JP2005353977A - 電子装置およびその製造方法 - Google Patents
電子装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005353977A JP2005353977A JP2004175420A JP2004175420A JP2005353977A JP 2005353977 A JP2005353977 A JP 2005353977A JP 2004175420 A JP2004175420 A JP 2004175420A JP 2004175420 A JP2004175420 A JP 2004175420A JP 2005353977 A JP2005353977 A JP 2005353977A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- mold
- electronic device
- lead
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 ヒートシンク10の上面に電子素子20を搭載し、電子素子20の周囲にリードフレーム30を設けるとともにヒートシンク10とリードフレーム30の吊りリード32とを接合した後、ヒートシンク10の下面が露出するように金型200を用いてモールド樹脂による封止を行う電子装置の製造方法において、樹脂封止工程では、金型200の上型220の突出部221によって吊りリード32のみを押さえ、ヒートシンク10の下面を下型210に押しつけた状態でキャビティ230へモールド樹脂を注入する。
【選択図】 図2
Description
この電子装置100において、ヒートシンク10は、たとえば放熱性に優れたCu(銅)や鉄系金属からなるものであり、たとえばプレス加工や切削加工などにより形成された板状のものである。
次に、この電子装置100の製造方法について述べる。
ところで、本実施形態によれば、ヒートシンク10の上面に電子素子20を搭載し、電子素子20の周囲にリードフレーム30を設けるとともにヒートシンク10とリードフレーム30の吊りリード32とを接合した後、ヒートシンク10の下面が露出するように、ヒートシンク10、電子素子20およびリードフレーム30を金型200を用いてモールド樹脂40によって封止するようにした電子装置100の製造方法において、次のような点を特徴とする製造方法が提供される。
なお、ヒートシンク10としては、上記した各図に示した形状に限定されるものではない。たとえば、ヒートシンク10の形状は、上記図1では平面が略十字形状をなしているが、矩形状をなすものであってもよい。
20…電子素子、30…リードフレーム、31…リードフレームのリード部、
32…リードフレームの吊りリード、40…モールド樹脂、41…引っ込み部、
200…金型、210…金型の下型、220…金型の上型、
221…押さえ部としての突出部、230…金型のキャビティ。
Claims (4)
- ヒートシンク(10)の上面に電子素子(20)を搭載し、
前記電子素子(20)の周囲にリードフレーム(30)を設けるとともに前記ヒートシンク(10)と前記リードフレーム(30)の吊りリード(32)とを接合した後、
前記ヒートシンク(10)の下面が露出するように、前記ヒートシンク(10)、前記電子素子(20)および前記リードフレーム(30)を金型(200)を用いてモールド樹脂(40)によって封止するようにした電子装置の製造方法において、
前記モールド樹脂(40)の封止工程では、前記金型(200)の上型(220)によって前記吊りリード(32)のみを押さえることにより、前記ヒートシンク(10)の下面を前記金型(200)の下型(210)に押しつけた状態で、前記金型(200)のキャビティ(230)内へ前記モールド樹脂(40)を注入することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記上型(220)により前記吊りリード(32)を押さえる部分は、前記上型(220)の一部が前記下型(210)よりも前記キャビティ(230)内へ突出した突出部(221)として構成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置の製造方法。
- 前記ヒートシンク(10)と前記吊りリード(32)との接合は、かしめにより行われていることを特徴とする請求項1または2に記載の電子装置の製造方法。
- ヒートシンク(10)と、
前記ヒートシンク(10)の上面に搭載された電子素子(20)と、
前記電子素子(20)の周囲に設けられたリードフレーム(30)と、
前記ヒートシンク(10)と接合された前記リードフレーム(30)の吊りリード(32)と、
前記ヒートシンク(10)の下面が露出するように、前記ヒートシンク(10)、前記電子素子(20)および前記リードフレーム(30)を封止するモールド樹脂(40)とを備える電子装置において、
前記モールド樹脂(40)の端部のうち前記吊りリード(32)の周囲に位置する部位では、前記吊りリード(32)の直上に位置する部分が、前記吊りリード(32)の直下に位置する部分よりも引っ込んでいることを特徴とする電子装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004175420A JP4225246B2 (ja) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | 電子装置の製造方法 |
DE102005016830A DE102005016830A1 (de) | 2004-04-14 | 2005-04-12 | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US11/105,548 US7843700B2 (en) | 2004-04-14 | 2005-04-14 | Semiconductor device |
US12/923,968 US8179688B2 (en) | 2004-04-14 | 2010-10-19 | Semiconductor device |
US13/359,776 US20120120610A1 (en) | 2004-04-14 | 2012-01-27 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004175420A JP4225246B2 (ja) | 2004-06-14 | 2004-06-14 | 電子装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005353977A true JP2005353977A (ja) | 2005-12-22 |
JP4225246B2 JP4225246B2 (ja) | 2009-02-18 |
Family
ID=35588162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004175420A Expired - Fee Related JP4225246B2 (ja) | 2004-04-14 | 2004-06-14 | 電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4225246B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102420700B1 (ko) | 2017-09-28 | 2022-07-13 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 고주파 전력 증폭기, 및, 반도체 장치의 제조 방법 |
-
2004
- 2004-06-14 JP JP2004175420A patent/JP4225246B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4225246B2 (ja) | 2009-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4438489B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4453498B2 (ja) | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 | |
US8203848B2 (en) | Circuit device and method of manufacturing the same | |
KR101505552B1 (ko) | 복합 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
US9202798B2 (en) | Power module package and method for manufacturing the same | |
US20140167238A1 (en) | Semiconductor die package and method for making the same | |
US20030011054A1 (en) | Power module package having improved heat dissipating capability | |
KR101561934B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그의 제조방법 | |
JP5262983B2 (ja) | モールドパッケージおよびその製造方法 | |
JP4100332B2 (ja) | 電子装置およびその製造方法 | |
KR101994727B1 (ko) | 전력 모듈 패키지 및 그 제조방법 | |
JP5341339B2 (ja) | 回路装置 | |
JP2009170947A (ja) | 半導体装置 | |
JP2005332918A (ja) | 電子装置 | |
JP4225246B2 (ja) | 電子装置の製造方法 | |
JP2004335493A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
JP7188049B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4861200B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP2005328015A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010103231A (ja) | 電子装置 | |
WO2015052880A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2004048084A (ja) | 半導体パワーモジュール | |
KR101008534B1 (ko) | 전력용 반도체모듈패키지 및 그 제조방법 | |
JP4534613B2 (ja) | 電子装置 | |
WO2021220357A1 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060707 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080219 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080422 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080619 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081104 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131205 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |