JP4717623B2 - Method for producing pattern forming body - Google Patents
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Description
本発明は、インプリント法を用いたパターン形成体の製造方法に関し、特に従来に比べて簡便な方法でパターン形成体を得ることができるパターン形成体の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for producing a pattern-formed body using an imprint method, and more particularly to a method for producing a pattern-formed body capable of obtaining a pattern-formed body by a simpler method than conventional methods.
例えば半導体集積回路やマイクロレンズを作製する際に、現在、フォトリソグラフィー法が広く使用されている。一方、このようなフォトリソグラフィーと比較して、安価に凹凸パターンを形成する方法として、インプリント法が知られている。インプリント法とは、表面に予め所望の凹凸パターンを有するテンプレートを用いて、被転写基板と密着させ、熱や光等の外部刺激を与えることによって、被転写基板の表面に凹凸パターンを形成する方法である。 For example, when a semiconductor integrated circuit or a microlens is manufactured, a photolithography method is currently widely used. On the other hand, an imprint method is known as a method for forming a concavo-convex pattern at a lower cost than such photolithography. The imprint method uses a template having a desired concavo-convex pattern on the surface in close contact with the substrate to be transferred and applies an external stimulus such as heat or light to form the concavo-convex pattern on the surface of the substrate to be transferred. Is the method.
ところが、このようなインプリント法を用いて、例えばマイクロレンズ付基板を製造する場合、以下のような問題があった。すなわち、インプリント法においては、例えば図5(a)に示すように、基板51および感光性樹脂層52を有する被転写基板53と、表面に凹凸パターン54を有するテンプレート55とを用い、図5(b)に示すように、被転写基板53およびテンプレート55を密着した状態で光56を照射し、その後、テンプレート55を剥離することによって、図5(c)に示すような凹凸被転写基板57を得る。このような場合に、凹凸被転写基板57に、厚膜層58が発生する。
However, when manufacturing a substrate with a microlens, for example, using such an imprint method, there are the following problems. That is, in the imprint method, for example, as shown in FIG. 5A, a transferred
この凹凸被転写基板57の感光性樹脂層52をマイクロレンズとして使用する場合、厚膜層58は、集光率を低下させる原因となり得る。そのため、通常、図5(d)に示すように、酸素プラズマ等のドライエッチング59を行うことにより、厚膜層58を除去し、図5(e)に示すようなマイクロレンズ付基板(パターン形成体)60を得る。
When the
上記のようなドライエッチングを行うためには、凹凸被転写基板を真空系におく必要があり、その結果、マイクロレンズ付基板等を作製する際の工程が煩雑になるという問題があった。そのため、より簡便な方法でマイクロレンズ付基板等を作製することができる方法が望まれていた。なお、インプリント装置およびインプリント方法については、例えば特許文献1に開示されたもの等がある。
In order to perform the dry etching as described above, it is necessary to place the concavo-convex transfer substrate in a vacuum system, and as a result, there is a problem that the process for manufacturing the substrate with microlenses and the like becomes complicated. Therefore, a method capable of producing a substrate with a microlens and the like by a simpler method has been desired. As for the imprint apparatus and the imprint method, for example, those disclosed in
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、例えばマイクロレンズ付基板等のパターン形成体を、従来に比べて簡便な方法で得ることができるパターン形成体の製造方法を提供することを主目的とするものである。 This invention is made | formed in view of the said situation, for example, providing the manufacturing method of the pattern formation body which can obtain pattern formation bodies, such as a board | substrate with a microlens, by a simpler method compared with the former. This is the main purpose.
上記課題を解決するために、本発明においては、基板、および上記基板上に形成された感光性樹脂層を備えた被転写基板と、表面に凹凸パターンを有するテンプレートとを用い、上記被転写基板の感光性樹脂層と、上記テンプレートの凹凸パターンとを密着させ密着積層体を形成する密着積層体形成工程と、上記密着積層体のテンプレート側から光を照射する露光工程と、上記露光工程後に、上記密着積層体のテンプレートを剥離することにより、凹凸被転写基板を形成し、上記凹凸被転写基板を現像液で現像する現像工程と、を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供する。 In order to solve the above problems, in the present invention, a substrate, a substrate to be transferred provided with a photosensitive resin layer formed on the substrate, and a template having a concavo-convex pattern on the surface are used. An adhesive laminate forming step in which the photosensitive resin layer and the concave / convex pattern of the template are in close contact to form an adhesive laminate, an exposure step of irradiating light from the template side of the adhesive laminate, and after the exposure step, A pattern forming body comprising: a step of forming a concavo-convex transfer substrate by peeling the template of the adhesion laminate, and developing the concavo-convex transfer substrate with a developer. To do.
本発明によれば、インプリント法により生じる厚膜層を、現像液を用いた現像処理で除去することで、従来に比べて簡便な方法でパターン形成体を得ることができる。 According to the present invention, it is possible to obtain a pattern-formed body by a simpler method than in the past by removing the thick film layer generated by the imprint method by a development process using a developer.
また、上記発明においては、上記テンプレートが、上記凹凸パターンの凸部または凹部に、光の透過率を調整する透過率調整層を有することが好ましい。上記テンプレートが、凹凸パターンの凸部または凹部に透過率調整層を有していれば、露光工程の際に、密着積層体の感光性樹脂層に照射される光を部分的に低減させることができる。これにより、例えば、感光性樹脂層にネガ型感光性樹脂層を用いた場合に、透過率調整層により照射される光が低減されたネガ型感光性樹脂層の領域は、照射される光が低減されていないネガ型感光性樹脂層の領域(通常の露光が行われた領域)に比べて架橋密度が低くなり、現像工程において除去され易くなるため、上述した厚膜層を容易に除去することができる。 Moreover, in the said invention, it is preferable that the said template has the transmittance | permeability adjustment layer which adjusts the transmittance | permeability of light in the convex part or recessed part of the said uneven | corrugated pattern. If the template has a transmittance adjusting layer in the convex part or concave part of the concavo-convex pattern, the light irradiated to the photosensitive resin layer of the adhesion laminate can be partially reduced during the exposure process. it can. Thereby, for example, when a negative photosensitive resin layer is used for the photosensitive resin layer, the area of the negative photosensitive resin layer in which the light irradiated by the transmittance adjusting layer is reduced is reduced. The above-described thick film layer is easily removed because the crosslink density is lower than the area of the negative photosensitive resin layer that has not been reduced (the area where normal exposure has been performed) and is easily removed in the development process. be able to.
