JP2009226750A - Mold structure for imprint, imprinting method using mold structure for imprint, magnetic recording medium, and its manufacturing method - Google Patents

Mold structure for imprint, imprinting method using mold structure for imprint, magnetic recording medium, and its manufacturing method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mold structure for imprint showing high peelability of an imprint resist layer, high transfer durability and high transferability, and to provide an imprinting method showing improved transfer precision by using the mold structure for imprint, a magnetic recording medium showing improved recording characteristic and regeneration, and its manufacturing method. <P>SOLUTION: The mold structure 1 for imprint has a disk-like base plate 2 and a recess-projection part 3 having a plurality of projections 4 arranged on one surface, as the base surface, of the base plate wherein a peelable layer is formed on the recess-projection part, and an amount (MT) of a releasing agent contained in the peelable layer formed on the projections and an amount (MB) of a releasing agent contained in the peelable layer formed on the recesses satisfy the formula (1): MT>MB. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、インプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いたインプリント方法、並びに、磁気記録媒体、及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an imprint mold structure, an imprint method using the imprint mold structure, a magnetic recording medium, and a manufacturing method thereof.

近年、高速性やコストパフォーマンス性に優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始めている。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響(クロストーク)や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。
一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
In recent years, hard disk drives excellent in high speed and cost performance have begun to be installed in portable devices such as mobile phones, small acoustic devices, and video cameras as the mainstay of storage devices.
As the market share of recording devices mounted on portable devices expands, it is necessary to meet the demand for further miniaturization and larger capacity, and a technique for improving recording density is required.
In order to increase the recording density of the hard disk drive, methods of narrowing the data track interval in the magnetic recording medium and narrowing the width of the magnetic head have been conventionally used.
However, by narrowing the data track interval, the influence of magnetism (crosstalk) between adjacent tracks and the influence of thermal fluctuation cannot be ignored, and the recording density is limited.
On the other hand, there is a limit in improving the surface recording density by reducing the width of the magnetic head.

そこで、前記クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている(特許文献1〜2参照)。前記ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている(特許文献3参照)。
Therefore, a magnetic recording medium called a discrete track medium has been proposed as means for solving the noise caused by the crosstalk (see Patent Documents 1 and 2). The discrete track media has a discrete structure in which non-magnetic guard band regions are provided between adjacent tracks to magnetically separate individual tracks, thereby reducing magnetic interference between adjacent tracks.
Further, as means for solving the demagnetization due to the thermal fluctuation, a magnetic recording medium called a patterned medium in which individual bits for signal recording are provided in a predetermined shape pattern has been proposed (Patent Document 3). reference).

上記ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアを製造する際には、レジストパターン形成用モールド(以下、「モールド」ということがある。)を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリンティング法(インプリントプロセス)が用いられる(特許文献4参照)。
このインプリンティング法は、具体的には、加工対象となる基材上に、インプリントレジストとして、熱可塑性の樹脂、又は光硬化性の樹脂を塗布し、塗布された樹脂に対して、所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱、又は光照射により硬化させ、前記モールドを引き剥がすことで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを形成し、このパターンをマスク(以下、レジストマスクということがある。)として用いてドライ、あるいはウェット方式のエッチングによるパターニングを行い、所望の磁気記録媒体を得る方法である。
When manufacturing the above discrete track media or patterned media, a resist pattern forming mold (hereinafter sometimes referred to as “mold”) is used to form a desired resist layer formed on the surface of the magnetic recording medium. An imprinting method (imprint process) for transferring the pattern is used (see Patent Document 4).
Specifically, this imprinting method applies a thermoplastic resin or a photocurable resin as an imprint resist on a substrate to be processed, and a desired resin is applied to the applied resin. The mold processed into a shape is adhered and pressed, the resin is cured by heating or light irradiation, and the mold is peeled off to form a pattern corresponding to the pattern formed in the mold. This is a method of obtaining a desired magnetic recording medium by performing patterning by dry or wet etching using a pattern as a mask (hereinafter also referred to as a resist mask).

このインプリンティング法では、コストダウンの観点から、多数回の転写プロセスを必要とするため、少なくとも数百〜数万回の転写耐久性がインプリント用モールド構造体に要求される。   Since this imprinting method requires a number of transfer processes from the viewpoint of cost reduction, at least several hundred to several tens of thousands of transfer durability is required for the imprint mold structure.

そこで、転写耐久性を向上させるために、シリコン基板等の剛体をインプリント用モールド構造体に採用する技術が開示されている(特許文献5、及び非特許文献1参照。)。これらの文献によれば、非常に高いパターン精度が得られ、サブミクロン、数十ナノメートルオーダーまでの微細パターンの転写が実現できると記載されている。   Therefore, in order to improve the transfer durability, a technique is disclosed in which a rigid body such as a silicon substrate is employed for the imprint mold structure (see Patent Document 5 and Non-Patent Document 1). According to these documents, it is described that very high pattern accuracy can be obtained, and transfer of a fine pattern up to the order of submicron and several tens of nanometers can be realized.

一方、インプリント用モールド構造体の凹凸部(凹凸パターン)に剥離層を形成して、インプリントレジストから剥離しやすいようにして、転写耐久性を向上させる技術が開示されている(特許文献6及び特許文献7参照)。また、剥離機能を有するインプリントレジストを用いて、該インプリントレジストと、インプリント用モールド構造体との剥離性を向上させる技術が提案されている(特許文献8参照)。
本発明者らは、フッ素修飾された剥離機能材料(以下、剥離剤ということがある。)を表面に吸着させて剥離層を形成したモールドを用いて、レジストマスクを形成したところ、インプリントプロセス後において、モールドと、インプリントレジスト層との剥離性が格段に改善されたことを確認した。
しかし、その後、形成された前記レジストマスクを用いて、多数の磁気記録媒体の基板に対し、磁性層及び非磁性層のパターニングを行う際、非磁性層を埋設するためにエッチング加工する領域に磁性材料が残存することがあり、転写性が低下する問題があった。
On the other hand, a technique for improving transfer durability by forming a release layer on the uneven portion (uneven pattern) of the imprint mold structure so as to be easily peeled off from the imprint resist is disclosed (Patent Document 6). And Patent Document 7). In addition, a technique for improving the peelability between the imprint resist and the imprint mold structure using an imprint resist having a peeling function has been proposed (see Patent Document 8).
The present inventors formed a resist mask by using a mold having a release layer formed by adsorbing a fluorine-modified release functional material (hereinafter, also referred to as a release agent) on the surface. Later, it was confirmed that the releasability between the mold and the imprint resist layer was remarkably improved.
However, after that, when patterning the magnetic layer and the nonmagnetic layer on the substrate of a large number of magnetic recording media using the formed resist mask, the magnetic region is etched in the region to be etched to embed the nonmagnetic layer. There is a problem that the material may remain and transferability is deteriorated.

したがって、インプリントレジスト層に対する剥離性及び転写耐久性が高いだけでなく、転写性も高いインプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いることによって転写精度を向上させたインプリント方法、並びに、記録特性と再生特性とを向上させた磁気記録媒体及びその製造方法は未だ実現されておらず、その提供が望まれているのが現状である。   Accordingly, an imprint mold structure not only having high releasability and transfer durability with respect to the imprint resist layer but also high transferability, and imprint with improved transfer accuracy by using the imprint mold structure A method, a magnetic recording medium with improved recording characteristics and reproduction characteristics, and a method for manufacturing the same have not yet been realized, and it is desired to provide them.

特開昭56−119934号公報Japanese Patent Laid-Open No. 56-119934 特開平2−201730号公報JP-A-2-201730 特開平3−22211号公報JP-A-3-22211 特開2004−221465号公報JP 2004-221465 A 米国特許5772905号明細書US Pat. No. 5,772,905 米国特許6309580号明細書US Pat. No. 6,309,580 特開2004−288783号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-288883 特開2006−54300号公報JP 2006-54300 A S.Y.Chou, et al., Appl. Phys. Lett., vol.67, 3314, 1995S. Y. Chou, et al. , Appl. Phys. Lett. , Vol. 67, 3314, 1995

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、インプリントレジスト層に対する剥離性及び転写耐久性が高いだけでなく、転写性も高いインプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いることによって転写精度を向上させたインプリント方法、並びに、記録特性、及び再生特性を向上させた磁気記録媒体、及びその製造方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this present condition, and makes it a subject to solve the said various problems in the past and to achieve the following objectives. That is, the present invention improves imprinting accuracy by using an imprint mold structure that not only has high peelability and transfer durability with respect to the imprint resist layer, but also high transferability, and the imprint mold structure. It is an object of the present invention to provide an imprint method, a magnetic recording medium with improved recording characteristics and reproduction characteristics, and a method for manufacturing the same.

前記課題を解決するため、本発明者らは鋭意検討した結果、以下のような知見を得た。即ち、磁性層加工工程において、磁性層の加工領域の状態を確認したところ、インプリントプロセス後におけるレジストマスクのパターンの凹部の残膜厚が、特に凸部との境界部分において、厚くなっており、このレジストマスクのパターン不良が磁性層の加工に影響を与えていることがわかった。
そして更に、このレジストマスクのパターン不良を引き起こしたモールドを詳細に解析した結果、モールド上の凸部の端部が特徴的に破損し、その角部に丸まりが生じていることが確認された。
このような現象の検証を行ったところ、硬化時におけるレジストの体積収縮が大きな要因であることがわかった。具体的には、モールドの凹凸パターン内に流入したレジストは、硬化する際に、等方的に収縮する。特に、凹凸部(凹凸パターン)のうち、凸部の平坦面、凹部の平坦面、及び凹凸間傾斜面ではパターン平坦面にほぼ垂直方向に体積収縮による力が働く。一方、前記凸部の端部では、前記凸部の平坦面及び前記傾斜面の双方の収縮力が働き、前記凸部の端部に剪断力が働き、該凸部の端部に特徴的にパターン劣化が発生すると推定した。
したがって、モールドの表面に形成された凸部、特に、該凸部の端部における剥離機能を強固にすることにより、インプリントレジスト層に対する剥離性が高いだけでなく、転写性、及び転写耐久性が高いインプリント用モールド構造体を提供することができるという知見である。
なお、前記凹凸間傾斜面とは、以下のように定義される凹凸境界端2、及び凹凸境界端3で形成される部分である。
前記凹凸境界端2とは、モールド構造体の凹凸部のSEM像において、最大輝度の95%を閾値として画像を二値化した際の1/0境界である。
前記凹凸境界端3とは、同じく、モールド構造体の凹凸部のSEM像において、最大輝度の5%を閾値として画像を二値化した際の1/0境界である。
In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have made extensive studies and as a result, obtained the following findings. In other words, in the magnetic layer processing step, the state of the processed region of the magnetic layer was confirmed, and the residual film thickness of the concave portion of the resist mask pattern after the imprint process was thicker, particularly at the boundary with the convex portion. It was found that this resist mask pattern defect affects the processing of the magnetic layer.
Further, as a result of detailed analysis of the mold causing the pattern defect of the resist mask, it was confirmed that the end of the convex portion on the mold was characteristically damaged and the corner portion was rounded.
When such a phenomenon was verified, it was found that the volume shrinkage of the resist during curing was a major factor. Specifically, the resist that has flowed into the uneven pattern of the mold shrinks isotropically when it is cured. In particular, in the concavo-convex portion (concave / convex pattern), a force due to volume contraction acts in a direction substantially perpendicular to the pattern flat surface on the flat surface of the convex portion, the flat surface of the concave portion, and the inclined surface between the concavo-convex portions. On the other hand, at the end of the convex portion, the contraction force of both the flat surface and the inclined surface of the convex portion acts, the shearing force acts on the end portion of the convex portion, and the end of the convex portion is characteristically It was estimated that pattern degradation occurred.
Therefore, by strengthening the peeling function at the convex portion formed on the surface of the mold, particularly at the end of the convex portion, not only the peelability to the imprint resist layer is high, but also transferability and transfer durability. This is a finding that an imprint mold structure can be provided.
In addition, the said uneven | corrugated inclined surface is a part formed by the uneven | corrugated boundary end 2 and the uneven | corrugated boundary end 3 defined as follows.
The uneven boundary edge 2 is a 1/0 boundary when an image is binarized with 95% of the maximum luminance as a threshold in the SEM image of the uneven portion of the mold structure.
Similarly, the uneven boundary edge 3 is a 1/0 boundary when the image is binarized using 5% of the maximum luminance as a threshold in the SEM image of the uneven portion of the mold structure.

