JPH0837211A - Testing equipment of semiconductor device - Google Patents

Testing equipment of semiconductor device

Info

Publication number
JPH0837211A
JPH0837211A JP17385194A JP17385194A JPH0837211A JP H0837211 A JPH0837211 A JP H0837211A JP 17385194 A JP17385194 A JP 17385194A JP 17385194 A JP17385194 A JP 17385194A JP H0837211 A JPH0837211 A JP H0837211A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
wafer
wafer stage
image
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17385194A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Yamamoto
広明 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Priority to JP17385194A priority Critical patent/JPH0837211A/en
Publication of JPH0837211A publication Critical patent/JPH0837211A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

PURPOSE:To increase the positioning accuracy of a probe and the work efficiency and provide a method for detecting the life of a probe card. CONSTITUTION:This equipment is provided with an image pick-up means or a camera 14 which picks up an image of a probe 6a on a wafer stage 7 from downward, an image processing mechanism 15 which preliminarily stores the position on the wafer stage of an electric pad which a probe test is to be made for and displays simultaneously the image information about the probe 6a which the camera picks up the image of and the position of the electric pad, and a setup control mechanism which moves the wafer stage and corrects the position of the electric pad when it receives the detected numerical information about the deviation in position between the probe 6a and the electrode pad.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造分野に
関するものであり、特に半導体装置のテスティング技術
に利用して有効なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the field of semiconductor device manufacturing, and is particularly effective when applied to semiconductor device testing technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の電気的特性を、半導体ウエ
ハに回路形成された段階でテスティングする際には、所
謂プローバが用いられている。プローバは、半導体ウエ
ハに形成された個々の半導体チップに設けられた外部接
続用電極(電極パッド)と針状又はバンプ状のプローブ
用電極とをコンタクトさせ、テスタと連動して半導体チ
ップを自動的にテストするための設備である。
2. Description of the Related Art A so-called prober is used when testing the electrical characteristics of a semiconductor device at the stage when a circuit is formed on a semiconductor wafer. The prober contacts the external connection electrodes (electrode pads) provided on the individual semiconductor chips formed on the semiconductor wafer with the needle-shaped or bump-shaped probe electrodes, and automatically connects the semiconductor chips with the tester. It is a facility for testing.

【0003】プローバの機構は、ローダ部、アライメン
ト部、プロービング部、制御部に大別される。ウエハ供
給用ローダにセットされた半導体ウエハは、ウエハ搬送
ベルト等によってアライメント部ヘ搬送され、位置決め
される。その後プロービング部ヘ移動し、個々の半導体
チップの電極パッドにプローブ用電極、例えばプローブ
針をコンタクトさせ、プローバと連動しているテスタに
よってその電気的特性を測定する。従来、プローブ針を
コンタクトする際のセットアップは、図6に示すよう
に、実際にプロービングを行うウエハと同じチップパタ
ーン25及びパッドパターン26が描かれたアルミニウ
ム製のダミーウエハ24に針跡27を付け、作業者が目
視にて確認し、X、Y、Z及びθ方向のずれをウエハス
テージを動かすことにより補正している。
The mechanism of the prober is roughly classified into a loader section, an alignment section, a probing section, and a control section. The semiconductor wafer set on the wafer supply loader is transferred to the alignment unit by the wafer transfer belt or the like and positioned. After that, the probe electrode, for example, a probe needle is brought into contact with the electrode pad of each semiconductor chip by moving to the probing portion, and the electrical characteristics of the probe electrode are measured by a tester working in conjunction with the prober. Conventionally, as shown in FIG. 6, a setup for contacting a probe needle is performed by attaching a needle mark 27 to an aluminum dummy wafer 24 on which the same chip pattern 25 and pad pattern 26 as the wafer to be actually probed are drawn. The operator visually confirms and corrects the deviations in the X, Y, Z, and θ directions by moving the wafer stage.

【0004】また、プローブカードの寿命の検知につい
ては、作業者によって摩耗量を予測して、プローブカー
ドの交換を行うという状況となっている。
Further, regarding the detection of the life of the probe card, the operator is expected to predict the amount of wear and replace the probe card.

【0005】尚、プローバに関しては、例えば特開昭6
1−131541号公報等に記載されている。
Regarding the prober, for example, Japanese Patent Laid-Open No.
It is described in Japanese Patent Publication No. 1-131541.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】半導体装置の多機能化
に伴って年々微細化が進み、多ピン化、電極パッドの小
面積化してくると、ウエハテスト用のプローブカード内
のプローブ針数も増加の一途にある。ところが上記の方
法では、ダミーウエハを用いて間接的にプローブ針の位
置を確認するため、位置合わせの精度向上を図ることが
困難になりつつあり、作業効率の点でもその向上が難し
くなっている。さらに、プローブカードの寿命の検知に
ついても、上記の方法では、作業者の予測が一定しない
ため、最悪の場合、検査時の歩留異常により初めてプロ
ーブカードの寿命が発覚するという問題がある。
As semiconductor devices become more multifunctional and miniaturization progresses year by year, the number of pins increases and the area of electrode pads decreases, so does the number of probe needles in a probe card for wafer testing. It is increasing. However, in the above method, since the position of the probe needle is indirectly confirmed by using the dummy wafer, it is becoming difficult to improve the accuracy of alignment, and it is difficult to improve the work efficiency. Further, regarding the detection of the life of the probe card, in the above method, the prediction of the operator is not constant, and in the worst case, there is a problem that the life of the probe card is discovered only due to the yield abnormality at the time of inspection.

【0007】そこで本発明の目的は、プローブ針の位置
合わせの精度向上及び作業効率の向上を図ることにあ
る。
Therefore, an object of the present invention is to improve the accuracy of alignment of the probe needle and the work efficiency.

【0008】本発明の他の目的は、プローブカードの寿
命の検知方法を提供することにある。 本発明の前記並
びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び
添付図面から明らかになるであろう。
Another object of the present invention is to provide a method for detecting the life of a probe card. The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
のとおりである。すなわち、半導体装置の電気的特性を
計測するテスタと、半導体ウエハを載置し、X方向及び
Y方向及びZ方向及びθ方向に移動可能なウエハステー
ジと、前記テスタに接続され、前記半導体ウエハに形成
された個々の半導体チップの電極パッドへ接触させて、
前記テスタと前記半導体チップとの電気的導通を図るた
めのプローブ用電極を有するプローブカードとを備えた
半導体装置の検査装置であって、前記ウエハステージに
設けられ前記プローブ用電極を下方から撮像する撮像手
段と、該撮像手段が撮像した前記プローブ用電極の画像
情報と予め記憶された電気的測定を行うべきウエハの電
極パッドの前記ウエハステージ上での位置とを同時に表
示可能な画像処理手段とを設けるものである。
The outline of the representative one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, a tester for measuring the electrical characteristics of a semiconductor device, a wafer stage on which a semiconductor wafer is placed and movable in the X direction, Y direction, Z direction, and θ direction, connected to the tester, and connected to the semiconductor wafer. By contacting the electrode pads of the formed individual semiconductor chips,
A semiconductor device inspection apparatus comprising a tester and a probe card having a probe electrode for electrically connecting the semiconductor chip, wherein the probe electrode provided on the wafer stage is imaged from below. Image pickup means, and image processing means capable of simultaneously displaying the image information of the probe electrodes picked up by the image pickup means and the position on the wafer stage of the electrode pad of the wafer to be subjected to electrical measurement stored in advance. Is provided.

【0010】[0010]

