JP2005351807A - Probe card, and control method for probe card - Google Patents

Probe card, and control method for probe card Download PDF

Info

Publication number
JP2005351807A
JP2005351807A JP2004174277A JP2004174277A JP2005351807A JP 2005351807 A JP2005351807 A JP 2005351807A JP 2004174277 A JP2004174277 A JP 2004174277A JP 2004174277 A JP2004174277 A JP 2004174277A JP 2005351807 A JP2005351807 A JP 2005351807A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
needle
tip
probe
monitor
height
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004174277A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Michihiro Kondo
路弘 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kawasaki Microelectronics Inc
Original Assignee
Kawasaki Microelectronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Microelectronics Inc filed Critical Kawasaki Microelectronics Inc
Priority to JP2004174277A priority Critical patent/JP2005351807A/en
Publication of JP2005351807A publication Critical patent/JP2005351807A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe card of low control cost for determining a life of a probe needle tip part, and a control method therefor. <P>SOLUTION: This invention provides a probe card attached with a monitoring needle having a tip in a position higher than that of a tip of a probe needle, and provides a probe card control method for detecting that a height difference between the tip of the probe needle and a tip of the monitoring needle comes to a prescribed limit value or less, under the condition where the probe card is attached to a prober, and for determining that the probe needle reaches the life thereof at a detection point therein. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、プローブ針を有するプローブカードとその管理方法に関する。   The present invention relates to a probe card having probe needles and a management method thereof.

ICチップの試験で使用されるプローブカードは、使用するに連れて、プローブ針の先端が磨耗する。磨耗量がある一定のレベルに達すると、ICチップの試験で使用できなくなるため、プローブ針の交換を行う必要が生じる。磨耗量の管理は、顕微鏡等により針の長さを測定することによって行うのが一般的であるが、その測定のために、適切な時期にプローブカードをプローバから取り外した状態で、作業者がマニュアルで検査を行う必要がある。このようなプローブカードの管理方法は、管理コストが高い。   As the probe card used in the test of the IC chip is used, the tip of the probe needle is worn. When the amount of wear reaches a certain level, it cannot be used in the test of the IC chip, so that the probe needle needs to be replaced. The amount of wear is generally managed by measuring the length of the needle with a microscope or the like. For this measurement, the operator must remove the probe card from the prober at an appropriate time. Manual inspection is required. Such a probe card management method has a high management cost.

そこで、プローブカードをプローバから取り外すことなく、プローブ針の先端とプローブカード基板裏面との間の距離(以下プローブ高さと呼ぶ)を測定し、プローブ高さが規格値以内になるまで磨耗したときにプローバを停止させる、プローブカードの管理方法が案されている(特許文献1)。この特許文献1には、プローブ高さの具体的な測定方法は記載されていないが、例えば、特許文献2に記載された、プローブ針の先端高さを測定するためのカメラを利用することが考えられる。
特開平7−169801号公報 特開平5−198662号公報
Therefore, without removing the probe card from the prober, when measuring the distance between the tip of the probe needle and the back surface of the probe card board (hereinafter referred to as the probe height), and when the probe height is worn down to within the standard value A probe card management method for stopping the prober has been proposed (Patent Document 1). Although this Patent Document 1 does not describe a specific method for measuring the probe height, for example, a camera described in Patent Document 2 for measuring the tip height of the probe needle can be used. Conceivable.
JP-A-7-169801 Japanese Patent Laid-Open No. 5-198662

しかし、特許文献2に記載されたカメラを使ってプローブ高さを測定することは、実際にはできない。   However, it is not actually possible to measure the probe height using the camera described in Patent Document 2.

特許文献2に記載されたカメラは、ICチッブが形成されたウエハを載せるためのステージに連結され、ステージを上下させることによって高さ方向に移動する。そして、プローブ針先端に焦点が合ったときのステージ高さからプローブ針先端高さを算出するものである。プローブ針先端高さの測定は、プローバのステージがプローブ針に衝突することがないよう、ステージ上面をプローブ針先端に比較して1mm程度下げた状態で行われる。しかし、このようなカメラを使ってプローブ高さを測定するために、プローブ針先端の高さに加えてプローブカード基板裏面の高さを測定しようとすると、プローブ針先端高さ測定時よりもさらに、プローブ高さに相当する高さだけステージを上昇させる必要がある。このとき、プローブ高さは通常2〜3mm程度あるため、プローブ針の先端がステージに衝突することを避けることができない。   The camera described in Patent Document 2 is connected to a stage for placing a wafer on which an IC chip is formed, and moves in the height direction by moving the stage up and down. Then, the probe needle tip height is calculated from the stage height when the probe needle tip is in focus. Measurement of the probe needle tip height is performed with the stage upper surface lowered by about 1 mm compared to the probe needle tip so that the prober stage does not collide with the probe needle. However, in order to measure the probe height using such a camera, when trying to measure the height of the probe card substrate back surface in addition to the height of the probe needle tip, the height of the probe needle tip height is further increased. It is necessary to raise the stage by a height corresponding to the probe height. At this time, since the probe height is usually about 2 to 3 mm, it is inevitable that the tip of the probe needle collides with the stage.

従って、特許文献1の方法を実施するためには、特許文献2に記載されたものとは異なるプローブ高さ測定手段を備えた、特殊なプローバが必要になる。   Therefore, in order to implement the method of patent document 1, the special prober provided with the probe height measurement means different from what was described in patent document 2 is needed.

本発明は、上記事情に鑑み、特殊なプローバを必要とすることなく、プローバに取りつけたままの状態で、プローブ針先端部の磨耗量を測定するためのプローブカードおよびその管理方法を提供することを目的とする。   In view of the above circumstances, the present invention provides a probe card and a management method thereof for measuring the wear amount of the probe needle tip while being attached to the prober without requiring a special prober. With the goal.

上記目的を達成するための本発明のプローブカードは、半導体基板表面に配置された複数の試験パッドに所定のオーバードライブ量で先端を接触させる複数のプローブ針を有するプローブカードであって、上記複数のプローブ針の先端が磨耗して寿命に至る以前においては、上記複数のプローブ針の先端を上記所定のオーバードライブ量で上記複数の試験パッドに接触させても上記半導体基板表面に接触しない先端高さを有する針であるモニタ針を有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a probe card of the present invention is a probe card having a plurality of probe needles whose tips are brought into contact with a plurality of test pads arranged on the surface of a semiconductor substrate with a predetermined overdrive amount. Before the tips of the probe needles are worn out and reach the end of their service life, the tips of the probe needles do not come into contact with the surface of the semiconductor substrate even if they are brought into contact with the test pads with the predetermined overdrive amount. It has the monitor needle | hook which is a needle | hook which has thickness.

