JPH0837211A - Testing equipment of semiconductor device - Google Patents

Testing equipment of semiconductor device

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JPH0837211A
JPH0837211A JP17385194A JP17385194A JPH0837211A JP H0837211 A JPH0837211 A JP H0837211A JP 17385194 A JP17385194 A JP 17385194A JP 17385194 A JP17385194 A JP 17385194A JP H0837211 A JPH0837211 A JP H0837211A
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JP
Japan
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probe
wafer
wafer stage
electrode
position
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Application number
JP17385194A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Yamamoto
広明 山本
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
日立北海セミコンダクタ株式会社
株式会社日立製作所
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To increase the positioning accuracy of a probe and the work efficiency and provide a method for detecting the life of a probe card. CONSTITUTION:This equipment is provided with an image pick-up means or a camera 14 which picks up an image of a probe 6a on a wafer stage 7 from downward, an image processing mechanism 15 which preliminarily stores the position on the wafer stage of an electric pad which a probe test is to be made for and displays simultaneously the image information about the probe 6a which the camera picks up the image of and the position of the electric pad, and a setup control mechanism which moves the wafer stage and corrects the position of the electric pad when it receives the detected numerical information about the deviation in position between the probe 6a and the electrode pad.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造分野に関するものであり、特に半導体装置のテスティング技術に利用して有効なものである。 The present invention relates generally relates to a semiconductor device manufacturing field, it is effective in particular utilized in testing technique for a semiconductor device.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体装置の電気的特性を、半導体ウエハに回路形成された段階でテスティングする際には、所謂プローバが用いられている。 The electrical characteristics of a semiconductor device, when testing at the stage having a circuit formed on a semiconductor wafer, have been used so-called prober. プローバは、半導体ウエハに形成された個々の半導体チップに設けられた外部接続用電極(電極パッド)と針状又はバンプ状のプローブ用電極とをコンタクトさせ、テスタと連動して半導体チップを自動的にテストするための設備である。 Prober an external connection electrode provided on the individual semiconductor chips formed on a semiconductor wafer (electrode pad) and the needle-like or bump-like probe electrode is contact, automatically the semiconductor chip in conjunction with the tester it is a facility for testing to.

【0003】プローバの機構は、ローダ部、アライメント部、プロービング部、制御部に大別される。 [0003] The prober of the mechanism, the loader unit, alignment unit, probing part, is roughly divided into the control unit. ウエハ供給用ローダにセットされた半導体ウエハは、ウエハ搬送ベルト等によってアライメント部ヘ搬送され、位置決めされる。 Semiconductor wafer set in the wafer supply loader is conveyed alignment unit F by the wafer transfer belt or the like, is positioned. その後プロービング部ヘ移動し、個々の半導体チップの電極パッドにプローブ用電極、例えばプローブ針をコンタクトさせ、プローバと連動しているテスタによってその電気的特性を測定する。 Thereafter probing unit to F moves, the probe electrode to the electrode pads of each semiconductor chip, for example, a probe needle is contact, to measure its electrical properties by the tester which in conjunction with the prober. 従来、プローブ針をコンタクトする際のセットアップは、図6に示すように、実際にプロービングを行うウエハと同じチップパターン25及びパッドパターン26が描かれたアルミニウム製のダミーウエハ24に針跡27を付け、作業者が目視にて確認し、X、Y、Z及びθ方向のずれをウエハステージを動かすことにより補正している。 Traditionally, setting up the time of contact of the probe needles, as shown in FIG. 6, actually put needle mark 27 on aluminum dummy wafer 24 where the same chip patterns 25 and the pad pattern 26 and the wafer is drawn to perform probing, operator was visually observed, X, Y, is corrected by the Z and θ direction deviation move the wafer stage.

【0004】また、プローブカードの寿命の検知については、作業者によって摩耗量を予測して、プローブカードの交換を行うという状況となっている。 Further, for the detection of the life of the probe card, and predicts a wear amount by the operator, and has a status of performing exchange of the probe card.