本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 円板状の基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有し、該凹凸部上に剥離層が形成され、前記凸部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量(MT)と、前記凸部間に形成された凹部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量(MB)とが、下記数式(1)を満たすことを特徴とするインプリント用モールド構造体である。
MT>MB・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(1)
該<1>に記載のインプリント用モールド構造体においては、凸部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量が、凹部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量よりも大であることにより、インプリントレジストから剥離する際に比較的負荷がかかりやすい前記凸部の端部における剪断力に対する転写耐久性が向上すると共に、前記凹部に対応するインプリントレジスト(凸部)への転写性が向上する。
<2> 凸部の端部における剥離剤の量をMTEとし、凸部の中央部における剥離剤の量をMTOとしたとき、下記数式(2)及び数式(3)を満たす前記<1>に記載のインプリント用モールド構造体である。
MTE>MTO・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(2)
MT=αMTE+(1−α)MTO・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(3)
ただし、上記数式(3)において、0.01≦α≦0.12である。
<3> MTE/MTOが、下記数式(4)を満たす前記<1>から<2>のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体である。
1.05<MTE/MTO<1.3・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(4)
<4> 前記<1>から<3>のいずれかに記載のインプリント用のモールド構造体の製造方法であって、インプリント用モールド構造体の凹凸部上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層に紫外線を照射して、該剥離層に含まれる剥離剤の量を制御する剥離剤量制御工程とを含むことを特徴とするインプリント用モールド構造体の製造方法である。
<5> 前記<1>から<3>のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
<6> インプリントレジスト層の体積収縮率が、21%以下である前記<5>に記載のインプリント方法である。
<7> 前記<1>から<3>のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
<8> インプリントレジスト層の体積収縮率が、21%以下である前記<7>に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
<9> 前記<7>から<8>のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法によって作製されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
The present invention is based on the above findings by the present inventors, and means for solving the above problems are as follows. That is,
<1> A disk-shaped substrate, and an uneven portion formed by arranging a plurality of protrusions on one surface of the substrate on the basis of the surface, and a release layer on the uneven portion The amount (MT) of the release agent contained in the release layer formed on the convex portion and the amount of the release agent (MT) contained in the release layer formed on the concave portion formed between the convex portions ( MB) is an imprint mold structure characterized by satisfying the following mathematical formula (1).
MT> MB ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Formula (1)
In the imprint mold structure according to <1>, the amount of the release agent contained in the release layer formed on the convex portion is greater than the amount of the release agent contained in the release layer formed on the concave portion. The transfer durability against the shearing force at the end of the convex portion, which is relatively subject to load when peeling from the imprint resist, is improved, and the imprint resist corresponding to the concave portion (convex portion) The transferability to) is improved.
<2> When the amount of the release agent at the end of the convex portion is MTE and the amount of the release agent at the central portion of the convex portion is MTO, <1> that satisfies the following formula (2) and formula (3) It is the mold structure for imprint described.
MTE> MTO ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Formula (2)
MT = αMTE + (1−α) MTO ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Formula (3)
However, in the above formula (3), 0.01 ≦ α ≦ 0.12.
<3> The imprint mold structure according to any one of <1> to <2>, wherein MTE / MTO satisfies the following mathematical formula (4).
1.05 <MTE / MTO <1.3 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Formula (4)
<4> A method for producing an imprint mold structure according to any one of <1> to <3>, wherein a release layer is formed on an uneven portion of the imprint mold structure. A method for producing an imprint mold structure, comprising: a step; and a release agent amount control step for controlling the amount of the release agent contained in the release layer by irradiating the release layer with ultraviolet rays. .
<5> The imprint mold structure according to any one of <1> to <3> is pressed against an imprint resist layer made of an imprint resist composition formed on a substrate of a magnetic recording medium. The imprint method includes at least a transfer step of transferring a concavo-convex pattern based on the concavo-convex portion formed on the imprint mold structure.
<6> The imprint method according to <5>, wherein the volume shrinkage ratio of the imprint resist layer is 21% or less.
<7> The imprint mold structure according to any one of <1> to <3> is pressed against an imprint resist layer formed on a substrate of a magnetic recording medium. A step of transferring a concavo-convex pattern based on the concavo-convex portion formed on the substrate, and etching the magnetic layer formed on the surface of the substrate of the magnetic recording medium using the imprint resist layer to which the concavo-convex pattern is transferred as a mask. At least a magnetic pattern portion forming step for forming a magnetic pattern portion based on the concavo-convex pattern in the magnetic layer, and a nonmagnetic pattern portion forming step for embedding a nonmagnetic material in a concave portion formed on the magnetic layer. This is a method of manufacturing a magnetic recording medium.
<8> The method for producing a magnetic recording medium according to <7>, wherein the volume shrinkage of the imprint resist layer is 21% or less.
<9> A magnetic recording medium produced by the method for producing a magnetic recording medium according to any one of <7> to <8>.

本発明によると、インプリントレジスト層に対する剥離性及び転写耐久性が高いだけでなく、転写性も高いインプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いることによって転写精度を向上させたインプリント方法、並びに、記録特性、及び再生特性を向上させた磁気記録媒体、及びその製造方法を提供することができる。   According to the present invention, the imprint mold structure not only has high peelability and transfer durability with respect to the imprint resist layer but also high transferability, and the transfer accuracy is improved by using the imprint mold structure. In addition, an imprint method, a magnetic recording medium with improved recording characteristics and reproduction characteristics, and a manufacturing method thereof can be provided.

以下、本発明のインプリント用モールド構造体について図面を参照して説明する。
(インプリント用モールド構造体)
図1は、本発明に係るインプリント用モールド構造体の一実施形態における構成を示す部分断面斜視図である。
図1に示すように、本実施形態のインプリント用モールド構造体1は、円板状の基板2の一の表面2a(以下、基準面2aということがある。)に、凸部4が、所定の間隔で複数形成されてなる凹凸部3を有する。この凹凸部3には、剥離層6がこの順に積層されている。
ここで、凸部4は、基板2に対して略垂直に立設した面である側壁部4aと、相互に対向する側壁部4aを表面2aに略平行な面で連結する頂部4bとから構成される。
また、凸部4が配列されている方向に直交する面における凸部4の断面形状は、矩形をなすことが好ましい。
なお、前記凸部4の断面形状は、目的に応じて、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
一方、凹部5は、隣接する2つの凸部4の間に形成され、相互に離間するように対向する2つの側壁部4a,4aと、表面2aとによって構成される。
以下、本実施形態の説明において、「断面(形状)」とは、特に断りがない限り、前記同心円の半径方向(凸部4が列設されている方向)における断面(形状)を指す。
The imprint mold structure of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(Imprint mold structure)
FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view showing a configuration in an embodiment of an imprint mold structure according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the imprint mold structure 1 of the present embodiment has a convex portion 4 on one surface 2 a (hereinafter sometimes referred to as a reference surface 2 a) of a disk-shaped substrate 2. It has the uneven | corrugated | grooved part 3 formed in multiple numbers by predetermined spacing. A release layer 6 is laminated on the uneven portion 3 in this order.
Here, the convex part 4 is comprised from the side wall part 4a which is the surface standing upright substantially perpendicular | vertical with respect to the board | substrate 2, and the top part 4b which connects the side wall part 4a which mutually opposes in the surface substantially parallel to the surface 2a. Is done.
Moreover, it is preferable that the cross-sectional shape of the convex part 4 in the surface orthogonal to the direction where the convex part 4 is arranged makes a rectangle.
In addition, the cross-sectional shape of the said convex part 4 can select arbitrary shapes by controlling the etching process mentioned later according to the objective.
On the other hand, the concave portion 5 is formed between two adjacent convex portions 4, and is constituted by two side wall portions 4a, 4a facing each other so as to be separated from each other, and the surface 2a.
Hereinafter, in the description of the present embodiment, “cross section (shape)” refers to a cross section (shape) in the radial direction of the concentric circle (direction in which the convex portions 4 are arranged) unless otherwise specified.

また、基板2の厚みは、0.01mm以上0.5mm未満であることが好ましい。
また、基板2の凸部4の高さ(凹部5の深さ)Hは、10〜800nmの範囲が好ましく、30〜300nmがより好ましい。
また、基板2の材料としては、ニッケルなどの金属が用いられることが好ましい。
Moreover, it is preferable that the thickness of the board | substrate 2 is 0.01 mm or more and less than 0.5 mm.
Moreover, the height (depth of the recessed part 5) H of the convex part 4 of the board | substrate 2 has the preferable range of 10-800 nm, and its 30-300 nm is more preferable.
Further, as the material of the substrate 2, a metal such as nickel is preferably used.

前記凸部の端部とは、凹凸境界端1、及び凹凸境界端2で形成される領域内における、面積25nmの領域のことである。
前記凸部の中央部とは、凸パターン両側の凹凸境界端2で形成される中間点(領域)における、面積25nmの領域のことである。
なお、前記凹凸境界端1、凹凸境界端2は、活性化処理/剥離層形成前に行なう、モールド構造体の凹凸部のSEM観察結果より求められる。
前記凹凸境界端1とは、観察されたSEM像において、最大輝度の80%を閾値として画像を二値化した際の1/0境界である。
前記凹凸境界端2とは、上述の通り、モールド構造体の凹凸部のSEM像において、最大輝度の95%を閾値として画像を二値化した際の1/0境界である。
なお、MTO値(凸部パターンの中央部における剥離剤の量)、MTE値(凸部パターンの端部における剥離剤の量)、MB値(凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量)及びMT値(凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量)を求める際、前記凸部の端部を10箇所、及び前記凸部の中央部を10箇所作成し、それぞれ10箇所の平均値を使用する。
The end portion of the convex portion is a region having an area of 25 nm 2 in a region formed by the uneven boundary end 1 and the uneven boundary end 2.
The central portion of the convex portion is a region having an area of 25 nm 2 at an intermediate point (region) formed by the concave and convex boundary ends 2 on both sides of the convex pattern.
The uneven boundary edge 1 and the uneven boundary edge 2 are obtained from the SEM observation result of the uneven portion of the mold structure performed before the activation process / peeling layer formation.
The uneven boundary edge 1 is a 1/0 boundary when the image is binarized using 80% of the maximum luminance as a threshold in the observed SEM image.
The concavo-convex boundary edge 2 is a 1/0 boundary when the image is binarized with 95% of the maximum luminance as a threshold in the SEM image of the concavo-convex portion of the mold structure as described above.
In addition, MTO value (amount of release agent at the center of the convex pattern), MTE value (amount of release agent at the end of the convex pattern), MB value (of the release agent in the release layer formed on the concave pattern) Amount) and MT value (amount of release agent in the release layer formed on the protrusion pattern), 10 end portions of the protrusions and 10 center portions of the protrusions, respectively, Use the average of 10 locations.