本発明のプローブカードは、複数のプローブ針の他に、別の種類の針であるモニタ針を有している。このモニタ針は、上記複数のプローブ針の先端が磨耗して寿命に至る以前においては、上記複数のブローブ針の先端を所定のオーバードライブ量で複数の試験パッドに接触させても、半導体基板表面に接触しない先端高さを有する。このため、試験パッドヘの接触によって上記複数のプローブ針の先端の磨耗が進んでも、寿命に至る以前においては、モニタ針の先端の磨耗は起きない。従って、このモニタ針の先端の高さを基準にしてプローブ針の先端の高さを測定することにより、プローブ針先端部の磨耗量を把握することができる。しかも、モニタ針の先端とプローブ針の先端との高さの差を、プローブ針の先端とプローブカード基板裏面との間の距離に比較して、小さくすることができる。これによって、特殊なプローバを必要とすることなく、プローブカードをプローバに取り付けた状態でプローブ針先端部の磨耗量の測定ができる。   The probe card of the present invention has a monitor needle which is another type of needle in addition to a plurality of probe needles. Even before the tips of the plurality of probe needles are worn out and reach the end of their life, the monitor needle can be used even if the tips of the plurality of probe needles are brought into contact with a plurality of test pads with a predetermined overdrive amount. It has a tip height that does not touch the surface. For this reason, even if the tips of the plurality of probe needles are worn by the contact with the test pad, the tips of the monitor needles are not worn before the end of the service life. Therefore, by measuring the height of the tip of the probe needle with reference to the height of the tip of the monitor needle, it is possible to grasp the amount of wear at the tip of the probe needle. In addition, the difference in height between the tip of the monitor needle and the tip of the probe needle can be made smaller than the distance between the tip of the probe needle and the back surface of the probe card substrate. As a result, it is possible to measure the amount of wear at the tip of the probe needle with the probe card attached to the prober without requiring a special prober.

また、上記プローブカードは、上記モニタ針の先端が、上記複数のプローブ針が寿命に至った時点においては、上記複数のプローブ針の先端を上記所定のオーバードライブ量で上記複数の試験パッドに接触させると上記半導体基板表面に接触する高さを有するものであってもよい。これにより、モニタ針の先端の半導体基板表面への接触を検出することにより、プローブ針が寿命に至ったことを検出できる。   Further, the probe card is configured such that the tip of the monitor needle contacts the plurality of test pads with the predetermined overdrive amount when the plurality of probe needles reach the end of their service life. If it does, you may have a height which contacts the said semiconductor substrate surface. Thereby, it can be detected that the probe needle has reached the end of its life by detecting the contact of the tip of the monitor needle with the surface of the semiconductor substrate.

上記目的を達成するための本発明のプローブカードの管理方法は、半導体基板表面に配置された複数の試験パッドに所定のオーバードライブ量で接触させる複数のブローブ針を有するとともに、上記複数のプローブ針の先端が磨耗して寿命に至る以前においては、上記複数のプローブ針の先端を上記所定のオーバードライブ量で上記複数の試験パッドに接触させても半導体基板表面に接触しない位置に先端を有するモニタ針を有するプローブカードを、上記複数のプローブ針の先端を上記複数の試験パッドに接触させるためのプローバに取り付けた状態で、上記複数のプローブ針の先端と上記モニタ針の先端との高さの差が所定の限界値以下になったか否かの検査を行い、上記高さの差が所定の限界値以下になったことを検出した時点で、上記複数のプローブ針が寿命に至ったと判断することを特徴とする。   In order to achieve the above object, a probe card management method of the present invention includes a plurality of probe needles that are brought into contact with a plurality of test pads arranged on a semiconductor substrate surface with a predetermined overdrive amount, and the plurality of probe needles. Before the tips of the electrodes wear out and reach the end of their lives, the monitors having the tips at positions where the tips of the plurality of probe needles do not contact the surface of the semiconductor substrate even if they are brought into contact with the plurality of test pads with the predetermined overdrive amount. With the probe card having needles attached to a prober for bringing the tips of the plurality of probe needles into contact with the plurality of test pads, the heights of the tips of the plurality of probe needles and the tips of the monitor needles are adjusted. An inspection is performed to determine whether or not the difference is less than or equal to a predetermined limit value. A plurality of probe needles to and determines that led to life.

本発明のプローブカードの管理方法では、複数のプローブ針の他に、それらプローブ針の先端より高い位置に先端を有するモニタ針を備えているプローブカードを用いる。このモニタ針は、上記複数のプローブ針の先端が磨耗して寿命に至る以前においては、上記複数のプローブ針の先端を所定のオーバードライブ量で複数の試験パッドに接触させても、半導体基板表面に接触しない先端高さを有する。このため、試験パッドヘの接触によって上記複数のプローブ針の先端の磨耗が進んでも、寿命に至る以前においては、モニタ針の先端の磨耗は起きない。従って、プローブ針の先端とモニタ針の先端との高さの差によってプローブ針の先端部の磨耗量を把握することができ、その差が所定の限界値以下になったことを検出した時点で、プローブ針が寿命に至ったと判断することができる。しかも、モニタ針の先端とプローブ針の先端との高さの差を、プローブ針の先端とプローブカード基板裏面との間の距離に比較して小さくすることができる。これによって、特殊なプローバを必要とすることなく、プローブカードをプローバに取り付けた状態で検査を行うことができ、管理コストを抑えることができる。   In the probe card management method of the present invention, a probe card including a plurality of probe needles and a monitor needle having a tip at a position higher than the tips of the probe needles is used. Even before the tips of the plurality of probe needles are worn out and reach the end of their service life, the monitor needles can be obtained by contacting the tips of the plurality of probe needles with a plurality of test pads with a predetermined overdrive amount. It has a tip height that does not touch the surface. For this reason, even if the tips of the plurality of probe needles are worn by the contact with the test pad, the tips of the monitor needles are not worn before the end of the service life. Therefore, the wear amount at the tip of the probe needle can be grasped by the difference in height between the tip of the probe needle and the tip of the monitor needle, and when the difference is detected to be below a predetermined limit value, It can be determined that the probe needle has reached the end of its life. Moreover, the difference in height between the tip of the monitor needle and the tip of the probe needle can be made smaller than the distance between the tip of the probe needle and the back surface of the probe card substrate. Thus, the inspection can be performed with the probe card attached to the prober without requiring a special prober, and the management cost can be reduced.

また、本発明のプローブカードの管理方法は、上記モニタ針の先端が、上記複数のプローブ針が寿命に至った時点においては、上記複数のプローブ針の先端を所定のオーバードライブ量で複数の試験パッドに接触させると半導体基板表面に接触する高さを有し、上記の先端の高さの差が限界値以下になったことの検出を、上記複数のプローブ針の先端を上記複数の試験パッドに上記所定のオーバードライブ量で接触させた時に、上記モニタ針の先端が上記半導体基板の表面に設けたモニタパッドに接触したことを検出することによって行うものであってもよい。   Further, the probe card management method of the present invention is such that when the tip of the monitor needle reaches the end of its life, the tip of the plurality of probe needles is subjected to a plurality of tests with a predetermined overdrive amount. The height of contact with the surface of the semiconductor substrate when brought into contact with the pad is detected when the difference in height between the tips is below a limit value. It may be performed by detecting that the tip of the monitor needle is in contact with a monitor pad provided on the surface of the semiconductor substrate when the contact is made with the predetermined overdrive amount.

より具体的には、上記モニタ針の先端の上記モニタパッドヘの接触の検出を、上記複数のプローブ針の先端を上記複数の試験パッドに上記所定のオーバードライブ量で接触させた後に、上記モニタパッドの表面への針跡形成を検出することによって行うものであってもよい。あるいは、上記複数のプローブ針の先端が上記複数の試験パッドに上記所定のオーバードライブ量で接触した時の、上記モニタ針と上記モニタパッドとの電気的な接触を検出することによって行うものであってもよい。このような針跡形成の検出や電気的な接触の検出は、標準的なプローバが備える機能を利用して実施することができる。   More specifically, detection of contact of the tip of the monitor needle with the monitor pad is performed after the tips of the plurality of probe needles are brought into contact with the plurality of test pads with the predetermined overdrive amount. It may be performed by detecting the formation of needle traces on the surface of the pad. Alternatively, it is performed by detecting electrical contact between the monitor needle and the monitor pad when the tips of the plurality of probe needles contact the plurality of test pads with the predetermined overdrive amount. May be. Such detection of the formation of needle traces and detection of electrical contact can be carried out using the functions of a standard prober.