また、上記発明においては、上記露光工程の際の光の露光量が、完全硬化露光量に対して50〜99%の範囲内であることが好ましい。露光工程の際の光の露光量を上記範囲内とすることで、ネガ型感光性樹脂を、現像液に対して適度に溶解する程度に硬化させることができ、その結果、現像処理を行うことにより、上述した厚膜層を容易に除去することができるからである。 Moreover, in the said invention, it is preferable that the exposure amount of the light in the case of the said exposure process exists in the range of 50 to 99% with respect to a complete curing exposure amount. By setting the exposure amount of light in the exposure step within the above range, the negative photosensitive resin can be cured to an extent that it can be appropriately dissolved in the developer, and as a result, development processing is performed. This is because the thick film layer described above can be easily removed.
また、本発明においては、表面に凹凸パターンを有し、上記凹凸パターンの凸部または凹部に、光の透過率を調整する透過率調整層を有することを特徴とするインプリント用テンプレートを提供する。 In the present invention, there is also provided an imprint template comprising a concavo-convex pattern on the surface, and having a transmittance adjusting layer for adjusting light transmittance at a convex portion or a concave portion of the concavo-convex pattern. .
本発明によれば、上記透過率調整層を有するテンプレートを用いることにより、インプリント法により生じる厚膜層を容易に除去することができる。 According to the present invention, the thick film layer produced by the imprint method can be easily removed by using the template having the transmittance adjusting layer.
本発明においては、インプリント法により生じる厚膜層を、現像液を用いた現像処理で除去することで、従来に比べて簡便な方法でパターン形成体を得ることができるという効果を奏する。 In the present invention, by removing the thick film layer generated by the imprint method by a developing process using a developer, there is an effect that a pattern-formed body can be obtained by a simpler method than conventional methods.
以下、本発明のパターン形成体の製造方法およびインプリント用テンプレートについて詳細に説明する。 Hereinafter, the manufacturing method of the pattern formation body and imprint template of this invention are demonstrated in detail.
A.パターン形成体の製造方法
まず、本発明のパターン形成体の製造方法について説明する。本発明のパターン形成体の製造方法は、基板、および上記基板上に形成された感光性樹脂層を備えた被転写基板と、表面に凹凸パターンを有するテンプレートとを用い、上記被転写基板の感光性樹脂層と、上記テンプレートの凹凸パターンとを密着させ密着積層体を形成する密着積層体形成工程と、上記密着積層体のテンプレート側から光を照射する露光工程と、上記露光工程後に、上記密着積層体のテンプレートを剥離することにより、凹凸被転写基板を形成し、上記凹凸被転写基板を現像液で現像する現像工程と、を有することを特徴とするものである。
A. First, the manufacturing method of the pattern formation body of this invention is demonstrated. The method for producing a pattern formed body of the present invention uses a substrate, a transfer substrate provided with a photosensitive resin layer formed on the substrate, and a template having a concavo-convex pattern on the surface, and sensitizes the transfer substrate. Adhesive layer forming step of forming an adhesive laminate by bringing the adhesive resin layer and the concavo-convex pattern of the template into close contact, an exposure step of irradiating light from the template side of the adhesive laminate, and the adhesion step after the exposure step A step of forming a concavo-convex transfer substrate by peeling the template of the laminate, and developing the concavo-convex transfer substrate with a developer.
本発明によれば、インプリント法により生じる厚膜層を、現像液を用いた現像処理で除去することで、従来に比べて簡便な方法でパターン形成体を得ることができる。より具体的には、従来においては、酸素プラズマ等のドライエッチングを行うことにより厚膜層を除去するため真空装置等が必要になり、工程が煩雑になるという問題があったが、本発明においては、現像液を用いた現像処理で厚膜層を除去することから、より簡便にパターン形成体を得ることができる。 According to the present invention, it is possible to obtain a pattern-formed body by a simpler method than in the past by removing the thick film layer generated by the imprint method by a development process using a developer. More specifically, in the prior art, a vacuum apparatus or the like is required to remove the thick film layer by performing dry etching such as oxygen plasma, and the process is complicated. Since the thick film layer is removed by development processing using a developer, a pattern-formed body can be obtained more easily.
また、上述したように、本発明はインプリント法により凹凸被転写基板を形成した後に、現像工程を行うことを特徴とするものである。従って、本発明のパターン形成体の製造方法は、インプリント法と現像工程とを行うものであれば特に限定されるものではないが、中でも、特定のテンプレートを用いること(第一態様)、または、ネガ型感光性樹脂層に対して特定の露光量で露光を行うこと(第二態様)が好ましい。
以下、第一態様および第二態様について説明する。
In addition, as described above, the present invention is characterized in that the development step is performed after the uneven transfer substrate is formed by the imprint method. Accordingly, the method for producing the pattern-formed product of the present invention is not particularly limited as long as the imprint method and the development step are performed. Among them, a specific template is used (first aspect), or It is preferable that the negative photosensitive resin layer is exposed with a specific exposure amount (second embodiment).
Hereinafter, the first aspect and the second aspect will be described.
1.第一態様
まず、第一態様のパターン形成体の製造方法について説明する。本態様は、特定のテンプレートを用いることを特徴とするものである。具体的には、上記テンプレートが、上記凹凸パターンの凸部または凹部に、光の透過率を調整する透過率調整層を有することを特徴とするものである。
1. First Aspect First, a method for producing a pattern forming body according to a first aspect will be described. This aspect is characterized by using a specific template. Specifically, the template has a transmittance adjusting layer that adjusts the light transmittance at the convex or concave portion of the concave-convex pattern.
本態様によれば、上記テンプレートが、凹凸パターンの凸部または凹部に透過率調整層を有することから、露光工程の際に、密着積層体の感光性樹脂層に照射される光を部分的に低減させることができる。これにより、例えば、感光性樹脂層にネガ型感光性樹脂層を用いた場合に、透過率調整層により照射される光が低減されたネガ型感光性樹脂層の領域は、照射される光が低減されていないネガ型感光性樹脂層の領域(通常の露光が行われた領域)に比べて架橋密度が低くなり、現像工程において除去され易くなるため、上述した厚膜層を容易に除去することができる。なお、「架橋密度が低い」ということは、一般的に、樹脂の硬化度が低いことを意味し、現像液に対する溶解性が高いことを意味する。また、後述するように、例えばパターン形成体としてマイクロレンズ付基板を作製する場合、感光性樹脂層がネガ型感光性樹脂層あれば、通常、テンプレートの凸部に透過率調整層が設けられ、感光性樹脂がポジ型感光性樹脂層であれば、通常、テンプレートの凹部に透過率調整層が設けられる。 According to this aspect, since the template has the transmittance adjusting layer in the convex portion or concave portion of the concavo-convex pattern, the light irradiated to the photosensitive resin layer of the close-contact laminate is partially irradiated during the exposure process. Can be reduced. Thereby, for example, when a negative photosensitive resin layer is used for the photosensitive resin layer, the area of the negative photosensitive resin layer in which the light irradiated by the transmittance adjusting layer is reduced is reduced. The above-described thick film layer is easily removed because the crosslink density is lower than the area of the negative photosensitive resin layer that has not been reduced (the area where normal exposure has been performed) and is easily removed in the development process. be able to. Note that “low crosslink density” generally means that the degree of cure of the resin is low and means that the solubility in the developer is high. As will be described later, for example, when producing a substrate with a microlens as a pattern forming body, if the photosensitive resin layer is a negative photosensitive resin layer, a transmittance adjusting layer is usually provided on the convex portion of the template, If the photosensitive resin is a positive photosensitive resin layer, a transmittance adjusting layer is usually provided in the concave portion of the template.
