JP2008071999A - Semiconductor device, inspection method therefor, and inspection method for inspecting apparatus of semiconductor device - Google Patents
Semiconductor device, inspection method therefor, and inspection method for inspecting apparatus of semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008071999A JP2008071999A JP2006250531A JP2006250531A JP2008071999A JP 2008071999 A JP2008071999 A JP 2008071999A JP 2006250531 A JP2006250531 A JP 2006250531A JP 2006250531 A JP2006250531 A JP 2006250531A JP 2008071999 A JP2008071999 A JP 2008071999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- alignment
- semiconductor device
- probe
- pads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体装置の製造途中のウェハ状態での、ウェハに形成された集積回路のテスト工程において、テスターに装着されるプローブと集積回路の入出力端子や電源端子となるパッドとのコンタクト位置合わせを行う半導体装置及びその検査方法並びに半導体装置の検査装置の検査方法に関する。 The present invention relates to a contact position between a probe mounted on a tester and a pad serving as an input / output terminal or a power supply terminal of the integrated circuit in a test process of the integrated circuit formed on the wafer in a wafer state during the manufacture of the semiconductor device. The present invention relates to a semiconductor device that performs alignment, an inspection method thereof, and an inspection method of an inspection device for a semiconductor device.
LSIチップなどの半導体装置の製造途中のウェハ段階で電気的な特性の確認試験を行う場合には、半導体装置に設けられた入出力端子や電源端子となるパッドに試験用のプローブを接触させ、この状態でテスターから各種試験に応じた信号をプローブを介して半導体装置へ供給する。そして、半導体装置は、供給された入力信号や電源に応じて動作する。半導体装置の出力信号を再びテスターに取り込むことで、半導体装置の特性の良否が判定される。 When conducting a confirmation test of electrical characteristics at the wafer stage during the manufacture of a semiconductor device such as an LSI chip, a test probe is brought into contact with a pad serving as an input / output terminal or a power supply terminal provided in the semiconductor device, In this state, signals corresponding to various tests are supplied from the tester to the semiconductor device via the probe. The semiconductor device operates in accordance with the supplied input signal and power supply. By taking the output signal of the semiconductor device back into the tester, the quality of the semiconductor device is determined.
したがって、このような試験を実施する上では、半導体装置のパッドにプローブが良好に接触するように事前に位置合わせを行う必要がある。 Therefore, when performing such a test, it is necessary to perform alignment in advance so that the probe is in good contact with the pad of the semiconductor device.
近年のように、半導体装置の端子の多ピン化、挟ピッチ化が進行する状況下では、画像処理によって半導体装置のパッドとプローブとの位置ずれ量を抽出し、その位置ずれ量をフィードバック制御することで、自動的に位置合わせが行われている。 In recent years, when the number of pins of a semiconductor device is increased and the pitch is increased, the amount of positional deviation between the pads of the semiconductor device and the probe is extracted by image processing, and the positional deviation amount is feedback-controlled. Thus, the alignment is automatically performed.
しかしながら、プローブとパッドとの位置決めは、プローバ装置の画像処理によるアライメント機能の有無に関係無く、最終的には目視による微調整を行っていた。その結果、多ピン化、挟ピッチ化が進むと目視でのコンタクト位置合わせ及び微調整が困難となる。 However, the positioning of the probe and the pad is finally finely adjusted visually regardless of the presence or absence of the alignment function by the image processing of the prober device. As a result, as the number of pins increases and the pitch decreases, visual contact alignment and fine adjustment become difficult.
したがって、プローブと半導体装置の各パッドとを正確に位置合わせするために、目視や画像の針痕インスペクションなどで確認することは現段階でも可能であるが、判定に時間と多大な労力とを要するし、針痕インスペクションで確認できた時点では既にテストした後なので、ある程度処理が進んだ段階でしか発見できない。 Therefore, in order to accurately align the probe and each pad of the semiconductor device, it is possible to confirm by visual inspection or needle mark inspection of an image at the present stage, but it takes time and much labor for the determination. However, since it has already been tested when it can be confirmed by needle mark inspection, it can be discovered only at a stage where processing has progressed to some extent.
