JP2005345871A

JP2005345871A - 近接効果補正精度検証装置及び近接効果補正精度検証方法並びにそのプログラム

Info

Publication number: JP2005345871A
Application number: JP2004167008A
Authority: JP
Inventors: Katsuyuki Mitsuyoko; 勝之三横
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2004-06-04
Filing date: 2004-06-04
Publication date: 2005-12-15

Abstract

【課題】近接効果補正を行なった回路パターンによって製造されるフォトマスクを用いて露光させたウェハ上の回路パターンが、所定の効果を発揮するか否かを簡便に判定することができる、近接効果補正精度検証装置を提供する。
【解決手段】設計後の回路パターンデータに基づいて製造されたフォトマスク上の回路パターンの輪郭を検出し、その線データを生成する。線データからその回路パターンを示す面データに変換し、フォトマスク上の回路パターンデータを生成する。また設計後の回路パターンデータによってウェハ上に露光される第１回路パターンをシミュレーションする。そして、フォトマスク上の回路パターンデータによってウェハ上に露光される第２回路パターンをシミュレーションする。さらに、第１回路パターンと第２回路パターンとを比較して第２回路パターンが第１回路パターンを基準として許容誤差内であるか否かを判定する。
【選択図】図１

Description

本発明は、近接効果補正後の回路パターンデータに基づいて製造されるウェハ上の回路パターンを用いて、前記近接効果補正の精度を検証する、近接効果補正精度検証装置及び近接効果補正精度検証方法並びにそのプログラムに関する。

ＬＳＩ（LargeScale Integrated Circuit）やＣＣＤ（Charge Couple Device）や磁気ヘッドなどの回路パターンの製造過程においては、まず回路パターンをフォトマスクブランクスに描画してフォトマスクを製造し、その製造後のフォトマスクと露光装置とを用いてウェハ上に回路パターンを露光して製造する。この時、描画する回路パターンの密度が高い場合には、当該回路パターンのウェハ上での露光時に後方散乱が大きく影響し、パターンに細りが生じるなどの現象が発生する。特に、近年は、ＬＳＩのパターンの微細化に伴い後方散乱の影響が大きくなっており、このような状況下において、ウェハ上の回路パターンが、設計段階の回路パターンデータに基づいてより忠実に露光されるように、近接効果補正と呼ばれる補正をその設計段階の回路パターンに施している。なお、本発明に関する先行技術文献として特許文献１が公開されている。
特許第２７７６４１６号公報

しかしながら、従来は、近接効果補正を行なった回路パターンデータによって製造されるフォトマスクを用いて露光させたウェハ上の回路パターンにおいて、前記近接効果補正による所定の効果（実際にウェハ上に露光される回路パターンが、所望の回路パターンの形状からの許容誤差範囲内になるという効果）が発揮されるか否かを判定することができなかった。また上述の特許文献においては、光強度分布をシミュレーションするためにＡＩＭＳ等の特殊なソフトウェアを必要としていた。

そこでこの発明は、近接効果補正を行なった回路パターンによって製造されるフォトマスクを用いて露光させたウェハ上の回路パターンが、所定の効果を発揮するか否かを簡便に判定することができる、近接効果補正精度検証装置及び近接効果補正精度検証方法並びにそのプログラムを提供することを目的としている。

本発明は、上述の課題を解決すべくなされたもので、面データで表される回路パターンデータに基づいて露光装置がウェハ上に露光する回路パターンのシミュレーションを行なう光学モデル式を記憶する光学モデル式記憶手段と、前記ウェハ上に露光される回路パターンの許容誤差を記憶する許容誤差記憶手段と、設計後の回路パターンデータに基づいて製造されたフォトマスク上の回路パターンの輪郭を検出し、当該フォトマスク上の回路パターンの輪郭を示す線データを生成する回路パターン輪郭検出手段と、前記フォトマスク上の回路パターンの輪郭を示す線データをその回路パターンを示す面データに変換し、フォトマスク上の回路パターンデータを生成する回路パターンデータ変換手段と、前記設計後の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記設計後の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第１回路パターンをシミュレーションする第１シミュレーション手段と、前記フォトマスク上の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記フォトマスク上の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第２回路パターンをシミュレーションする第２シミュレーション手段と、前記第１シミュレーション手段による第１回路パターンのシミュレーションの結果と前記第２シミュレーション手段による第２回路パターンのシミュレーションの結果とを比較して、前記第２回路パターンが前記第１回路パターンを基準として前記許容誤差内であるか否かを判定する誤差判定手段と、を備えることを特徴とする近接効果補正精度検証装置である。