【作用】上記手段によると、撮像手段及び画像処理手段
によって、プローブ用電極の画像情報と予め記憶された
電気的測定を行うべきウエハの電極パッドのウエハステ
ージ上での位置とを同時に表示可能なので、プローブ用
電極と電極パッドとの位置ずれ量を画像により直接確認
しながら補正できる。従って、プローブ電極の位置合わ
せの精度向上及び作業効率の向上を図ることができる。
また、プローブ電極の位置合わせ毎にプローブ電極の摩
耗量を画像により直接確認できるため、プローブカード
の寿命の検知を容易に行うことができる。更に、針先に
付着した異物を画像により容易に発見できる。
According to the above means, the image pickup means and the image processing means can simultaneously display the image information of the probe electrode and the position on the wafer stage of the electrode pad of the wafer to be subjected to the electrical measurement stored in advance. The amount of positional deviation between the probe electrode and the electrode pad can be corrected while directly checking the image. Therefore, the accuracy of alignment of the probe electrodes and the work efficiency can be improved.
Further, since the wear amount of the probe electrode can be directly confirmed by the image every time the probe electrode is aligned, the life of the probe card can be easily detected. Further, the foreign matter attached to the needle tip can be easily found by the image.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図1乃至図2を用
いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0012】図1に、本発明のプローバ1の概略を、ま
た、図2にプロービング部2の拡大図を示す。プローバ
1は、ローダ部3、アライメント部4、プロービング部
2、制御部(図示せず)に大別される。ローダ部3で
は、ウエハ供給用ローダ10からプロービング部2への
ウエハ5の搬送と、プローブテストを終了したウエハ5
のウエハ収納用ローダ11への収納を行う。アライメン
ト部4では、ウエハ5のオリエンテーションフラツトの
検出と方向を決めるプリアライメントと、より位置精度
の高いプロービングを行うためにウエハ5の平行合わせ
を行うファインアライメントを行う。プロービング部2
では、ウエハ5内の個々の半導体チップをテストするた
めに、ウエハのZ/Y軸方向の移動と、半導体チップ内
の電極パッドとプローブ用電極との接触を全チップに対
し自動的に行う。プロービング部2は、主にウエハステ
ージ7、テスタ測定系13からなり、テスタ測定系13
には、測定する半導体チップの電極パッドに対応してプ
ローブ用電極、例えばタングステン鋼からなるプローブ
針6aが立てられたプローブカード6がセットされる。
FIG. 1 shows an outline of a prober 1 of the present invention, and FIG. 2 shows an enlarged view of a probing section 2. The prober 1 is roughly divided into a loader unit 3, an alignment unit 4, a probing unit 2, and a control unit (not shown). In the loader unit 3, the wafer 5 is transferred from the wafer supply loader 10 to the probing unit 2 and the wafer 5 after the probe test is completed.
The wafer is stored in the wafer storage loader 11. The alignment unit 4 performs pre-alignment for detecting the orientation flat of the wafer 5 and determining the direction thereof, and fine alignment for performing parallel alignment of the wafer 5 for probing with higher positional accuracy. Probing section 2
Then, in order to test the individual semiconductor chips in the wafer 5, the movement of the wafer in the Z / Y axis direction and the contact between the electrode pads in the semiconductor chip and the probe electrodes are automatically performed for all the chips. The probing unit 2 mainly includes a wafer stage 7 and a tester measurement system 13, and the tester measurement system 13
A probe card 6 in which a probe electrode, for example, a probe needle 6a made of tungsten steel is erected is set corresponding to the electrode pad of the semiconductor chip to be measured.

【0013】本発明では、ウエハステージ7にプローブ
針6aを下方から撮像する撮像手段、すなわちカメラ1
4と、プローブテストを行うべきウエハの電極パッドの
ウエハステージ上での位置とを予め記憶しておき、カメ
ラ14が撮像したプローブ針6aの画像情報と同時に表
示可能な画像処理機構15、及び画像処理機構15にお
いて検出されたプローブ針6aと電極パッドとの位置ず
れの数値情報を入力することによりウエハステージを移
動させて位置を補正するセットアップ制御機構とを設け
ている。カメラ14は、ウエハステージ7の表面に設け
た小窓を介して内部に設けており、ウエハステージ7の
外部に設けた画像処理機構15に接続している。画像処
理機構15は、カメラ14が撮像する画像情報を表示す
る機能、プローブテストを行うべきウエハの電極パッド
のウエハステージ7上での位置とを予め記憶しておく機
能、プローブ針6aの画像情報と電極パッドの位置、及
びそれらの位置ずれの数値情報とを同時に表示する機能
とを有している。また、画像処理機構15には、ウエハ
ステージ7の移動を制御するウエハステージ制御機構1
6を連動させている。すなわち、画像処理機構15から
ウエハステージ制御機構16に、プローブ針6aと電極
パッドとの各方向成分ごとの位置ずれ量を入力すること
により、ウエハステージ制御機構16はウエハステージ
7を各方向成分ごとの位置ずれ量を移動させる。この方
法によりセットアップの自動化を図ることができる。
In the present invention, the image pickup means for picking up the image of the probe needle 6a on the wafer stage 7 from below, that is, the camera 1
4 and the position of the electrode pad of the wafer to be subjected to the probe test on the wafer stage in advance, and an image processing mechanism 15 capable of displaying the image information of the probe needle 6a captured by the camera 14 at the same time, and an image. There is provided a setup control mechanism for correcting the position by moving the wafer stage by inputting the numerical information of the positional deviation between the probe needle 6a and the electrode pad detected by the processing mechanism 15. The camera 14 is provided inside through a small window provided on the surface of the wafer stage 7, and is connected to an image processing mechanism 15 provided outside the wafer stage 7. The image processing mechanism 15 has a function of displaying image information captured by the camera 14, a function of previously storing the position of the electrode pad of the wafer to be subjected to the probe test on the wafer stage 7, and image information of the probe needle 6a. And a function of simultaneously displaying the position of the electrode pad and the numerical information of the positional deviation thereof. Further, the image processing mechanism 15 includes a wafer stage control mechanism 1 for controlling the movement of the wafer stage 7.
6 is linked. That is, the image processing mechanism 15 inputs the positional deviation amount of each direction component of the probe needle 6a and the electrode pad to the wafer stage control mechanism 16 so that the wafer stage control mechanism 16 causes the wafer stage 7 to move for each direction component. Move the position shift amount of. By this method, the setup can be automated.

【0014】本発明ではまた、プローブ針6aに摩耗す
ることにより寿命を検知することが可能なセンサ、すな
わち摩耗検知用溝6bを設けている。図4に示すよう
に、摩耗検知用溝6bは、プローブ針6aの先端部に設
けられ((a))、プローブ針6aが摩耗した際
((b))、その摩耗面に溝断面が現われるように形成
されている((c)摩耗面から見た断面図)。この摩耗
検知用溝6bを設けたことにより、プローブ針6aの摩
耗度を、カメラ14及び画像処理機構15によってセッ
トアップごとに確認することができる。
The present invention is also provided with a sensor capable of detecting the life of the probe needle 6a by wear, that is, a wear detecting groove 6b. As shown in FIG. 4, the wear detecting groove 6b is provided at the tip of the probe needle 6a ((a)), and when the probe needle 6a is worn ((b)), a groove cross section appears on the worn surface. ((C) a cross-sectional view as seen from the worn surface). By providing the wear detecting groove 6b, the wear degree of the probe needle 6a can be confirmed by the camera 14 and the image processing mechanism 15 for each setup.

【0015】次に、本発明のプローバ1を用いたセット
アップ方法について説明する。まず、画像処理機構15
に、プローブテストを行うべきウエハのウエハステージ
7上での位置合わせするチップのサイズ及び電極パッド
の位置情報を入力し記憶させる。次にカメラ14によっ
てプローブ針6aの先端部を撮像し、図3に示すよう
に、チップの輪郭及び電極パッド19の位置と共に画像
データを画像処理機構15のモニター画面に表示する。
この際、電極パッド19の位置とプローブ針6aの位置
とにずれがある場合は、モニターの画面上で電極パッド
19の位置を補正する。それに連動してウエハステージ
7が移動しセットアップが完了する。セットアップを自
動で行う場合は、例えば予め位置合わせ用の電極パッド
及びプローブ針を任意に2つずつ設定しておき、それぞ
れの位置ずれ量を座標上で検知し、位置ずれ量を0にす
るようにウエハステージ制御機構16を作動させる。こ
れにより、セットアップの自動化を図ることができる。
Next, a setup method using the prober 1 of the present invention will be described. First, the image processing mechanism 15
Then, the size of the chip to be aligned on the wafer stage 7 of the wafer to be subjected to the probe test and the position information of the electrode pad are input and stored. Next, the tip of the probe needle 6a is imaged by the camera 14, and image data is displayed on the monitor screen of the image processing mechanism 15 together with the contour of the tip and the position of the electrode pad 19, as shown in FIG.
At this time, if there is a deviation between the position of the electrode pad 19 and the position of the probe needle 6a, the position of the electrode pad 19 is corrected on the screen of the monitor. In conjunction with this, the wafer stage 7 moves and the setup is completed. When performing the setup automatically, for example, two electrode pads and probe needles for position alignment are arbitrarily set in advance, and the amount of displacement of each is detected on the coordinates, and the amount of displacement is set to 0. Then, the wafer stage control mechanism 16 is operated. As a result, the setup can be automated.

