JP2005352489A - スペーサー支持構造を具えるパネル型表示装置 - Google Patents

スペーサー支持構造を具えるパネル型表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 上ガラス基板と下ガラス基板との間において面に沿ってずれが発生することのないスペーサーを具えるパネル型表示装置を提供する。
【解決手段】 透過領域と、該透過領域の周囲を取り囲む非透過領域とを含む複数の画素ユニットによって画素アレイを形成し、かつ該非透過領域に上方に突起するバンプ構造を形成してなる下ガラス基板と、及び該下ガラス基板上に設ける上ガラス基板とを含んでなり、該上ガラス基板の下表面には下方向に突起し、該下ガラス基板に当接する支持構造を形成し、該支持構造が該透過領域内に位置し、かつ該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接して該上下ガラス基板が基板の面に沿って位置がずれることを防ぐように構成する。
【選択図】 図2B

Description

この発明は、表示装置に関し、特にフォトスペーサー(photo specer)を用いた支持構造を具えるパネル型表示装置に関する。
液晶表示器(LCD)、有機励起発光表示装置(OLED)などのパネル型表示装置は、薄膜トランジスタの製造技術の急速な進歩にともない性能が上昇し、個人用の携帯情報端末(PDA)、ノートブック型パソコン、デジタルカメラ、ビデオカメラ、携帯電話など各種電子関連製品に幅広く応用されるようになった。また、ディスプレイ業界では、研究開発及び大型生産設備への投資を積極的に進めている。よって、パネル型表示装置
は品質が向上するとともに、価格が低下している。このため、応用範囲が急速に拡大している。
液晶表示パネルの製造工程は、沈降成膜やマイクロフォトエッチングなどの製造工程によって下ガラス基板の表面に大量の薄膜トランジスタ(TFT)、画素電極(pixel electrode)、及び縦横に交錯する走査線とデータラインのパターンを形成して必要とする画素アレイを構築する。また、上ガラス基板の表面にはカラーフィルタ(color filter)とコモン電極(common electrode)を形成する。更に、上ガラス基板を反転させて下ガラス基板の表面に形成した画素アレイ領域上を覆い、液晶を該上、下ガラス基板の間に注入して液晶層を形成し、表示パネルを構成する。
一般に、上ガラス基板の表面に形成するカラーフィルタは、かなりの量の画素(Pigment)と、及びその回りを取り巻くブラックマトリクス(Black Matrix)を含む。万の単位で形成される画素はアレイ状に配列され、その配列の順序に基づき、緑色、赤色、青色の三原色にそれぞれ着色し、且つそれぞれ画素電極に対応させる。ブラックマトリクスはクロムフィルム(Cr)、もしくは樹脂材料によって形成され、それぞれの画素の周囲を取り囲み、それぞれの画素ユニットの周囲の液晶配列不良の領域を遮蔽する。
ここで注意すべき点は、上ガラス基板と下ガラス基板との間に十分な支持作用を与えるために、表示パネルを組み立てる過程において、上下ガラス基板の間にスペーサーなどの支持物を設けて仕切り、更に液晶を注入するという点である。従来の技術において、広く応用される方法は、装置でプラスティックビーズを一方のガラス基板上に散布し、他方のガラス基板に組立てを行う方法である。係る方法は全てのプラスティックビーズの大きさと、分布の均一性を性格に制御することができないのみならず、プラスティックビーズが移動する可能性がある。よって製品の歩止りに影響を与える。
上述の問題を効率良く改善するために、目下組立ての製造工程において、マイクロフォト技術を利用し、柱状のフォトスペーサー(Photo Spacer)を形成する方法を用いている。該方法は、上ガラス基板の表面に感光性の樹脂材を塗布して樹脂層を形成し、更に当業者に熟知されているフォトリソグラフィー技術を移用して必要とするスペーサーを形成する。よって、スペーサーのサイズ、所在する位置を正確に制御することができる。スペーサーをブラックマトリクスなどの非透過領域に固定することによって、スペーサーが原因となり発生する露光から起きる画像の品質低下を防ぐことができる。