次に、本態様のパターン形成体の製造方法について図面を用いて説明する。図1は、本態様のパターン形成体の製造方法の一例を示す工程図であり、より具体的にはマイクロレンズ付基板の製造方法を示すものである。なお、「マイクロレンズ付基板」とは、基板と、上記基板上に形成されたマイクロレンズと、を備える部材であり、例えばイメージセンサー等の構成部品としてなり得るものである。
まず、図1(a)に示すように、基板1と、基板1上に形成されたネガ型感光性樹脂層2とを備えた被転写基板3と、表面に凹凸パターン4を有し、かつ、凹凸パターン4の凸部に光の透過率を調整する透過率調整層5を有するテンプレート6とを用い、図1(b)に示すように、被転写基板3の感光性樹脂層2と、テンプレート6の凹凸パターン4とを密着させ密着積層体7を形成する密着積層体形成工程を行う。
Next, the manufacturing method of the pattern formation body of this aspect is demonstrated using drawing. FIG. 1 is a process diagram showing an example of a method for producing a pattern forming body according to this embodiment, and more specifically shows a method for producing a substrate with a microlens. The “substrate with microlens” is a member including a substrate and a microlens formed on the substrate, and can be a component such as an image sensor, for example.
First, as shown in FIG. 1 (a), a
次に、図1(c)に示すように、密着積層体7のテンプレート6側から光8を照射する露光工程を行う。この際、ネガ型感光性樹脂層2は、光8の照射によって、その架橋密度が増加し硬化するが、透過率調整層5により照射される光が低減されたネガ型感光性樹脂層2の領域は、相対的に架橋密度が低くなる。
次に、密着積層体7のテンプレート6を剥離し、図1(d)に示すような凹凸被転写基板9を得る。この際、厚膜層10が発生するが、ネガ型感光性樹脂層2は上述した相対的に架橋密度が低い領域を有していることから、凹凸被転写基板9を現像液で現像することにより、厚膜層10を容易に除去することができ、図1(e)に示すようなマイクロレンズ付基板(パターン形成体)11を得ることができる。
以下、本態様のパターン形成体の製造方法について、工程毎に説明する。
Next, as shown in FIG.1 (c), the exposure process which irradiates the light 8 from the
Next, the
Hereinafter, the manufacturing method of the pattern formation body of this aspect is demonstrated for every process.
(1)密着積層体形成工程
本態様における密着積層体形成工程について説明する。本態様における密着積層体形成工程は、被転写基板の感光性樹脂層と、テンプレートの凹凸パターンとを密着させ密着積層体を形成する工程である。
(1) Adhering Laminate Forming Process The adhering laminated body forming process in this aspect will be described. The adhesion laminated body formation process in this aspect is a process in which the photosensitive resin layer of the substrate to be transferred and the concave / convex pattern of the template are adhered to each other to form the adhesion laminated body.
(a)テンプレート
まず、本態様に用いられるテンプレートについて説明する。本態様に用いられるテンプレートは、表面に凹凸パターンを有し、かつ、上記凹凸パターンの凸部または凹部に、光の透過率を調整する透過率調整層を有するものである。
(A) Template First, a template used in this embodiment will be described. The template used in this embodiment has a concavo-convex pattern on the surface, and a transmittance adjusting layer for adjusting the light transmittance at the convex or concave portion of the concavo-convex pattern.
本態様においては、上記透過率調整層が上記凹凸パターンの凸部に形成されたものであっても良く、凹部に形成されたものであっても良い。凸部および凹部のどちらに形成されるかは、用いる感光性樹脂層の種類、および現像工程で除去したい感光性樹脂層の領域を考慮して適宜選択される。例えば、マイクロレンズ付基板を作製する場合であって、感光性樹脂層がネガ型感光性樹脂層である場合は、上述した図1で説明したように、上記透過率調整層が凹凸パターンの凸部に形成されることが好ましい。 In this aspect, the transmittance adjusting layer may be formed on the convex portion of the concave-convex pattern or may be formed on the concave portion. Which of the convex portion and the concave portion is formed is appropriately selected in consideration of the type of the photosensitive resin layer to be used and the region of the photosensitive resin layer to be removed in the development process. For example, in the case of producing a substrate with a microlens and the photosensitive resin layer is a negative photosensitive resin layer, as described with reference to FIG. It is preferable to be formed in the part.
上記透過率調整層は、通常、露光時の照射光を減光するために用いられるものである。このような透過率調整層としては、具体的には、遮光層および半透明層等を挙げることができる。上記遮光層の材料としては、例えばクロム、モリブデン、アルミニウム、タングステン、タンタル、金属シリサイド等を挙げることができ、中でもクロムが好ましい。遮光性および加工性等に優れているからである。具体的には、上記遮光層が、クロム、酸化クロム、窒化クロム、酸化窒化クロム、クロム酸化窒化炭化物等のクロム系層であることが好ましい。一方、上記半透明層は、例えば上記遮光層の材料を用い、上記遮光層よりも膜厚の薄い層を形成することによって得ることができる。また、例えば上記遮光層の材料を用い、ドット状に遮光層を形成することによって、半透明層としても良い。 The transmittance adjusting layer is usually used for dimming irradiation light during exposure. Specific examples of such a transmittance adjusting layer include a light shielding layer and a translucent layer. Examples of the material for the light shielding layer include chromium, molybdenum, aluminum, tungsten, tantalum, and metal silicide. Among these, chromium is preferable. It is because it is excellent in light-shielding property and workability. Specifically, the light shielding layer is preferably a chromium-based layer such as chromium, chromium oxide, chromium nitride, chromium oxynitride, or chromium oxynitride carbide. On the other hand, the semi-transparent layer can be obtained by using, for example, the material of the light shielding layer and forming a layer having a thickness smaller than that of the light shielding layer. Further, for example, the material of the light shielding layer may be used to form a semitransparent layer by forming the light shielding layer in a dot shape.