比較的簡単な構成でもって、プローブが半導体装置のパッドに正確に接触しているか否かを判断する従来技術として、特許文献1に開示される「集積回路」、特許文献2に開示される「半導体装置、およびこの半導体装置の位置合わせ方法」、特許文献3に開示される「半導体装置及びそのテスト方法」がある。
特許文献1に開示される発明は、コンタクトの位置合わせの確認はできるが、コンタクトの位置がずれた場合、ずれの方向が目視以外では確認できないという問題がある。
また、基盤内に位置ずれ検出のアライメントパッドを設けているが半導体装置の端子の多ピン化、挟ピッチ化が進行する状況下で、個別にアライメントパッドを設ける必要があり、そのスペース確保が困難となる。さらに、端子の多ピン化、挟ピッチ化を進行する上で規制や妨げとなり、チップ内に個別のアライメントパッドを配置できない問題が発生する。
The invention disclosed in Patent Document 1 can confirm the alignment of the contact, but there is a problem that when the position of the contact is deviated, the direction of deviation cannot be confirmed except by visual observation.
In addition, an alignment pad for detecting misalignment is provided in the substrate. However, it is necessary to provide an alignment pad individually under the situation where the number of pins of the semiconductor device is increased and the pitch is increased, making it difficult to secure the space. It becomes. Furthermore, there is a problem in that it is not possible to arrange individual alignment pads in the chip due to restrictions and hindrances when the number of pins is increased and the pitch is increased.
特許文献2に開示される発明は、半導体装置が試験用のプローブに対して正確に位置合わせができているか否かの判断を容易に行える方法として、パッドと外周パッドとをそれぞれ接地抵抗に接続し、かつ、各接地抵抗は互いに異なる抵抗値を持つように設定してアライメント用パッドに対応させ、アライメント用プローブを設け、このアライメント用プローブを半導体装置に接触させた状態で通電し、その際に生じる電圧値の検出出力に基づいて半導体装置の位置ずれ方向、距離を判断して、半導体装置の位置合わせを行うようにしている。
The invention disclosed in
しかしながら、通常、プローブが測定ごとにパッドに接続することでプローブにパッド屑が付着する。その結果、プローブに接触抵抗が発生して検出出力値にずれが生じるため、位置ずれの状態に応じた出力値を測定しておき、それらの出力結果のデータを基にして比較しても、相関のない異なった電圧値を示し、位置ずれの良否、及び位置ずれの程度(方向及び距離)を正確に判断することはできない。 However, pad debris usually adheres to the probe when the probe is connected to the pad for each measurement. As a result, contact resistance occurs in the probe and the detection output value is shifted, so the output value according to the position shift state is measured and compared based on the data of those output results. Different voltage values having no correlation are shown, and it is impossible to accurately determine the quality of the positional deviation and the degree (direction and distance) of the positional deviation.
特許文献3に開示される発明は、第1のパッド対、第2のパッド対、第3のパッド対及び第4のパッド対が、半導体ウェハのスクライブライン領域内の一の集積回路ごと、又は複数の集積回路が形成された所定の領域ごとに形成されており、第1のパッド対、第2のパッド対、第3のパッド対及び第4のパッド対における電圧状態の検出出力に基づいて、プローブの修正機回路内のパッドに対する位置ずれ方向を判断してコンタクト位置合わせが正しくされているか否かの確認と、コンタクト位置ずれが生じた場合に、各端子のパッドからプローブがはみ出る前に、どの方向にどれだけずれているかを容易に認識するものである。
In the invention disclosed in
しかしながら、位置ずれにより位置決めパッドに位置決め用プローブが接触しているとき、集積回路内用プローブが集積回路内パッドを外れない限り位置決めパッドにプローブが接触しているため、集積回路内のパッド領域内でのずれが発生していたとしても検出電位に変化はなく、位置ずれの程度(距離)を正確に認識できない。
従って、ずれの補正微調整を容易に行えない。
However, when the positioning probe is in contact with the positioning pad due to misalignment, the probe is in contact with the positioning pad unless the integrated circuit probe comes off the integrated circuit pad. Even if a deviation occurs, the detected potential does not change, and the degree (distance) of the positional deviation cannot be accurately recognized.
Accordingly, the correction fine adjustment of the deviation cannot be easily performed.
このように、従来は、プローブが半導体装置のパッドに正確に接触しているか否かを、端子の多ピン化や挟ピッチ化を妨げることなく判断することはできなかった。 As described above, conventionally, it has not been possible to determine whether or not the probe is accurately in contact with the pad of the semiconductor device without hindering the increase in the number of pins of the terminal and the reduction in pitch.
本発明は係る問題に鑑みてなされたものであり、多ピン化や挟ピッチ化を妨げることがなく、プローブが半導体装置のパッドに正確に接触しているか否かを判断できる半導体装置及びその検査方法並びに半導体装置の検査装置の検査方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and a semiconductor device that can determine whether a probe is accurately in contact with a pad of a semiconductor device without interfering with an increase in the number of pins or a narrow pitch, and an inspection thereof It is an object of the present invention to provide a method and an inspection method for an inspection apparatus for a semiconductor device.