図1A、1Bに光学フォトリソグラフィー技術を利用してスペーサーを形成した表示装置の平面図と断面図を開示する。図1Aに開示するように下ガラス基板1の表面には、縦、横に交錯するゲートライン(即ち走査線)と、データライン12のパターンを形成し、ゲートライン11のパターン上であって、ゲートライン11とデータライン12の重なり合う位置に隣接した位置に、対応する画素の制御を行う薄膜トランジスタ14を形成する。
また、上ガラス基板2と下ガラス基板1とを組み立てる場合、上ガラス基板2に形成したスペーサーが、画素電極の領域を遮蔽することを避けるため、既存の技術によるレイアウトでは組み立てた後のスペーサーがゲートライン11のパターンの範囲内であって、且つ左右データライン12のパターンの間に位置するように構成する。図1Aに開示するように、上ガラス基板2と下ガラス基板1とを組み立てた場合、スペーサー21はゲートライン11のパターン上であって、且つ両データライン12の間に位置する。
図1Bは、図1Aに開示するa−a’線に沿った断面図である。下ガラス基板1の表面には予め第1金属層を形成し、フォトリソグラフィーエッチング工程によってゲートライン11のパターンを形成し、次いでゲートライン11上に、誘電層と第2金属層を順に沈降させ、再度フォトリソグラフィーエッチング工程を行い、第2金属層上にデータライン12のパターンと、ソース/ドレインパターンを形成し、且つ第1金属層と第2金属層とを隔離する誘電層パターン13を形成する。
該ソース/ドレインパターン、誘電層パターン13、及びゲートライン11とによって必要とする薄膜トランジスタ14を形成する。データライン12と、誘電層パターン13と、ゲートライン11とが重なり合う位置は、バンプ構造15を形成する。上ガラス基板2をしたガラス基板1上に組みつける場合、スペーサー21はゲートライン11に当接し、その位置は左右バンプ構造15の間である。
ここで注意すべき点は、フォトリソグラフィーの製造工程で上ガラス基板2の表面にスペーサー21を形成する場合、粘着性を具えないという点である。よって、スペーサー21の上端が下ガラス基板1有上のゲートライン11に当接し、圧迫しても上ガラス基板2と下ガラス基板1とは、やはり固定することができない。従って、表示パネルを組み立てた後、上ガラス基板2、もしくは下ガラス基板1が外部の力(剪断応力)を受けた場合、上ガラス基板2と下ガラス基板1との間において図1Bに開示する矢印の方向にずれが発生する。ずれが大きくなった場合、上ガラス基板2に形成するブラックマトリクスは、画素ユニット内の液晶の配列不良領域を完全に遮蔽することができなくなり、表示パネル全体の画面が暗くなった場合、光の漏れという問題が発生し、更に画面の色が不均一になるといった現象(Movable Mura)が発生する。
上述するとおり、従来の技術では上ガラス基板と下ガラス基板とが剪断応力の作用を受けると、ガラス基板の面に沿ってずれが発生する。
そこで、この発明は、上ガラス基板と下ガラス基板との間において面に沿ってずれが発生することのないスペーサーを具えるパネル型表示装置を提供することを課題とする。
そこで本発明者は、従来の技術に鑑み鋭意研究を重ねた結果、上表面にバンプ構造を形成した下ガラス基板と、下表面に下方に突起した支持構造を形成する上ガラス基板とを含み、該支持構造の下表面が該下ガラス基板に当接し、該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接するパネル型表示装置の構造によって課題を解決できる点に着眼し、係る知見に基づき本発明を完成させた。
以下、この発明について具体的に説明する。
請求項1に記載するパネル型表示装置は、透過領域と、該透過領域の周囲を取り囲む非透過領域とを含む複数の画素ユニットによって画素アレイを形成し、かつ該非透過領域に上方に突起するバンプ構造を形成してなる下ガラス基板と、 該下ガラス基板上に設ける上ガラス基板とを含むパネル型表示装置であって、
該上ガラス基板の下表面には下方向に突起し、該下ガラス基板に当接する支持構造を形成し、
該支持構造が該透過領域内に位置し、かつ該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接して該上下ガラス基板が基板の面に沿って一がずれることを防ぐように構成する。
請求項2に記載するパネル型表示装置は、請求項1におけるバンプ構図が該下ガラス基板表面に形成される薄膜トランジスタによって構成される。