上記透過率調整層の透過率としては、特に限定されるものではないが、例えば50%以下、中でも25%以下であることが好ましい。なお、透過率調整層の透過率が0%である場合、透過率調整層は遮光層となる。
また、上記透過率調整層の膜厚としては、透過率調整層が遮光膜であるか半透明膜であるか等により異なり、特に限定されるものではないが、例えば、上記透過率調整層がクロムからなる遮光層である場合は、通常0.05〜2μmの範囲内である。
Although it does not specifically limit as the transmittance | permeability of the said transmittance | permeability adjustment layer, For example, it is preferable that it is 50% or less, especially 25% or less. When the transmittance of the transmittance adjusting layer is 0%, the transmittance adjusting layer is a light shielding layer.
The film thickness of the transmittance adjusting layer varies depending on whether the transmittance adjusting layer is a light shielding film or a semi-transparent film, and is not particularly limited. In the case of a light shielding layer made of chromium, it is usually in the range of 0.05 to 2 μm.
上記テンプレートが表面に有する凹凸パターンの形状としては、特に限定されるものではなく、パターン形成体の用途等に応じて適宜選択することができる。例えば、本態様のパターン形成体の製造方法によりマイクロレンズ付基板を作製する場合は、図2(a)に示すように、半球面状の凹部21と平面状の凸部22とを有し、さらに凸部22に透過率調整層23が形成されたテンプレート24等を挙げることができる。なお、凸部22の寸法aとしては、特に限定されるものではないが、通常30〜350nm程度である。
The shape of the concavo-convex pattern on the surface of the template is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the use of the pattern forming body. For example, when producing a substrate with a microlens by the method for producing a pattern forming body of this aspect, as shown in FIG. 2A, it has a hemispherical
また、図2(b)は、本態様に用いられるテンプレートの他の例を示す概略断面図である。本態様に用いられるテンプレートは、図2(b)に示すように、溝状の凹部21と平面状の凸部22とを有し、凸部22に透過率調整層23が形成されたものであっても良い。
Moreover, FIG.2 (b) is a schematic sectional drawing which shows the other example of the template used for this aspect. As shown in FIG. 2 (b), the template used in this embodiment has a groove-like
上記テンプレートの材料としては、露光工程で用いられる光に対して充分な透過性を有するものであれば特に限定されるものではないが、中でも熱膨張率が小さい材料であることが好ましい。熱膨張率が小さければ、熱による凹凸パターンの変形を抑制することができるからである。具体的には、石英ガラス、パイレックス(登録商標)ガラス等を挙げることができ、中でも石英ガラスが好ましい。 The material of the template is not particularly limited as long as it has sufficient transparency to the light used in the exposure step, but among them, a material having a low coefficient of thermal expansion is preferable. This is because if the coefficient of thermal expansion is small, deformation of the concavo-convex pattern due to heat can be suppressed. Specific examples include quartz glass and Pyrex (registered trademark) glass. Among these, quartz glass is preferable.
また、上記テンプレートの作製方法としては、上述したテンプレートを得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば以下の方法等を挙げることができる。
図3は、本態様に用いられるテンプレートの製造方法の一例を示す工程図であり、より具体的にはマイクロレンズ付基板形成用テンプレートの製造方法の一例を示す工程図である。本態様に用いられるテンプレートの製造方法は、まず図3(a)に示すように、基板31と、基板31の一方の表面全体に形成された透過率調整層32とを備える原料基板を用意し、次に、通常のフォトマスクを作製する方法と同様の方法を用いて、図3(b)に示すように、パターニングされた透過率調整層32を形成し、次に図3(c)に示すように、基板31およびパターニングされた透過率調整層32上にポジ型レジスト層33を形成し、次に図3(d)に示すように、ポジ型レジスト層33に対して電子線34により変調露光を行い、ポジ型レジスト層を露光量に応じて現像し、最後に、図3(e)に示すように、ドライエッチング35を行うことにより、図3(f)に示すようなテンプレート36を得る方法等を挙げることができる。
Further, the method for producing the template is not particularly limited as long as it is a method capable of obtaining the template described above, and examples thereof include the following methods.
FIG. 3 is a process diagram showing an example of a template manufacturing method used in this embodiment, and more specifically, a process diagram showing an example of a method of manufacturing a microlens-attached substrate forming template. First, as shown in FIG. 3A, a template manufacturing method used in this embodiment is prepared by preparing a raw material substrate including a
(b)被転写基板
次に、本態様に用いられる被転写基板について説明する。本態様に用いられる被転写基板は、基板と、上記基板上に形成された感光性樹脂層とを備えたものである。
上記基板としては、本態様により得られるパターン形成体の用途等に応じて異なり、特に限定されるものではない。例えば、マイクロレンズ付基板を作製する場合には、上記基板として、石英ガラス、無アルカリガラス、鉛ガラス(青板ガラス)等の透明ガラス基板等が挙げられる。
(B) Substrate to be transferred Next, the substrate to be transferred used in this embodiment will be described. The substrate to be transferred used in this aspect includes a substrate and a photosensitive resin layer formed on the substrate.
The substrate is not particularly limited and varies depending on the use of the pattern formed body obtained according to this embodiment. For example, when producing a substrate with microlenses, examples of the substrate include transparent glass substrates such as quartz glass, non-alkali glass, and lead glass (blue plate glass).
また、上記感光性樹脂層を構成する感光性樹脂としては、ポジ型感光性樹脂およびネガ型感光性樹脂のいずれも用いることができるが、中でも、本態様においては、ネガ型感光性樹脂を用いることが好ましい。取扱い性に優れているからである。例えば、マイクロレンズ付基板を作製する際に用いられる上記ネガ型感光性樹脂としては、具体的には、PAK−01(東亞合成製)およびNIP−K(Zen Photonics製)等のアクリル系ポリマー等を挙げることができる。
上記感光性樹脂層の厚さとしては、パターン形成体の用途等に応じて異なるものであるが、通常0.1〜100μmの範囲内である。
As the photosensitive resin constituting the photosensitive resin layer, either a positive photosensitive resin or a negative photosensitive resin can be used. In particular, in this embodiment, a negative photosensitive resin is used. It is preferable. It is because it is excellent in handleability. For example, specific examples of the negative photosensitive resin used in producing a substrate with a microlens include acrylic polymers such as PAK-01 (manufactured by Toagosei) and NIP-K (manufactured by Zen Photonics). Can be mentioned.