上記目的を達成するため、本発明は、第1の態様として、複数の集積回路が形成された半導体ウェハからなる半導体装置であって、複数の集積回路の各々のチップの縦横各方向ごとに、チップに対して縦/横方向に直列に整列した複数個の矩形パッドからなり、チップの近傍の半導体ウェハのダイシングライン領域に配置されたアライメント用パッドと、アライメント位置検出のために、アライメント用パッドの矩形パッドのそれぞれと対として形成されたアライメント検出用パッドとを有し、アライメント用パッドとこれと対となるアライメント検出用パッドとは、半導体ウェハ上に形成された金属配線を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置を提供するものである。
本発明の第1の態様によれば、従来のような位置決め専用のアライメントパッドをチップ内に設けず、チップの近傍のダイシングライン上に専用アライメント用パッドと専用検出用パッドとが形成されている。近年、半導体製品はプロセスルールの微細化により同一機能を持った製品でもチップサイズが縮小化する傾向にある。それに対しパッドのサイズは、ワイヤボンディング精度やウェハテスト時のプローブカード位置合わせ精度の問題により比較的縮小化が進んでいない。チップ内に通常のパッド以外に位置ずれアライメント専用のパッドを設けることはチップ面積の増大、ひいてはコストの上昇につながる。本態様によれば、この問題を解決又はその影響を低減できる。
In order to achieve the above object, the present invention provides, as a first aspect, a semiconductor device including a semiconductor wafer on which a plurality of integrated circuits are formed, for each vertical and horizontal direction of each chip of the plurality of integrated circuits. An alignment pad that is arranged in a dicing line area of a semiconductor wafer in the vicinity of the chip and includes an alignment pad for detecting the alignment position. Each of the rectangular pads has an alignment detection pad formed as a pair, and the alignment pad and the alignment detection pad paired therewith are electrically connected via a metal wiring formed on the semiconductor wafer. The present invention provides a semiconductor device characterized in that the semiconductor device is connected.
According to the first aspect of the present invention, a dedicated alignment pad and a dedicated detection pad are formed on a dicing line in the vicinity of the chip without providing a conventional alignment pad for positioning in the chip. . In recent years, semiconductor products have a tendency to reduce the chip size even if the products have the same function due to miniaturization of process rules. On the other hand, the size of the pad has not been relatively reduced due to problems of wire bonding accuracy and probe card alignment accuracy during wafer testing. Providing a dedicated pad for misalignment alignment in addition to the normal pad in the chip leads to an increase in the chip area and, consequently, an increase in cost. According to this aspect, this problem can be solved or its influence can be reduced.
また、上記目的を達成するため、本発明は、第2の態様として、上記本発明の第1の態様にかかる半導体装置の検査方法であって、アライメント用パッドのいずれかの矩形パッドに対して、検査試験機によって定められた所定の電圧をアライメント用プローブを介して印加し、アライメント検出用パッドのいずれにおいて電圧が検出されるかを検査することを特徴とする半導体装置の検査方法を提供するものである。
本発明の第2の態様によれば、従来のような位置ずれの良否のみの二者択一的な判断だけでなく、プローブに接触抵抗が発生し測定値が変化した場合でも位置ずれが生じている場合には、どの方向にどれだけの距離ずれているのかを容易に判断できる。
In order to achieve the above object, according to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device inspection method according to the first aspect of the present invention, wherein any one of the alignment pads is used. A method for inspecting a semiconductor device is provided, wherein a predetermined voltage determined by an inspection tester is applied via an alignment probe to inspect which of the alignment detection pads detects the voltage. Is.
According to the second aspect of the present invention, not only the alternative determination of only the quality of the positional deviation as in the prior art but also the positional deviation occurs even when the contact resistance is generated in the probe and the measured value changes. If so, it can be easily determined how much distance is shifted in which direction.
本発明の第2の態様においては、集積回路チップ内のパッドを用いて針合わせした際のアライメント用パッドにおけるアライメント用プローブの位置を初期位置として記憶し、記憶した位置に対してプロービング過程においてのずれの量と方向とをテスト途中に判定することが好ましい。これにより、プローブの接触位置を確認しながら位置合わせの微調整を行えるため、従来の目視による位置合わせ操作よりも、位置合わせに要する労力を大幅に軽減できる。また、ずれ量とずれの方向をリアルタイムで判断可能となる。
これに加えて、初期位置に対してのずれ量が所定の大きさを超えた場合に、警告・注意喚起表示を行うことが好ましい。これによりテスト中に位置ずれの早期発見が可能となる。
In the second aspect of the present invention, the position of the alignment probe in the alignment pad when the needle is aligned using the pad in the integrated circuit chip is stored as an initial position, and the probing process is performed with respect to the stored position. It is preferable to determine the amount and direction of deviation during the test. Thus, since the fine adjustment of the alignment can be performed while checking the contact position of the probe, the labor required for the alignment can be greatly reduced as compared with the conventional visual alignment operation. In addition, it is possible to determine the shift amount and the shift direction in real time.