請求項3に記載するパネル型表示装置は、請求項1におけるバンプ構造が該下ガラス基板表面に形成されるゲートラインパターンとデータラインパターンとが交錯し、重なり合って構成される。
請求項5に記載するパネル型表示装置は、請求項1における上ガラス基板と支持構造との間にカラーフィルタが形成される。
請求項5に記載するパネル型表示装置は、請求項1における上ガラス基板と下ガラス基板との間に液晶層が形成される。
請求項6に記載する液晶表示装置は、トランジスタを形成する下ガラス基板と、カラーフィルタを形成する上ガラス基板と、該上ガラス基板と下ガラス基板の間に形成する液晶層とを含む液晶表示装置であって、
該上ガラス基板の下表面に形成するカラーフィルタと、
該カラーフィルタの下表面に形成されるコモン電極と、
該下ガラス基板上表面に形成され、複数の横方向に分布する複数のゲートラインパターンを具える第1導電層と、
該第1導電層上に形成される誘電層と、
該誘電層と、該下ガラス基板表面に形成され、複数のソース/ドレインパターンと、複数の縦方向に分布するデータラインパターンとを具え、かつ該誘電層と該第1導電層と重なり合う位置にバンプ構造を構成する代2導電層と、
該下ガラス基板と上がRス基板の間に形成される複数の支持構造とを含み、
該支持構造は上表面が該コモン電極に接続し、下表面が該ゲートラインパターンに対応し、かつ該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接して該上下ガラス基板が基板の面に沿って一がずれることを防ぐように構成する。
請求項7に記載する液晶表示装置は、請求項6におけるバンプ構造が、該ソース/ドレインパターンと該誘電層と該ゲートラインパターンが堆積して構成される第1バンプと、該縦方向のデータラインパターンと該誘電層と該横方向のゲートラインパターンとが堆積して構成される第2バンプ構造とを含む。
請求項8に記載する液晶表示装置は、請求項7における第1バンプがトランジスタとして用いられ、2つの隣り合う該第2バンプ構造の間に該第バンプ構造を1つ設け、かつ該第1バンプ構造が一方の第2バンプ構造に隣接する。
請求項9に記載する液晶表示装置は、請求項8における2つの隣り合う第2バンプ構造の間に2つの該支持構造を具え、かつ一方の該支持構造の右側壁が該第1バンプ構造に当接し、他方の支持構造の左側壁が該第2バンプ構造に当接する。
請求項10に記載する液晶表示装置は、請求項8における2つの隣り合う第2バンプ構造の間に短冊状を呈する支持構造を1つ具え、かつ該支持構造の、かつ該支持構造の右側壁が該第1バンプ構造に当接し、該支持構造の左側壁が該第2バンプ構造に当接する。
請求項8に記載する液晶表示装置は、請求項8における2つの隣り合う第1バンプ構造の間に2つの該支持構造を具え、一方の該支持構造は底面が該第2バンプ構造上面にに当接し、かつ側壁が一方の該第1バンプ構造に当接し、他方の支持構造は側壁が他方の第1バンプ構造に当接する。
本発明のパネル型表示装置は、上ガラス基板と下ガラス基板とを組み立てる場合に、上下ガラス基板の位置がずれることを防ぎ、ガラス基板の位置ずれにによって発生する表示装置の光の漏れを防ぎ、製品の歩留まりをTかめるという利点がある。
この発明は、フォトスペーサーを用いた支持構造を具えるパネル型表示装置を提供するものであって、上表面にバンプ構造を形成した下ガラス基板と、下表面に下方に突起した支持構造を形成する上ガラス基板とを含み、該支持構造の下表面が該下ガラス基板に当接し、該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接するように構成して、上下ガラスパネルを組み立てる場合に発生するラス基板の位置のずれを防ぐという目的を、実現した。
係る構成のパネル型表示装置について、その構造と特徴を詳述するために具体的な実施例を挙げ、以下に説明する。
図2A、図2Bにこの発明による液晶表示装置3の平面図と断面図を開示する。図2Aに開示するように液晶表示装置3はトランジスタを形成する下ガラス基板30と、カラーフィルタを形成する上ガラス基板31とを含んでなり、且つ上ガラス基板31と、下ガラス基板30との間に液晶を注入して液晶層32を形成する。
カラーフィルタ310は上ガラス基板31の下表面に形成し、通過する光線から、赤、青、緑色の3色の光線を発生させる作用を有する。また、カラーフィルタ310の下表面にはコモン電極311を形成する。コモン電極311は下ガラス基板30上に形成する画素電極に対応し、液晶分子を駆動してツイストさせる電場を発生させる作用を有する。