また、本発明のプローブカードの管理方法は、上記先端高さの差が限界値以下になったことの検出を、上記プローバに備えられたプローブ針先端高さ測定機構によって、上記複数のプローブ針の少なくとも1つの先端高さを測定するとともに、上記モニタ針の先端高さを、そのモニタ針の先端を上記半導体基板の表面に接触させることなく測定することによって行うものであってもよい。   In the probe card management method of the present invention, the probe needle tip height measuring mechanism provided in the prober is used to detect that the difference in tip height is less than a limit value. The tip height of the monitor needle may be measured without measuring the tip height of the monitor needle without bringing the tip of the monitor needle into contact with the surface of the semiconductor substrate.

この管理方法は、プローブ針先端高さ測定機能を備える標準的なプローバを利用して実施することができる。   This management method can be implemented using a standard prober having a probe needle tip height measurement function.

さらに、上記針先端高さ検出機構は、針先端の画像を観察し、その画像の焦点位置から上記針先端の高さを検出するものであってもよい。   Further, the needle tip height detection mechanism may observe an image of the needle tip and detect the height of the needle tip from the focal position of the image.

本発明のプローブカードを用いることにより、また、本発明のプローブカードの管理方法により、特殊なプローバを必要することなく、プローブカードをプローバに取りつけた状態で、管理コストを抑えながら、プローブ針先端部の磨耗量を測定し、プローブ針が寿命に至ったことを判断することができる。   By using the probe card of the present invention and by the probe card management method of the present invention, the probe card tip is attached to the prober without the need for a special prober and the management cost is reduced. By measuring the wear amount of the part, it can be determined that the probe needle has reached the end of its life.

[第一実施形態]
まず、本発明のプローブカードの一実施形態、およびその一実施形態を用いた本発明のプローブカードの管理方法の実施形態のうち第一の実施形態について説明する。
[First embodiment]
First, an embodiment of a probe card according to the present invention and a first embodiment of the probe card management method according to the present invention using the embodiment will be described.

図1は、本発明のプローブカードの一実施形態を用いて、ICチップの試験を行うとともに、モニタ針の針跡を検出してプローブ針先端の磨耗を調べるための装置(プローバ)20の概略図である。   FIG. 1 is a schematic view of an apparatus (prober) 20 for testing an IC chip using a probe card according to an embodiment of the present invention and detecting the trace of a probe needle to check the wear of the probe needle tip. FIG.

テストヘッド1に固定されたテストボード2にプローブカード3が取り付けられている。このプローブカード3には、ウエハ試験を行うための複数のプローブ針が備えられているが、図1では、それらのうちのひとつのプローブ針4だけが、それら複数のプローブ針を代表して示されている。これら複数のプローブ針の先端部は、いずれも同じように消
耗することから、ここではこの図1に示す一本のプローブ針4をそれら複数のプローブ針を代表するプローブ針として扱い、説明を進める。このプローブカード3には、プローブ針4の他に、ステージ6から見てプローブ針4の先端より高い位置に先端を有するモニタ針5が備えられている。ステージ6には、その表面に複数のICチップが形成された半導体基板(ウエハ)7が載置される。ステージ6は、水平方向(XおよびY方向)、高さ方向(Z方向)および回転方向(θ方向)に移動し、ウエハ7上のそれぞれのICチップの位置を調整する機能を持つ。ウエハ7を検査する際には、ステージ6は、プローブ針の下の、図1に実線で示すプロービング位置にセットされる。そして、ステージ6が上昇することによって、それぞれのICチップに配置された複数の試験パッドのそれぞれに、対応するプローブ針4の先端が所定のオーバードライプ量で接触する。プローブ針4の先端は、ICチップの試験を行う過程でパッドと接触することを繰り返すうちに少しずつ磨耗し、やがて磨耗量が、例えば100μm程度の使用限界磨耗量に達して寿命を迎える。プローブ針4の先端とモニタ針5の先端の高さの差は、そのプローブ針4の寿命の時点でプローブ針の先端が所定のオーバードライブ量でウエハ7上の試験パッドに接触すると、モニタ針の先端もウエハ7の表面に接触するように設定されている。一方、ウエハ7上のICチップの位置を測定する際には、ステージ6は、固定CCDカメラ9の下の、図1に点線で示すアライメント位置にセットされる。プローバ20にはまた、静電容量センサ10が備えられており、この静電容量センサによって、ウエハ7の表面の高さが測定される。プローバ20にはさらに、ステージ6に連結されてステージ6とともに移動する移動CCDカメラ8が備えられている。この移動CCDカメラ8は、プローブ針4の先端の高さを測定するために利用されるとともに、後から述べる第三の実施形態においては、モニタ針5aの先端の高さを測定するためにも利用される。
A probe card 3 is attached to a test board 2 fixed to the test head 1. The probe card 3 is provided with a plurality of probe needles for performing a wafer test. In FIG. 1, only one probe needle 4 is shown as a representative of the plurality of probe needles. Has been. Since the tip portions of the plurality of probe needles are all worn out in the same manner, the single probe needle 4 shown in FIG. 1 is treated as a probe needle representing the plurality of probe needles, and the explanation is advanced. . In addition to the probe needle 4, the probe card 3 is provided with a monitor needle 5 having a tip at a position higher than the tip of the probe needle 4 when viewed from the stage 6. On the stage 6, a semiconductor substrate (wafer) 7 having a plurality of IC chips formed thereon is placed. The stage 6 has a function of moving in the horizontal direction (X and Y directions), the height direction (Z direction), and the rotation direction (θ direction) to adjust the position of each IC chip on the wafer 7. When the wafer 7 is inspected, the stage 6 is set at a probing position indicated by a solid line in FIG. 1 below the probe needle. When the stage 6 is raised, the tip of the corresponding probe needle 4 comes into contact with each of a plurality of test pads arranged on each IC chip with a predetermined overdry amount. The tip of the probe needle 4 is worn little by little as it repeatedly contacts the pad in the process of testing the IC chip, and eventually the wear amount reaches the use limit wear amount of, for example, about 100 μm and reaches the end of its life. The difference in height between the tip of the probe needle 4 and the tip of the monitor needle 5 is that when the tip of the probe needle contacts the test pad on the wafer 7 with a predetermined overdrive amount at the end of the life of the probe needle 4. Is also set so that the front end of the wafer contacts the surface of the wafer 7. On the other hand, when measuring the position of the IC chip on the wafer 7, the stage 6 is set under the fixed CCD camera 9 at an alignment position indicated by a dotted line in FIG. The prober 20 is also provided with a capacitance sensor 10, and the height of the surface of the wafer 7 is measured by this capacitance sensor. The prober 20 is further provided with a moving CCD camera 8 that is connected to the stage 6 and moves together with the stage 6. The moving CCD camera 8 is used for measuring the height of the tip of the probe needle 4 and, in the third embodiment described later, also for measuring the height of the tip of the monitor needle 5a. Used.