In addition to this, it is preferable to perform a warning / warning display when the amount of deviation from the initial position exceeds a predetermined size. This allows early detection of misalignment during the test.
また、上記目的を達成するため、本発明は、第3の態様として、上記本発明の第1の態様にかかる半導体装置の検査装置の検査方法であって、アライメント用パッドのいずれかの矩形パッドに対して、検査試験機によって定められた所定の電圧をアライメント用プローブを介して印加し、アライメント検出用パッドのいずれにおいて電圧が検出されるかに基づいて、集積回路チップ内のパッドを検査するための接触子の摩耗量を測定することを特徴とする半導体装置の検査装置の検査方法を提供するものである。 In order to achieve the above object, according to a third aspect of the present invention, there is provided an inspection method for an inspection apparatus for a semiconductor device according to the first aspect of the present invention. On the other hand, a predetermined voltage determined by an inspection test machine is applied via an alignment probe, and the pad in the integrated circuit chip is inspected based on which of the alignment detection pads detects the voltage. Therefore, the present invention provides an inspection method for an inspection apparatus for a semiconductor device, characterized by measuring a wear amount of a contact for the purpose.
本発明の第3の態様においては、接触子の摩耗量のデータを蓄積し、該蓄積したデータに基づいて接触子の交換時期を予測することが好ましい。 In the third aspect of the present invention, it is preferable to accumulate contact wear amount data and predict the contact replacement time based on the accumulated data.
本発明によれば、多ピン化や挟ピッチ化を妨げることがなく、プローブが半導体装置のパッドに正確に接触しているか否かを判断できる半導体装置及びその検査方法並びに半導体装置の検査装置の検査方法を提供できる。 According to the present invention, there is provided a semiconductor device that can determine whether or not a probe is accurately in contact with a pad of a semiconductor device, without interfering with an increase in the number of pins or a narrow pitch, and an inspection method for the semiconductor device. An inspection method can be provided.
本発明の好適な実施の形態について説明する。図1に本実施形態に係るLSIチップの構成を示す。LSIチップ2には、通常の入出力端子や電源端子となるパッド3とは別個に、LSIチップ2の近傍のダイシングライン上に専用のアライメントパッド4、6と専用の検出パッド5、7が形成されている。
A preferred embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 shows the configuration of an LSI chip according to this embodiment. In the
図2に、半導体ウェハ1から切り出したLSIチップ2(図1のX部)を示す。
アライメント用パッド4、6と検出用パッド5、7とはダイシングライン領域8上に設けられている。ダイシングライン領域8は、ウェハ内に整列しているチップを個別に切り離すために設けられた領域であり、この領域に基盤の右下部角方向にX側アライメント用パッド4が、右部方向にX側検出用パッド5が設けられている。また、基盤の右上部角方向にY側アライメント用パッド6が、上部方向にY側検出用パッド7が設けられている。
FIG. 2 shows an LSI chip 2 (X portion in FIG. 1) cut out from the semiconductor wafer 1.
The
図3にアライメント用パッドの形状を拡大して示す。
アライメントパッド4、6は同じ形状をしているが、配置方向については90度回転させている。
アライメント用パッドとしては、サイズL2×L3の矩形のパッドをピッチL4の間隔を空けてその長さがL1となるまで配置するとともに、各々のパッドを出力電位取り出し用の検出用パッドに1対1に接続するようにしている。
FIG. 3 shows an enlarged shape of the alignment pad.
The
As the alignment pads, rectangular pads of size L2 × L3 are arranged until the length becomes L1 with an interval of a pitch L4, and each pad has a one-to-one correspondence with a detection pad for extracting output potential. To connect to.