下ガラス基板30の上表面には、第1導電層401と、誘電層402と、第2導電層403とを順に形成する。一般には第1導電層401を沈降させて形成した後、マイクロフォトエッチングを行い、第1導電層401上に複数のゲートラインパターン401aを形成する。当業者の熟知するところであるが、これらゲートラインパターン401aは、下ガラス基板30の上表面において横方向に分布する。
ゲートラインパターン401aを形成した後、下ガラス基板30とゲートラインパターン401a上に誘電層402を沈降させて形成する。誘電層402は第1導電層401と、これに続いて沈降させる導電層との間における絶縁、隔絶の作用を有する。
次いで、誘電層402と下ガラス基板30の表面に第2導電層403を沈降させて形成し、マイクロフォトエッチングの工程を行い、第2導電層403上にソース/ドレインパターン403aと、複数のデータラインパターン403bを形成する。データラインパターン403bは、横方向に分布するゲートラインパターン401aに対して直交して下ガラス基板30の表面に分布する。即ち、ゲートラインパターン401aとデータラインパターン403bは交錯して格子状の構造を呈する。
ここで注意すべき点は、第1導電層401、誘電層402、及び第2導電層403を下ガラス基板30上に順に沈降させるため、その重なり合う位置に堆積されたバンプ構造40a、40bが形成されるという点である。即ち、図2aに開示するようにバンプ構造は、ソース/ドレインパターン403a、誘電層402、及びゲートラインパターン401aが堆積して形成される第1バンプ構造40aと、縦方向に分布するデータラインパターン403b、誘電層402、及び横方向に分布するゲートラインパターン401aが交錯し、体積されて形成される第2バンプ構造40bとを含む。
下ガラス基板30上のゲートラインパターン401aと、データラインパターン403bとを配列してなる格子状アレイは、画素ユニットアレイの範囲を限定する。即ち、それぞれの格子は一つの画素ユニットが締める領域である。言いかえれば図2bに開示するように隣り合うゲートラインパターン401aと、隣り合うデータラインパターンbとによって囲まれる領域に画素ユニットを形成する。図2Bは、図2Aに開示するa−a’線に沿った断面図である。図面によれば下ガラス基板30上を横方向に分布するゲートラインパターン401aの左右両側の表面に、縦方向に分布する複数のデータラインパターン403bの内の隣り合う二本のデータラインパターン403が存在する。この2本のデータラインパターン403bは、それぞれゲートラインパターン401aと交錯して重なり合い、図面に開示するように隣り合う2つの第2バンプ構造40bを構成する。
また、ソース/ドレインパターン403a、誘電層402、及びゲートラインパターン401aを体積してなる第1バンプ構造40aは、実際には薄膜トランジスタ素子である。薄膜トランジスタ素子のドレインはデータラインパターン403bに接続してデータ信号を得る。よって、レイアウトにおいては第一バンプ構造40aは対応するデータラインパターン403bに隣接するように設ける。即ち第一バンプ構造40aは第二バンプ構造40bに隣接する。それぞれの画素ユニットは、薄膜トランジスタの回路によって駆動させる。よって、図2aに開示するように二つの隣り合う第二バンプ構造20bの間に、第一バンプ構造40a(即ち薄膜トランジスタラジオ素子)を設け、且つ第一バンプ構造40aはデータラインパターン403bの左側に設ける。
上ガラス基板31と下ガラス基板30の間のギャップを維持して液晶を注入し、液晶層32を形成するために上ガラス基板31の下表面には、下方に向かって突出する支持構造50を形成する。この場合、外部からの力を受けて上ガラス基板31と下ガラス基板30との間に基盤の面に沿ってずれが発生することを防ぐために、支持構造50を上ガラス基板30表目に形成する際は、指示構造50を設ける位置を特に選択する必要がある。即ち後続の工程において上ガラス基板31を下ガラス基板30上に取り付ける場合、支持構造50の側壁がバンプ構造40a。40bの側壁に接触するように設ける。支持構造50はフォトリソグラフィーの製造工程を利用して上ガラス基板31の下表面にフォトスペーサーを形成して構成する。