The thickness of the photosensitive resin layer varies depending on the use of the pattern forming body, but is usually in the range of 0.1 to 100 μm.
(c)密着積層体の作製
本態様に用いられる密着積層体は、上記被転写基板の感光性樹脂層と、上記テンプレートの凹凸パターンとを、通常、常温で密着させることにより形成する。
(C) Production of Adhering Laminate The adhering laminate used in this embodiment is formed by adhering the photosensitive resin layer of the substrate to be transferred and the concavo-convex pattern of the template at normal temperature.
(2)露光工程
次に、本態様における露光工程について説明する。本態様における露光工程は、上記密着積層体のテンプレート側から光を照射する工程である。
(2) Exposure process Next, the exposure process in this aspect is demonstrated. The exposure process in this aspect is a process of irradiating light from the template side of the adhesion laminate.
例えば密着積層体の感光性樹脂層がネガ型感光性樹脂層である場合、上記露光工程を行うことにより、透過率調整層により照射される光が低減されていないネガ型感光性樹脂層の領域(通常の露光が行われた領域)は、後述する現像工程で現像液に溶解しない程度、あるいは溶解する場合であっても所望のパターンを維持できる程度の硬化状態となる。一方、透過率調整層により照射される光が低減されたネガ型感光性樹脂層の領域は、後述する現像工程で現像液に溶解し除去可能な程度の硬化状態となる。なお、透過率調整層が遮光層である場合は、その遮光層近傍におけるネガ型感光性樹脂層の領域は、ほぼ未硬化状態のままである。 For example, when the photosensitive resin layer of the adhesion laminate is a negative photosensitive resin layer, the area of the negative photosensitive resin layer in which the light irradiated by the transmittance adjusting layer is not reduced by performing the above exposure step (A region where normal exposure has been performed) is in a cured state that does not dissolve in the developer in the developing step described later, or that can maintain a desired pattern even when dissolved. On the other hand, the area of the negative photosensitive resin layer in which the light irradiated by the transmittance adjusting layer is reduced is cured to such a degree that it can be dissolved and removed in the developer in the developing step described later. When the transmittance adjusting layer is a light shielding layer, the area of the negative photosensitive resin layer in the vicinity of the light shielding layer remains almost uncured.
また、本態様に用いられる光としては、ネガ型感光性樹脂層を硬化させることができる硬化開始剤を分解できるものであれば特に限定されるものではなく、一般的な感光性樹脂を露光するために用いられる光と同様のものを用いることができる。例えば、水銀ランプのg線(436nm)およびi線(365nm)、並びに、KrFエキシマレーザー(248nm)およびArFエキシマレーザー(193nm)等を挙げることができる。 The light used in this embodiment is not particularly limited as long as it can decompose a curing initiator capable of curing the negative photosensitive resin layer, and exposes a general photosensitive resin. Therefore, the same light used for the purpose can be used. For example, g-line (436 nm) and i-line (365 nm) of a mercury lamp, KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), and the like can be mentioned.
また、上記光の露光量としては、特に限定されるものではなく、通常のインプリント法と同様の露光量とすることができる。本態様においては、密着積層体のテンプレートが透過率調整層を有するものであることから、通常のインプリント法と同様の露光量で露光を行う場合であっても、例えばネガ型レジスト層の架橋密度を部分的に低くすること等ができ、後述する現像工程で容易に厚膜層等を除去することができる。上記光の露光量としては、特に限定されるものではないが、具体的には100〜10000mJ/cm2の範囲内、中でも500〜2000mJ/cm2の範囲内であることが好ましい。 The light exposure amount is not particularly limited, and can be the same exposure amount as in a normal imprint method. In this embodiment, since the template of the close-contact laminate has a transmittance adjusting layer, for example, even when exposure is performed with the same exposure amount as in a normal imprint method, a negative resist layer is crosslinked. The density can be partially reduced, etc., and the thick film layer and the like can be easily removed in the development process described later. The exposure amount of the light, but are not particularly limited, specifically in the range of 100~10000mJ / cm 2, preferably in the range Of these the 500~2000mJ / cm 2.
(3)現像工程
次に、本態様における現像工程について説明する。本態様における現像工程は、上記露光工程後に、上記密着積層体のテンプレートを剥離することにより、凹凸被転写基板を形成し、上記凹凸被転写基板を現像液で現像する工程である。
(3) Development Step Next, the development step in this embodiment will be described. The development step in this aspect is a step of forming the uneven transfer substrate by peeling the template of the adhesive laminate after the exposure step, and developing the uneven transfer substrate with a developer.
例えば凹凸被転写基板の感光性樹脂層がネガ型感光性樹脂層である場合、上記現像工程を行うことにより、上記露光工程において透過率調整層により照射される光が低減されたネガ型感光性樹脂層の領域は、架橋密度が低いことから現像液に対する溶解度が高く、現像液に溶解し除去される。一方、上記露光工程において、透過率調整層により照射される光が低減されていないネガ型感光性樹脂層の領域(通常の露光が行われた領域)は、架橋密度が高いことから現像液に対する溶解度が低く、所望のパターンを維持する。 For example, when the photosensitive resin layer of the concavo-convex transfer substrate is a negative photosensitive resin layer, the negative photosensitive property in which the light irradiated by the transmittance adjusting layer in the exposure process is reduced by performing the development process. The region of the resin layer has a high cross-linking density and thus has a high solubility in the developer, and is dissolved and removed in the developer. On the other hand, in the above exposure step, the area of the negative photosensitive resin layer in which the light irradiated by the transmittance adjusting layer is not reduced (the area where normal exposure has been performed) has a high crosslinking density, so The solubility is low and the desired pattern is maintained.
本態様に用いられる現像液としては、特に限定されるものではなく、用いられる感光性樹脂層の種類等に応じて、適宜選択することが好ましい。具体的には、アルカリ現像液および有機溶媒現像液等を挙げることができる。 The developer used in this embodiment is not particularly limited, and is preferably selected as appropriate according to the type of the photosensitive resin layer used. Specific examples include an alkali developer and an organic solvent developer.
また、本態様において、凹凸被転写基板を現像する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、浸漬法、スプレー法およびパドル法等を挙げることができ、中でもパドル法が好ましい。 In this embodiment, the method for developing the concavo-convex transfer substrate is not particularly limited, and examples thereof include a dipping method, a spray method, and a paddle method, and the paddle method is preferable.