パッド全長L1、矩形パッド長L2は、通常パッド3の一辺の長さに対して、プローブ作成上でのバラツキを考慮した値を加え適宜設定する。矩形パッド幅L3は、プローブ先端径よりも大きく設定し、ピッチサイズL4は、プローブ先端径よりも小さく設定する。
The pad total length L1 and the rectangular pad length L2 are appropriately set by adding a value in consideration of variations in probe production to the length of one side of the
図4にアライメント用パッドと検出用パッドとの接続関係を示す。
アライメント用パッド4のAX〜FXは、検出用パッド5のaX〜fXとそれぞれ1対でチップ内のアルミ配線等で電気的に接続されており、アライメント用パッド4へ電圧を印加した場合、検出用パッド5に電圧が現れるか否かを測定することで、電気的特性試験が可能である。
FIG. 4 shows the connection relationship between the alignment pad and the detection pad.
AX to FX of the
図5に示すように、アライメント用パッド6のAY〜FYと検出用パッド7のaY〜fYもそれぞれ1対でチップ内のアルミ配線等で電気的に接続されており、アライメント用パッド6へ電圧を印加した場合、検出用パッド7に電圧が現れるか否かを測定することで、電気的特性試験が可能である。
As shown in FIG. 5, AY to FY of the
上記電気的特性試験においては、アライメント用パッドの個々の矩形のパッドのいずれかにアライメント用プローブが接触し、電圧が印加される。矩形のパッドを介して検出用パッドのうちどの個別パッドに印加電圧が現れるかを、検出用プローブを接触させ電圧出力を検出し判定することでアライメント精度のずれの程度を判断して半導体装置の位置合わせを行うようにしている。 In the electrical characteristic test, the alignment probe contacts one of the individual rectangular pads of the alignment pad, and a voltage is applied. Which individual pad of the detection pads among the detection pads through the rectangular pad is contacted with the detection probe to detect the voltage output and determine the degree of misalignment of the semiconductor device. Alignment is performed.
次に、LSIチップ2の各パッドをプローブに位置合わせする場合の手順について説明する。
図6に、実際にプローブ9、10、11とLSIチップ2との接触状態を示す。
図7〜図11を用いて、プローブ9が集積回路内パッド3に対してどのように位置ずれした場合にプローブ10がアライメント用パッド4、6及びプローブ11が検出用パッド5、7に対してどのような位置にコンタクトしているかについて説明する。
図7は、チップに対してプローブが上側にずれている状態を示す。図8は、チップに対してプローブが下側にずれている状態を示す。図9は、チップに対してプローブが左側にずれている状態を示す。図10は、チップに対してプローブが右側にずれている状態を示す。図11は、チップに対してプローブが集積回路内パッドを外れた状態を示す。
Next, a procedure for aligning each pad of the
FIG. 6 shows the actual contact state between the
7 to 11, when the probe 9 is displaced with respect to the
FIG. 7 shows a state where the probe is displaced upward with respect to the tip. FIG. 8 shows a state where the probe is displaced downward with respect to the tip. FIG. 9 shows a state in which the probe is shifted to the left with respect to the tip. FIG. 10 shows a state where the probe is displaced to the right with respect to the tip. FIG. 11 shows a state in which the probe is removed from the pads in the integrated circuit with respect to the chip.
テスターでLSIチップ2の各種電気的特性を試験する場合には、テスターに装着されるプローブカードにおいて、通常の入力端子や電源端子となるパッドに接触すべき集積回路内パッド用プローブ9とは別に、アライメント用パッド4、6に対応した専用のアライメントパッド用プローブ10と検出用パッド5、7に対応した専用の検出パッド用プローブ11とを新たに設ける。
When testing various electrical characteristics of the
そして、アライメントパッド用プローブ10がアライメント用パッドに接触した状態になったとき、テスターからアライメントパッド用プローブ10を介してアライメント用パッド4、6に電圧を印加し、その際に検出用パッド5、7のうちのどの個別パッドに電圧値が現れるかを、検出パッド用プローブ11を接触させて電圧値をテスターで検出する。
When the
各アライメントパッド用プローブ10からは、例えば3Vの電圧がアライメント用パッド4、6へ印加される。この数値はあくまでも一例であり、これに限定されるものではない。
From each
図6に示すように、LSIチップ2の位置合わせが正確に行われている場合に、プローブ9の集積回路内パッド3に対するコンタクト位置をXY座標の原点とする。原点では、各アライメント用パッド4、6の矩形パッドCX、CYにのみ個別に接触した状態となる。矩形パッドCX、CYのそれぞれの対となる検出用パッドcX、cYが設けられており、これらはチップ内のアルミ配線などで電気的に接続されている。このため、テスターからアライメントパッド用プローブ10を介してアライメント用パッド4の矩形パッドのCXと、アライメント用パッド6の矩形パッドのCYとに所定の電圧を印加した場合には、検出パッド用プローブ11を介したテスターによって検出用パッド5のcxと、検出用パッド7のcyとに所定の電圧が検出される。