【0016】以下、本発明の作用効果について説明す
る。
The operation and effect of the present invention will be described below.

【0017】(1)ウエハステージに設けられプローブ
用電極を下方から撮像する撮像手段と、撮像手段が撮像
したプローブ用電極の画像情報と予め記憶された電気的
測定を行うべきウエハの電極パッドのウエハステージ上
での位置とを同時に表示可能な画像処理手段とを設けた
ことにより、撮像手段及び画像処理手段によって、プロ
ーブ用電極の画像情報と予め記憶された電気的測定を行
うべきウエハの電極パッドのウエハステージ上での位置
とを同時に表示可能なので、プローブ用電極と電極パッ
ドとの位置ずれ量を画像により直接確認しながら補正で
きる。従って、プローブ電極の位置合わせの精度向上及
び作業効率の向上を図ることができる。また、プローブ
電極の位置合わせ毎にプローブ電極の摩耗量を画像によ
り直接確認できるため、プローブカードの寿命の検知を
容易に行うことができる。更に針先に付着した異物を画
像により容易に発見することができる。
(1) Image pickup means provided on the wafer stage for picking up an image of the probe electrode from below, and image information of the probe electrode picked up by the image pickup means and the electrode pad of the wafer for preliminarily stored electric measurement. By providing the image processing means capable of displaying the position on the wafer stage at the same time, the image information of the probe electrode and the electrode of the wafer on which the electrical measurement stored in advance is to be performed by the imaging means and the image processing means. Since the position of the pad on the wafer stage can be displayed at the same time, the amount of positional deviation between the probe electrode and the electrode pad can be corrected while directly checking the image. Therefore, the accuracy of alignment of the probe electrodes and the work efficiency can be improved. Further, since the wear amount of the probe electrode can be directly confirmed by the image every time the probe electrode is aligned, the life of the probe card can be easily detected. Further, the foreign matter attached to the needle tip can be easily found by the image.

【0018】(2)画像処理手段を、プローブ用電極の
画像情報を取り込み、予め記憶された電気的測定を行う
べきウエハの電極パッドのウエハステージ上での位置と
プローブ用電極との任意の2点間の位置ずれ量を数値に
て表示可能としたことにより、数値補正により位置ずれ
を補正することができるので、プローブ電極の位置合わ
せの精度を尚一層向上させることができる。
(2) The image processing means takes in the image information of the probe electrode and arbitrarily stores the position of the electrode pad of the wafer on the wafer stage on which the electrical measurement is prestored and the probe electrode. Since the positional deviation amount between the points can be displayed numerically, the positional deviation can be corrected by the numerical correction, so that the accuracy of the probe electrode alignment can be further improved.

【0019】(3)画像処理手段には、位置ずれ量を入
力することによりウエハステージを移動させて位置を補
正するセットアップ制御手段が接続されていることによ
り、セットアップの自動化を図ることができる。
(3) Since the image processing means is connected to the setup control means for moving the wafer stage and correcting the position by inputting the positional deviation amount, the setup can be automated.

【0020】(4)プローブ電極に、摩耗することによ
り寿命を検知することが可能なセンサを設けたことによ
り、プローブカードの寿命を容易に検知することができ
る。
(4) Since the probe electrode is provided with a sensor capable of detecting the life of the probe electrode due to wear, the life of the probe card can be easily detected.