以下では、以上説明した装置を用いて、モニタ針5の先端と、ウエハ7上に作られたモニタ針用のパッド(モニタパッド)が接触した時に形成されるモニタパッド表面の針跡を検出することによってプローブ針4の先端の磨耗を調べる、本第一実施形態における本発明のプローブカードの管理方法を実行する。   In the following, using the apparatus described above, the needle trace on the surface of the monitor pad formed when the tip of the monitor needle 5 comes in contact with the monitor needle pad (monitor pad) formed on the wafer 7 is detected. Thus, the probe card management method of the present invention according to the first embodiment is performed to check the wear of the tip of the probe needle 4.

図2は、1つのロットを構成する複数のウエハの表面に形成されたICチップの試験を行うとともに、モニタパッド表面の針跡を検出することによってプローブ針4の先端の磨耗を調べる作業の流れを示すフローチャートである。以下このフローチャートに従い、作業の流れを説明する。   FIG. 2 shows an operation flow for testing the IC chips formed on the surfaces of a plurality of wafers constituting one lot and checking the wear of the tip of the probe needle 4 by detecting the needle trace on the surface of the monitor pad. It is a flowchart which shows. The work flow will be described below according to this flowchart.

まず、試験対象のロットを受け入れ(A0)、最初のウエハ7をプローバのステージ6に載せる(A1)。それぞれのウエハ7のそれぞれのICチッブには、プローブカード3のプローブ針4の先端に対応する位置に試験パッドが設けられるとともに、モニタ針5の先端に対応する位置にモニタパッドが設けられる。そして、ステージをアライメント位置に移動する(A2)。さらに固定CCDカメラ9で、ウエハ7上のICチップの位置を測定し(A3)、測定結果に基づいて、ウエハ7のアライメント(ウエハ7上の各ICチップが所定の座標に位置するようにステージのX,Y、θ位置を調整)を行う(A4)。その後、ステージをプロービング位置に移動し(A5)、ウエハ試験を行う(A6)。ウエハ試験は、ウエハ7上のそれぞれのICチップについて、ステージを上昇させることによって、プローブ針の先端を試験パッドに所定のオーバードライブ量で接触させて行う。このとき、プローブ針4の先端が磨耗し、寿命に至っている場合には、各ICチップのモニタパッドにモニタ針5の先端が接触し、針跡が形成される。試験対象のウエハ7が1ロット分のウエハのうち最後のウエハでなければステップA7でNoが選択され、試験の終了したウエハ7を回収し(A8)、ステップA1に戻り、次のウエハをステージに載せ、ウエハ試験を続ける。ウエハ7が、1ロット分のウエハのうち最後のウエハであったらステップA7でYesが選択され、その最後のウエハ上のモニタパッドが固定CCDカメラの下に位置するようステージを移動し(A9)、固定CCDカメラでモニタパッドの表面を観察し、針跡の有無を調べる(A10)。針跡が観察されなければ、まだ寿命に至っていないと判断し、最後のウエハ7を回収し、試験済みのロットを次工程に送る(A11)。さらに、次のロットの要求を行う(A12)。針跡が観察されれば、プローブ針先端が磨耗によって寿命に至ったと判断する。この場合、最後のウエハ7を回収し、試験済みのロットを次工程に送り(A13)、そしてプローブ針交換を求めるアラームを発する(A14)。この場合には、次のロットの要求を行わずに試験装置を停止する。   First, a lot to be tested is received (A0), and the first wafer 7 is placed on the prober stage 6 (A1). Each IC chip of each wafer 7 is provided with a test pad at a position corresponding to the tip of the probe needle 4 of the probe card 3 and a monitor pad at a position corresponding to the tip of the monitor needle 5. Then, the stage is moved to the alignment position (A2). Further, the position of the IC chip on the wafer 7 is measured by the fixed CCD camera 9 (A3), and based on the measurement result, the alignment of the wafer 7 (the stage so that each IC chip on the wafer 7 is positioned at a predetermined coordinate). Are adjusted) (A4). Thereafter, the stage is moved to the probing position (A5), and a wafer test is performed (A6). The wafer test is performed by raising the stage of each IC chip on the wafer 7 to bring the tip of the probe needle into contact with the test pad with a predetermined overdrive amount. At this time, when the tip of the probe needle 4 is worn and has reached the end of its life, the tip of the monitor needle 5 comes into contact with the monitor pad of each IC chip, and a needle mark is formed. If the wafer 7 to be tested is not the last wafer in one lot, No is selected in step A7, the wafer 7 for which the test has been completed is collected (A8), the process returns to step A1, and the next wafer is staged. And continue the wafer test. If the wafer 7 is the last wafer among the wafers of one lot, Yes is selected in step A7, and the stage is moved so that the monitor pad on the last wafer is positioned under the fixed CCD camera (A9). The surface of the monitor pad is observed with a fixed CCD camera, and the presence or absence of a needle trace is examined (A10). If the needle trace is not observed, it is determined that the lifetime has not yet been reached, the last wafer 7 is collected, and the tested lot is sent to the next process (A11). Further, the next lot is requested (A12). If needle marks are observed, it is determined that the probe needle tip has reached the end of its life due to wear. In this case, the last wafer 7 is collected, the tested lot is sent to the next process (A13), and an alarm requesting probe needle replacement is issued (A14). In this case, the test apparatus is stopped without requesting the next lot.

図3は、パッド上にできた針跡を示す図である。プローブ針4の先端が磨耗して寿命に至る前は、モニタ針5の先端がモニタパッドと接触することがないので、プローブ針4によってできる針跡11のみパッド上に残る。プローブ針4の先端が磨耗して寿命に至ると、モニタ針5の先端がモニタパッドと接触するため、針跡11に加えて、モニタ針5による針跡12もパッド上に残る。この針跡12によって、プローブ針先端の磨耗によって寿命に至ったと判断する。   FIG. 3 is a diagram showing needle marks formed on the pad. Before the tip of the probe needle 4 wears out and reaches the end of its life, the tip of the monitor needle 5 does not come into contact with the monitor pad, so only the needle mark 11 formed by the probe needle 4 remains on the pad. When the tip of the probe needle 4 is worn out and reaches the end of its life, the tip of the monitor needle 5 comes into contact with the monitor pad. Therefore, in addition to the needle trace 11, the needle trace 12 by the monitor needle 5 remains on the pad. Based on the needle trace 12, it is determined that the end of the probe needle has been reached due to wear.

なお、ここでの説明では省略したが、本実施形態においても、次に説明する第二の実施形態と同様に、静電容量10によるウエハ表面高さの測定、移動CCDカメラ8によるプローブ針4の先端高さの測定、並びに、これらの測定結果に基づくプローブ針先端が試験パッドに物理的に接触するステージ高さの算出が実施される。
[第二実施形態]
次に、本発明のプローブカードの一実施形態、およびその一実施形態を用いた本発明のプローブカードの管理方法の実施形態のうち第二の実施形態について説明する。
Although omitted in the description here, in this embodiment as well, as in the second embodiment to be described next, the measurement of the wafer surface height by the capacitance 10 and the probe needle 4 by the moving CCD camera 8 are performed. The height of the tip of the probe and the height of the stage at which the tip of the probe needle physically contacts the test pad based on the measurement results are calculated.
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the probe card according to an embodiment of the present invention and an embodiment of the probe card management method according to the present invention using the embodiment will be described.