As shown in FIG. 6, when the positioning of the
これに対して、例えば図7のように、LSIチップ2に対して各プローブ9、10、11が僅かに上方にずれているときには、アライメント用プローブ10が接触するアライメント用パッド6の矩形パッドは、CYからBYに変化する。これにより、検出用パッド7に現れる電位が検出される矩形パッドも、cyの位置からbyの位置へ変わる。
このとき、横方向にずれのないアライメント用パッド4は、矩形パッドCXで接触することに変わりはない。よって、検出用パッド5では矩形パッドcxで所定の電圧が検出される。
On the other hand, for example, as shown in FIG. 7, when the
At this time, the
また、図8に示すように、LSIチップに対して各プローブ9、10、11が僅かに下方にずれているときには、アライメント用プローブ10が接触するアライメント用パッド6の矩形パッドは、CYからDYに変わる。これにより、検出用パッド7に現れる電位が検出される矩形パッドもcyからdyに変化する。
このとき、横方向にずれのないアライメント用パッド4の矩形パッドは、矩形パッドCXで接触することに変わりはない。よって、検出用パッド5では矩形パッドcxで所定の電圧が検出される。
As shown in FIG. 8, when the
At this time, the rectangular pad of the
また、図9に示すように、LSIチップ2に対して各プローブ9、10、11が僅かに左方にずれているときには、アライメント用プローブ10が接触するアライメント用パッド4の矩形パッドは、CXからDXに変わる。これにより、検出用パッド5に現れる電位が検出される矩形パッドもcXからdXに変化する。
このとき、上下方向にずれのないアライメント用パッド6は、矩形パッドCYで接触することに変わりはない。よって、検出用パッド7では矩形パッドcyで電圧が検出される。
As shown in FIG. 9, when the
At this time, the
また、図10に示すように、LSIチップ2に対して各プローブ9、10、11が僅かに右方にずれているときには、アライメント用プローブ10が接触するアライメント用パッド4の矩形パッドは、CXからBXに変化する。これにより、検出用パッド5に現れる電位が検出される矩形パッドもcxからbXに変化する。
As shown in FIG. 10, when the
さらに、図11に示すように、LSIチップ2に対して各プローブ9、10、11が極端に左右、上下方向にずれたため、通常の入力端子や電源端子となるパッド3に接触すべきプローブ9がパッド3から外れるときには、アライメント用プローブ10がアライメント用パッド4、6から完全に外れる状態となり、検出用パッド5、7のいずれの矩形パッドにも電圧値は現れない。検出用プローブ11も検出用パッド5、7から外れることから検出パッド用プローブ11を介してテスターで測定される電位は全てオープンとなる。
Further, as shown in FIG. 11, the
なお、このように、アライメント位置が大きくずれた場合には、警告や注意喚起表示を行うころが好ましい。また、プロービング過程をエラー終了するようにしても良い。 As described above, when the alignment position is largely deviated, it is preferable to perform a warning or a warning display. Further, the probing process may be terminated with an error.
また、右斜め上方向、左斜め上方向、右斜め下方向、左斜め下方向、右回転方向、左回転方向にずれた場合も、上記同様にしてアライメント位置ずれを検出する。アライメント位置ずれについて、どの位置の検出パッドから印加電圧が現れるかを表1に示す。 In addition, the alignment position deviation is detected in the same manner as described above even when it is shifted in the diagonally upward right direction, diagonally upward left direction, diagonally downward right direction, diagonally downward left direction, clockwise rotation direction, or counterclockwise rotation direction. Table 1 shows from which detection pad the applied voltage appears with respect to the alignment position deviation.
このように、LSIチップ2に対してプローブ9、10、11の相対的な位置がずれている場合、検出用パッド5、7においては、良好な位置合わせ状態の場合に測定される矩形パッドとは異なった位置の矩形パッドに測定される電圧値が現れる。また、位置ずれの方向及び位置ずれの程度が通常パッド3から外れた場合、検出用パッド5、7に電圧値は現れない。よって、図6〜図11に示すように、検出用パッド5、7内の矩形パッドには、位置ずれ状態に応じた位置に電圧が現れるため、容易に位置ずれの良否、およびその程度(方向及び距離)を判断できる。
As described above, when the relative positions of the
また、プローブ9は経時的に摩耗損滅するが、これが摩耗した場合には、プローブ9を正しく当てたときにアライメント用プローブ10が接触するアライメント用パッド4、6の矩形パッドの位置が変わるため、これによりプローブ9の摩耗の程度を検出可能である。
さらに、摩耗量のデータを蓄積することにより、プローブ9の交換が必要となる時期を予測できる。
Further, the wear of the probe 9 is lost over time, but when this wears, the position of the rectangular pad of the
Furthermore, by accumulating wear amount data, it is possible to predict when the probe 9 needs to be replaced.