<剥離層>
本発明のインプリント用モールド構造体1は、凸部4上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量(MT)と、凸部4間に形成された凹部3上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量(MB)とが、下記数式(1)を満たすことが好ましい。
MT>MB・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(1)
なお、上記数式(1)は、剥離剤の条件を変更して行なった実験の結果から得たものである。上記数式(1)において、MT<MBであると、モールドパターン凹部に十分な厚みを有するレジスト層を確保できず、磁性層の加工不良が発生することがある。また、モールド凸部の剥離状態が不十分であり、モールドパターン破損を引き起こすことがある。
<Peeling layer>
The imprint mold structure 1 of the present invention includes an amount (MT) of a release agent contained in a release layer formed on the convex portion 4 and a release formed on the concave portion 3 formed between the convex portions 4. The amount (MB) of the release agent contained in the layer preferably satisfies the following mathematical formula (1).
MT> MB ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Formula (1)
In addition, the said Numerical formula (1) is obtained from the result of the experiment conducted by changing the conditions of release agent. In the above mathematical formula (1), if MT <MB, a resist layer having a sufficient thickness cannot be secured in the concave portion of the mold pattern, and the processing failure of the magnetic layer may occur. In addition, the mold protrusion is not sufficiently peeled off, which may cause damage to the mold pattern.

また、本発明のインプリント用モールド構造体1は、凸部の端部における剥離剤の量をMTEとし、凸部の中央部における剥離剤の量をMTOとしたとき、下記数式(2)及び数式(3)を満たすことが好ましい。
MTE>MTO・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(2)
MT=αMTE+(1−α)MTO・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(3)
ただし、上記数式(3)において、0.01≦α≦0.12である。
なお、上記数式(2)及び(3)は、剥離剤の条件を変更して行なった実験の結果から得たものである。上記数式(2)、(3)を満たさないと、モールド凸端部の剥離状態が不十分であり、パターン破損を引き起こすことがある。
The imprint mold structure 1 of the present invention has the following mathematical formula (2) when the amount of the release agent at the end of the convex portion is MTE and the amount of the release agent at the central portion of the convex portion is MTO. It is preferable to satisfy Expression (3).
MTE> MTO ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Formula (2)
MT = αMTE + (1−α) MTO ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Formula (3)
However, in the above formula (3), 0.01 ≦ α ≦ 0.12.
In addition, the said Numerical formula (2) and (3) is obtained from the result of the experiment conducted by changing the conditions of release agent. If the above mathematical formulas (2) and (3) are not satisfied, the peeling state of the mold convex end portion is insufficient, which may cause pattern damage.

また、本発明のインプリント用モールド構造体1は、MTE/MTOが、下記数式(4)を満たすことが好ましい。
1.05<MTE/MTO<1.3・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(4)
なお、上記数式(4)は、剥離剤の条件を変更して行った実験の結果から得たものである。上記数式(4)を満たさないと、モールド凸部の剥離状態が不十分でありパターン破損を引き起こすことがあり、安定したNILを達成することができない。
In the imprint mold structure 1 of the present invention, MTE / MTO preferably satisfies the following mathematical formula (4).
1.05 <MTE / MTO <1.3 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Formula (4)
In addition, the said Numerical formula (4) is obtained from the result of the experiment conducted by changing the conditions of release agent. If the above mathematical formula (4) is not satisfied, the peeling state of the mold convex portion is insufficient, and pattern breakage may be caused, and stable NIL cannot be achieved.

<<剥離剤の量の測定方法>>
ここで、前記剥離剤の量の測定方法の一例について説明する。
まず、平坦基板上(4インチ−Siウエハー)に、前記モールドに形成した剥離層に用いたのと同一の剥離剤をディップ塗布法により形成する。その後、前記剥離層を形成したときと同一の条件で塗布、形成した試料に対して、マイクロオージェ装置(PHI700,アルバックファイ社製)を用いてフッ素元素のスペクトル強度(I_REF)を検出する。
そして、前記同一試料に対して、エリプソメーター(DHA−XA/S4,溝尻光学工業所社製)を使用し、剥離層の厚み(THR)を導出する。
モールドに対しては上記と同じ評価法にて、1μm角の領域に対してフッ素元素スペクトル強度をマッピングする。そして、同装置に設置されている簡易SEMにて凹凸形状を観察、このSEM像とフッ素元素スペクトル強度マップを対応させ、凹凸パターン中央部、端部を決定し、所定の箇所におけるフッ素量を導出する。
具体的には、凸部パターン端部におけるフッ素量を「IF_MTE」とし、凸部パターン中央部におけるフッ素量を「IF_MTO」とし、凹部パターンの中央部におけるフッ素量を「IF_MB」としたとき、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量MT、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量MB、凸部パターンの端部における剥離剤の量(MTE)、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量(MTO)は、以下の式により厚みに換算されて導出される。
MT=MTE+MTO
MB=(THR/I_REF)×IF_MB
MTE=(THR/I_REF)×IF_MTE
MTO=(THR/I_REF)×IF_MTO
<< Measurement Method of Amount of Release Agent >>
Here, an example of a method for measuring the amount of the release agent will be described.
First, on the flat substrate (4 inch-Si wafer), the same release agent used for the release layer formed on the mold is formed by dip coating. Thereafter, the spectral intensity (I_REF) of the fluorine element is detected using a micro-Auger apparatus (PHI700, manufactured by ULVAC-PHI) with respect to the sample applied and formed under the same conditions as when the release layer was formed.
Then, an ellipsometer (DHA-XA / S4, manufactured by Mizoji Optical Co., Ltd.) is used for the same sample, and the thickness (THR) of the release layer is derived.
For the mold, the fluorine element spectrum intensity is mapped to a 1 μm square region by the same evaluation method as described above. Then, the concave / convex shape is observed with a simple SEM installed in the apparatus, the SEM image is associated with the fluorine element spectrum intensity map, the central portion and the end portion of the concave / convex pattern are determined, and the fluorine amount at a predetermined location is derived. To do.
Specifically, when the fluorine amount at the end of the convex pattern is “IF_MTE”, the fluorine amount at the central portion of the convex pattern is “IF_MTO”, and the fluorine amount at the central portion of the concave pattern is “IF_MB”, The amount MT of the release agent in the release layer formed on the pattern part, the amount MB of the release agent in the release layer formed on the pattern part, the amount (MTE) of the release agent at the end of the convex part pattern, and the convex part The amount (MTO) of the release agent in the central portion of the pattern is derived by converting into a thickness by the following formula.
MT = MTE + MTO
MB = (THR / I_REF) × IF_MB
MTE = (THR / I_REF) × IF_MTE
MTO = (THR / I_REF) × IF_MTO

<<剥離剤>>
前記剥離剤は、加工対象物に対して剥離機能を有する材料であることが好ましく、加工対象物に対して剥離機能を有する材料としては、公知のフッ素系樹脂、炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、フッ素系シランカップリング剤などを使用できる。
前記フッ素系樹脂としては、PTFA,PFA,FEP,ETFEなどが挙げられる。
前記炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。
前記フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。
前記パーフルオロポリエーテル基としては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−n−プロピレンオキシド重合体(CFCFCFO)n、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体(CF(CF)CFO)nまたはこれらの共重合体等である。
前記フッ素系シランカップリング剤としては、分子中に少なくとも1個、好ましくは1〜10個のアルコキシシラン基、クロロシラン基を有するものであり、分子量200〜500,000のものが好ましい。
前記アルコキシシラン基の例としては、-Si(OCH基、-Si(OCHCH基、-Si(OCH基が挙げられ、前記クロロシラン基としては、-Si(Cl)基などが挙げられる。具体的には、ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラ-ハイドロデシルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルジメチルクロロシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラ-ハイドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2−テトラ-ハイドロオクチルトリメトキシシランなどの素材である。
<< Release agent >>
The release agent is preferably a material having a peeling function with respect to the workpiece, and examples of the material having a peeling function with respect to the workpiece include known fluororesins, hydrocarbon-based lubricants, and fluorine-based materials. A lubricant, a fluorine-based silane coupling agent, or the like can be used.
Examples of the fluororesin include PTFA, PFA, FEP, ETFE and the like.
Examples of the hydrocarbon lubricant include carboxylic acids such as stearic acid and oleic acid, esters such as butyl stearate, sulfonic acids such as octadecyl sulfonic acid, phosphate esters such as monooctadecyl phosphate, stearyl alcohol, oleyl Examples thereof include alcohols such as alcohol, carboxylic acid amides such as stearamide, and amines such as stearylamine.
Examples of the fluorine-based lubricant include a lubricant in which part or all of the alkyl group of the hydrocarbon-based lubricant is substituted with a fluoroalkyl group or a perfluoropolyether group.
As the perfluoropolyether group, a perfluoromethylene oxide polymer, a perfluoroethylene oxide polymer, a perfluoro-n-propylene oxide polymer (CF 2 CF 2 CF 2 O) n, a perfluoroisopropylene oxide polymer ( CF (CF 3 ) CF 2 O) n or a copolymer thereof.
The fluorine-based silane coupling agent has at least one, preferably 1 to 10 alkoxysilane groups and chlorosilane groups in the molecule, and preferably has a molecular weight of 200 to 500,000.
Examples of the alkoxysilane group include —Si (OCH 3 ) 3 group, —Si (OCH 2 CH 3 ) 3 group, and —Si (OCH 3 ) 3 group. As the chlorosilane group, —Si ( Cl) 3 groups and the like. Specifically, heptadecafluoro-1,1,2,2-tetra-hydrodecyltrimethoxysilane, pentafluorophenylpropyldimethylchlorosilane, tridecafluoro-1,1,2,2-tetra-hydrooctyltriethoxy Materials such as silane and tridecafluoro-1,1,2,2-tetra-hydrooctyltrimethoxysilane.

以上、本発明のインプリント用モールド構造体に設けられる凹凸部として、基板2の円周方向に沿って形成された凹凸部3の形態(データパターン)を示したが、前記凹凸部の他の形態として、基板2の中心部から放射状に凸部を配列させることによって凹凸部を形成した形態(サーボパターン)に適用してもよい。   As mentioned above, although the form (data pattern) of the uneven | corrugated | grooved part 3 formed along the circumferential direction of the board | substrate 2 was shown as an uneven | corrugated | grooved part provided in the mold structure for imprints of this invention, As a form, you may apply to the form (servo pattern) which formed the uneven | corrugated | grooved part by arranging a convex part radially from the center part of the board | substrate 2. FIG.

(インプリント用モールド構造体の作製方法)
以下、インプリント用モールド構造体の一実施形態における作製方法について図面を参照して説明する。
(Method for producing imprint mold structure)
Hereinafter, a manufacturing method in an embodiment of an imprint mold structure will be described with reference to the drawings.

―原盤の作製―
図2A〜Bは、第2の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図2Aに示すように、まず、円板状のSi基板10上に、スピンコータなどでPMMAなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する(フォトレジスト層形成工程)。
その後、Si基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射する(描画工程)。
その後、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターン(サーボパターン)を円周上の各フレームに対応する部分に露光する(露光工程)。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIE(反応性イオンエッチング)などの選択エッチングを行い(エッチング工程)、凹凸部を有する原盤11を得る。
―Making master disc―
2A and 2B are cross-sectional views illustrating a method for producing a mold structure according to the second embodiment. As shown in FIG. 2A, first, a photoresist solution such as PMMA is applied on a disk-shaped Si substrate 10 by a spin coater or the like to form a photoresist layer 21 (photoresist layer forming step).
Thereafter, while rotating the Si substrate 10, a laser beam (or electron beam) modulated in accordance with the servo signal is irradiated (drawing step).
Thereafter, a predetermined pattern on the entire surface of the photoresist, for example, a pattern (servo pattern) corresponding to a servo signal extending linearly from the center of rotation to each track is exposed to a portion corresponding to each frame on the circumference (exposure). Process).
Thereafter, the photoresist layer 21 is developed, the exposed portion is removed, and selective etching such as RIE (reactive ion etching) is performed using the pattern of the removed photoresist layer 21 as a mask (etching process). A master 11 having a part is obtained.