図4は、ICチップの試験を行なうとともに、モニタ針5とステージ6の間の電気的導通を検出してプローブ針先端の磨耗を調べるための装置(プローバ)20aの概略図である。図4の装置において、図1の装置の構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付して示し、同一の構成要素についての重複説明は省略する。本第二実施形態では、それらに加えて、テストヘッド1を通じてモニタ針5とステージ6の間に電圧をかけるために必要な電源13と、この電源13に流れる電流を測定することによってモニタ針5とステージ6の間の電気的導通を検出するための電流計14が備えられている。   FIG. 4 is a schematic view of an apparatus (prober) 20a for testing the IC chip and detecting the electrical continuity between the monitor needle 5 and the stage 6 to check the wear of the probe needle tip. In the apparatus of FIG. 4, the same components as those of the apparatus of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant description of the same components is omitted. In the second embodiment, in addition to them, the power supply 13 necessary for applying a voltage between the monitor needle 5 and the stage 6 through the test head 1 and the current flowing through the power supply 13 are measured to measure the monitor needle 5. And an ammeter 14 for detecting electrical continuity between the stage 6 and the stage 6.

以下では、この装置20aを用いて、モニタ針5の先端と、ウエハ7上に作られたモニタ針用のパッド(モニタパッド)が接触することによる電気的導通の有無を検出することによってプローブ針4の先端の磨耗を調べる本発明のプローブカードの管理方法を実行する。   Hereinafter, by using this apparatus 20a, the probe needle is detected by detecting the presence or absence of electrical continuity due to contact between the tip of the monitor needle 5 and a monitor needle pad (monitor pad) formed on the wafer 7. The probe card management method of the present invention for examining the wear of the tip 4 is executed.

図5は、1つのロッドを構成する複数のウエハの表面に形成されたICチップの試験を行うとともに、その際使用されるプローブカード3上のプローブ針4の先端の磨耗を調べる作業の流れを示すフローチャートである。以下このフローチャートに従い、作業の流れを説明する。まず、試験対象のロッドを受け入れる(B0)。そして、移動CCDカメラ8がプローブ針先端の下に位置するようステージを移動して、この移動CCDカメラ8を使い、プローブ針先端の高さを測定する(B1)。次に、最初のウエハ7をステージ6に載せる(B2)。このウエハ7の表面に形成されたそれぞれのICチップには、プローブ針4の先端を接触させるための試験パッドに加えて、モニタ針5の先端に対応する位置に、ウエハ7と電気的に接続されたモニタパッドが設けられている。そして、ウエハ7が静電容量センサ10の下に位置するようステージを移動して、この静電容量センサ10を用いてウエハ表面の高さの測定を行い(B3)、プローブ針先端がウエハ表面に配置された試験パッドに物理的に接触するステージ高さを算出する(B4)。そして、ステージをアライメント位置に移動し、固定CCDカメラ9によるチップ位置測定を行い、その測定結果に基づいて、ウエハアライメントを行う(B5)。その後、ステージをプロービング位置に移動し(B6)、このウエハ7が1ロット内の最後のウエハでない場合ステップB7でNoが選択され、ウエハ試験を行い(B8)、試験済みのウエハ7を回収し(B9)ステップB2に戻りウエハ試験を続行する。ウエハ7が、1ロット内の最後のウエハである場合ステップB7でYesが選択され、ウエハ試験を行う過程で、モニタ針の導通試験を行い、プローブ針の寿命を判定する。以下その作業を説明する。まず、ウエハ7上のそれぞれのICチップについて算出した、プローブ針先端が物理的に接触する高さに所定のオーバードライブ量を加えた高さまでステージを上昇させて(B10)、プローブ針をパッドに接触させ、ICチップの試験を行う(B11)。試験対象のICチップがこのウエハ7上の最後のICチップでない場合ステップB12でNoが選択され、ステージを降下し(B13)、チップ試験の試験対象を次のICチップに移し(B14)、ステップB10に戻ってチップ試験を続行する。試験対象のICチップがこのウエハ7上の最後のICチップであった場合、プローブ針がパッドに接触した状態で、モニタ針5とステージ6の間に所定の電圧を電源13によって印加し、流れる電流を電流計14を用いて測定する(B15)。そして、ステージを降下し、最後のウエハ7を回収し、試験済みのロットを次工程に発送する(B16)。測定された電流が所定値以上の場合ステップB17でYesが選択され、プローブ針が寿命に達したためモニタ針がモニターパッドに接触したことによって、モニタ針とステージとの間が導通状態になったと判断し、プローブ針交換を求めるアラームを発する(B18)。そして、次のロットの受け入れを行わずに試験装置を停止する。測定された電流が所定値未満であれば、寿命に達していないと判断しステップB17でNoが選択され、次のロットのウエハ試験を継続する(B19)。
[第三実施形態]
さらに、本発明のプローブカードの一実施形態、およびその一実施形態を用いた本発明のプローブカードの管理方法の実施形態のうち第三の実施形態について説明する。
FIG. 5 shows a flow of work for testing the IC chips formed on the surfaces of a plurality of wafers constituting one rod and checking the wear of the tip of the probe needle 4 on the probe card 3 used at that time. It is a flowchart to show. The work flow will be described below according to this flowchart. First, the rod to be tested is received (B0). Then, the stage is moved so that the moving CCD camera 8 is positioned below the tip of the probe needle, and the height of the tip of the probe needle is measured using this moving CCD camera 8 (B1). Next, the first wafer 7 is placed on the stage 6 (B2). Each IC chip formed on the surface of the wafer 7 is electrically connected to the wafer 7 at a position corresponding to the tip of the monitor needle 5 in addition to a test pad for contacting the tip of the probe needle 4. A monitor pad is provided. Then, the stage is moved so that the wafer 7 is positioned below the capacitance sensor 10, the height of the wafer surface is measured using this capacitance sensor 10 (B3), and the tip of the probe needle is positioned on the wafer surface. The height of the stage that physically contacts the test pad arranged at (B4) is calculated. Then, the stage is moved to the alignment position, the chip position is measured by the fixed CCD camera 9, and the wafer alignment is performed based on the measurement result (B5). Thereafter, the stage is moved to the probing position (B6). If this wafer 7 is not the last wafer in one lot, No is selected in step B7, a wafer test is performed (B8), and the tested wafer 7 is recovered. (B9) Return to Step B2 to continue the wafer test. If the wafer 7 is the last wafer in one lot, “Yes” is selected in Step B7, and in the course of performing the wafer test, the continuity test of the monitor needle is performed to determine the life of the probe needle. The work will be described below. First, the stage is raised to a height obtained by adding a predetermined overdrive amount to the height at which the tip of the probe needle physically contacts, calculated for each IC chip on the wafer 7 (B10), and the probe needle is used as a pad. The contact is made and the IC chip is tested (B11). If the IC chip to be tested is not the last IC chip on this wafer 7, No is selected in step B12, the stage is lowered (B13), the test object of the chip test is moved to the next IC chip (B14), and step Return to B10 and continue the chip test. When the IC chip to be tested is the last IC chip on the wafer 7, a predetermined voltage is applied between the monitor needle 5 and the stage 6 by the power source 13 and flows while the probe needle is in contact with the pad. The current is measured using the ammeter 14 (B15). Then, the stage is lowered, the last wafer 7 is collected, and the tested lot is sent to the next process (B16). If the measured current is greater than or equal to the predetermined value, Yes is selected in step B17, and the probe needle has reached the end of its life, and it is determined that the monitor needle has come into contact with the monitor pad due to contact with the monitor pad. Then, an alarm requesting probe needle replacement is issued (B18). Then, the test apparatus is stopped without accepting the next lot. If the measured current is less than the predetermined value, it is determined that the life has not been reached, No is selected in step B17, and the wafer test for the next lot is continued (B19).
[Third embodiment]
Furthermore, one embodiment of the probe card of the present invention and a third embodiment of embodiments of the probe card management method of the present invention using the embodiment will be described.