また本発明は、前記設計後の回路パターンデータが、前記光学モデル式に基づいて近接効果補正されたパターンが付加された回路パターンのデータであることを特徴とする。

また本発明は、前記第１回路パターンと前記設計後の回路パターンデータの示す回路パターンとを比較して、前記第１回路パターンが前記設計後の回路パターンデータの示す回路パターンを基準として前記許容誤差内であるか否かを判定し、前記許容誤差外であった前記第１回路パターンにおける特徴範囲を特定する特徴範囲特定手段とを備え、前記回路パターン輪郭検出手段は、前記特徴範囲についての前記フォトマスク上の回路パターンの輪郭を検出することを特徴とする。

また本発明は、面データで表される回路パターンデータに基づいて露光装置がウェハ上に露光する回路パターンのシミュレーションを行なう光学モデル式を記憶する光学モデル式記憶手段と、前記ウェハ上に露光される回路パターンの許容誤差を記憶する許容誤差記憶手段と、を備えた近接効果補正精度検証装置における近接効果補正精度検証方法であって、設計後の回路パターンデータに基づいて製造されたフォトマスク上の回路パターンの輪郭を検出し、当該フォトマスク上の回路パターンの輪郭を示す線データを生成する回路パターン輪郭検出過程と、前記フォトマスク上の回路パターンの輪郭を示す線データをその回路パターンを示す面データに変換し、フォトマスク上の回路パターンデータを生成する回路パターンデータ変換過程と、前記設計後の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記設計後の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第１回路パターンをシミュレーションする第１シミュレーション過程と、前記フォトマスク上の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記フォトマスク上の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第２回路パターンをシミュレーションする第２シミュレーション過程と、前記第１シミュレーション過程による第１回路パターンのシミュレーションの結果と前記第２シミュレーション過程による第２回路パターンのシミュレーションの結果とを比較して、前記第２回路パターンが前記第１回路パターンを基準として前記許容誤差内であるか否かを判定する誤差判定過程と、を有することを特徴とする近接効果補正精度検証方法である。

また本発明は、面データで表される回路パターンデータに基づいて露光装置がウェハ上に露光する回路パターンのシミュレーションを行なう光学モデル式を記憶する光学モデル式記憶手段と、前記ウェハ上に露光される回路パターンの許容誤差を記憶する許容誤差記憶手段と、を備えた近接効果補正精度検証装置のコンピュータに実行させるプログラムであって、設計後の回路パターンデータに基づいて製造されたフォトマスク上の回路パターンの輪郭を検出し、当該フォトマスク上の回路パターンの輪郭を示す線データを生成する回路パターン輪郭検出処理と、前記フォトマスク上の回路パターンの輪郭を示す線データをその回路パターンを示す面データに変換し、フォトマスク上の回路パターンデータを生成する回路パターンデータ変換処理と、前記設計後の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記設計後の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第１回路パターンをシミュレーションする第１シミュレーション処理と、前記フォトマスク上の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記フォトマスク上の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第２回路パターンをシミュレーションする第２シミュレーション処理と、前記第１シミュレーション処理による第１回路パターンのシミュレーションの結果と前記第２シミュレーション処理による第２回路パターンのシミュレーションの結果とを比較して、前記第２回路パターンが前記第１回路パターンを基準として前記許容誤差内であるか否かを判定する誤差判定処理と、をコンピュータに実行させるプログラムである。

本発明によれば、設計後の回路パターンデータと光学モデル式とを用いて、設計後の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第１回路パターンをシミュレーションした結果と前記フォトマスク上の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記フォトマスク上の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第２回路パターンをシミュレーションした結果とを比較して、前記第２回路パターンが前記第１回路パターンを基準として前記許容誤差内であるか否かを判定する。ここで、フォトマスク製造時にフォトマスク上の回路パターンは、通常、設計後の回路パターンに比べて微小に変形するので、そのフォトマスクを用いてウェハ上に露光させた回路パターンが所望の回路パターンよりも誤差を生じる可能性がある。従って、上記シミュレーションした第２回路パターンが、設計後の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第１回路パターンを基準にしてその誤差が許容誤差内であれば、設計後の回路パターンデータが、出荷可能なフォトマスクを製造するための回路パターンデータであると判定することができる。

