction control film. As the inorganic film, for example, a chromium vapor deposition film of a metal mask used for photolithography, an electroless plating film such as nickel, or a ceramic film such as chromium oxide is used. Artificial quartz, sapphire, or the like is used for the mold base substrate 1a, and the photocuring reaction controlled inorganic film 12 is formed thereon. The pattern of the inorganic film can be formed by a normal photolithography method after the entire surface is deposited on the base substrate or after the entire electroless plating. In the case of forming by electroplating such as copper, nickel, or chromium, first, a vapor deposition thin film such as copper, nickel, or chromium is formed on the entire surface of the mold base substrate 1a. Thereafter, a plating resist pattern by exposure and development of a photosensitive resin is formed on the deposited thin film using a photomask. Next, electroplating with a required thickness is performed. Finally, the copper film deposited immediately below the plating resist pattern and the electroplating resist is peeled off to form the photocuring reaction controlled inorganic film 12, thereby completing the inorganic film mold 1c. By using the imprint mold having the photocuring reaction controlled inorganic film, a photosensitive resin pattern without a photocuring resin residual film can be formed. As described above, various dry etching and wet chemicals for the substrate (printed member) 2 can be performed. Etching can be performed. Applications of the polymer mold include a module substrate, a microchemical chip, and a microbiochemical chip as in the first and second embodiments.

実施例4を図2により説明する。実施例4では、さらに微細なパターン形成用として、EB加工法などで製造したマスター金型を用いて作成した、ポリマー金型による方法である。この方法は図2のように、基板(被印刷部材)2に紫外線透過性の人工石英やサファイアなどを用いる。この基板2の上に実施例2、3のように紫外線を遮断できる光硬化型感光性樹脂膜を形成し、インプリント金型1をマスター金型として用い紫外線を照射すると、マスター金型に対するサブマスター版(レプリカ版)ができる(図1(d))。この方式では図1に示すように光硬化樹脂残膜9が形成される。この光硬化樹脂残膜9をCFなどによるドライケミカルエッチング等によって、感光性樹脂パターン8が所定の厚さ以下に膜減りしないよう、ガス圧や時間に配慮しながら除去する。ただし、実施例1(図3)のように、マスター金型に光硬化反応制御膜がある場合には、光硬化樹脂残膜の除去の必要はなくなる。
この方式ではEB加工によってマスター金型を作成するので、50nm〜1μmの非常に微細なパターンを形成できる。このようにして作成した光硬化反応制御高分子膜を有するポリマー金型を用いることによって、基板(被印刷部材)2の上に光硬化樹脂残膜の無い光硬化樹脂パターン8を形成でき、基板(被印刷部材)2をドライエッチングやウエットケミカルエッチングによってエッチングすることができる。
この方式の応用としては大容量MOなどの光磁気ディスクがある。大容量MOでは将来100GBの記録媒体が必要になると期待されている。このためには3インチのディスクで50nmのドットパターンが必要となるが、このドットパターンを有するMOの量産における安価な製造は、高価なEB加工装置を用いたEB直接描画では不可能であり、従来技術で記述したように、本発明における光硬化反応制御型インプリント金型が必要になる。
A fourth embodiment will be described with reference to FIG. Example 4 is a method using a polymer mold created by using a master mold manufactured by an EB processing method or the like for forming a finer pattern. In this method, as shown in FIG. 2, an ultraviolet transmissive artificial quartz, sapphire, or the like is used for the substrate (member to be printed) 2. When a photo-curable photosensitive resin film capable of blocking ultraviolet rays is formed on the substrate 2 as in Examples 2 and 3, and the imprint mold 1 is used as a master mold and irradiated with ultraviolet rays, the sub mold relative to the master mold is formed. A master version (replica version) is produced (FIG. 1 (d)). In this method, a photo-curing resin residual film 9 is formed as shown in FIG. The photocured resin residual film 9 is removed by dry chemical etching using CF 4 or the like while considering the gas pressure and time so that the photosensitive resin pattern 8 is not reduced to a predetermined thickness or less. However, when the master mold has a photocuring reaction control film as in Example 1 (FIG. 3), it is not necessary to remove the photocuring resin residual film.
In this method, since a master mold is created by EB processing, a very fine pattern of 50 nm to 1 μm can be formed. By using the polymer mold having the photocuring reaction control polymer film thus prepared, the photocuring resin pattern 8 having no photocuring resin residual film can be formed on the substrate (printed member) 2. (Printed member) 2 can be etched by dry etching or wet chemical etching.
An application of this method is a magneto-optical disk such as a large-capacity MO. A large capacity MO is expected to require a 100 GB recording medium in the future. For this purpose, a dot pattern of 50 nm is required on a 3-inch disk, but inexpensive production in mass production of MO having this dot pattern is impossible by EB direct drawing using an expensive EB processing apparatus, As described in the prior art, the photocuring reaction control type imprint mold in the present invention is required.