【0005】尚、プローバに関しては、例えば特開昭6 [0005] It should be noted that, with regard to the prober, for example, JP-6
1−131541号公報等に記載されている。 It is described in 1-131541 Patent Publication.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】半導体装置の多機能化に伴って年々微細化が進み、多ピン化、電極パッドの小面積化してくると、ウエハテスト用のプローブカード内のプローブ針数も増加の一途にある。 Every year progressed miniaturization with the multifunctional semiconductor device [0005], the number of pins and come to a small area of ​​the electrode pad, also probe number within a probe card for wafer testing in the increasing. ところが上記の方法では、ダミーウエハを用いて間接的にプローブ針の位置を確認するため、位置合わせの精度向上を図ることが困難になりつつあり、作業効率の点でもその向上が難しくなっている。 However, in the above method, to confirm the position of indirect probes using dummy wafers, is becoming difficult to improve the precision of the alignment, the improvement in terms of the work efficiency is difficult. さらに、プローブカードの寿命の検知についても、上記の方法では、作業者の予測が一定しないため、最悪の場合、検査時の歩留異常により初めてプローブカードの寿命が発覚するという問題がある。 Furthermore, the detection of the life of the probe card also, in the above method, since no constant operator's prediction, in the worst case, there is a problem that the first time the life of the probe card is discovered by yield abnormality during a test.

【0007】そこで本発明の目的は、プローブ針の位置合わせの精度向上及び作業効率の向上を図ることにある。 [0007] Accordingly, an object of the present invention is to improve the accuracy and efficiency of the alignment of the probe needle.

【0008】本発明の他の目的は、プローブカードの寿命の検知方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a method for detecting the life of the probe card. 本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。 To briefly explain the summary of typical inventions among the inventions disclosed in the present application Means for Solving the Problems], it is as follows. すなわち、半導体装置の電気的特性を計測するテスタと、半導体ウエハを載置し、X方向及びY方向及びZ方向及びθ方向に移動可能なウエハステージと、前記テスタに接続され、前記半導体ウエハに形成された個々の半導体チップの電極パッドへ接触させて、 That is, a tester for measuring electrical characteristics of the semiconductor device, placing the semiconductor wafer, and the X and Y directions and the Z direction and the θ direction movable wafer stage, is connected to the tester, the semiconductor wafer formed by contacting the individual semiconductor chips electrode pads,
前記テスタと前記半導体チップとの電気的導通を図るためのプローブ用電極を有するプローブカードとを備えた半導体装置の検査装置であって、前記ウエハステージに設けられ前記プローブ用電極を下方から撮像する撮像手段と、該撮像手段が撮像した前記プローブ用電極の画像情報と予め記憶された電気的測定を行うべきウエハの電極パッドの前記ウエハステージ上での位置とを同時に表示可能な画像処理手段とを設けるものである。 An inspection apparatus of a semiconductor device that includes a probe card having a probe electrode for establishing electrical conduction between the semiconductor chip and the tester, for imaging the probe electrode from below is provided on the wafer stage imaging means, and can simultaneously display the image processing means and the position on the wafer stage of the electrode pads of the wafer to make electrical measurements imaging means previously stored image information of the probe electrode captured it is intended to provide.

【0010】 [0010]

【作用】上記手段によると、撮像手段及び画像処理手段によって、プローブ用電極の画像情報と予め記憶された電気的測定を行うべきウエハの電極パッドのウエハステージ上での位置とを同時に表示可能なので、プローブ用電極と電極パッドとの位置ずれ量を画像により直接確認しながら補正できる。 According to the action-mentioned means, by the imaging means and image processing means, so capable of displaying the position on the wafer stage of a wafer electrode pad to make electrical measurements previously stored image information of the probe electrode at the same time , it can be corrected while checking directly the positional deviation between the electrode and the electrode pad for probe by the image. 従って、プローブ電極の位置合わせの精度向上及び作業効率の向上を図ることができる。 Therefore, it is possible to improve the accuracy and efficiency of the alignment of the probe electrodes.
また、プローブ電極の位置合わせ毎にプローブ電極の摩耗量を画像により直接確認できるため、プローブカードの寿命の検知を容易に行うことができる。 Further, since it confirmed directly by wear amount an image of the probe electrode for each alignment of the probe electrodes, it is possible to easily detect the life of the probe card. 更に、針先に付着した異物を画像により容易に発見できる。 Furthermore, the foreign matter adhering to the probe tip can be easily found by the image.

【0011】 [0011]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図1乃至図2を用いて説明する。 EXAMPLES Hereinafter, a description will be given of an embodiment of the present invention with reference to FIG. 1 to FIG.

【0012】図1に、本発明のプローバ1の概略を、また、図2にプロービング部2の拡大図を示す。 [0012] Figure 1, a schematic of the prober 1 of the present invention, also shows an enlarged view of a probing portion 2 in FIG. プローバ1は、ローダ部3、アライメント部4、プロービング部2、制御部(図示せず)に大別される。 Prober 1, the loader unit 3, the alignment unit 4, probing portion 2 is roughly divided into the control unit (not shown). ローダ部3では、ウエハ供給用ローダ10からプロービング部2へのウエハ5の搬送と、プローブテストを終了したウエハ5 The loader unit 3, and the transfer of the wafer 5 to the probing unit 2 from the wafer supply loader 10, the wafer 5 which has finished the probe test
のウエハ収納用ローダ11への収納を行う。 Carry out the storage of the wafer storage for the loader 11. アライメント部4では、ウエハ5のオリエンテーションフラツトの検出と方向を決めるプリアライメントと、より位置精度の高いプロービングを行うためにウエハ5の平行合わせを行うファインアライメントを行う。 The alignment unit 4, performs a pre-alignment for determining the detection and direction of orientation hula bracts of the wafer 5, the fine alignment to perform parallel alignment of the wafer 5 in order to perform with higher positional accuracy probing. プロービング部2 Probing unit 2
では、ウエハ5内の個々の半導体チップをテストするために、ウエハのZ/Y軸方向の移動と、半導体チップ内の電極パッドとプローブ用電極との接触を全チップに対し自動的に行う。 In order to test the individual semiconductor chips in the wafer 5, the movement of the Z / Y-axis direction of the wafer, automatically performed to all the chips contact between the electrode pad and the probe electrode in a semiconductor chip. プロービング部2は、主にウエハステージ7、テスタ測定系13からなり、テスタ測定系13 Probing unit 2 is composed mainly wafer stage 7, the tester measurement system 13, tester measurement system 13
には、測定する半導体チップの電極パッドに対応してプローブ用電極、例えばタングステン鋼からなるプローブ針6aが立てられたプローブカード6がセットされる。 The measurement is a semiconductor chip electrode pads corresponding to the probe electrode, for example, a probe card 6 probe needle 6a is erected consisting of tungsten steel is set.

【0013】本発明では、ウエハステージ7にプローブ針6aを下方から撮像する撮像手段、すなわちカメラ1 [0013] In the present invention, imaging means for imaging the probe needles 6a from below the wafer stage 7, i.e. camera 1
4と、プローブテストを行うべきウエハの電極パッドのウエハステージ上での位置とを予め記憶しておき、カメラ14が撮像したプローブ針6aの画像情報と同時に表示可能な画像処理機構15、及び画像処理機構15において検出されたプローブ針6aと電極パッドとの位置ずれの数値情報を入力することによりウエハステージを移動させて位置を補正するセットアップ制御機構とを設けている。 4 and stores the position on the wafer stage of the electrode pads of the wafer to be subjected to a probe test in advance, the camera 14 can simultaneously display the image information of the probe needle 6a captured the image processing mechanism 15, and an image and a setup control mechanism to correct the position by moving the wafer stage is provided by entering the numerical information of the positional deviation between the detected probe needle 6a and the electrode pads in the processing mechanism 15. カメラ14は、ウエハステージ7の表面に設けた小窓を介して内部に設けており、ウエハステージ7の外部に設けた画像処理機構15に接続している。 The camera 14 is provided inside through the small window provided on the surface of the wafer stage 7 is connected to the image processing mechanism 15 provided outside the wafer stage 7. 画像処理機構15は、カメラ14が撮像する画像情報を表示する機能、プローブテストを行うべきウエハの電極パッドのウエハステージ7上での位置とを予め記憶しておく機能、プローブ針6aの画像情報と電極パッドの位置、及びそれらの位置ずれの数値情報とを同時に表示する機能とを有している。 The image processing system 15 has a function of the camera 14 to display the image information to be imaged, the position and the previously stored to keep feature on the wafer stage 7 of the electrode pads of the wafer to be subjected to a probe test, the image information of the probe needle 6a position of the electrode pad, and a function to display the numerical information of their position shift at the same time have a. また、画像処理機構15には、ウエハステージ7の移動を制御するウエハステージ制御機構1 Further, the image processing mechanism 15, the wafer stage control system 1 for controlling the movement of the wafer stage 7
6を連動させている。 And by linking the 6. すなわち、画像処理機構15からウエハステージ制御機構16に、プローブ針6aと電極パッドとの各方向成分ごとの位置ずれ量を入力することにより、ウエハステージ制御機構16はウエハステージ7を各方向成分ごとの位置ずれ量を移動させる。 That is, the image processing mechanism 15 to the wafer stage control system 16, by inputting the positional deviation amount for each direction component of the probe needle 6a and the electrode pad, the wafer stage control system 16 and the wafer stage 7 for each direction component moving the positional displacement amount. この方法によりセットアップの自動化を図ることができる。 This method can be automated setup.

【0014】本発明ではまた、プローブ針6aに摩耗することにより寿命を検知することが可能なセンサ、すなわち摩耗検知用溝6bを設けている。 [0014] In the present invention, and sensors that can detect the life, i.e., the wear-detection groove 6b provided by wear to the probe needles 6a. 図4に示すように、摩耗検知用溝6bは、プローブ針6aの先端部に設けられ((a))、プローブ針6aが摩耗した際((b))、その摩耗面に溝断面が現われるように形成されている((c)摩耗面から見た断面図)。 As shown in FIG. 4, the wear detection groove 6b is provided at the tip of the probe needle 6a ((a)), when the probe needle 6a is worn ((b)), it appears trench profile on its wear surface is formed so as ((c) sectional view taken wear surface). この摩耗検知用溝6bを設けたことにより、プローブ針6aの摩耗度を、カメラ14及び画像処理機構15によってセットアップごとに確認することができる。 By providing the wear-detection grooves 6b, the wear of the probe needles 6a, can be checked for each set up by the camera 14 and the image processing mechanism 15.

【0015】次に、本発明のプローバ1を用いたセットアップ方法について説明する。 Next, setup will be described using the prober 1 of the present invention. まず、画像処理機構15 First, the image processing mechanism 15
に、プローブテストを行うべきウエハのウエハステージ7上での位置合わせするチップのサイズ及び電極パッドの位置情報を入力し記憶させる。 To, and inputs and stores the position information of the aligned chip size and the electrode pads on the wafer stage 7 of the wafer to perform the probe test. 次にカメラ14によってプローブ針6aの先端部を撮像し、図3に示すように、チップの輪郭及び電極パッド19の位置と共に画像データを画像処理機構15のモニター画面に表示する。 Then imaging the tip of the probe needle 6a by the camera 14, as shown in FIG. 3, and displays the image data on the monitor screen of the image processing mechanism 15 together with the position of the tip of the contour and the electrode pads 19.
この際、電極パッド19の位置とプローブ針6aの位置とにずれがある場合は、モニターの画面上で電極パッド19の位置を補正する。 At this time, if there is a deviation in the positions of the probe needles 6a of the electrode pads 19, to correct the position of the electrode pad 19 on the screen of the monitor. それに連動してウエハステージ7が移動しセットアップが完了する。 In conjunction with it the wafer stage 7 is moved setup is completed. セットアップを自動で行う場合は、例えば予め位置合わせ用の電極パッド及びプローブ針を任意に2つずつ設定しておき、それぞれの位置ずれ量を座標上で検知し、位置ずれ量を0にするようにウエハステージ制御機構16を作動させる。 When setting up an automatic, for example you set in advance the electrode pad and the probe needle for alignment by two optionally, each of the positional deviation amount detected by the coordinates, to the positional deviation amount to zero actuating a wafer stage control mechanism 16. これにより、セットアップの自動化を図ることができる。 Thus, it is possible to automate the setup.