図2a、図2bに開示するように、第一の実施例においては上ガラス基板31のコモン電極311の下表面に、下方に突出する支持構造50を形成する。支持構造50は短冊状のブロックである。上ガラス基板31と下ガラス基板30とを組み立てる場合、支持構造50の下表面が、下ガラス基板30のゲートラインパターン401aを圧迫するように当接する。更に、隣り合う二つの第二バンプ構造40bの間には支持構造50を一つだけ設ける。この場合、支持構造50の右側の側壁は第一バンプ構造40aに当接し、左側の側壁は第二バンプ構造40bに当接する。よって、第一バンプ構造40aと第二バンプ構造40bの制限を受け、上ガラス基板31と、下ガラス基板30に剪断応力の作用が働いても、基板の面に沿ってずれが発生しない。
上述する短冊状の支持構造50以外に、二つの支持構造がそれぞれ第一バンプ構造40aと第二バンプ構造40bとに当接する構造にしてもよい。図3A、図3Bに第2の実施例を開示する。図3Aは第2の実施例による液晶表示装置3の平面図であって、図3Bはその断面図である。図面に開示するように上ガラス基板31のコモン電極311下表面に形成される指示構造は、左側の支持構造51aと右側に位置する支持構造51bを含む。支持構造51a、51Bは図面に開示するように矩形を呈するブロックである。当然のことながら製造コストを考慮した場合、支持構造51a、51bは円柱、もしくはその他形状のブロックにしてもよい。
第1の実施例と同様に、支持構造51a、51bの上ガラス基板31表面の位置を調整することによって、上ガラス基板31と下ガラス基板30とを組み立てる場合、支持構造51a、51bの下表面は下ガラス基板30に形成したゲートラインパターン401aを圧迫するように当接する。
ここで、特に説明すべきこととして、第2の実施例においては、隣り合う2つの第2バンプ構造40bの間に2つのバンプ構造51a、51bを同時に設けることが挙げられる。バンプ構造51aの右側の側壁は第1バンプ構造40aに当接し、支持構造51bの左側は第2バンプ構造40bに当接する。このため、第1バンプ構造40aと第2バンプ構造40bの制限を同時に受けることになり、上ガラス基板31と、下ガラス基板30に剪断応力の作用が働いても、基盤の面に沿ってずれが発生しない。
上述するように支持構造が左右両側の第1バンプ構造40aと第2バンプ構造40bに同時に当接する構造以外に、下方向に突出する支持構造が、バンプ構造の上面を直接圧迫し、バンプ構造の階段状の表面によって最大の摩擦力を得て上ガラス基板31と、下ガラス基板30のずれを防ぐ目的を達するように構成してもよい。
図4A、図4Bに第3の実施例による液晶表示装置の平面図と断面図を開示する。上ガラス基板31のコモン電極311の下表面に形成する支持構造52は、矩形のブロックであって、第2バンプ構造40bに対する位置に形成する。
上ガラス基板31と下ガラス基板30とを組み立てる場合、支持構造52の底面が直接第2バンプ構造40bの上表面を圧迫すると同時に、支持構造52の左側壁が第2バンプ構造40bの左側に隣接する第1バンプ構造40aに当接する。したがって、支持構造52と第2バンプ構造40bとの間に比較的大きな摩擦力が発生するとともに、支持構造52の左側壁が同時に第1バンプ構造40aの制限を受ける。このため上ガラス基板31と、下ガラス基板30が基板の面に沿ってずれることがない。
さらに好ましい固定の効果を得るために、上述するように支持構造52の左側壁をバンプ構造に当接させるとともに、さらに支持構造を設けて右側のバンプ構造に当接させてもよい。図5A、図5Bに第4の実施例による液晶表示装置3の平面図と断面図を開示する。図面によれば、上ガラス基板31のコモン電極311下表面に、第2バンプ構造40bに対する支持構造52を形成し、支持構造52の右側に支持構造53をさらに形成する。この2つの支持構造52、53は、図面に開示するように矩形のブロックである。
上ガラス基板31と下ガラス基板30とを組み立てる場合、支持構造52の底面が直接第2バンプ構造40bの上表面を圧迫すると同時に、支持構造52の左側壁が第2バンプ構造40bの左側の第1バンプ構造40aに当接する。同時に支持構造53の右側壁が他の第1バンプ構造40aに当接する。言い換えれば、2つの隣り合う第1バンプ構造40aの間に2つの支持構造52、53を形成し、それぞれを隣り合う第1バンプ構造40aに当接させて、上ガラス基板31と、下ガラス基板30が基板の面に沿ってずれることを防ぐ。