図6は、ICチップの試験を行うとともに、モニタ針とプローブ針の高さの差を測定することによってプローブ針先端の磨耗を調べるための装置(プローバ)20bの概略図である。例えば、第一実施形態で用いたものと同じ構成のものを、プローバ20bとして利用することができる。しかし、第一および第二実施形態とは異なり、本第三実施形態のプローブカード3aでは、寿命に至ったプローブ針を所定のオーバードライブ量でパッドに接触させたときにも、モニタ針の先端がウエハ表面に接触する必要はない。すなわち、プローブ針4aの先端が磨耗して寿命に至っても、モニタ針5aの先端が、まだ、プローブ針4aの先端に比較して所定のオーバードライブ量よりも高い位置、例えば、100μm程度高い位置にあるように設定されていてもよい。   FIG. 6 is a schematic view of an apparatus (prober) 20b for testing the IC chip and checking the wear of the probe needle tip by measuring the difference in height between the monitor needle and the probe needle. For example, the same configuration as that used in the first embodiment can be used as the prober 20b. However, unlike the first and second embodiments, in the probe card 3a of the third embodiment, the tip of the monitor needle can be obtained even when the probe needle that has reached the end of its life is brought into contact with the pad with a predetermined overdrive amount. Need not contact the wafer surface. That is, even if the tip of the probe needle 4a is worn out and its life is reached, the tip of the monitor needle 5a is still at a position higher than a predetermined overdrive amount, for example, about 100 μm higher than the tip of the probe needle 4a. It may be set to be in

以下では、この装置を用いて、プローブ針4aの先端とモニタ針5aの先端の高さの差を測定して、プローブ針4aの先端の磨耗を調べる本発明のプローブカードの管理方法を実行する。   In the following description, the probe card management method of the present invention is used to measure the difference in height between the tip of the probe needle 4a and the tip of the monitor needle 5a by using this apparatus to check the wear of the tip of the probe needle 4a. .

図5は、1つのロットを構成する複数のウエハの表面に形成されたICチップの試験を行うとともに、プローブカード3a上のプローブ針4aの先端の磨耗を調べる作業の流れを示すフローチャートである。以下このフローチャートに従い、作業の流れを説明する。本実施形態においても、最初に試験対象のロットの受け入れを行う(C0)。しかし、ウエハ試験を始める前にプローブ針4aの先端の磨耗を調べる。まず、移動CCDカメラ8が、プローブ針4aの先端の下に位置するようにステージを移動し(C1)、移動CCDカメラ8を用いてプローブ針先端の像を観察しながらステージを上下に移動させ、針先端の画像が最も小さくなるステージ高さ(焦点位置)を求めることによりプローブ針4aの先端の高さを測定する(C2)。このとき、必要ならば、図7に破線で示されたように、他のプローブ針4aについての先端高さの測定を繰り返し、複数のプローブ針4aの先端高さの平均値を求めるようにしてもよい。続いて、移動CCDカメラがモニタ針先端の下に位置するようにステージを移動し(C3)、同様の方法でモニタ針先端の高さを測定する(C4)。これらの測定結果から、プローブ針先端とモニタ針先端との高さの差を算出する(C5)。そして、所定の限界値以下である場合ステップC6でNoが選択され、プローブ針が寿命に達したと判断し、プローブ針交換を求めるアラームを発する(C8)。   FIG. 5 is a flowchart showing a flow of work for testing IC chips formed on the surfaces of a plurality of wafers constituting one lot and examining the wear of the tip of the probe needle 4a on the probe card 3a. The work flow will be described below according to this flowchart. Also in this embodiment, the lot to be tested is first accepted (C0). However, before starting the wafer test, the tip end of the probe needle 4a is examined for wear. First, the stage is moved so that the moving CCD camera 8 is positioned below the tip of the probe needle 4a (C1), and the stage is moved up and down while observing the image of the tip of the probe needle using the moving CCD camera 8. Then, the height of the tip of the probe needle 4a is measured by obtaining the stage height (focal position) at which the image of the needle tip is the smallest (C2). At this time, if necessary, as shown by a broken line in FIG. 7, the measurement of the tip heights of the other probe needles 4a is repeated, and the average value of the tip heights of the plurality of probe needles 4a is obtained. Also good. Subsequently, the stage is moved so that the moving CCD camera is positioned below the tip of the monitor needle (C3), and the height of the tip of the monitor needle is measured by the same method (C4). From these measurement results, the difference in height between the probe needle tip and the monitor needle tip is calculated (C5). If it is equal to or less than the predetermined limit value, No is selected in step C6, it is determined that the probe needle has reached the end of its life, and an alarm is issued to request probe needle replacement (C8).

ただし、図5に示した本実施形態のフローにおいては、プローブ針が寿命に達したと判断した場合においても、受け入れ済みのロットのウエハについては試験を行い、次工程に発送して(C7)から、アラームを発する。プローブ針先端の磨耗は、1ロット内のウエハに形成されたICチップの測定中に急激に進むものではない。このため、ステップC6における限界値の設定を適切に行うことにより、寿命に達したと判断した場合においても、1ロットを構成する複数のウエハに形成されたICチップの試験を行うことは可能である。また、このように、プローブ針4aの先端の磨耗量の検査とウエハ試験とを一連の作業として実施することにより、ステップC2において測定したプローブ針先端高さを、ステップC7もしくは次に説明するステップC9でのロット内のウエハの試験において、プローブ針先端が試験パッドに物理的に接触する高さの算出(図5のステップB1〜B4参照)のために利用することができ、効率的である。一方、限界値を超えている場合ステップC6でYesが選択され、まだ寿命に達していないと判断する。そして、1ロット分のウエハ試験を行い、次工程に発送し(C9)、その後、次にロットの要求を行う(C10)。   However, in the flow of this embodiment shown in FIG. 5, even when it is determined that the probe needle has reached the end of its life, the wafers in the accepted lot are tested and sent to the next process (C7). An alarm is issued. Wear on the tip of the probe needle does not proceed rapidly during measurement of IC chips formed on a wafer in one lot. For this reason, by appropriately setting the limit value in step C6, it is possible to test IC chips formed on a plurality of wafers constituting one lot even when it is determined that the lifetime has been reached. is there. Further, in this way, the probe needle tip height measured in step C2 is measured in step C7 or the step described next by performing the inspection of the wear amount of the tip of the probe needle 4a and the wafer test as a series of operations. In the test of wafers in a lot at C9, it can be used for calculating the height at which the probe needle tip physically contacts the test pad (see steps B1 to B4 in FIG. 5), which is efficient. . On the other hand, if it exceeds the limit value, Yes is selected in step C6, and it is determined that the life has not been reached yet. Then, the wafer test for one lot is performed and sent to the next process (C9), and then the next lot request is made (C10).