【0016】以下、本発明の作用効果について説明する。 [0016] The following is a description of the operation effects of the present invention.

【0017】(1)ウエハステージに設けられプローブ用電極を下方から撮像する撮像手段と、撮像手段が撮像したプローブ用電極の画像情報と予め記憶された電気的測定を行うべきウエハの電極パッドのウエハステージ上での位置とを同時に表示可能な画像処理手段とを設けたことにより、撮像手段及び画像処理手段によって、プローブ用電極の画像情報と予め記憶された電気的測定を行うべきウエハの電極パッドのウエハステージ上での位置とを同時に表示可能なので、プローブ用電極と電極パッドとの位置ずれ量を画像により直接確認しながら補正できる。 [0017] (1) an imaging unit for imaging the probe electrode is provided on the wafer stage from below, the imaging means of the wafer electrode pad to make electrical measurements previously stored image information of the probe electrode captured by the position on the wafer stage it was simultaneously provided a displayable image processing means, the imaging means and image processing means, the wafer electrodes to make electrical measurements previously stored image information of the probe electrode since at the same time it can be displayed and a position on the wafer stage of the pad, can be corrected while checking directly the positional deviation between the electrode and the electrode pad for probe by the image. 従って、プローブ電極の位置合わせの精度向上及び作業効率の向上を図ることができる。 Therefore, it is possible to improve the accuracy and efficiency of the alignment of the probe electrodes. また、プローブ電極の位置合わせ毎にプローブ電極の摩耗量を画像により直接確認できるため、プローブカードの寿命の検知を容易に行うことができる。 Further, since it confirmed directly by wear amount an image of the probe electrode for each alignment of the probe electrodes, it is possible to easily detect the life of the probe card. 更に針先に付着した異物を画像により容易に発見することができる。 Furthermore it is possible to easily find the foreign matter images adhering to the needle tip.

【0018】(2)画像処理手段を、プローブ用電極の画像情報を取り込み、予め記憶された電気的測定を行うべきウエハの電極パッドのウエハステージ上での位置とプローブ用電極との任意の2点間の位置ずれ量を数値にて表示可能としたことにより、数値補正により位置ずれを補正することができるので、プローブ電極の位置合わせの精度を尚一層向上させることができる。 [0018] (2) an image processing unit, the probe electrode image information capture, any between the position and the probe electrode on the wafer stage of a wafer electrode pad to make electrical measurements previously stored 2 by which enables displaying a position shift amount between the points at numbers, it is possible to correct the positional deviation by numerical correction can still further improve the accuracy of the alignment of the probe electrodes.

【0019】(3)画像処理手段には、位置ずれ量を入力することによりウエハステージを移動させて位置を補正するセットアップ制御手段が接続されていることにより、セットアップの自動化を図ることができる。 [0019] (3) The image processing means, by the setup control means for correcting the position by moving the wafer stage by inputting the positional deviation amount is connected, it is possible to automate the setup.

【0020】(4)プローブ電極に、摩耗することにより寿命を検知することが可能なセンサを設けたことにより、プローブカードの寿命を容易に検知することができる。 [0020] (4) the probe electrodes, by providing a sensor capable of sensing the life by wear, can easily detect the life of the probe card.

【0021】以上、本発明者によって、なされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。 [0021] While the present inventors, the invention made has been concretely described based on examples, the present invention is not limited to the above embodiments, various modifications possible without departing from its spirit there it is needless to say.