(4)パターン形成体
次に、本態様により得られるパターン形成体について説明する。本態様により得られるパターン形成体の用途としては、特に限定されるものではないが、例えば、マイクロレンズ付基板、半導体デバイス、イメージセンサー、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、光通信デバイス、ホログラム等を挙げることができる。
(4) Pattern formation body Next, the pattern formation body obtained by this aspect is demonstrated. The application of the pattern formed body obtained by the present embodiment is not particularly limited. For example, a substrate with a microlens, a semiconductor device, an image sensor, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), an optical communication device, a hologram, etc. Can be mentioned.
2.第二態様
次に、第二態様のパターン形成体の製造方法について説明する。本態様は、ネガ型感光性樹脂層に対して特定の露光量で露光することを特徴とするものである。具体的には、露光工程の際の光の露光量が完全硬化露光量に対して50〜99%の範囲内であることを特徴とするものである。
なお、「完全硬化露光量」とは、完全にネガ型感光性樹脂が硬化したものとみなすことができる最小の露光量であり、具体的には、ネガ型感光性樹脂の現像液に対する残膜量と、露光量との関係を示す曲線において、残膜量が一定となるために必要な最小の露光量をいう。
2. Second Aspect Next, a method for producing the pattern forming body according to the second aspect will be described. In this embodiment, the negative photosensitive resin layer is exposed with a specific exposure amount. Specifically, the light exposure amount in the exposure step is in the range of 50 to 99% with respect to the complete curing exposure amount.
The “completely cured exposure amount” is the minimum exposure amount that can be regarded as completely cured of the negative photosensitive resin, and specifically, the remaining film with respect to the developer of the negative photosensitive resin. In the curve showing the relationship between the exposure amount and the exposure amount, it means the minimum exposure amount necessary for the remaining film amount to be constant.
本態様によれば、露光工程の際の光の露光量を上記範囲内とすることで、ネガ型感光性樹脂を、現像液に対して適度に溶解する程度に硬化させることができ、その結果、現像処理を行うことにより、上述した厚膜層を容易に除去することができる。 According to this aspect, by setting the exposure amount of light during the exposure step within the above range, the negative photosensitive resin can be cured to an extent that it can be appropriately dissolved in the developer. By performing the development process, the above-described thick film layer can be easily removed.
次に、本態様のパターン形成体の製造方法について図面を用いて説明する。図4は、本態様のパターン形成体の製造方法の一例を示す工程図であり、より具体的にはマイクロレンズ付基板の製造方法を示すものである。
まず、図4(a)に示すように、基板41と、基板41上に形成されたネガ型感光性樹脂層42とを備えた被転写基板43と、表面に凹凸パターン44を有するテンプレート45とを用い、図4(b)に示すように、被転写基板43の感光性樹脂層42と、テンプレート45の凹凸パターン44とを密着させ密着積層体46を形成する密着積層体形成工程を行う。
Next, the manufacturing method of the pattern formation body of this aspect is demonstrated using drawing. FIG. 4 is a process diagram showing an example of a method for producing a pattern-formed body of this embodiment, and more specifically shows a method for producing a substrate with a microlens.
First, as shown in FIG. 4A, a
次に、図4(c)に示すように、密着積層体46のテンプレート45側から、光47を特定の露光量で照射する露光工程を行う。この際、ネガ型感光性樹脂層42は、光47の照射によって、現像液に対して適度に溶解する程度に硬化する。
次に、密着積層体46のテンプレート45を剥離し、図4(d)に示すような凹凸被転写基板48を得る。この際、厚膜層49が発生するが、ネガ型感光性樹脂層42は、上述したように、現像液に対して適度に溶解する程度に硬化していることから、凹凸被転写基板48を現像液で現像することにより、厚膜層49を容易に除去することができ、図4(e)に示すようなマイクロレンズ付基板(パターン形成体)50を得ることができる。
次に、本態様のパターン形成体の製造方法について、工程毎に説明する。
Next, as shown in FIG. 4C, an exposure step of irradiating light 47 with a specific exposure amount from the
Next, the
Next, the manufacturing method of the pattern formation body of this aspect is demonstrated for every process.
(1)密着積層体形成工程
まず、本態様における密着積層体形成工程について説明する。本態様における密着積層体形成工程は、被転写基板の感光性樹脂層と、テンプレートの凹凸パターンとを密着させ密着積層体を形成する工程である。
(1) Adhering Laminate Forming Step First, the adhering laminate forming step in this embodiment will be described. The adhesion laminated body formation process in this aspect is a process in which the photosensitive resin layer of the substrate to be transferred and the concave / convex pattern of the template are adhered to each other to form the adhesion laminated body.
(a)テンプレート
本態様に用いられるテンプレートは、表面に凹凸パターンを有するものである。本態様に用いられるテンプレートは、通常、上述した透過率調整層を有しないものであるが、透過率調整層を有しないこと以外は、「1.第一態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
(A) Template The template used in this embodiment has a concavo-convex pattern on the surface. The template used in this embodiment is usually one that does not have the above-described transmittance adjustment layer, but is the same as that described in “1. First embodiment” except that it does not have a transmittance adjustment layer. Therefore, explanation here is omitted.
(b)被転写基板
本態様に用いられる被転写基板は、基板と、上記基板上に形成された感光性樹脂層とを備えたものである。本態様においては、通常、感光性樹脂としてネガ型感光性樹脂が用いられる。なお、本態様に用いられる被転写基板については、「1.第一態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。また、密着積層体の作製方法についても同様である。
(B) Substrate to be transferred The substrate to be transferred used in this aspect includes a substrate and a photosensitive resin layer formed on the substrate. In this embodiment, a negative photosensitive resin is usually used as the photosensitive resin. The transfer substrate used in this embodiment is the same as the contents described in “1. First embodiment”, and thus the description thereof is omitted here. The same applies to the method for manufacturing the adhesion laminate.
(2)露光工程
次に、本態様における露光工程について説明する。本態様における露光工程は、上記密着積層体のテンプレート側から光を照射する工程である。
(2) Exposure process Next, the exposure process in this aspect is demonstrated. The exposure process in this aspect is a process of irradiating light from the template side of the adhesion laminate.
本態様においては、上述したように、露光工程の際の光の露光量が、完全硬化露光量に対して50〜99%の範囲内であることを特徴とするものであるが、中でも75〜95%の範囲内であることが好ましい。 In this aspect, as described above, the light exposure amount in the exposure step is in the range of 50 to 99% with respect to the complete curing exposure amount. It is preferable to be in the range of 95%.