ここで特に指摘すべきことは、上述する支持構造が表示パネルの光線からの照射に影響を与えることを防ぐために好ましくは支持構造を画素ユニットの非透過領域内に設けることである。
以上に述べた実施例について、それぞれの画素ユニットは中央に位置する透過領域と該透過領域を取り囲む非透過領域とを含む。中央に位置する透過領域は画素電極を設ける領域であって、非透過領域は上述するゲートラインパターン401a、データラインパターン403b、もしくはブラックマトリクスなどの非常透材を設ける。
上ガラス基板31と下ガラス基板30とを組み立てる場合、上ガラス基板31の下表面に形成する支持構造は非透過領域の範囲内に位置する。上述するそれぞれの実施例において、支持構造はデータラインパターン403bに沿った方向のサイズがゲートラインパターン401aの幅より狭くなるようにする。よって、支持構造全体がゲートラインパターン401a上に投影され、ゲートラインパターン401aの範囲内に完全に入る。
下ガラス基板30上には、薄膜トランジスタ、ゲートラインパターン、データラインパターンなどを形成する。よって、下ガラス基板30の表面には往々にして階段状のバンプ構造が形成される。上ガラス基板31下表面に形成される支持構造のサイズと位置を調整することによって、 上ガラス基板31と下ガラス基板30とを組み立てる場合、支持柱を同時に側面側に位置するバンプ構造に当接させることができる。したがって、本来の 上下ガラス基板を支持する効果以外に、 上ガラス基板31と下ガラス基板30とが基板の面に沿って位置がずれることを防ぐことができる。このため従来の技術に見られる光が漏れるという問題を効率よく解決することができる。
以上はこの発明の好ましい実施例であって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。実施例においては液晶表示装置に実施する場合を例としたが、本発明の技術を 上ガラス基板と下ガラス基板との間にずれの発生する可能性のあるその他フラットパネル方表示装置に応用することは、当業者にとって容易なことである。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれも本発明の特許請求の範囲に属するものとする。
従来の技術によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の平面図である。 従来の技術によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の断面図である。 この発明によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の平面図である(実施例1)。 この発明によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の断面図である(実施例1)。 第2の実施例によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の平面図である。 第2の実施例によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の断面図である。 第3の実施例によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の平面図である。 第3の実施例によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の断面図である。 第4の実施例によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の平面図である。 第4の実施例によるフォトスペーサーを形成したパネル型表示装置の断面図である。
符号の説明
1 下ガラス基板
11 ゲートライン
12 データライン
13 誘電層パターン
14 薄膜トランジスタ
15 バンプ構造
2 上ガラス基板
21 スペーサー
3 液晶表示装置
30 下ガラス基板
31 上ガラス基板
310 カラーフィルタ
311 コモン電極
32 液晶層
40a 第1バンプ構造
40b 第2バンプ構造
401 第1導電層
401a ゲートラインパターン
402 誘電層
403 第2誘電層
403a ソース/ドレインパターン
403b データラインパターン