次に、図2Bに示すように、原盤11の表面に形成された前記凹凸部に対して、ターゲットにNiを用いたスパッタリングを行うことによって、Niよりなる導電膜22を形成する。
その後、導電膜22に対して、メッキ法により、導電膜22を所定の厚みに成膜して、ポジ状凹凸パターンを有するNi基板23を作製し、原盤11から剥離する。
Next, as shown in FIG. 2B, the conductive film 22 made of Ni is formed by performing sputtering using Ni as a target on the uneven portion formed on the surface of the master 11.
Thereafter, the conductive film 22 is formed in a predetermined thickness on the conductive film 22 by plating to produce a Ni substrate 23 having a positive concavo-convex pattern and peeled off from the master 11.

[剥離層の形成]
剥離層用組成物を調製し、該剥離層用組成物を前記ポジ状凹凸パターン上に塗布して剥離層6を形成する。
以上のようにして、インプリント用モールド構造体1が得られる。
[Formation of release layer]
A release layer composition is prepared, and the release layer composition is applied onto the positive concavo-convex pattern to form the release layer 6.
As described above, the imprint mold structure 1 is obtained.

<磁気記録媒体の製造方法>
以下、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を作製する作製方法について図面を参照して説明する。
<Method of manufacturing magnetic recording medium>
Hereinafter, a manufacturing method for manufacturing a magnetic recording medium such as a discrete track medium or a patterned medium using the imprint mold structure according to the present invention will be described with reference to the drawings.

[転写工程]
図3に示すように、磁性層50と、PMMAなどのインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板40に対して、インプリント用モールド構造体1を押し当て、加圧することにより、インプリント用モールド構造体1上に形成された凸部4のパターンをインプリントレジスト層24に転写する。
[Transfer process]
As shown in FIG. 3, an imprint mold is formed on a magnetic recording medium substrate 40 in which a magnetic layer 50 and an imprint resist layer 24 formed by applying an imprint resist solution such as PMMA are formed in this order. By pressing and pressing the structure 1, the pattern of the protrusions 4 formed on the imprint mold structure 1 is transferred to the imprint resist layer 24.

<<インプリントレジスト層>>
前記インプリントレジスト層は、インプリントレジスト組成物(以下、「インプリントレジスト液」ということがある。)を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
インプリントレジスト層25としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物(以下、「インプリントレジスト液」ということがある。)を磁気記録媒体の基板40に塗布することによって形成される層である。また、インプリントレジスト層13を形成するインプリントレジスト組成物としては、例えば、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが用いられる。
前記インプリントレジスト層の厚みとしては、モールド1の表面2a上に形成される凸部の高さに対して5%以上、200%未満であることが好ましい。5%未満ではレジスト量が不足し、所望のレジストパターンを形成することができない。
インプリントレジスト層の厚みは、例えば、レジストが塗布された磁気記録媒体の基板から一部レジストを剥離、剥離後の段差をAFM装置(Dimension5000、日本ビーコ(株)製)にて測定することができる。
<< imprint resist layer >>
The imprint resist layer is a layer formed by applying an imprint resist composition (hereinafter also referred to as “imprint resist solution”) to a substrate of a magnetic recording medium.
There is no restriction | limiting in particular as the imprint resist layer 25, Although it can select suitably from well-known things according to the objective, For example, the imprint containing at least any one of a thermoplastic resin and a photocurable resin is used. It is a layer formed by applying a resist composition (hereinafter also referred to as “imprint resist solution”) to the substrate 40 of the magnetic recording medium. Moreover, as the imprint resist composition for forming the imprint resist layer 13, for example, a novolac resin, an epoxy resin, an acrylic resin, an organic glass resin, an inorganic glass resin, or the like is used.
The thickness of the imprint resist layer is preferably 5% or more and less than 200% with respect to the height of the convex portion formed on the surface 2a of the mold 1. If it is less than 5%, the resist amount is insufficient, and a desired resist pattern cannot be formed.
The thickness of the imprint resist layer can be measured, for example, by partially removing the resist from the substrate of the magnetic recording medium coated with the resist and measuring the step after the peeling with an AFM apparatus (Dimension 5000, manufactured by Biko Japan). it can.

[インプリントレジスト組成物の粘度]
前記インプリントレジスト組成物の粘度は、例えば、超音波式粘度計などを用いて測定される。
[Viscosity of imprint resist composition]
The viscosity of the imprint resist composition is measured using, for example, an ultrasonic viscometer.

<インプリント用モールド構造体の作製方法>
以下、本発明に係るインプリント用モールド構造体の作製方法の例について図面を参照して説明する。なお、本発明に係るインプリント用モールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
<Method for producing imprint mold structure>
Hereinafter, an example of a method for producing an imprint mold structure according to the present invention will be described with reference to the drawings. The imprint mold structure according to the present invention may be manufactured by a manufacturing method other than the following manufacturing method.

―原盤の作製―
図2A〜Bは、モールド構造体1の作製方法を示す断面図である。図2Aに示すように、まず、Si基材10上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、Si基材10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤11を得る。
―Making master disc―
2A and 2B are cross-sectional views illustrating a method for producing the mold structure 1. As shown in FIG. 2A, first, a photoresist solution such as a novolak resin or an acrylic resin is applied on the Si base material 10 by spin coating or the like to form a photoresist layer 21.
After that, while rotating the Si substrate 10, a laser beam (or electron beam) modulated in accordance with the servo signal is irradiated, and a predetermined pattern is applied to the entire surface of the photoresist, for example, each track is linear from the rotation center to the radial direction. A pattern corresponding to the servo signal extending to is exposed at a portion corresponding to each frame on the circumference.
Thereafter, the photoresist layer 21 is developed, the exposed portion is removed, and selective etching is performed by RIE or the like using the pattern of the removed photoresist layer 21 as a mask to obtain the master 11 having an uneven shape.

原盤11からモールドを作製するモールドの作製方法としてはメッキ法、ナノインプリント法などを用いることができる。
メッキ法でのモールド作製方法は以下の通りである。
まず、原盤11の表面に導電層(図示せず)を形成する。
前記導電膜の形成方法としては、一般的に真空製膜方法(スパッタリング、蒸着など)、無電解メッキ法などを用いることができる。
前記導電層の材料としては、Ni、Cr、W、Ta、Fe、Coのうち、少なくとも一種類の元素を含有する金属、合金を用いることができ、Ni、Co、FeCo合金などが好ましい。また、導電性を示すTiOなどの非金属材質も前記導電層として使用可能である。
前記導電層の膜厚は、5nm〜30nmの範囲が好ましく、10nm〜25nmの範囲がより好ましい。
上記導電層を形成した原盤を用い、メッキ法にて金属、及び合金素材を積層して、所定の厚みとなるまで形成した後に、原盤11からメッキ基体を剥離することでモールドを形成する。
ここで、前記モールドを構成するメッキ素材としては、Ni、Cr、FeCo合金などを使用することができ、Ni素材を用いたものが特に好ましい。
また、引き剥がし後のモールド1の厚みは、30μm〜500μmの範囲が好ましく、45μm〜300μmの範囲がより好ましい。30μm未満ではモールドの剛性が低下し機械特性を確保することができない。
加えて、上記転写工程(NIL、ナノインプリントリソグラフィ)を多数回実施することで、モールド1自身が変形し、著しく実用特性が低下することがある。したがって、モールドの厚みが500μm以上では剛性が高くなりすぎるため、NIL時のモールド1と、磁気記録媒体の基板40との間の密着を確保することができない。
密着確保のためには、密着圧力をあげる必要があるため、異物などが混入した際にはモールド1と、磁気記録媒体の基板40との間に致命的な形状欠陥が発生する。
As a method for producing a mold for producing a mold from the master 11, a plating method, a nanoimprint method, or the like can be used.
The mold production method by the plating method is as follows.
First, a conductive layer (not shown) is formed on the surface of the master 11.
As a method for forming the conductive film, a vacuum film forming method (sputtering, vapor deposition, etc.), an electroless plating method, or the like can be generally used.
As the material of the conductive layer, a metal or alloy containing at least one element among Ni, Cr, W, Ta, Fe, and Co can be used, and Ni, Co, FeCo alloy, and the like are preferable. Further, a non-metallic material such as TiO showing conductivity can also be used as the conductive layer.
The thickness of the conductive layer is preferably in the range of 5 nm to 30 nm, and more preferably in the range of 10 nm to 25 nm.
Using the master on which the conductive layer is formed, a metal and an alloy material are laminated by plating to form a predetermined thickness, and then the plating base is peeled off from the master 11 to form a mold.
Here, as the plating material constituting the mold, Ni, Cr, FeCo alloy or the like can be used, and those using Ni material are particularly preferable.
Further, the thickness of the mold 1 after peeling is preferably in the range of 30 μm to 500 μm, and more preferably in the range of 45 μm to 300 μm. If it is less than 30 μm, the rigidity of the mold is lowered and the mechanical properties cannot be secured.
In addition, by performing the transfer process (NIL, nanoimprint lithography) many times, the mold 1 itself may be deformed, and the practical characteristics may be significantly reduced. Therefore, since the rigidity becomes too high when the thickness of the mold is 500 μm or more, the close contact between the mold 1 during NIL and the substrate 40 of the magnetic recording medium cannot be ensured.
In order to secure adhesion, it is necessary to increase the adhesion pressure, so that a fatal shape defect occurs between the mold 1 and the substrate 40 of the magnetic recording medium when foreign matter or the like is mixed.

なお、上記モールドを原盤11として用いて、モールド1の複製を行ってもよい。
ナノインプリント法を用いたモールドの複製方法は以下の通りである。
図2Bに示すように、熱可塑性樹脂、あるいは光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層25が一方の面に形成された基板40に対して、原盤11を押し当て、原盤11上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層25に転写される。
The mold 1 may be duplicated using the mold as the master 11.
The mold replication method using the nanoimprint method is as follows.
As shown in FIG. 2B, the master 11 is applied to the substrate 40 on which the imprint resist layer 25 formed by applying an imprint resist solution containing a thermoplastic resin or a photocurable resin is formed on one surface. The pattern of the convex portions formed on the master 11 is transferred to the imprint resist layer 25 by pressing.

ここで、基板40の材料は、光透過性を有し、モールド構造体1として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択され、例えば、石英(SiO)や、有機樹脂(PET、PEN、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂)等が挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、基板40にインプリントレジスト層25が形成される一方の面から出射するように、基板40の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面へ波長400nm以下の光の光透過率が50%以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度」とは、基板40上に形成されたインプリントレジスト層25に対して、平均面圧力が1kgf/cm以上という条件下で押し当て、加圧しても剥離可能に破損しない強度を意味する。
Here, the material of the substrate 40 is not particularly limited as long as it is a material having optical transparency and functioning as the mold structure 1, and is appropriately selected according to the purpose. SiO 2 ) and organic resins (PET, PEN, polycarbonate, low melting point fluororesin) and the like.
The “having light transmittance” specifically means that light is incident from the other surface of the substrate 40 so as to be emitted from one surface where the imprint resist layer 25 is formed on the substrate 40. In this case, it means that the imprint resist solution is sufficiently cured, and at least the light transmittance of light having a wavelength of 400 nm or less from the other surface to the one surface is 50% or more. .
The “strength functioning as a mold structure” means that the imprint resist layer 25 formed on the substrate 40 is pressed against the imprint resist layer 25 under the condition that the average surface pressure is 1 kgf / cm 2 or more. Also means strength that does not break in a peelable manner.

―硬化工程―
その後、インプリントレジスト層25に熱を印加する、あるいは、紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させる。紫外線を照射してパターンを硬化する場合は、パターニング後であってモールド構造体と磁気記録媒体とを剥離した後に紫外線を照射し硬化してもよい。
―Curing process―
Thereafter, the transferred pattern is cured by applying heat to the imprint resist layer 25 or irradiating ultraviolet rays or the like. When the pattern is cured by irradiating with ultraviolet rays, the pattern may be cured after the mold structure and the magnetic recording medium are peeled off and then irradiated with ultraviolet rays.