以上が、プローブ針4aの先端とモニタ針5aの先端の高さの差を測定して、プローブ針4の先端の磨耗を調べるプローブカードの管理方法の説明である。この方法では、モニタ針5aの先端と磨耗前のプローブ針4aの先端の高さの差は、プローブカードの仕様として正確に把握できるため、上記のようにプローブ針先端とモニタ針先端との高さの差を算出することにより、プローブ針先端の磨耗量を正確に算出することができる。また、ステップC4におけるモニタ針5a先端高さの測定において、モニタ針5aの先端の高さとプローブ針4aの先端の高さとの差は、せいぜい200μm程度であるため、移動CCDカメラ8を使用してモニタ針5a先端の高さを測定する時に、ステージ6、もしくはステージ6に載置されたウエハ7がプローブ針4a先端に衝突することもない。すなわち、本実施形態の管理方法は、標準的なブローバが備える、プローブ針4a先端高さ測定用の移動CCDカメラ8を使用して実施することができる。   The above is the description of the probe card management method for measuring the difference in height between the tip of the probe needle 4a and the tip of the monitor needle 5a to check the wear of the tip of the probe needle 4. In this method, the difference in height between the tip of the monitor needle 5a and the tip of the probe needle 4a before wear can be accurately grasped as the specification of the probe card. By calculating the difference in height, the amount of wear at the tip of the probe needle can be accurately calculated. In the measurement of the tip height of the monitor needle 5a in step C4, the difference between the height of the tip of the monitor needle 5a and the tip of the probe needle 4a is about 200 μm at most. When the height of the tip of the monitor needle 5a is measured, the stage 6 or the wafer 7 placed on the stage 6 does not collide with the tip of the probe needle 4a. That is, the management method of this embodiment can be implemented using the moving CCD camera 8 for measuring the tip height of the probe needle 4a provided in a standard blower.

上記の第一、第二、第三の実施形態のいずれにおいても、受け入れた1ロットのウエハの試験を行うフローの中で、1回だけ、プローブ針先端の磨耗状態の判定を行った。すなわち、第一および第二実施形態においては、1ロットの中の最後のウエハの測定において、モニタ針がモニタパッドに接触するかどうか、もしくは、モニタ針がモニタパッドおよびウエハを介してステージに接触するかどうかを検出することによって、プローブ針が寿命に至ったか否かの判定を行った。一方、第三実施形態においては、受け入れたロットの試験を開始する前に、プローブ針先端の高さとモニタ針先端の高さとの差を測定した。通常、プローブ針先端の磨耗は、1つのロット内のウエハに形成されたICチップの試験を行う間に急激に進むことはない。従って、例えばこのように、1つのロットの試験を行う間の任意のタイミングにおいて、1回だけ、磨耗量の把握を行うので十分である。   In any of the above first, second, and third embodiments, the wear state of the probe needle tip was determined only once in the flow of testing one lot of accepted wafers. That is, in the first and second embodiments, whether the monitor needle contacts the monitor pad or the monitor needle contacts the stage via the monitor pad and the wafer in the measurement of the last wafer in one lot. It was determined whether or not the probe needle had reached the end of its life by detecting whether or not to do so. On the other hand, in the third embodiment, the difference between the height of the tip of the probe needle and the height of the tip of the monitor needle is measured before starting the test of the received lot. Normally, the wear of the probe needle tip does not proceed rapidly while testing IC chips formed on wafers in one lot. Therefore, for example, as described above, it is sufficient to grasp the wear amount only once at an arbitrary timing during the test of one lot.

ICチップの試験を行うとともに、モニタ針の針跡を検出してプローブ針先端の磨耗を調べるための装置である。This is an apparatus for testing the IC chip and detecting the trace of the probe needle to check the wear of the tip of the probe needle. 1ロットのウエハの試験を行うとともに、モニタ針の針跡を検出することによってプローブ針の先端の磨耗を調べる作業の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the operation | work which investigates abrasion of the front-end | tip of a probe needle by testing the wafer of 1 lot, and detecting the needle trace of a monitor needle. パッド上についた、プローブ針による針跡およびモニタ針による針跡である。These are the needle trace by the probe needle and the needle trace by the monitor needle on the pad. ICチップの試験を行うとともに、モニタ針とステージの間の電気的導通を検出してプローブ針先端の磨耗を調べるための装置である。This is an apparatus for testing the IC chip and detecting the electrical continuity between the monitor needle and the stage to check the wear of the tip of the probe needle. 1ロットのウエハの試験を行うとともに、モニタ針とステージの間の電気的導通を検出することによってプローブ針先端の磨耗を調べる作業の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the operation | work which investigates the abrasion of a probe needle tip by testing the wafer of 1 lot, and detecting the electrical continuity between a monitor needle and a stage. ICチップの試験を行うとともに、モニタ針とプローブ針の高さの差を測定することによってプローブ針先端の磨耗を調べるための装置である。It is an apparatus for examining the wear of the tip of the probe needle by performing a test of the IC chip and measuring the difference in height between the monitor needle and the probe needle. 1ロットのウエハの試験を行うとともに、モニタ針とプローブ針の高さの差を測定することによってプローブ針先端の磨耗を調べる作業の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the operation | work which investigates the abrasion of a probe needle tip by measuring the difference of the height of a monitor needle and a probe needle while testing the wafer of 1 lot.

符号の説明Explanation of symbols

1 テストヘッド
2 テストボード
3、3a プローブカード
4、4a プローブ針
5、5a モニタ針
6 ステージ
7 ウエハ
8 移動CCDカメラ
9 固定CCDカメラ
10 静電容量センサ
11 プローブ針によるパッド上の針跡
12 モニタ針によるパッド上の針跡
13 電源
14 電流計
20、20a、20b プローバ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Test head 2 Test board 3, 3a Probe card 4, 4a Probe needle 5, 5a Monitor needle 6 Stage 7 Wafer 8 Moving CCD camera 9 Fixed CCD camera 10 Capacitance sensor 11 Needle trace on pad by probe needle 12 Monitor needle Needle trace on pad by 13 Power supply 14 Ammeter 20, 20a, 20b Prober

Claims (5)