また本発明によれば、
設計後の回路パターンデータが、光学モデル式に基づいて近接効果補正されたパターンが付加された回路パターンのデータであるので、その近接効果補正が適切であったか否かを判定することができる。

また本発明によれば、特徴範囲のみについて、フォトマスク上の回路パターンによって露光されたウェハ上の回路パターンが、許容誤差内か否かを判定することができる。

以下、本発明の実施形態による近接効果補正精度検証装置を図面を参照して説明する。図１は近接効果補正精度検証システムの構成を示すブロック図である。この図において、符号１は近接効果補正精度検証装置である。また２は露光装置がフォトマスクを通してウェハ上に露光する回路パターンのシミュレーションを行なう光学モデル式を導出する光学モデル式導出装置である。また３は回路パターンデータを作成する回路パターンデータ作成装置である。また４はフォトマスク製造装置である。また５はフォトマスク上に露光された回路パターンの画像を取得するＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）である。

そして近接効果補正精度検証装置１において、符号１１は近接効果補正を施した回路パターンデータにおける特徴的部分（所望の回路パターンからを基準として、許容誤差内の回路パターンとなっているか否かを判定する部分）を特定する特徴範囲特定部である。また１２はＳＥＭが取得したフォトマスク上の回路パターンの画像から、前記特徴範囲特定部１１によって特定された特徴範囲の回路パターンの画像を取得する、特徴範囲画像取得部である。また１３は特徴範囲画像取得部１２が取得した回路パターンの画像の濃淡に基づいて、回路パターンの輪郭を抽出する輪郭抽出部である。また１４は輪郭抽出部によって抽出された回路パターンの輪郭に基づいて、回路パターンの面データを生成する面データ生成手段である。

また１５は回路パターンデータ作成装置３で作成した近接効果補正後の回路パターンデータと光学モデル式とを用いて、ウェハ上に回路パターンが露光される際の回路パターン（以降、第１回路パターンと呼ぶ）のシミュレーションを行なう第１シミュレーション部である。つまり、この第１回路パターンは、フォトマスクに前記近接効果補正後の回路パターンデータで示される回路パターンと同じ形状の回路パターンが描画された場合の、当該フォトマスクによって露光されたウェハ上の回路パターンを示している。また１６は実際に回路パターンデータ作成装置３で作成した近接効果補正後の回路パターンデータを用いて製造されたフォトマスク（フォトマスク上の回路パターンは、フォトマスク製造段階において、近接効果補正後の回路パターンが示す回路パターンとは微小に変形している）を用いて、ウェハが製造された際の当該ウェハ上の回路パターン（第２回路パターン）をシミュレーションする第２シミュレーション部である。また１７は第１シミュレーション部と第２シミュレーション部でシミュレーションされた回路パターンを比較して、第２回路パターンが第１回路パターンを基準として許容誤差内であるか否かを判定する誤差判定部である。また１８は誤差判定部１７で判定した結果、許容誤差を超えている場合に、許容誤差を超えた原因を解析する不具合箇所判定部である。

そして、近接効果補正精度検証装置１は、近接効果補正を行なった回路パターンによって製造されるフォトマスクを用いて露光させたウェハ上の回路パターンが、前記誤差判定部１７の結果により、所定の効果を発揮するか否かを判定する。

図２は近接効果補正精度検証システムにおける各装置の処理フローを示す図である。
次に、図２を用いて近接効果補正精度検証システムにおける各装置の処理について説明する。
まず、ユーザは複数の異なるテスト用の回路パターンを回路パターンデータ作成装置３で作成し（ステップＳ１）、そのテスト用の回路パターンを用いてフォトマスク製造装置４においてフォトマスクを製造する（ステップＳ２）。そして、製造したフォトマスクを用いてシリコンウェハ（以下ウェハという）上に露光装置を用いてテスト用の回路パターンを露光させる（ステップＳ３）。そして、以上の処理によって作成されたウェハ上のテスト用の回路パターンを測長する（ステップＳ４）。ここで、この測長は、回路における隣り合う２つのパターンについて、一方のパターンの幅における他方のパターンとは反対側の端から前記他方のパターンの幅における前記一方のパターン側の端までの距離（Ｐｉｔｃｈ）と、前記一方のパターンの幅もしくは前記一方のパターンの端から隣り合う他方のパターンの端までの距離（ＣＤ）と、パターンの端部（ライン端）の劣化について、回路パターンデータ作成装置３で作成したテスト用の回路パターンとの対応関係について行なう。