発明の効果The invention's effect

本発明の効果は、発明が解決しようとする課題で掲げた光インプリント金型の技術課題である
1) 光照射後の樹脂残膜を無くすこと。
2) インプリント装置を小型化すること。
3) より微細なパターン形成を可能にすること。
4) インプリント工程を短縮し、工程の削減により最終的なインプリント応用加工製品のコストを低減すること。
を解決できるばかりでなく、
5) サブマスター版の使用により、EB加工による高価なマスター版を数多く使用する必要がなくなり、MOなどの大容量メディアディスクを安価に作れること。
などの多くの効果がある。
The effect of the present invention is the technical problem of the optical imprint mold mentioned in the problem to be solved by the invention 1) Eliminating the residual resin film after light irradiation.
2) To reduce the size of the imprint apparatus.
3) To enable finer pattern formation.
4) To shorten the imprint process and reduce the cost of the final imprint applied product by reducing the process.
As well as
5) By using the sub master plate, it is not necessary to use many expensive master plates by EB processing, and large capacity media disks such as MO can be made at low cost.
There are many effects such as.

インプリント装置Imprint device 従来技術のインプリント用金型Conventional imprint mold 本発明のインプリント金型Imprint mold of the present invention 本発明のインプリント金型Imprint mold of the present invention 本発明のインプリント金型Imprint mold of the present invention

符号の説明Explanation of symbols

1 インプリント金型、1a 金型用ベース基板、1b ポリマー金型、1c 無機質膜金型、2 基板(被印刷部材)、3 サファイア(紫外線照射板)、4 ステージ、5 光ファイバー、6 ステージ上昇矢印、7 光硬化型感光性樹脂、8 光硬化樹脂パターン、9 光硬化樹脂残膜、10 エッチングパターン、11 光硬化反応制御高分子膜、12 光硬化反応制御無機質膜  1 imprint mold, 1a mold base substrate, 1b polymer mold, 1c inorganic film mold, 2 substrate (printed member), 3 sapphire (ultraviolet irradiation plate), 4 stage, 5 optical fiber, 6 stage up arrow 7 Photo-curing type photosensitive resin, 8 Photo-curing resin pattern, 9 Photo-curing resin residual film, 10 Etching pattern, 11 Photo-curing reaction control polymer film, 12 Photo-curing reaction control inorganic film

Claims (3)

光透過性の人工石英、サファイア、ポリカーボネートなどの基板用い、その基板に凹凸形状のパターンを形成してなる光硬化型インプリント金型において、光硬化反応を制御するための樹脂膜、無機質膜などを基板上に形成したことを特徴とする、光硬化反応制御型インプリント金型およびそれを用いたインプリント加工方法ならびにインプリント加工製品。  Resin film, inorganic film, etc. for controlling photo-curing reaction in photo-curable imprint mold using light-transmitting artificial quartz, sapphire, polycarbonate, etc. A photo-curing reaction control type imprint mold, an imprint processing method using the same, and an imprint processed product. 請求項1において、光硬化反応を制御するための樹脂膜、無機質膜などは、光硬化反応の照射光を遮断できる反射、吸収膜などの機能性膜であることを特徴とする、請求項1記載の光硬化反応制御型インプリント金型およびそれを用いたインプリント加工方法ならびにインプリント加工製品。  The resin film or inorganic film for controlling the photocuring reaction according to claim 1 is a functional film such as a reflection or absorption film that can block the irradiation light of the photocuring reaction. The photocuring reaction control type imprint mold described above, an imprint processing method using the same, and an imprint processed product. 請求項1において、インプリント加工製品は、半導体チップ、半導体装置、電子装置などを搭載するプリント基板、DNA解析などに用いるマイクロ生化学チップ、化学反応の解析などに用いるマイクロ化学チップなどである、請求項1記載の光硬化反応制御型インプリント金型を用いて製造したインプリント加工製品。  In claim 1, the imprint processed product is a printed circuit board on which a semiconductor chip, a semiconductor device, an electronic device or the like is mounted, a micro biochemical chip used for DNA analysis, a micro chemical chip used for chemical reaction analysis, or the like. An imprint processed product produced using the photocuring reaction control type imprint mold according to claim 1.
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