【0021】以上、本発明者によって、なされた発明を
実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
Although the present invention has been concretely described based on the embodiments by the present inventor, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0022】例えば、上記実施例では、カメラでプロー
ブ針を直接撮像していたが、図5(a)に示すように、
ミラー22を用いて、あるいは(b)に示すようにプリ
ズム23を用いて、別角度から撮像してもよい。また、
プローブ針を接触させることにより、接触した点を電気
的に記憶するパッドを、ウエハステージ上に設けてもよ
い。この場合、パッド表面をマトリクス状に形成された
感知手段、例えば、多数個配列させたスイッチで構成す
ると実現できる。
For example, in the above embodiment, the camera directly images the probe needle, but as shown in FIG.
Images may be taken from another angle by using the mirror 22 or the prism 23 as shown in (b). Also,
A pad may be provided on the wafer stage to electrically store the contact point by bringing the probe needle into contact. In this case, the pad surface can be realized by forming a sensing means formed in a matrix, for example, a plurality of arranged switches.

【0023】[0023]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0024】すなわち、ウエハステージに設けられプロ
ーブ用電極を下方から撮像する撮像手段と、撮像手段が
撮像した前記プローブ用電極の画像情報と予め記憶され
た電気的測定を行うべきウエハの電極パッドのウエハス
テージ上での位置とを同時に表示可能な画像処理手段と
を設けたことにより、撮像手段及び画像処理手段によっ
て、プローブ用電極の画像情報と予め記憶された電気的
測定を行うべきウエハの電極パッドのウエハステージ上
での位置とを同時に表示可能なので、プローブ用電極と
電極パッドとの位置ずれ量を画像により直接確認しなが
ら補正できる。従って、プローブ電極の位置合わせの精
度向上及び作業効率の向上を図ることができる。また、
プローブ電極の位置合わせ毎にプローブ電極の摩耗量を
画像により直接確認できるため、プローブカードの寿命
の検知を容易に行うことができる。更に針先に付着した
異物を画像により容易に発見することができるものであ
る。
That is, the image pickup means provided on the wafer stage for picking up an image of the probe electrode from below, and the image information of the probe electrode picked up by the image pickup means and the electrode pad of the wafer for preliminarily stored electric measurement By providing the image processing means capable of displaying the position on the wafer stage at the same time, the image information of the probe electrode and the electrode of the wafer on which the electrical measurement stored in advance is to be performed by the imaging means and the image processing means. Since the position of the pad on the wafer stage can be displayed at the same time, the amount of positional deviation between the probe electrode and the electrode pad can be corrected while directly checking the image. Therefore, the accuracy of alignment of the probe electrodes and the work efficiency can be improved. Also,
Since the wear amount of the probe electrode can be directly confirmed by the image every time the probe electrode is aligned, the life of the probe card can be easily detected. Further, the foreign matter attached to the needle tip can be easily found from the image.

【0025】[0025]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例であるプローバ1の概略を示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an outline of a prober 1 which is an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例であるプローバ1に有するプ
ロービング部2の拡大図を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an enlarged view of a probing unit 2 included in a prober 1 according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例であるセットアップ方法にお
けるプローブ針の画像データと電極パッドとの位置関係
を示したモニター画面の状態を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a state of a monitor screen showing a positional relationship between image data of a probe needle and an electrode pad in a setup method which is an embodiment of the present invention.

【図4】(a)は、本発明のプローブ針の先端部を示す
図である。(b)は、(a)のプローブ針の先端部が摩
耗した状態を示す図である。(c)は、摩耗した状態を
下方から見た図である。
FIG. 4A is a diagram showing a tip portion of a probe needle of the present invention. (B) is a figure which shows the state where the front-end | tip part of the probe needle of (a) was worn. (C) is the figure which looked at the worn state from the lower part.

【図5】(a)は、本発明のプロービング部にミラーを
用いたウエハステージを示す図である。(b)は、本発
明のプロービング部にプリズムを用いたウエハステージ
を示す図である。
FIG. 5A is a diagram showing a wafer stage using a mirror in the probing part of the present invention. (B) is a diagram showing a wafer stage using a prism in the probing part of the present invention.