【0022】例えば、上記実施例では、カメラでプローブ針を直接撮像していたが、図5(a)に示すように、 [0022] For example, the above embodiment is not imaging the probe needles directly at the camera, as shown in FIG. 5 (a),
ミラー22を用いて、あるいは(b)に示すようにプリズム23を用いて、別角度から撮像してもよい。 Using mirror 22, or by using a prism 23 (b), the may be captured from different angles. また、 Also,
プローブ針を接触させることにより、接触した点を電気的に記憶するパッドを、ウエハステージ上に設けてもよい。 By contacting the probe needles, the pad for electrically storing the points of contact, may be provided on the wafer stage. この場合、パッド表面をマトリクス状に形成された感知手段、例えば、多数個配列させたスイッチで構成すると実現できる。 In this case, sensing means formed of the pad surface in a matrix, for example, be realized that a switch which is a large number sequence.

【0023】 [0023]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。 To briefly explain advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application, according to the present invention, it is as follows.

【0024】すなわち、ウエハステージに設けられプローブ用電極を下方から撮像する撮像手段と、撮像手段が撮像した前記プローブ用電極の画像情報と予め記憶された電気的測定を行うべきウエハの電極パッドのウエハステージ上での位置とを同時に表示可能な画像処理手段とを設けたことにより、撮像手段及び画像処理手段によって、プローブ用電極の画像情報と予め記憶された電気的測定を行うべきウエハの電極パッドのウエハステージ上での位置とを同時に表示可能なので、プローブ用電極と電極パッドとの位置ずれ量を画像により直接確認しながら補正できる。 [0024] That is, an imaging unit for imaging the probe electrode is provided on the wafer stage from below, the imaging means of the wafer electrode pad to make electrical measurements previously stored image information of the probe electrode captured by the position on the wafer stage it was simultaneously provided a displayable image processing means, the imaging means and image processing means, the wafer electrodes to make electrical measurements previously stored image information of the probe electrode since at the same time it can be displayed and a position on the wafer stage of the pad, can be corrected while checking directly the positional deviation between the electrode and the electrode pad for probe by the image. 従って、プローブ電極の位置合わせの精度向上及び作業効率の向上を図ることができる。 Therefore, it is possible to improve the accuracy and efficiency of the alignment of the probe electrodes. また、 Also,
プローブ電極の位置合わせ毎にプローブ電極の摩耗量を画像により直接確認できるため、プローブカードの寿命の検知を容易に行うことができる。 Because be confirmed directly by an image the wear of the probe electrode for each alignment of the probe electrodes, it is possible to easily detect the life of the probe card. 更に針先に付着した異物を画像により容易に発見することができるものである。 Those that can be further easily found by adhering foreign matter images in the needle tip.

【0025】 [0025]

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施例であるプローバ1の概略を示す図である。 1 is a diagram schematically showing the prober 1 is an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例であるプローバ1に有するプロービング部2の拡大図を示す図である。 2 is a diagram showing an enlarged view of a probing portion 2 having the prober 1, which is an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例であるセットアップ方法におけるプローブ針の画像データと電極パッドとの位置関係を示したモニター画面の状態を示す図である。 3 is a diagram showing a state of the monitor screen showing the positional relationship between the image data and the electrode pads of the probe needles in the set-up method according to an embodiment of the present invention.

【図4】(a)は、本発明のプローブ針の先端部を示す図である。 4 (a) is a diagram showing the tip of the probe needle of the present invention. (b)は、(a)のプローブ針の先端部が摩耗した状態を示す図である。 (B) is a diagram showing a state where the tip of the probe needle is worn in (a). (c)は、摩耗した状態を下方から見た図である。 (C) is a view of the worn state from below.

【図5】(a)は、本発明のプロービング部にミラーを用いたウエハステージを示す図である。 5 (a) is a diagram showing a wafer stage using a mirror to probing of the present invention. (b)は、本発明のプロービング部にプリズムを用いたウエハステージを示す図である。 (B) is a diagram showing a wafer stage using a prism probing portion of the present invention.