なお、上記実施形態は本発明の好適な実施の一例であり、本発明はこれに限定されることはない。
例えば、アライメント用パッド4、6の形状は、上記の例に限定されるものではない。矩形パッドも、上記の例のように6分割(A〜F)するだけでなく、任意の数に分割できる。分割数を増やし、それに対応する検出パッドを設ければ、位置合わせの精度を高められる。
In addition, the said embodiment is an example of suitable implementation of this invention, and this invention is not limited to this.
For example, the shape of the
また、上記の例では、針がセンターにある状態を初期状態としているが、原点が必ずしもセンターになくても、原点に出力されるデータに対してどれだけずれたかを検出することによって、位置ずれを検出できる。 In the above example, the state where the needle is at the center is the initial state. However, even if the origin is not necessarily at the center, the position deviation is detected by detecting how much the data is output to the origin. Can be detected.
このように、本発明は様々な変形が可能である。 As described above, the present invention can be variously modified.
1 半導体ウェハ
2 半導体チップ
3 集積回路内パッド
4、6 アライメント用パッド
5、7 検出用パッド
8 ダイシングライン領域
9 集積回路内パッド用プローブ
10 アライメントパッド用プローブ
11 検出パッド用プローブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (6)
前記複数の集積回路の各々のチップの縦横各方向ごとに、前記チップに対して縦/横方向に直列に整列した複数個の矩形パッドからなり、前記チップの近傍の前記半導体ウェハのダイシングライン領域に配置されたアライメント用パッドと、
アライメント位置検出のために、前記アライメント用パッドの前記矩形パッドのそれぞれと対として形成されたアライメント検出用パッドとを有し、
前記アライメント用パッドとこれと対となる前記アライメント検出用パッドとは、前記半導体ウェハ上に形成された金属配線を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device comprising a semiconductor wafer on which a plurality of integrated circuits are formed,
A dicing line region of the semiconductor wafer in the vicinity of the chip, comprising a plurality of rectangular pads arranged in series in the vertical / horizontal direction with respect to the chip for each vertical and horizontal direction of each chip of the plurality of integrated circuits. An alignment pad arranged in
An alignment detection pad formed as a pair with each of the rectangular pads of the alignment pad for alignment position detection;
The semiconductor device according to claim 1, wherein the alignment pad and the alignment detection pad paired therewith are electrically connected via a metal wiring formed on the semiconductor wafer.
前記アライメント用パッドのいずれかの矩形パッドに対して、検査試験機によって定められた所定の電圧をアライメント用プローブを介して印加し、前記アライメント検出用パッドのいずれにおいて電圧が検出されるかを検査することを特徴とする半導体装置の検査方法。 An inspection method for a semiconductor device according to claim 1,
A predetermined voltage determined by an inspection test machine is applied to any rectangular pad of the alignment pad via an alignment probe, and the alignment detection pad is inspected to detect the voltage. A method for inspecting a semiconductor device.
前記アライメント用パッドのいずれかの矩形パッドに対して、検査試験機によって定められた所定の電圧をアライメント用プローブを介して印加し、前記アライメント検出用パッドのいずれにおいて電圧が検出されるかに基づいて、前記集積回路チップ内のパッドを検査するための接触子の摩耗量を測定することを特徴とする半導体装置の検査装置の検査方法。 An inspection method for an inspection apparatus for a semiconductor device according to claim 1,
A predetermined voltage determined by an inspection and testing machine is applied to any rectangular pad of the alignment pad via an alignment probe, and based on which of the alignment detection pads the voltage is detected. A method for inspecting a semiconductor device inspection apparatus, comprising: measuring a wear amount of a contact for inspecting a pad in the integrated circuit chip.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006250531A JP2008071999A (en) | 2006-09-15 | 2006-09-15 | Semiconductor device, inspection method therefor, and inspection method for inspecting apparatus of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006250531A JP2008071999A (en) | 2006-09-15 | 2006-09-15 | Semiconductor device, inspection method therefor, and inspection method for inspecting apparatus of semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008071999A true JP2008071999A (en) | 2008-03-27 |
Family
ID=39293321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006250531A Withdrawn JP2008071999A (en) | 2006-09-15 | 2006-09-15 | Semiconductor device, inspection method therefor, and inspection method for inspecting apparatus of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008071999A (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101227813B1 (en) | 2011-02-08 | 2013-01-29 | 세크론 주식회사 | Method for probing chips of wafer |
CN103489807A (en) * | 2012-06-13 | 2014-01-01 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Method of test probe alignment control |
US8624619B2 (en) | 2009-07-01 | 2014-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of performing electrical test on same |
US8786303B2 (en) | 2009-08-21 | 2014-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device having a plurality of pads |