また、上記光の露光量としては、用いる感光性樹脂層の種類等により異なるものであるが、例えば100〜10000mJ/cm2の範囲内、中でも500〜2000mJ/cm2の範囲内であることが好ましい。 The amount of light exposure varies depending on the type of the photosensitive resin layer used and the like. For example, it is within the range of 100 to 10000 mJ / cm 2 , and particularly within the range of 500 to 2000 mJ / cm 2. preferable.
また、本態様に用いられる光としては、ネガ型感光性樹脂層を適度に硬化させることができるものであれば特に限定されるものではなく、一般的な感光性樹脂を露光するために用いられる光と同様のものを用いることができる。例えば、水銀ランプのg線(436nm)およびi線(365nm)、並びに、KrFエキシマレーザー(248nm)およびArFエキシマレーザー(193nm)等を挙げることができる。 In addition, the light used in this embodiment is not particularly limited as long as the negative photosensitive resin layer can be appropriately cured, and is used for exposing a general photosensitive resin. The thing similar to light can be used. For example, g-line (436 nm) and i-line (365 nm) of a mercury lamp, KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), and the like can be mentioned.
(3)現像工程
次に、本態様における現像工程について説明する。本態様における現像工程は、上記露光工程後に、上記密着積層体のテンプレートを剥離することにより、凹凸被転写基板を形成し、上記凹凸被転写基板を現像液で現像する工程である。本態様における露光工程については、「1.第一態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
また、本態様により得られるパターン形成体の用途等についても「1.第一態様」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
また、本態様においては、感光性樹脂の架橋反応を完全に進行させるため、通常、現像工程終了後にさらに露光を行う。
(3) Development Step Next, the development step in this embodiment will be described. The development step in this aspect is a step of forming the uneven transfer substrate by peeling the template of the adhesive laminate after the exposure step, and developing the uneven transfer substrate with a developer. About the exposure process in this aspect, since it is the same as that of the content described in "1. 1st aspect", description here is abbreviate | omitted.
Moreover, since the use etc. of the pattern formation body obtained by this aspect are the same as the content described in "1. 1st aspect", description here is abbreviate | omitted.
Further, in this embodiment, in order to completely advance the crosslinking reaction of the photosensitive resin, the exposure is usually further performed after the development step.
B.インプリント用テンプレート
次に、本発明のインプリント用テンプレートについて説明する。本発明のインプリント用テンプレートは、表面に凹凸パターンを有し、上記凹凸パターンの凸部または凹部に、光の透過率を調整する透過率調整層を有することを特徴とするものである。
B. Next, the imprint template of the present invention will be described. The imprint template of the present invention is characterized by having a concavo-convex pattern on the surface, and having a transmittance adjusting layer for adjusting the light transmittance at the convex or concave portion of the concavo-convex pattern.
本発明によれば、上記透過率調整層を有するテンプレートを用いることにより、インプリント法により生じる厚膜層を容易に除去することができる。
なお、このようなインプリント用テンプレートについては、上述した「A.パターン形成体の製造方法 1.第一態様」に記載したテンプレートと同様であるので、ここでの説明は省略する。
According to the present invention, the thick film layer produced by the imprint method can be easily removed by using the template having the transmittance adjusting layer.
Such an imprint template is the same as the template described in the above-mentioned “A. Pattern forming
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
[実施例1]
(マイクロレンズ用透過率調整テンプレートの作製)
石英ガラス上に厚さ200Åのクロム膜(透過率10%)をスパッタリング法で成膜し、次いで、電子線レジスト(EBレジスト)を塗布し、レンズの周辺部の枠パターン幅100nmのレジストパターンをピッチ2μmで作製した。上記クロム膜を塩素ガスでエッチングし、上記電子線レジストを剥離した。
次に、レンズ形状パターンを形成するために、レジスト剥離後の基板にEBレジストを塗布し、レジスト形状に応じて電子線(EB)の照射量を変化させ、現像することにより、凹型おわん形状のレジストパターンを形成した。次いで、CF4にてドライエッチングすることによりレジストパターンをエッチングし、石英ガラスに凹型おわん形状を転写、すなわち、エッチバックを行うことにより、マイクロレンズ用透過率調整テンプレートを得た。
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
[Example 1]
(Preparation of transmittance adjustment template for microlenses)
A 200 mm thick chromium film (with a transmittance of 10%) is formed on quartz glass by a sputtering method, and then an electron beam resist (EB resist) is applied to form a resist pattern with a frame pattern width of 100 nm on the periphery of the lens. It was produced at a pitch of 2 μm. The chromium film was etched with chlorine gas, and the electron beam resist was peeled off.
Next, in order to form a lens shape pattern, an EB resist is applied to the substrate after the resist is peeled off, and the amount of electron beam (EB) irradiation is changed according to the resist shape, and development is performed. A resist pattern was formed. Next, the resist pattern was etched by dry etching with CF 4 , and the concave bowl shape was transferred to quartz glass, that is, etched back to obtain a transmittance adjustment template for microlenses.
(マイクロレンズアレイの作製)
CMOSセンサーの上にカラーフィルタおよび平坦化層まで形成した基板上に、東亞合成社製PAK−01を滴下することにより感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層と、上記のマイクロレンズ用透過率調整テンプレートとを圧力0.4Nで密着させた。この後、水銀ランプにて1000mJ/cm2で露光し、テンプレートを剥離した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)で60秒現像し、イソプロピルアルコール(IPA)でリンスしてその後スピン乾燥させることにより、マイクロレンズアレイを形成した。得られたマイクロレンズアレイは、各マイクロレンズ間のギャップが100nm程度と小さいものであった。
なお、従来法においては、レンズに寄与しないPAK−01の厚膜層が約100nm程度残っていたが、本実施例においては、厚膜層の発生なくマイクロレンズアレイを形成することができた。
(Production of microlens array)
A photosensitive resin layer is formed by dropping PAK-01 made by Toagosei Co., Ltd. on a substrate on which a color filter and a planarizing layer are formed on a CMOS sensor. The transmittance adjusting template was brought into close contact with a pressure of 0.4N. Thereafter, the template was peeled off by exposure at 1000 mJ / cm 2 with a mercury lamp. Then, the microlens array was formed by developing with propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) for 60 seconds, rinsing with isopropyl alcohol (IPA), and then spin drying. In the obtained microlens array, the gap between each microlens was as small as about 100 nm.
In the conventional method, about 100 nm of the thick film layer of PAK-01 that does not contribute to the lens remains, but in this example, the microlens array could be formed without the generation of the thick film layer.