―パターン形成工程―
その後、転写されたパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。また基材の表面に無機系材質を形成し、レジストマスクを基として無機系材質マスクを形成し、この無機系材質マスクを用いて基材をエッチングし、モールド構造体1を形成してもよい。
―Pattern formation process―
Thereafter, selective etching is performed by RIE or the like using the transferred pattern as a mask to obtain a mold structure 1 having an uneven shape. Alternatively, the mold structure 1 may be formed by forming an inorganic material on the surface of the substrate, forming an inorganic material mask based on the resist mask, and etching the substrate using the inorganic material mask. .

(磁気記録媒体)
以下、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて作製されたディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を、図面を参照して説明する。但し、本発明に係る磁気記録媒体は、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて製造されていれば、下記の製造方法以外の製造方法により作製されたものであってもよい。
(Magnetic recording medium)
Hereinafter, a magnetic recording medium such as a discrete track medium and a patterned medium manufactured using the imprint mold structure according to the present invention will be described with reference to the drawings. However, the magnetic recording medium according to the present invention may be manufactured by a manufacturing method other than the following manufacturing method as long as it is manufactured using the imprint mold structure according to the present invention.

図3に示すように、磁性層50と、インプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層25とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板40に対して、モールド構造体1を押し当て、加圧することにより、モールド構造体1上に形成されたデータ領域の凹凸部3、及びサーボ領域120の凹凸部4のパターンがインプリントレジスト層25に転写される。   As shown in FIG. 3, the mold structure 1 is pressed against a substrate 40 of a magnetic recording medium in which a magnetic layer 50 and an imprint resist layer 25 formed by applying an imprint resist solution are formed in this order. By applying pressure, the pattern of the uneven portion 3 in the data area and the uneven portion 4 in the servo area 120 formed on the mold structure 1 is transferred to the imprint resist layer 25.

ここで、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層25として、インプリント用モールド構造体の作製におけるインプリントレジスト層24と同じインプリントレジスト組成物を採用してもよい。
以下、特に断らない限り、インプリントレジスト層、及びインプリントレジスト組成物は、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層25、及び該インプリントレジスト層25を形成するインプリントレジスト組成物を指すものとする。
Here, as the imprint resist layer 25 in the production of the magnetic recording medium, the same imprint resist composition as the imprint resist layer 24 in the production of the imprint mold structure may be employed.
Hereinafter, unless otherwise specified, the imprint resist layer and the imprint resist composition refer to the imprint resist layer 25 in the production of the magnetic recording medium and the imprint resist composition that forms the imprint resist layer 25. And

その後、データ領域の凹凸部3、及びサーボ領域120の凹凸部4のパターンが転写されたインプリントレジスト層25をマスクにして、エッチング工程を行い、モールド構造体1上に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを磁性層50に形成し、凹部に非磁性材料を埋め込むことによって、非磁性層70を形成し、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜形成などのその他の工程を行って磁気記録媒体100を得る。
前記エッチング工程は、データ領域におけるインプリントレジスト層25に形成されたレジスト凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を、データ領域の磁性層50に形成する工程である。
前記凸凹形状の形成方法としては、イオンビームエッチング、反応性化学エッチング、ウェットエッチングなどの手法を用いることができる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしては、Ar、反応性化学エッチングのエッチャントとしてはCO+NH、塩素ガスなどを用いることができる。
前記その他の工程としては、必要に応じて、前記磁性層の凹部をSiO、カーボン、アルミナ;ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリスチレン(PS)等のポリマー;潤滑油等の非磁性材料で埋める工程、表面を平坦化する工程、平坦化した表面にDLC(ダイヤモンドライクカーボン)等で保護膜を形成する工程、最後に潤滑剤を塗布する工程などが挙げられる。
Thereafter, an etching process is performed using the imprint resist layer 25 to which the pattern of the uneven portion 3 in the data region and the uneven portion 4 in the servo region 120 is transferred as a mask, and the uneven portion formed on the mold structure 1 is formed. After forming a concavo-convex pattern based on the magnetic layer 50 and embedding a nonmagnetic material in the concave portion to form the nonmagnetic layer 70 and planarizing the surface, other steps such as forming a protective film are performed as necessary. To obtain the magnetic recording medium 100.
The etching step is a step of forming a concavo-convex shape based on the resist concavo-convex pattern shape formed in the imprint resist layer 25 in the data region on the magnetic layer 50 in the data region.
As a method for forming the irregularities, techniques such as ion beam etching, reactive chemical etching, and wet etching can be used.
Ar can be used as a process gas in ion beam etching, and CO + NH 3 , chlorine gas, or the like can be used as an etchant in reactive chemical etching.
As the other steps, if necessary, the recesses of the magnetic layer are filled with SiO 2 , carbon, alumina; a polymer such as polymethyl methacrylate (PMMA) or polystyrene (PS); a nonmagnetic material such as lubricating oil. Examples thereof include a step, a step of flattening the surface, a step of forming a protective film with DLC (diamond-like carbon) or the like on the flattened surface, and finally a step of applying a lubricant.

図5は、本発明の磁気記録媒体の構成を示す平面図である。
上記のようにして作製された本発明の磁気記録媒体は、図5に示すように、基板40の一の表面上に、同心円状に、所定の間隔で形成された複数のデータ領域の磁性パターン部51と、基板2の半径方向に所定の間隔で形成された複数のサーボ領域の磁性パターン部52とが非磁性層70によって隔たれて形成されている。
FIG. 5 is a plan view showing the configuration of the magnetic recording medium of the present invention.
As shown in FIG. 5, the magnetic recording medium of the present invention produced as described above has a magnetic pattern of a plurality of data areas formed concentrically on a surface of a substrate 40 at predetermined intervals. The portion 51 and the magnetic pattern portions 52 of the plurality of servo regions formed at predetermined intervals in the radial direction of the substrate 2 are formed separated by the nonmagnetic layer 70.

また、基板40の表面上において、データ領域の磁性パターン部51が形成された領域はデータ領域130であり、前記表面上においてサーボ領域の磁性パターン部52が形成された領域はサーボ領域140である。
このようなデータ領域130、及びサーボ領域140の構成において、サーボ領域140は、データ領域130を分断するように、円周方向において略等間隔で複数形成されている。
Further, on the surface of the substrate 40, the region where the magnetic pattern portion 51 of the data region is formed is the data region 130, and the region where the magnetic pattern portion 52 of the servo region is formed on the surface is the servo region 140. .
In such a configuration of the data area 130 and the servo area 140, a plurality of servo areas 140 are formed at substantially equal intervals in the circumferential direction so as to divide the data area 130.

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。   Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
<インプリント用モールド構造体の作製>
<<原盤の作製>>
直径8インチの円板状のSi基板上に電子線レジストを、スピンコート法を用いて100nmの厚みに塗布した。
回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光、現像することで、凹凸パターンを有する前記電子線レジストをSi基板上に形成する。
凹凸パターンを有する前記電子線レジストをマスクとして、前記Si基板に対して反応性イオンエッチング処理を行い、Si基板上に凹凸形状を形成する。
残存した前記電子線レジストを、可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥した後に原盤を得た。
Example 1
<Preparation of imprint mold structure>
<< Preparation of master disk >>
An electron beam resist was applied to a thickness of 100 nm on a disk-like Si substrate having a diameter of 8 inches by using a spin coating method.
By exposing and developing a desired pattern with a rotary electron beam exposure apparatus, the electron beam resist having a concavo-convex pattern is formed on a Si substrate.
Using the electron beam resist having a concavo-convex pattern as a mask, a reactive ion etching process is performed on the Si substrate to form a concavo-convex shape on the Si substrate.
The remaining electron beam resist was removed by washing with a soluble solvent and dried to obtain a master.

ここで、前記凹凸パターンは、データ部における凹凸パターンと、サーボ部における凹凸パターンとに大別される。
データ部は、凸部の巾:500nm、凹部の巾:300nm(トラックピッチ=800nm)の凹凸パターンとした。
サーボ部に関しては、基準信号長を200nmとし、総セクタ数を128とし、プリアンブル部(45bit)、SAM部(10bit)、SectorCode部(8bit)、CylinderCode部(32bit)、及びBurst部で構成されている。
前記SAM部は、“0000101011”であり、前記SectorCode部における凹凸パターンは、Binary変換を用いて形成され、CylinderCode部における凹凸パターンは、Gray変換を用いて形成され、最終的にマンチェスター変換を用いて形成される。
また、前記Burst部における凹凸パターンは、一般的な位相バースト信号(16bit)である。
Here, the uneven pattern is roughly classified into an uneven pattern in the data portion and an uneven pattern in the servo portion.
The data part was a concavo-convex pattern having a convex part width: 500 nm and a concave part width: 300 nm (track pitch = 800 nm).
The servo unit has a reference signal length of 200 nm, a total number of sectors of 128, and includes a preamble part (45 bits), a SAM part (10 bits), a SectorCode part (8 bits), a CylinderCode part (32 bits), and a Burst part. Yes.
The SAM portion is “0000101011”, and the uneven pattern in the SectorCode portion is formed by using the binary conversion, and the uneven pattern in the cylinder code portion is formed by using the Gray conversion, and finally by using the Manchester conversion. It is formed.
The concave / convex pattern in the Burst portion is a general phase burst signal (16 bits).

その後、石英基板上にノボラック系レジスト(マイクロレジスト社mr−I 7000E)を100nm、スピンコート法(3,600rpm)によって形成した。
そして、原盤をモールドとして使用し、ナノインプリントを行う。ナノインプリント後の凹凸レジストパターンを元にエッチャントとしてCHFを用いたRIEでインプリント用モールド構造体1を得た。
Thereafter, a novolac resist (microresist company mr-I 7000E) was formed to 100 nm on a quartz substrate by spin coating (3,600 rpm).
Then, using the master as a mold, nanoimprinting is performed. Based on the uneven resist pattern after nanoimprinting, an imprint mold structure 1 was obtained by RIE using CHF 3 as an etchant.

作製したインプリント用モールド構造体1の表面にウェット法により剥離剤(EGC−1720 住友3M社製)を塗布し、剥離層を形成した。引き上げ速度は1mm/secとした。   A release agent (EGC-1720 manufactured by Sumitomo 3M) was applied to the surface of the produced imprint mold structure 1 by a wet method to form a release layer. The pulling speed was 1 mm / sec.

<凸部パターンの表面の剥離剤の量の制御>
モールドの表面の活性化状態を変化させることにより、剥離層中の剥離剤量を制御できる。該活性化状態を変化させる方法としては、例えば、紫外線を照射する方法(紫外線照射方式)がある。該紫外線照射方式は、光源/モールド間照射距離、照射時間、光源投入パワーを調整することで、モールドの表面の活性化状態を制御できる。例えば、紫外線照射時間を長くし、投入電力を上げ、前記照射距離を短くすると、紫外線積分照射量が大きくなり、剥離剤のモールド表面に対する吸着効率が向上する。特に、前記照射距離の調整、及び紫外線の入射角度の調整が剥離剤の吸着効率の改善に有効である。
用いられる装置としては、卓上型光表面処理装置 PL16−110(セン特殊光源株式会社製)が挙げられる。
具体的には、剥離剤を形成する前のインプリント用モールド構造体1の表面に対して紫外線を照射する。紫外線を照射する条件は、光源/モールド間照射距離:10mm、照射時間:2min、光源投入パワー:18mW/cmである。
なお、剥離層を形成した後に、該剥離層に対して酸素プラズマを照射することによっても、剥離層中の剥離剤量を制御できる。該剥離層に酸素プラズマを照射すると、該剥離層中の剥離剤が分解して、剥離剤を除去した場合と同じ効果が得られるからである。
<Control of amount of release agent on surface of convex pattern>
The amount of release agent in the release layer can be controlled by changing the activation state of the mold surface. As a method of changing the activation state, for example, there is a method of irradiating ultraviolet rays (ultraviolet irradiation method). In the ultraviolet irradiation method, the activation state of the mold surface can be controlled by adjusting the light source / mold irradiation distance, the irradiation time, and the light source input power. For example, if the ultraviolet irradiation time is lengthened, the input power is increased, and the irradiation distance is shortened, the ultraviolet integrated irradiation amount is increased, and the adsorption efficiency of the release agent to the mold surface is improved. In particular, the adjustment of the irradiation distance and the adjustment of the incident angle of ultraviolet rays are effective in improving the adsorption efficiency of the release agent.
Examples of the apparatus used include a desktop optical surface treatment apparatus PL16-110 (manufactured by Sen Special Light Source Co., Ltd.).
Specifically, the surface of the imprint mold structure 1 before the release agent is formed is irradiated with ultraviolet rays. The conditions for irradiating with ultraviolet rays are: light source / mold irradiation distance: 10 mm, irradiation time: 2 min, light source input power: 18 mW / cm 2 .
Note that the amount of the release agent in the release layer can also be controlled by irradiating the release layer with oxygen plasma after the release layer is formed. This is because when the release layer is irradiated with oxygen plasma, the release agent in the release layer is decomposed and the same effect as when the release agent is removed can be obtained.