【図6】従来のプローブセットアップの方法を示す図で
ある。
FIG. 6 is a diagram showing a conventional probe setup method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……プローバ,2……プロービング部,3……ローダ
部,4……アライメント部,5……ウエハ,6……プロ
ーブカード,6a……プローブ針,7……ウエハステー
ジ,8……アライメント光学系,9……テスタ,10…
…ウエハ供給用ローダ,11……ウエハ収納用ローダ,
12……ウエハ搬送ベルト,13……テスタ測定系,1
4……カメラ,15……画像処理機構,16……ウエハ
ステージ制御機構,17……ウエハステージ作動機構,
18……小窓,19……電極パッド位置,20……角度
ずれ表示,21……位置ずれ表示,22……ミラー,2
3……プリズム,24……ダミーウエハ,25……チッ
プパターン,26……パッドパターン,27……針跡
1 ... prober, 2 ... probing part, 3 ... loader part, 4 ... alignment part, 5 ... wafer, 6 ... probe card, 6a ... probe needle, 7 ... wafer stage, 8 ... alignment Optical system, 9 ... Tester, 10 ...
... Wafer supply loader, 11 ... Wafer storage loader,
12 ... Wafer transport belt, 13 ... Tester measurement system, 1
4 ... Camera, 15 ... Image processing mechanism, 16 ... Wafer stage control mechanism, 17 ... Wafer stage operating mechanism,
18 ... small window, 19 ... electrode pad position, 20 ... angle shift display, 21 ... position shift display, 22 ... mirror, 2
3 ... Prism, 24 ... Dummy wafer, 25 ... Chip pattern, 26 ... Pad pattern, 27 ... Needle trace

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体装置の電気的特性を計測するテスタ
と、半導体ウエハを載置し、X方向及びY方向及びZ方
向及びθ方向に移動可能なウエハステージと、前記テス
タに接続され、前記半導体ウエハに形成された個々の半
導体チップの電極パッドへ接触させて、前記テスタと前
記半導体チップとの電気的導通を図るためのプローブ用
電極を有するプローブカードとを備えた半導体装置の検
査装置であって、前記ウエハステージに設けられ前記プ
ローブ用電極を下方から撮像する撮像手段と、該撮像手
段が撮像した前記プローブ用電極の画像情報と予め記憶
された電気的測定を行うべきウエハの電極パッドの前記
ウエハステージ上での位置とを同時に表示可能な画像処
理手段とを設けたことを特徴とする半導体装置の検査装
置。
1. A tester for measuring electrical characteristics of a semiconductor device, a wafer stage on which a semiconductor wafer is placed, and which is movable in X, Y, Z, and θ directions, connected to the tester, and An inspection device for a semiconductor device, comprising: a tester and a probe card having a probe electrode for electrically connecting the semiconductor chip to an electrode pad of an individual semiconductor chip formed on a semiconductor wafer. An image pickup means provided on the wafer stage for picking up an image of the probe electrode from below, and image information of the probe electrode picked up by the image pickup means and an electrode pad of a wafer on which electric measurement stored in advance is to be performed. And an image processing unit capable of simultaneously displaying the position on the wafer stage and the inspection device for a semiconductor device.
【請求項2】前記画像処理手段は、前記プローブ用電極
の画像情報を取り込み、予め記憶された電気的測定を行
うべきウエハの電極パッドの前記ウエハステージ上での
位置と前記プローブ用電極との任意の2点間の位置ずれ
量を数値にて表示可能であることを特徴とする請求項1
記載の半導体装置の検査装置。
2. The image processing means captures image information of the probe electrode, and stores the position of the electrode pad of the wafer on the wafer stage on which the electrical measurement is to be performed, which is stored in advance, and the probe electrode. 2. The position shift amount between any two points can be displayed numerically.
A semiconductor device inspection apparatus as described above.
【請求項3】前記画像処理手段には、位置ずれ量を入力
することにより前記ウエハステージを移動させて位置を
補正するセットアップ制御手段が接続されていることを
特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の検査装
置。
3. The image processing means is connected to a setup control means for moving the wafer stage and correcting the position by inputting a positional deviation amount. Semiconductor device inspection equipment.
【請求項4】前記プローブ電極には、摩耗することによ
り寿命を検知することが可能なセンサを設けたことを特
徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体
装置の検査装置。
4. The inspection device for a semiconductor device according to claim 1, wherein the probe electrode is provided with a sensor capable of detecting a life of the probe electrode by abrasion. .
JP17385194A 1994-07-26 1994-07-26 Testing equipment of semiconductor device Pending JPH0837211A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17385194A JPH0837211A (en) 1994-07-26 1994-07-26 Testing equipment of semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17385194A JPH0837211A (en) 1994-07-26 1994-07-26 Testing equipment of semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0837211A true JPH0837211A (en) 1996-02-06