[実施例2]
(マイクロレンズ用透過率調整テンプレートの作製)
石英ガラス上に電子線レジスト(EBレジスト)を塗布し、その後、帯電防止膜エスペイサー(昭和電工社製)を塗布した。レジスト形状に応じて電子線(EB)の照射量を変化させ、現像することにより、凹型おわん形状のレジストパターンを形成した。次いで、CF4にてドライエッチングすることによりレジストパターンをエッチングし、石英ガラスに凹型おわん形状を転写、すなわち、エッチバックを行うことにより、マイクロレンズ用透過率調整テンプレートを得た。
[Example 2]
(Preparation of transmittance adjustment template for microlenses)
An electron beam resist (EB resist) was applied on quartz glass, and then an antistatic film spacer (manufactured by Showa Denko KK) was applied. A resist pattern having a concave bowl shape was formed by changing the dose of electron beam (EB) in accordance with the resist shape and developing. Next, the resist pattern was etched by dry etching with CF 4 , and the concave bowl shape was transferred to quartz glass, that is, etched back to obtain a transmittance adjusting template for microlenses.
(マイクロレンズアレイの作製)
CMOSセンサーの上にカラーフィルタおよび平坦化層まで形成した基板上に、東亞合成社製PAK−01を滴下することにより感光性樹脂層を形成し、この感光性樹脂層と、上記のマイクロレンズ用透過率調整テンプレートとを圧力0.4Nで密着させた。この後、水銀ランプにて1000mJ/cm2で露光し、テンプレートを剥離した。その後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)で60秒現像し、イソプロピルアルコール(IPA)でリンスしてその後スピン乾燥させた。その後、架橋反応を完全に進行させるために、水銀ランプにてさらに500mJ/cm2で露光し、マイクロレンズアレイを形成した。得られたマイクロレンズアレイは、各マイクロレンズ間のギャップが100nm程度と小さいものであった。
なお、従来法においては、レンズに寄与しないPAK−01の厚膜層が約100nm程度残っていたが、本実施例においては、厚膜層の発生なくマイクロレンズアレイを形成することができた。
(Production of microlens array)
A photosensitive resin layer is formed by dropping PAK-01 made by Toagosei Co., Ltd. on a substrate on which a color filter and a planarizing layer are formed on a CMOS sensor. The transmittance adjusting template was brought into close contact with a pressure of 0.4N. Thereafter, the template was peeled off by exposure at 1000 mJ / cm 2 with a mercury lamp. Thereafter, development was performed with propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) for 60 seconds, rinsed with isopropyl alcohol (IPA), and then spin-dried. Then, in order to advance a crosslinking reaction completely, it exposed with 500 mJ / cm < 2 > with the mercury lamp further, and formed the micro lens array. In the obtained microlens array, the gap between each microlens was as small as about 100 nm.
In the conventional method, about 100 nm of the thick film layer of PAK-01 that does not contribute to the lens remains, but in this example, the microlens array could be formed without the generation of the thick film layer.
1 … 基板
2 … ネガ型感光性樹脂層
3 … 被転写基板
4 … 凹凸パターン
5 … 透過率調整層
6 … テンプレート
7 … 密着積層体
8 … 光
9 … 凹凸被転写基板
10 … 厚膜層
11 … マイクロレンズ付基板(パターン形成体)
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記密着積層体のテンプレート側から光を照射する露光工程と、
前記露光工程後に、前記密着積層体のテンプレートを剥離することにより、凹凸被転写基板を形成し、前記凹凸被転写基板を現像液で現像する現像工程と、
を有し、
前記露光工程の際の光の露光量が、完全硬化露光量の50〜99%の範囲内であることを特徴とするパターン形成体の製造方法。 Using a substrate, a transferred substrate provided with a photosensitive resin layer formed on the substrate, and a template having a concavo-convex pattern on the surface, the photosensitive resin layer of the transferred substrate, and the concavo-convex pattern of the template An adhesion laminate forming step of forming an adhesion laminate by adhering
An exposure step of irradiating light from the template side of the adhesive laminate;
After the exposure step, the template of the adhesion laminate is peeled to form a concavo-convex transfer substrate, and the development step of developing the concavo-convex transfer substrate with a developer;
I have a,
The method for producing a pattern forming body, wherein an exposure amount of light in the exposure step is in a range of 50 to 99% of a complete curing exposure amount .
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4936519B2 (en) * | 2006-08-18 | 2012-05-23 | 公立大学法人大阪府立大学 | Method for producing mold for molding structure having nanostructure and microstructure, and method for producing the structure using the mold |
JP5492369B2 (en) * | 2006-08-21 | 2014-05-14 | 東芝機械株式会社 | Transfer mold and transfer method |
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JP2010085625A (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Dainippon Printing Co Ltd | Method for manufacturing three-dimensional patterned body |
KR102089835B1 (en) | 2016-01-27 | 2020-03-16 | 주식회사 엘지화학 | Film mask, preparing method thereof and pattern forming method using the same |
US10969686B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
JP6493487B2 (en) * | 2017-11-09 | 2019-04-03 | 大日本印刷株式会社 | Imprint mold |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003272998A (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | Fabrication method of semiconductor device and mold for fabricating the same |
JP2004304097A (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Sharp Corp | Pattern forming method, and manufacturing method for semiconductor device |
JP2005172877A (en) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Nikon Corp | Method for forming resist pattern, method for manufacturing optical element, method for manufacturing substrate, optical element and exposure apparatus |
JP2005354017A (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Toshio Kubota | Optically-hardening reaction control imprint mold and imprint processing method using the same, and imprint processed product |
JP2006523728A (en) * | 2003-04-14 | 2006-10-19 | ミヌタ・テクノロジー・カンパニー・リミテッド | Resin composition for mold used for formation of fine pattern and method for producing organic mold therefrom |
JP2007150053A (en) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | Stamper for optical inprint, and manufacturing method for light emitting device and using same stamper |
-
2005
- 2005-12-15 JP JP2005361484A patent/JP4717623B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003272998A (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | Fabrication method of semiconductor device and mold for fabricating the same |
JP2004304097A (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Sharp Corp | Pattern forming method, and manufacturing method for semiconductor device |
JP2006523728A (en) * | 2003-04-14 | 2006-10-19 | ミヌタ・テクノロジー・カンパニー・リミテッド | Resin composition for mold used for formation of fine pattern and method for producing organic mold therefrom |
JP2005172877A (en) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Nikon Corp | Method for forming resist pattern, method for manufacturing optical element, method for manufacturing substrate, optical element and exposure apparatus |
JP2005354017A (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Toshio Kubota | Optically-hardening reaction control imprint mold and imprint processing method using the same, and imprint processed product |
JP2007150053A (en) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | Stamper for optical inprint, and manufacturing method for light emitting device and using same stamper |
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