WO2018235234A1 (en) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | 新電元工業株式会社 | Contact probe inspection device and control method for contact probe inspection device |
JPWO2018235233A1 (en) * | 2017-06-22 | 2019-06-27 | 新電元工業株式会社 | Contact probe inspection apparatus and control method of contact probe inspection apparatus |
US11099235B1 (en) | 2020-04-07 | 2021-08-24 | Winbond Electronics Corp. | Semiconductor device and method for detecting needle mark shifting |
US11714123B2 (en) | 2020-09-02 | 2023-08-01 | United Semiconductor Japan Co., Ltd. | Probe position monitoring structure and method of monitoring position of probe |
-
2006
- 2006-09-15 JP JP2006250531A patent/JP2008071999A/en not_active Withdrawn
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8624619B2 (en) | 2009-07-01 | 2014-01-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of performing electrical test on same |
US8786303B2 (en) | 2009-08-21 | 2014-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device having a plurality of pads |
KR101227813B1 (en) | 2011-02-08 | 2013-01-29 | 세크론 주식회사 | Method for probing chips of wafer |
CN103489807A (en) * | 2012-06-13 | 2014-01-01 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Method of test probe alignment control |
WO2018235234A1 (en) * | 2017-06-22 | 2018-12-27 | 新電元工業株式会社 | Contact probe inspection device and control method for contact probe inspection device |
JPWO2018235233A1 (en) * | 2017-06-22 | 2019-06-27 | 新電元工業株式会社 | Contact probe inspection apparatus and control method of contact probe inspection apparatus |
JPWO2018235234A1 (en) * | 2017-06-22 | 2019-06-27 | 新電元工業株式会社 | Contact probe inspection apparatus and control method of contact probe inspection apparatus |
US11099235B1 (en) | 2020-04-07 | 2021-08-24 | Winbond Electronics Corp. | Semiconductor device and method for detecting needle mark shifting |
US11714123B2 (en) | 2020-09-02 | 2023-08-01 | United Semiconductor Japan Co., Ltd. | Probe position monitoring structure and method of monitoring position of probe |
US11994556B2 (en) | 2020-09-02 | 2024-05-28 | United Semiconductor Japan Co., Ltd. | Probe position monitoring structure and method of monitoring position of probe |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008071999A (en) | Semiconductor device, inspection method therefor, and inspection method for inspecting apparatus of semiconductor device | |
JP2005333128A (en) | Probe pad, substrate having semiconductor device, method of testing semiconductor device and tester for testing semiconductor device | |
JP4571076B2 (en) | Inspection equipment for semiconductor devices | |
CN211348521U (en) | Test system | |
JP5438572B2 (en) | Probe card inspection apparatus, inspection method and inspection system | |
KR20090032174A (en) | Miss align preventing pattern and method thereof between probe card niddle and pad | |
KR101227547B1 (en) | Probe card | |
US10768206B2 (en) | Loop-back probe test and verification method | |
CN102023236A (en) | Test structure and test method | |
JP2005315775A (en) | Four-terminal inspection method and four-terminal inspection jig using single-sided transfer probe | |
JP2006261391A (en) | Semiconductor device and its inspection method | |
KR20090030429A (en) | Method of aligning probes and apparatus for aligning probes | |
JP2007067008A (en) | Probing method for semiconductor inspection | |
JP2006318965A (en) | Method and apparatus for inspecting semiconductor device | |
JP2004342676A (en) | Method and device for inspecting semiconductor wafer | |
JP2007012709A (en) | Semiconductor inspection device, and inspection method of semiconductor device | |
JP5463198B2 (en) | Probe card inspection method and inspection system | |
TWI735915B (en) | A wafer probe card integrated with a light source facing a device under test side and method of manufacturing | |
JP2007214392A (en) | Semiconductor wafer and wafer-probing method | |
JP4137082B2 (en) | Semiconductor device testing equipment | |
JPH09260443A (en) | Semiconductor device and testing thereof | |
JP2007157955A (en) | Probe card, and measuring method and inspection apparatus using same | |
KR101313555B1 (en) | Apparatus For Testing Isolator Mounted PCB | |
KR100701374B1 (en) | Method for iddq failure analysis of semiconductor device | |
CN112201644A (en) | Semiconductor device and inspection method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20091201 |