50、51a、51b、52、53 支持構造

Claims (11)

  1. 透過領域と、該透過領域の周囲を取り囲む非透過領域とを含む複数の画素ユニットによって画素アレイを形成し、かつ該非透過領域に上方に突起するバンプ構造を形成してなる下ガラス基板と、
    該下ガラス基板上に設ける上ガラス基板とを含むパネル型表示装置であって、
    該上ガラス基板の下表面には下方向に突起し、該下ガラス基板に当接する支持構造を形成し、
    該支持構造が該透過領域内に位置し、かつ該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接して該上下ガラス基板が基板の面に沿って一がずれることを防ぐように構成することを特徴とするパネル型表示装置。
  2. 前記バンプ構図が該下ガラス基板表面に形成される薄膜トランジスタによって構成されることを特徴とする請求項1に記載のパネル型表示装置。
  3. 前記バンプ構造が該下ガラス基板表面に形成されるゲートラインパターンとデータラインパターンとが交錯し、重なり合って構成されることを特徴とする請求項1に記載のパネル型表示装置。
  4. 前記上ガラス基板と支持構造との間にカラーフィルタが形成されることを特徴とする請求項1に記載のパネル型表示装置。
  5. 前記上ガラス基板と下ガラス基板との間に液晶層が形成されることを特徴とする請求項1に記載のパネル型表示装置。
  6. トランジスタを形成する下ガラス基板と、カラーフィルタを形成する上ガラス基板と、該上ガラス基板と下ガラス基板の間に形成する液晶層とを含む液晶表示装置であって、
    該上ガラス基板の下表面に形成するカラーフィルタと、
    該カラーフィルタの下表面に形成されるコモン電極と、
    該下ガラス基板上表面に形成され、複数の横方向に分布する複数のゲートラインパターンを具える第1導電層と、
    該第1導電層上に形成される誘電層と、
    該誘電層と、該下ガラス基板表面に形成され、複数のソース/ドレインパターンと、複数の縦方向に分布するデータラインパターンとを具え、かつ該誘電層と該第1導電層と重なり合う位置にバンプ構造を構成する代2導電層と、
    該下ガラス基板と上がRス基板の間に形成される複数の支持構造とを含み、
    該支持構造は上表面が該コモン電極に接続し、下表面が該ゲートラインパターンに対応し、かつ該支持構造の側壁が該バンプ構造に当接して該上下ガラス基板が基板の面に沿って一がずれることを防ぐように構成することを特徴とする液晶表示装置。
  7. 前記バンプ構造が、該ソース/ドレインパターンと該誘電層と該ゲートラインパターンが堆積して構成される第1バンプと、該縦方向のデータラインパターンと該誘電層と該横方向のゲートラインパターンとが堆積して構成される第2バンプ構造とを含むことを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
  8. 前記第1バンプがトランジスタとして用いられ、2つの隣り合う該第2バンプ構造の間に該第バンプ構造を1つ設け、かつ該第1バンプ構造が一方の第2バンプ構造に隣接することを特徴とする請求項7に記載の液晶表示装置。
  9. 前記2つの隣り合う第2バンプ構造の間に2つの該支持構造を具え、かつ一方の該支持構造の右側壁が該第1バンプ構造に当接し、他方の支持構造の左側壁が該第2バンプ構造に当接することを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
  10. 前記2つの隣り合う第2バンプ構造の間に短冊状を呈する支持構造を1つ具え、かつ該支持構造の、かつ該支持構造の右側壁が該第1バンプ構造に当接し、該支持構造の左側壁が該第2バンプ構造に当接することを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
  11. 前記2つの隣り合う第1バンプ構造の間に2つの該支持構造を具え、一方の該支持構造は底面が該第2バンプ構造上面に当接し、かつ側壁が一方の該第1バンプ構造に当接し、他方の支持構造は側壁が他方の第1バンプ構造に当接することを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
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