<磁気記録媒体の作製>
2.5インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を作製した。
作製した磁気記録媒体は、軟磁性層、第1の非磁性配向層、第2の非磁性配向層、磁性層(「磁気記録層」ということがある。)、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第1の非磁性配向層、第2の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
<Preparation of magnetic recording medium>
Each layer was formed on a 2.5-inch glass substrate by the following procedure to produce a magnetic recording medium.
The produced magnetic recording medium has a soft magnetic layer, a first nonmagnetic alignment layer, a second nonmagnetic alignment layer, a magnetic layer (sometimes referred to as a “magnetic recording layer”), a protective layer, and a lubricant layer. It is formed sequentially.
The soft magnetic film, the first nonmagnetic alignment layer, the second nonmagnetic alignment layer, the magnetic recording layer, and the protective layer were formed by a sputtering method, and the lubricant layer was formed by a dip method.

<軟磁性層の形成>
軟磁性層として、CoZrNbよりなる層を100nmの厚みで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、CoZrNbターゲットと対向させて設置し、Arガスを0.6Paの圧になるように流入させ、DC 1,500Wで成膜した。
<Formation of soft magnetic layer>
As the soft magnetic layer, a layer made of CoZrNb was formed with a thickness of 100 nm.
Specifically, the glass substrate was placed facing the CoZrNb target, Ar gas was introduced to a pressure of 0.6 Pa, and a film was formed at DC 1,500 W.

<第1の非磁性配向層の形成>
第1の非磁性配向層として、5nmの厚みのTi層を形成した。
具体的に、第1の非磁性配向層は、Tiターゲットと対向設置し、Arガスを0.5Paの圧になるように流入させ、DC 1,000Wで放電し、5nmの厚みになるようにTiシード層を成膜した。
<Formation of first nonmagnetic alignment layer>
A Ti layer having a thickness of 5 nm was formed as the first nonmagnetic alignment layer.
Specifically, the first nonmagnetic alignment layer is placed opposite to the Ti target, Ar gas is flowed to a pressure of 0.5 Pa, discharged at DC 1,000 W, and a thickness of 5 nm is obtained. A Ti seed layer was formed.

<第2の非磁性配向層の形成>
その後、第2の非磁性配向層として、6nmの厚みのRu層を形成した。
第1の非磁性配向層形成後に、Ruターゲットと対向させて設置し、Arガスを0.5Paの圧になるように流入させ、DC 1,000Wで放電し、10nmの厚みになるように第2の非磁性配向層としてRu層を成膜した。
<Formation of Second Nonmagnetic Orientation Layer>
Thereafter, a Ru layer having a thickness of 6 nm was formed as a second nonmagnetic alignment layer.
After the first nonmagnetic alignment layer is formed, it is placed facing the Ru target, Ar gas is introduced to a pressure of 0.5 Pa, discharge is performed at DC 1,000 W, and the thickness is 10 nm. A Ru layer was formed as the second nonmagnetic alignment layer.

<磁気記録層の形成>
その後、磁気記録層として、CoCrPtO層を15nmの厚みで形成した。
具体的には、CoPtCrターゲットと対向させて設置し、O 0.04%を含むArガスを、圧力が18Paとなるようにして流入させ、DC 290Wで放電し、磁気記録層を形成した。
<Formation of magnetic recording layer>
Thereafter, a CoCrPtO layer having a thickness of 15 nm was formed as a magnetic recording layer.
Specifically, it was placed facing the CoPtCr target, Ar gas containing 0.04% O 2 was introduced at a pressure of 18 Pa, and discharged at DC 290 W to form a magnetic recording layer.

<保護層の形成>
磁性層形成後に、Cターゲットと対向させて設置し、Arガスを、圧力が0.5Paになるように流入させ、DC 1,000Wで放電し、C保護層を4nmの厚みで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、334kA/m(4.2kOe)とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第1の非磁性材料は、PtOである。
<Formation of protective layer>
After the magnetic layer was formed, it was placed facing the C target, Ar gas was flowed in so that the pressure became 0.5 Pa, discharged at DC 1,000 W, and the C protective layer was formed with a thickness of 4 nm.
The coercive force of the magnetic recording medium was 334 kA / m (4.2 kOe).
In addition, the first nonmagnetic material of the magnetic recording medium in this example is PtO.

<インプリントレジスト層の形成>
前記保護層上に、アクリル系レジスト(PAK−01−500、東洋合成工業(株)製)を100nmの厚みになるように、スピンコート法(3,600rpm)により、インプリントレジスト層を形成した。
<Formation of imprint resist layer>
An imprint resist layer was formed on the protective layer by spin coating (3,600 rpm) so that an acrylic resist (PAK-01-500, manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.) had a thickness of 100 nm. .

<転写工程>
インプリントレジスト層が形成された基板に対して、上記モールドの凹凸部が形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を3MPaの圧力にて10秒間密着させ、紫外線を10mJ/cm照射した。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを剥離した。
その後、前記モールドの凹凸部に基づく凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写することによって、該インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンのうち、凹部に残存したインプリントレジスト層を、O反応性化学エッチングにて除去した。このO反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
<Transfer process>
The substrate on which the imprint resist layer is formed is placed so that the surface on which the uneven portion of the mold is formed is opposed to the substrate, and the substrate on which the imprint resist layer is formed is adhered for 10 seconds at a pressure of 3 MPa. Then, ultraviolet rays were irradiated at 10 mJ / cm 2 .
After completing the above steps, the mold was peeled from the substrate on which the imprint resist layer was formed.
Thereafter, by transferring a concavo-convex pattern based on the concavo-convex portion of the mold to the imprint resist layer, the imprint resist layer remaining in the concave portion of the concavo-convex pattern formed on the imprint resist layer is converted to O 2 reactivity. It was removed by chemical etching. This O 2 reactive chemical etching is performed so that the magnetic layer is exposed in the recess.

<磁性パターン部形成工程>
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Arガスを用い、イオン加速エネルギーは500eVとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、O反応性化学エッチングにて、磁性層(未加工部分)上に残存したレジストを除去する。
その後、ディップ法により、PFPE潤滑剤を2nmの厚みに塗布した。
<Magnetic pattern part formation process>
After removing the imprint resist layer remaining in the concave portion, the concave and convex shape of the magnetic layer was processed.
As the processing of the magnetic layer, an ion beam etching method was used.
Specifically, Ar gas was used, the ion acceleration energy was 500 eV, and an ion beam was incident on the magnetic layer from the vertical direction.
After processing the magnetic layer in this way, the resist remaining on the magnetic layer (unprocessed portion) is removed by O 2 reactive chemical etching.
Thereafter, a PFPE lubricant was applied to a thickness of 2 nm by a dip method.

<非磁性パターン部形成工程>
上記磁性層を加工した後に、磁性材料を含む層として、厚みが50nmとなるように、スパッタリングを実施してSiO層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、SiO層を除去した。
<Nonmagnetic pattern part formation process>
After processing the magnetic layer, a SiO 2 layer is formed by sputtering so that the layer containing the magnetic material has a thickness of 50 nm, and the magnetic layer and the nonmagnetic layer are surfaced by ion beam etching. The SiO 2 layer was removed to be unity.

(測定及び評価)
<凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量>
平坦基板上(4インチ−Siウエハー)に、前記モールドに形成した剥離層に用いたのと同一の剥離剤をディップ塗布法により形成する。その後、前記剥離層を形成したときと同一の条件で塗布、形成した試料に対して、マイクロオージェ装置(PHI700,アルバックファイ社製)を用いてフッ素元素のスペクトル強度(I_REF)を検出した。
そして、前記同一試料に対して、エリプソメーター(DHA−XA/S4,溝尻光学工業所社製)を使用し、剥離層の厚み(THR)を導出した。
モールドに対しては上記と同じ評価法にて、1μm角の領域に対してフッ素元素スペクトル強度をマッピングする。そして、同装置に設置されている簡易SEMにて凹凸形状を観察、このSEM像とフッ素元素スペクトル強度マップを対応させ、凹凸パターン中央部、端部を決定し、所定の箇所におけるフッ素量を導出した。なお、凸部パターン端部におけるフッ素量を「IF_MTE」とし、凸部パターン中央部におけるフッ素量を「IF_MTO」とし、凹部パターン中央部におけるフッ素量を「IF_MB」とする。
また、モールドの表面に形成した剥離層における材料の量は、以下関係式により厚みに換算したものとした。
MTO=(THR/I_REF)×IF_MTO
MTE=(THR/I_REF)×IF_MTE
MT=MTO+MTE
MB=(THR/I_REF)×IF_MB
このようにして導出された、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量(MT)、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量MB、凸部パターンの端部における剥離剤の量(MTE)、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量(MTO)の結果を表1に示す。
(Measurement and evaluation)
<Quantification of amount of release agent on convex pattern surface>
On the flat substrate (4 inch-Si wafer), the same release agent used for the release layer formed on the mold is formed by dip coating. Thereafter, the spectral intensity (I_REF) of the fluorine element was detected using a micro-Auger apparatus (PHI700, manufactured by ULVAC-PHI) on a sample applied and formed under the same conditions as when the release layer was formed.
Then, an ellipsometer (DHA-XA / S4, manufactured by Mizoji Optical Co., Ltd.) was used for the same sample, and the thickness (THR) of the release layer was derived.
For the mold, the fluorine element spectrum intensity is mapped to a 1 μm square region by the same evaluation method as described above. Then, the concave / convex shape is observed with a simple SEM installed in the apparatus, the SEM image is associated with the fluorine element spectrum intensity map, the central portion and the end portion of the concave / convex pattern are determined, and the fluorine amount at a predetermined location is derived. did. The fluorine amount at the end of the convex pattern is “IF_MTE”, the fluorine amount at the central portion of the convex pattern is “IF_MTO”, and the fluorine amount at the central portion of the concave pattern is “IF_MB”.
In addition, the amount of material in the release layer formed on the surface of the mold was converted to thickness by the following relational expression.
MTO = (THR / I_REF) × IF_MTO
MTE = (THR / I_REF) × IF_MTE
MT = MTO + MTE
MB = (THR / I_REF) × IF_MB
The amount (MT) of the release agent in the release layer formed on the convex pattern, the amount MB of the release agent in the release layer formed on the concave pattern, and the end of the convex pattern, thus derived. Table 1 shows the results of the amount of release agent (MTE) and the amount of release agent (MTO) at the center of the convex pattern.

<凹凸パターン形状、及び成形性の評価>
一つのモールドにおいて、1,000回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、990〜1,000回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について、以下の指標に基づき評価した。
<Evaluation of uneven pattern shape and moldability>
One imprint process was performed 1,000 times in one mold. The uneven pattern of the mold after the treatment, the uneven pattern of the magnetic recording medium in the 990th to 1,000th times, and the moldability of the resist after nanoimprinting were evaluated based on the following indices.