半導体基板表面に配置された複数の試験パッドに所定のオーバードライブ量で先端を接触させる複数のプローブ針を有するプローブカードであって、前記複数のプローブ針の先端が磨耗して寿命に至る以前においては、前記複数のプローブ針の先端を前記所定のオーバードライブ量で前記複数の試験パッドに接触させても前記半導体基板表面に接触しない先端高さを有する針であるモニタ針を有することを特徴とするプローブカード。   A probe card having a plurality of probe needles that contact a plurality of test pads arranged on the surface of a semiconductor substrate with a predetermined overdrive amount before the tips of the plurality of probe needles are worn out and reach a lifetime. Has a monitor needle that is a needle having a tip height that does not contact the surface of the semiconductor substrate even if the tips of the plurality of probe needles are brought into contact with the plurality of test pads at the predetermined overdrive amount. Probe card. 前記モニタ針の先端が、前記複数のプローブ針が寿命に至った時点においては、前記複数のプローブ針の先端を前記所定のオーバードライブ量で前記複数の試験パッドに接触させると、前記半導体基板表面に接触する高さを有することを特徴とする請求項1記載のプローブカード。   When the tips of the monitor needles reach the end of their lives, the tips of the probe needles are brought into contact with the plurality of test pads with the predetermined overdrive amount. The probe card according to claim 1, wherein the probe card has a height in contact with the probe card. 半導体基板表面に配置された複数の試験パッドに所定のオーバードライブ量で接触させる複数のブローブ針を有するとともに、前記複数のプローブ針の先端が磨耗して寿命に至る以前においては、前記複数のプローブ針の先端を前記所定のオーバードライブ量で前記複数の試験パッドに接触させても前記半導体基板表面に接触しない位置に先端を有するモニタ針を有するプローブカードを、前記複数のプローブ針の先端を前記複数の試験パッドに接触させるためのプローバに取り付けた状態で、前記複数のプローブ針の先端と前記モニタ針の先端との高さの差が所定の限界値以下になったか否かの検査を行い、前記高さの差が所定の限界値以下になったことを検出した時点で、前記複数のプローブ針が寿命に至ったと判断することを特徴とするプローブカードの管理方法。   A plurality of probe needles that are brought into contact with a plurality of test pads arranged on a semiconductor substrate surface with a predetermined overdrive amount; A probe card having a monitor needle having a tip at a position that does not contact the surface of the semiconductor substrate even if the tip of the needle is brought into contact with the plurality of test pads with the predetermined overdrive amount, and the tip of the plurality of probe needles is Inspecting whether or not the difference in height between the tip of the plurality of probe needles and the tip of the monitor needle has become a predetermined limit value or less while attached to a prober for contacting a plurality of test pads. Determining that the plurality of probe needles have reached the end of their life when it is detected that the difference in height is equal to or less than a predetermined limit value. Management method of the probe card. 前記モニタ針の先端が、前記複数のプローブ針が寿命に至った時点においては、前記複数のプローブ針の先端を前記所定のオーバードライブ量で前記複数の試験パッドに接触させると、前記半導体基板表面に接触する高さを有し、前記先端の高さの差が限界値以下になったことの検出を、前記複数のプローブ針の先端を前記複数の試験パッドに前記所定のオーバードライブ量で接触させた時に、前記モニタ針の先端が前記半導体基板の表面に設けたモニタパッドに接触したことを検出することによって行うことを特徴とする請求項3記載のプローブカードの管理方法。   When the tips of the monitor needles reach the end of their lives, the tips of the probe needles are brought into contact with the plurality of test pads with the predetermined overdrive amount. Detecting that the difference in height between the tips is below a limit value, and contacting the tips of the plurality of probe needles to the plurality of test pads with the predetermined overdrive amount. 4. The probe card management method according to claim 3, wherein the probe card is detected by detecting that the tip of the monitor needle is in contact with a monitor pad provided on the surface of the semiconductor substrate. 前記先端高さの差が限界値以下になったことの検出を、前記プローバに備えられたプローブ針先端高さ測定機構によって、前記複数のプローブ針の少なくとも1つの先端高さを測定するとともに、前記モニタ針の先端高さを、該モニタ針の先端を前記半導体基板の表面に接触させることなく測定することによって行うことを特徴とする請求項3記載のプローブカードの管理方法。   The detection that the difference in tip height is below a limit value is measured by measuring the tip height of at least one of the plurality of probe needles by a probe needle tip height measuring mechanism provided in the prober, and 4. The probe card management method according to claim 3, wherein the height of the tip of the monitor needle is measured without contacting the tip of the monitor needle with the surface of the semiconductor substrate.
JP2004174277A 2004-06-11 2004-06-11 Probe card, and control method for probe card Withdrawn JP2005351807A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004174277A JP2005351807A (en) 2004-06-11 2004-06-11 Probe card, and control method for probe card

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004174277A JP2005351807A (en) 2004-06-11 2004-06-11 Probe card, and control method for probe card

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005351807A true JP2005351807A (en) 2005-12-22

Family

ID=35586412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004174277A Withdrawn JP2005351807A (en) 2004-06-11 2004-06-11 Probe card, and control method for probe card

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005351807A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180065422A (en) * 2016-12-07 2018-06-18 삼성전자주식회사 Probe card and Test apparatus including the same
WO2019107173A1 (en) * 2017-12-01 2019-06-06 東京エレクトロン株式会社 Method for adjusting needle tip position of probe needle, and inspection device
KR20200072399A (en) * 2018-12-12 2020-06-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Probe card management system and probe card management method
WO2021078318A1 (en) * 2019-10-25 2021-04-29 Jenoptik Optical Systems Gmbh Wafer-level test method for optoelectronic chips

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180065422A (en) * 2016-12-07 2018-06-18 삼성전자주식회사 Probe card and Test apparatus including the same
JP2018096972A (en) * 2016-12-07 2018-06-21 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. Probe card and test apparatus including the same
JP7109167B2 (en) 2016-12-07 2022-07-29 三星電子株式会社 Probe card and test equipment including it
KR102623549B1 (en) * 2016-12-07 2024-01-10 삼성전자주식회사 Probe card and Test apparatus including the same
WO2019107173A1 (en) * 2017-12-01 2019-06-06 東京エレクトロン株式会社 Method for adjusting needle tip position of probe needle, and inspection device
JP2019102640A (en) * 2017-12-01 2019-06-24 東京エレクトロン株式会社 Needle tip position adjustment method of probe needle and inspection equipment
KR20200072399A (en) * 2018-12-12 2020-06-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Probe card management system and probe card management method
KR102229996B1 (en) 2018-12-12 2021-03-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Probe card management system and probe card management method
WO2021078318A1 (en) * 2019-10-25 2021-04-29 Jenoptik Optical Systems Gmbh Wafer-level test method for optoelectronic chips
US11906579B2 (en) 2019-10-25 2024-02-20 Jenoptik Gmbh Wafer-level test method for optoelectronic chips

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7504844B2 (en) Inspection apparatus and method
KR0138754B1 (en) Touch sensor unit of probe for testing electric circuit and electric circuit testing apparatus using the touch sensor unit
KR102239051B1 (en) Inspection system and failure analysis and prediction method of inspection system
US7856332B2 (en) Real time system for monitoring the commonality, sensitivity, and repeatability of test probes
CN103969267B (en) Cleaning control method of particulate matters on probes of probe card
JP2005079253A (en) Inspection method and inspection apparatus
JP2007189229A (en) Method for verifying abnormal probe card
JP2008028103A (en) Wafer prober
JP3821171B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
JP2008071999A (en) Semiconductor device, inspection method therefor, and inspection method for inspecting apparatus of semiconductor device
CN113406484B (en) Device and method for failure analysis of chip
KR20040069584A (en) Probe needle cleaning apparatus and the method
JP2007103860A (en) Method of detecting probe contact trace, and prober
JP2005351807A (en) Probe card, and control method for probe card
JP2003282654A (en) Method of manufacturing semiconductor device
TWI798010B (en) Particle measuring device, three-dimensional shape measuring device, probe device, particle measuring system, and particle measuring method
JP2011215007A (en) Testing device and testing method
JP2006128452A (en) Probe card and prober, process for fabricating semiconductor device
JP2011033549A (en) Inspection method of probe card, inspection method of semiconductor device and probe card
JP5356749B2 (en) Substrate inspection apparatus and probe Z-axis offset acquisition method
JP4987497B2 (en) Circuit board inspection equipment
JP2024084366A (en) Inspection device and method for inspection
JPH0837211A (en) Testing equipment of semiconductor device
JP2006023229A (en) Probe card quality evaluation method, its apparatus, and probe inspection method
JP2007071765A (en) Probe control apparatus and probe control method for measuring probe position

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070904