Family

ID=15968337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17385194A Pending JPH0837211A (en) 1994-07-26 1994-07-26 Testing equipment of semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0837211A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002008774A1 (en) * 2000-07-24 2002-01-31 Hitachi, Ltd. Probe driving method, and probe apparatus
US7589544B2 (en) 2005-12-09 2009-09-15 Nec Electroncis Corporation Probe test apparatus
JP2015203689A (en) * 2014-04-16 2015-11-16 株式会社日本マイクロニクス probe and probe card
CN105785257A (en) * 2016-04-13 2016-07-20 大族激光科技产业集团股份有限公司 Flying needle test machine correction method
JP2017123442A (en) * 2016-01-08 2017-07-13 三菱電機株式会社 Evaluation device, and inspection method of probe position

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002008774A1 (en) * 2000-07-24 2002-01-31 Hitachi, Ltd. Probe driving method, and probe apparatus
US7301146B2 (en) 2000-07-24 2007-11-27 Hitachi, Ltd. Probe driving method, and probe apparatus
US7589544B2 (en) 2005-12-09 2009-09-15 Nec Electroncis Corporation Probe test apparatus
JP2015203689A (en) * 2014-04-16 2015-11-16 株式会社日本マイクロニクス probe and probe card
JP2017123442A (en) * 2016-01-08 2017-07-13 三菱電機株式会社 Evaluation device, and inspection method of probe position
CN105785257A (en) * 2016-04-13 2016-07-20 大族激光科技产业集团股份有限公司 Flying needle test machine correction method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6118894A (en) Integrated circuit probe card inspection system
KR100284558B1 (en) Probing method and probe device
EP0675366B1 (en) Probe system and probe method
JP4356915B2 (en) Probe information, probe card channel information creation program, and probe card channel information creation device
KR100786463B1 (en) Method for aligning two objects, method for detecting superimposing state of two objects, and apparatus for aligning two objects
KR101071013B1 (en) Inspection method and program storage medium storing the method
JP2004191381A (en) Circuit pattern inspection device and circuit pattern inspection method
KR20100014162A (en) Inspecting method and program for object to be inspected
JPH07297242A (en) Probe method and the device
JP4652699B2 (en) Substrate inspection device, position adjustment method
JP2986142B2 (en) Probe method
JP2004063877A (en) Wafer-positioning correction method
KR960002996B1 (en) The testing method of curvature of wire loop and the apparatus thereof
JPH0837211A (en) Testing equipment of semiconductor device
JPH08327658A (en) Inspection equipment for substrate
JP2006128452A (en) Probe card and prober, process for fabricating semiconductor device
JPH01282829A (en) Wafer prober
KR102219110B1 (en) Inspection apparatus, inspection method and storage medium
JP3138908B2 (en) Probe device
JP3103959B2 (en) Probe device
JP2006318965A (en) Method and apparatus for inspecting semiconductor device
TWI798010B (en) Particle measuring device, three-dimensional shape measuring device, probe device, particle measuring system, and particle measuring method
JP2009259942A (en) Inspecting method and inspecting device
JP2939665B2 (en) Semiconductor wafer measurement method
JP2008177231A (en) Method and apparatus for automatic probe inspection