<<モールドの評価>>
1μm角の評価範囲にてAFM(日本ビーコ社製Dimension5000)を用いて操作し、表面の凸凹形状のデータを取得した。パターン差の80%に閾値を設け、この閾値で凸部形状に形成される側面部の寸法バラツキを標準偏差(1μm角視野)にて評価した。1ディスクに対して半径25mm、ほぼ等間隔で16カ所測定を行い、全測定量域内の標準偏差(σ)を算出した。3xσ値が15nm以下であれば“○”、15nmより大きければ“×”とした。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”である。評価結果を表1に示す。
<< Evaluation of mold >>
Operation was performed using an AFM (Dimension 5000, manufactured by Nippon Beco Co., Ltd.) in an evaluation range of 1 μm square, and surface unevenness data was obtained. A threshold value was set at 80% of the pattern difference, and the dimensional variation of the side surface portion formed into a convex shape at this threshold value was evaluated with a standard deviation (1 μm square field of view). Measurements were made at 16 locations with a radius of 25 mm and approximately equal intervals on one disk, and the standard deviation (σ) within the entire measurement range was calculated. When the 3xσ value was 15 nm or less, “◯” was indicated, and when it was larger than 15 nm, “x” was indicated. In this evaluation, usable evaluation is “◯”. The evaluation results are shown in Table 1.

<<ナノインプリント後のレジストの評価>>
1μm角の評価範囲にてAFM(日本ビーコ社製Dimension5000)を用いて操作し、表面の凸凹形状のデータを取得する。パターン差の20%に閾値を設け、この閾値で凹部形状に形成される側面部の寸法バラツキを標準偏差(1um角視野)にて評価した。1ディスクに対して半径25mm、ほぼ等間隔で16カ所測定を行い、全測定量域内の標準偏差(σ)を算出した。3xσ値が15nm以下であれば“○”、15nmより大きければ“×”とした。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”及び“△”である。
990回目〜1,000回目までの10回中に、“×”判定が3枚以上であれば“×”と総合判定し、1〜2回であれば“△”と総合判定し、0枚であれば“○”と総合判定した。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”及び“△”である。評価結果を表2に示す。
<< Evaluation of resist after nanoimprinting >>
It operates using AFM (Dimension 5000 by Nippon Beiko Co., Ltd.) in an evaluation range of 1 μm square, and obtains data of surface irregularities. A threshold value was set at 20% of the pattern difference, and the dimensional variation of the side surface portion formed in the concave shape with this threshold value was evaluated with a standard deviation (1 um square field of view). Measurements were made at 16 locations with a radius of 25 mm and approximately equal intervals on one disk, and the standard deviation (σ) within the entire measurement range was calculated. When the 3xσ value was 15 nm or less, “◯” was indicated, and when it was larger than 15 nm, “x” was indicated. In this evaluation, usable evaluations are “◯” and “Δ”.
During 10 times from the 990th to the 1,000th time, if “x” judgment is 3 or more, comprehensive judgment is made as “x”, and if it is 1 to 2 times, overall judgment is made as “△”, 0 pictures If so, it was comprehensively judged as “◯”. In this evaluation, usable evaluations are “◯” and “Δ”. The evaluation results are shown in Table 2.

<<磁性層の凸部の評価>>
データ部のパターンに対して磁性層凸部幅の均一性の評価を実施した。1μm角の評価範囲にてAFM(日本ビーコ社製Dimension5000)を用いて操作し、表面の凸凹形状のデータを取得する。パターン差の80%に閾値を設け、この閾値で凸部形状に形成される側面部の寸法バラツキを標準偏差(1μm角視野)にて評価した。1ディスクに対して半径25mm、ほぼ等間隔で16カ所測定を行い、全測定量域内の標準偏差(σ)を算出した。3xσ値が15nm以下であれば“○”、15nmより大きければ“×”とした。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”である。
990回目〜1,000回目までの10回中に、“×”判定が3枚以上であれば“×”と総合判定し、1〜2回であれば“△”と総合判定し、0枚であれば“○”と総合判定した。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”及び“△”である。評価結果を表3に示す。
<< Evaluation of convex part of magnetic layer >>
The uniformity of the magnetic layer convex portion width was evaluated for the data portion pattern. It operates using AFM (Dimension 5000 by Nippon Beiko Co., Ltd.) in an evaluation range of 1 μm square, and obtains data of surface irregularities. A threshold value was set at 80% of the pattern difference, and the dimensional variation of the side surface portion formed into a convex shape at this threshold value was evaluated with a standard deviation (1 μm square field of view). Measurements were made at 16 locations with a radius of 25 mm and approximately equal intervals on one disk, and the standard deviation (σ) within the entire measurement range was calculated. When the 3xσ value was 15 nm or less, “◯” was indicated, and when it was larger than 15 nm, “x” was indicated. In this evaluation, usable evaluation is “◯”.
During 10 times from the 990th to the 1,000th time, if “x” judgment is 3 or more, comprehensive judgment is made as “x”, and if it is 1 to 2 times, overall judgment is made as “△”, 0 pictures If so, it was comprehensively judged as “◯”. In this evaluation, usable evaluations are “◯” and “Δ”. The evaluation results are shown in Table 3.

(実施例2)
<インプリント用モールド構造体の作製>
実施例1において、剥離層の形成時の引き上げ速度を0.5mm/secとした以外は、実施例1と同様にして、実施例2のインプリント用モールド構造体を作製した。
(Example 2)
<Preparation of imprint mold structure>
In Example 1, the imprint mold structure of Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that the pulling rate during formation of the release layer was set to 0.5 mm / sec.

<磁気記録媒体の作製>
本実施例2で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例2の磁気記録媒体を作製した。
<Preparation of magnetic recording medium>
A magnetic recording medium of Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that the imprint mold structure produced in Example 2 was used.

(測定及び評価)
<凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量>
実施例1と同様にして、剥離層の厚み(THR)を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量(MT)、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量MB、凸部パターンの端部における剥離剤の量(MTE)、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量(MTO)を導出した。結果を表1に示す。
(Measurement and evaluation)
<Quantification of amount of release agent on convex pattern surface>
In the same manner as in Example 1, the thickness (THR) of the release layer was derived, the amount of release agent (MT) in the release layer formed on the convex pattern, and the release agent in the release layer formed on the concave pattern. Amount MB, the amount of release agent (MTE) at the end of the convex pattern, and the amount of release agent (MTO) at the center of the convex pattern. The results are shown in Table 1.

<凹凸パターン形状、及び成形性の評価>
実施例1と同様に、一つのモールドにおいて、1,000回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、990〜1,000回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例1と同様にして評価した。結果を表1〜3に示す。
<Evaluation of uneven pattern shape and moldability>
Similarly to Example 1, 1,000 imprint processes were performed in one mold. The uneven pattern of the mold after the treatment, the uneven pattern of the magnetic recording medium at the 990th to 1,000th times, and the moldability of the resist after nanoimprinting were evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Tables 1-3.

(実施例3)
<インプリント用モールド構造体の作製>
実施例1における凸部パターンの表面の剥離剤の量の制御において、光源とモールドとの距離を15mmとした以外は、実施例1と同様にして、実施例3のインプリント用モールド構造体を作製した。
(Example 3)
<Preparation of imprint mold structure>
In the control of the amount of the release agent on the surface of the convex pattern in Example 1, the imprint mold structure of Example 3 was prepared in the same manner as in Example 1 except that the distance between the light source and the mold was 15 mm. Produced.

<磁気記録媒体の作製>
本実施例3で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例1と同様にして、実施例3の磁気記録媒体を作製した。
<Preparation of magnetic recording medium>
A magnetic recording medium of Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that the imprint mold structure produced in Example 3 was used.

(測定及び評価)
<凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量>
実施例1と同様にして、剥離層の厚み(THR)を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量(MT)、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量MB、凸部パターンの端部における剥離剤の量(MTE)、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量(MTO)を導出した。結果を表1に示す。
(Measurement and evaluation)
<Quantification of amount of release agent on convex pattern surface>
In the same manner as in Example 1, the thickness (THR) of the release layer was derived, the amount of release agent (MT) in the release layer formed on the convex pattern, and the release agent in the release layer formed on the concave pattern. Amount MB, the amount of release agent (MTE) at the end of the convex pattern, and the amount of release agent (MTO) at the center of the convex pattern. The results are shown in Table 1.

<凹凸パターン形状、及び成形性の評価>
実施例1と同様に、一つのモールドにおいて、1,000回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、990〜1,000回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
<Evaluation of uneven pattern shape and moldability>
Similarly to Example 1, 1,000 imprint processes were performed in one mold. The uneven pattern of the mold after the treatment, the uneven pattern of the magnetic recording medium at the 990th to 1,000th times, and the moldability of the resist after nanoimprinting were evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(実施例4)
<インプリント用モールド構造体の作製>
実施例1と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製した。
Example 4
<Preparation of imprint mold structure>
In the same manner as in Example 1, an imprint mold structure was produced.

<磁気記録媒体の作製>
インプリントレジスト層の形成において、インプリントレジスト組成物を、アクリル系レジスト(PAK01−500、東洋合成工業(株)製)と、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(DPHA)とを90:10で混合したインプリントレジスト組成物に変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例4の磁気記録媒体を作製した。
<Preparation of magnetic recording medium>
In the formation of the imprint resist layer, an imprint resist composition was prepared by mixing an acrylic resist (PAK01-500, manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.) and dipentaerythritol hexaacrylate (DPHA) at 90:10. A magnetic recording medium of Example 4 was produced in the same manner as in Example 1 except that the print resist composition was used.

(測定及び評価)
<凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量>
実施例1と同様にして、剥離層の厚み(THR)を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量(MT)、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量MB、凸部パターンの端部における剥離剤の量(MTE)、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量(MTO)を導出した。結果を表1に示す。
(Measurement and evaluation)
<Quantification of amount of release agent on convex pattern surface>
In the same manner as in Example 1, the thickness (THR) of the release layer was derived, the amount of release agent (MT) in the release layer formed on the convex pattern, and the release agent in the release layer formed on the concave pattern. Amount MB, the amount of release agent (MTE) at the end of the convex pattern, and the amount of release agent (MTO) at the center of the convex pattern. The results are shown in Table 1.

<凹凸パターン形状、及び成形性の評価>
実施例1と同様に、一つのモールドにおいて、1,000回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、990〜1,000回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
<Evaluation of uneven pattern shape and moldability>
Similarly to Example 1, 1,000 imprint processes were performed in one mold. The uneven pattern of the mold after the treatment, the uneven pattern of the magnetic recording medium at the 990th to 1,000th times, and the moldability of the resist after nanoimprinting were evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(比較例1)
<インプリント用モールド構造体の作製>
実施例1における凸部パターンの表面の剥離剤の量の制御(紫外線照射)を行わなかった以外は、実施例1と同様にして、比較例1のインプリント用モールド構造体を作製した。
(Comparative Example 1)
<Preparation of imprint mold structure>
An imprint mold structure of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that the amount of the release agent on the surface of the convex pattern in Example 1 was not controlled (ultraviolet irradiation).

<磁気記録媒体の作製>
上記で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例1と同様にして、比較例1の磁気記録媒体を作製した。
<Preparation of magnetic recording medium>
A magnetic recording medium of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that the imprint mold structure produced above was used.

(測定及び評価)
<凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量>
実施例1と同様にして、剥離層の厚み(THR)を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量(MT)、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量MB、凸部パターンの端部における剥離剤の量(MTE)、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量(MTO)を導出した。結果を表1に示す。
(Measurement and evaluation)
<Quantification of amount of release agent on convex pattern surface>
In the same manner as in Example 1, the thickness (THR) of the release layer was derived, the amount of release agent (MT) in the release layer formed on the convex pattern, and the release agent in the release layer formed on the concave pattern. Amount MB, the amount of release agent (MTE) at the end of the convex pattern, and the amount of release agent (MTO) at the center of the convex pattern. The results are shown in Table 1.