【図6】従来のプローブセットアップの方法を示す図である。 6 is a diagram illustrating a conventional method of probe setup.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1……プローバ,2……プロービング部,3……ローダ部,4……アライメント部,5……ウエハ,6……プローブカード,6a……プローブ針,7……ウエハステージ,8……アライメント光学系,9……テスタ,10… 1 ...... prober, 2 ...... probing unit, 3 ...... loader unit, 4 ...... alignment unit, 5 ...... wafer, 6 ...... probe card, 6a ...... probe needles, 7 ...... wafer stage, 8 ...... alignment optical system, 9 ...... tester, 10 ...
…ウエハ供給用ローダ,11……ウエハ収納用ローダ, ... wafer supply for the loader, 11 ...... wafer storage for loader,
12……ウエハ搬送ベルト,13……テスタ測定系,1 12 ...... wafer transfer belt, 13 ...... tester measurement system, 1
4……カメラ,15……画像処理機構,16……ウエハステージ制御機構,17……ウエハステージ作動機構, 4 ...... camera, 15 ...... image processing mechanism, 16 ...... wafer stage control mechanism, 17 ...... wafer stage operating mechanism,
18……小窓,19……電極パッド位置,20……角度ずれ表示,21……位置ずれ表示,22……ミラー,2 18 ...... small window, 19 ...... electrode pad position, 20 ...... angular deviation display, 21 ...... misalignment display, 22 ...... mirrors, 2
3……プリズム,24……ダミーウエハ,25……チップパターン,26……パッドパターン,27……針跡 3 ...... prism, 24 ...... dummy wafer, 25 ...... chip pattern, 26 ...... pad patterns, 27 ...... needle trace

Claims (4)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】半導体装置の電気的特性を計測するテスタと、半導体ウエハを載置し、X方向及びY方向及びZ方向及びθ方向に移動可能なウエハステージと、前記テスタに接続され、前記半導体ウエハに形成された個々の半導体チップの電極パッドへ接触させて、前記テスタと前記半導体チップとの電気的導通を図るためのプローブ用電極を有するプローブカードとを備えた半導体装置の検査装置であって、前記ウエハステージに設けられ前記プローブ用電極を下方から撮像する撮像手段と、該撮像手段が撮像した前記プローブ用電極の画像情報と予め記憶された電気的測定を行うべきウエハの電極パッドの前記ウエハステージ上での位置とを同時に表示可能な画像処理手段とを設けたことを特徴とする半導体装置の検査装置。 And 1. A tester for measuring electrical characteristics of the semiconductor device, placing the semiconductor wafer, and the X and Y directions and the Z direction and the θ direction movable wafer stage, is connected to the tester, the by contacting the individual semiconductor chips electrode pads formed on the semiconductor wafer, an inspection apparatus for a semiconductor device that includes a probe card having a probe electrode for establishing electrical conduction between the said tester semiconductor chip there, the imaging means for imaging the probe electrode from below is provided on the wafer stage, the wafer of the electrode pads to make electrical measurements previously stored image information of the probe electrode for imaging means has captured inspection apparatus for a semiconductor device comprising: the position on the wafer stage and simultaneously displayable image processing means, characterized in that the provided.
  2. 【請求項2】前記画像処理手段は、前記プローブ用電極の画像情報を取り込み、予め記憶された電気的測定を行うべきウエハの電極パッドの前記ウエハステージ上での位置と前記プローブ用電極との任意の2点間の位置ずれ量を数値にて表示可能であることを特徴とする請求項1 Wherein said image processing means captures the image information of the probe electrode, and the position and the probe electrode on the wafer stage of the electrode pads of the wafer to make electrical measurements previously stored claim, characterized in that it is capable of displaying the positional displacement amount between any two points in numeric 1
    記載の半導体装置の検査装置。 Inspection apparatus for a semiconductor device as claimed.
  3. 【請求項3】前記画像処理手段には、位置ずれ量を入力することにより前記ウエハステージを移動させて位置を補正するセットアップ制御手段が接続されていることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の検査装置。 The method according to claim 3, wherein said image processing unit, according to claim 1 or 2, wherein the setup control means for correcting the position by moving the wafer stage by inputting the positional deviation amount is connected inspection apparatus of a semiconductor device.
  4. 【請求項4】前記プローブ電極には、摩耗することにより寿命を検知することが可能なセンサを設けたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置の検査装置。 Wherein said probe electrode, the inspection apparatus for a semiconductor device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that a sensor capable of detecting the life by wear .
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