<凹凸パターン形状、及び成形性の評価>
実施例1と同様に、一つのモールドにおいて、1,000回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、990〜1,000回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
<Evaluation of uneven pattern shape and moldability>
Similarly to Example 1, 1,000 imprint processes were performed in one mold. The uneven pattern of the mold after the treatment, the uneven pattern of the magnetic recording medium at the 990th to 1,000th times, and the moldability of the resist after nanoimprinting were evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

(比較例2)
<インプリント用モールド構造体の作製>
実施例1における凸部パターンの表面の剥離剤の量の制御において、光源とモールドとの距離を50mmとし、処理時間を20minとし、更にその後、モールドを酸素プラズマに1min暴露した以外は、実施例1と同様にして、比較例2のインプリント用モールド構造体を作製した。
(Comparative Example 2)
<Preparation of imprint mold structure>
In the control of the amount of the release agent on the surface of the convex pattern in Example 1, the distance between the light source and the mold was set to 50 mm, the processing time was set to 20 min, and then the mold was exposed to oxygen plasma for 1 min. In the same manner as in Example 1, an imprint mold structure of Comparative Example 2 was produced.

<磁気記録媒体の作製>
上記で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例1と同様にして、比較例2の磁気記録媒体を作製した。
<Preparation of magnetic recording medium>
A magnetic recording medium of Comparative Example 2 was produced in the same manner as Example 1 except that the imprint mold structure produced above was used.

(測定及び評価)
<凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量>
実施例1と同様にして、剥離層の厚み(THR)を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量(MT)、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量MB、凸部パターンの端部における剥離剤の量(MTE)、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量(MTO)を導出した。結果を表1に示す。
(Measurement and evaluation)
<Quantification of amount of release agent on convex pattern surface>
In the same manner as in Example 1, the thickness (THR) of the release layer was derived, the amount of release agent (MT) in the release layer formed on the convex pattern, and the release agent in the release layer formed on the concave pattern. Amount MB, the amount of release agent (MTE) at the end of the convex pattern, and the amount of release agent (MTO) at the center of the convex pattern. The results are shown in Table 1.

<凹凸パターン形状、及び成形性の評価>
実施例1と同様に、一つのモールドにおいて、1,000回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、990〜1,000回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
<Evaluation of uneven pattern shape and moldability>
Similarly to Example 1, 1,000 imprint processes were performed in one mold. The uneven pattern of the mold after the treatment, the uneven pattern of the magnetic recording medium at the 990th to 1,000th times, and the moldability of the resist after nanoimprinting were evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.

表1に示すように、上記数式(1)を満たす実施例1〜4によれば、上記数式(1)を満たさない比較例1〜2に対して、転写性、剥離性、及び転写耐久性が高いインプリント用モールド構造体を提供することができた。
また、上記数式(1)を満たす実施例1〜4において作製されたインプリント用モールド構造体を用いることにより、上記数式(1)を満たさない比較例1〜2よりも、記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供することができた。
As shown in Table 1, according to Examples 1 to 4 that satisfy the above formula (1), transferability, peelability, and transfer durability compared to Comparative Examples 1 and 2 that do not satisfy the above formula (1). It was possible to provide a mold structure for imprinting that is high.
Further, by using the imprint mold structures produced in Examples 1 to 4 that satisfy the above formula (1), the recording / reproduction characteristics are superior to those of Comparative Examples 1 and 2 that do not satisfy the above formula (1). Magnetic recording media could be provided.

本発明のインプリント用モールド構造体は、該インプリント用モールド構造体上に形成された剥離層が、当該インプリント用モールドの凸部、及び凹部において適正な条件で形成されているため、前記凹部における脆性を損なうことなく、高い歩留まりで前記インプリントレジスト層上にパターンを形成することができ、ディスクリートメディアの作製や、パターンドメディアの作製に好適である。   In the imprint mold structure of the present invention, the release layer formed on the imprint mold structure is formed under appropriate conditions in the convex part and the concave part of the imprint mold. A pattern can be formed on the imprint resist layer with a high yield without impairing the brittleness in the recess, which is suitable for manufacturing discrete media and patterned media.

図1は、本発明のインプリント用モールド構造体の一実施形態における構成を示す部分断面斜視図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view showing a configuration in an embodiment of an imprint mold structure of the present invention. 図2Aは、本発明のインプリント用モールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。FIG. 2A is a cross-sectional view showing an example of a method for producing an imprint mold structure of the present invention. 図2Bは、本発明のインプリント用モールド構造体の製造方法の一例を示す断面図である。FIG. 2B is a cross-sectional view showing an example of a method for producing an imprint mold structure of the present invention. 図3は、本発明のインプリント用モールド構造体を用いて磁気記録媒体を製造する製造方法を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a manufacturing method for manufacturing a magnetic recording medium using the imprint mold structure of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 インプリント用モールド構造体
2 基板
2a 表面
3 凹凸部
4 凸部
5 凹部
6 剥離層
10 Si基板
11 Si原盤
21 フォトレジスト層
22 導電膜
23 Ni基板
24 インプリントレジスト層
40 磁気記録媒体の基板
50 磁性層
70 非磁性層
100 磁気記録媒体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Imprint mold structure 2 Substrate 2a Surface 3 Concavity and convexity 4 Convex part 5 Concave part 6 Peeling layer 10 Si substrate 11 Si master 21 Photoresist layer 22 Conductive film 23 Ni substrate 24 Imprint resist layer 40 Substrate of magnetic recording medium 50 Magnetic layer 70 Nonmagnetic layer 100 Magnetic recording medium

Claims (9)

円板状の基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有し、該凹凸部上に剥離層が形成され、前記凸部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量(MT)と、前記凸部間に形成された凹部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量(MB)とが、下記数式(1)を満たすことを特徴とするインプリント用モールド構造体。
MT>MB・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(1)
A disk-shaped substrate, and an uneven portion formed by arranging a plurality of protrusions on one surface of the substrate with reference to the surface, and a release layer is formed on the uneven portion The amount (MT) of the release agent contained in the release layer formed on the convex portion, and the amount (MB) of the release agent contained in the release layer formed on the concave portion formed between the convex portions, Satisfies the following mathematical formula (1): an imprint mold structure.
MT> MB ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Formula (1)
凸部の端部における剥離剤の量をMTEとし、凸部の中央部における剥離剤の量をMTOとしたとき、下記数式(2)及び数式(3)を満たす請求項1に記載のインプリント用モールド構造体。
MTE>MTO・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(2)
MT=αMTE+(1−α)MTO・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(3)
ただし、上記数式(3)において、0.01≦α≦0.12である。
The imprint according to claim 1, wherein when the amount of the release agent at the end of the convex portion is MTE and the amount of the release agent at the central portion of the convex portion is MTO, the following formula (2) and formula (3) are satisfied. Mold structure.
MTE> MTO ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Formula (2)
MT = αMTE + (1−α) MTO ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Formula (3)
However, in the above formula (3), 0.01 ≦ α ≦ 0.12.
MTE/MTOが、下記数式(4)を満たす請求項1から2のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体。
1.05<MTE/MTO<1.3・・・・・・・・・・・・・・・・・数式(4)
The imprint mold structure according to claim 1, wherein MTE / MTO satisfies the following mathematical formula (4).
1.05 <MTE / MTO <1.3 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ Formula (4)
請求項1から3のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体の製造方法であって、インプリント用モールド構造体の凹凸部上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層に紫外線を照射して、該剥離層に含まれる剥離剤の量を制御する剥離剤量制御工程とを含むことを特徴とするインプリント用モールド構造体の製造方法。   It is a manufacturing method of the mold structure for imprints in any one of Claim 1 to 3, Comprising: The peeling layer formation process which forms a peeling layer on the uneven | corrugated | grooved part of the mold structure for imprints, In the said peeling layer, And a release agent amount control step of controlling the amount of release agent contained in the release layer by irradiating with ultraviolet rays. 請求項1から3のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法。   The imprint mold structure according to any one of claims 1 to 3 is pressed against an imprint resist layer made of an imprint resist composition formed on a substrate of a magnetic recording medium. An imprint method comprising at least a transfer step of transferring a concavo-convex pattern based on a concavo-convex portion formed on a body. インプリントレジスト層の体積収縮率が、21%以下である請求項5に記載のインプリント方法。   The imprint method according to claim 5, wherein the volume shrinkage ratio of the imprint resist layer is 21% or less. 請求項1から3のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層上に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
An uneven portion formed on the imprint mold structure by pressing the imprint mold structure according to any one of claims 1 to 3 against an imprint resist layer formed on a substrate of a magnetic recording medium. A transfer process for transferring an uneven pattern based on
Using the imprint resist layer to which the concavo-convex pattern is transferred as a mask, the magnetic layer formed on the surface of the substrate of the magnetic recording medium is etched to form a magnetic pattern portion based on the concavo-convex pattern in the magnetic layer. A magnetic pattern portion forming step;
A non-magnetic pattern part forming step of embedding a non-magnetic material in the recess formed on the magnetic layer;
A method for producing a magnetic recording medium, comprising:
インプリントレジスト層の体積収縮率が、21%以下である請求項7に記載の磁気記録媒体の製造方法。   The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 7, wherein the volume shrinkage ratio of the imprint resist layer is 21% or less. 請求項7から8のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法によって作製されたことを特徴とする磁気記録媒体。   A magnetic recording medium manufactured by the method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 7.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011159824A (en) * 2010-02-01 2011-08-18 Sumitomo Electric Ind Ltd Method for forming resin pattern by nanoimprinting method and method for forming diffraction grating
WO2012042820A1 (en) * 2010-09-29 2012-04-05 富士フイルム株式会社 Nanoimprinting mold, method of manufacturing thereof, and nanoimprinting method
WO2012086692A1 (en) * 2010-12-22 2012-06-28 日産化学工業株式会社 Film-forming composition for hard disk

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2854966B8 (en) 2012-05-31 2018-11-21 Karsten Manufacturing Corporation Golf club and golf club head with a sole cavity feature

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006164365A (en) * 2004-12-06 2006-06-22 Tdk Corp Resin mask layer forming method, information recording medium manufacturing method, and resin mask layer forming apparatus
JP2008012844A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Hitachi High-Technologies Corp Device for transferring microstructure and method for transferring microstructure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006164365A (en) * 2004-12-06 2006-06-22 Tdk Corp Resin mask layer forming method, information recording medium manufacturing method, and resin mask layer forming apparatus
JP2008012844A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Hitachi High-Technologies Corp Device for transferring microstructure and method for transferring microstructure

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011159824A (en) * 2010-02-01 2011-08-18 Sumitomo Electric Ind Ltd Method for forming resin pattern by nanoimprinting method and method for forming diffraction grating
WO2012042820A1 (en) * 2010-09-29 2012-04-05 富士フイルム株式会社 Nanoimprinting mold, method of manufacturing thereof, and nanoimprinting method
JP2012074556A (en) * 2010-09-29 2012-04-12 Fujifilm Corp Nanoimprint mold, manufacturing method thereof, and nanoimprint method using the same
WO2012086692A1 (en) * 2010-12-22 2012-06-28 日産化学工業株式会社 Film-forming composition for hard disk
CN103262165A (en) * 2010-12-22 2013-08-21 日产化学工业株式会社 Film-forming composition for hard disk
US9217096B2 (en) 2010-12-22 2015-12-22 Nissan Chemical Industries, Ltd. Film forming composition for hard disk
JP5915862B2 (en) * 2010-12-22 2016-05-11 日産化学工業株式会社 Film forming composition for hard disk
CN103262165B (en) * 2010-12-22 2016-08-31 日产化学工业株式会社 Form the compositions of hard disk tunicle

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