そして、製造されたウェハ上のテスト用回路パターンのＰｉｔｃｈとＣＤとライン端の対応関係を表す情報を、ユーザは光学モデル式導出装置２に入力し、当該光学モデル式導出装置２において、測長したＰｉｔｃｈとＣＤとライン端の対応関係を表す曲線に最も近い曲線を表す式を導出する（ステップＳ５）。そしてこの導出した式が光学モデル式となる。つまり、この光学モデル式を用いると、設計した回路パターンが、ウェハ上でどのようなパターン形状になるかをシミュレーションすることができる。なお、光学モデル式導出装置は従来より用いられている光学モデル式の導出に用いられる一般的なＣＡＥ（Computer Aided Engineering）システムである。そして、ユーザはウェハ製造を行なう業者に光学モデル式のシミュレーション結果の精度の承認を受けておく。

次にユーザは、回路パターンデータ作成装置３において作成した、実際に製造するフォトマスク用の回路パターンデータを用いて、フォトマスク製造用のデータの発生演算処理を行なう（ステップＳ６）。なおこのフォトマスク製造用のデータの発生演算処理は従来よりフォトマスク製造過程で行なわれている処理である。そして、そのデータと上記光学モデル式を用いて、回路パターンデータ作成装置３において、近接効果補正を施した回路パターンデータを作成する（ステップＳ７）。そして、この近接効果補正後の回路パターンデータを検証し（ステップＳ８）、問題があるか否かを判定する（ステップＳ９）。そして問題があれば、光学モデル式を改良するか近接効果補正の設定方法を改良するかマニュアルによるデータ編集をするか、いずれかの是正を施した後、再度近接効果補正を行なう。そして、近接効果補正後の回路パターンデータをフォトマスク製造装置４に入力し、フォトマスクを作成する（ステップＳ１０）。

また、ユーザは近接効果補正後の回路パターンデータと光学モデル式とを、近接効果補正精度検証装置１に入力し、近接効果補正後の回路パターンデータにおける特徴範囲を特定するよう指示する。すると近接効果補正精度検証装置１の第１シミュレーション部１５が、近接効果補正後の回路パターンデータと光学モデル式とを読み込み、近接効果補正後の回路パターンデータによってウェハ上に露光される回路パターンのシミュレーションを行なう。このシミュレーションにおいて、近接効果補正後の回路パターンデータが示す回路パターンによってウェハ上に回路パターンが露光された際の、当該回路パターン（第１回路パターン）がシミュレーションされる。そして、第１シミュレーション部１５は特徴範囲特定部１１にシミュレーション結果となる第１回路パターンのデータを送信する。なお、この第１回路パターンのデータは誤差判定部１７に通知される。

特徴範囲特定部１１では、第１シミュレーション部１５がシミュレーションした結果に基づいて、近接効果補正前の設計後の回路パターンデータが元々示す回路パターンと、シミュレーションの結果が示す回路パターンとを比較して、所定の許容誤差内か否かを判定する。この許容誤差の値は例えば、±２ｎｍ〜±1０ｎｍ程度であり、予め近接効果補正精度検証装置の記録部にユーザによって記録されている。そして、特徴範囲特定部１１は、シミュレーション結果の示す回路パターンにおいて、近接効果補正前の設計の回路パターンデータが元々示す回路パターンの形状からの±２ｎｍ〜±1０ｎｍの許容誤差を超えている特徴範囲を特定する（ステップＳ１１）。そして特徴範囲特定部１１はその特定した特徴範囲の座標をフォトマスク上の座標に変換する（ステップＳ１２）。そして、特徴範囲特定部１１はその座標をＳＥＭ５に送信する（ステップＳ１３）。なお、近接効果補正精度検証装置１における特徴範囲特定部１１の処理は他の装置上で行なう場合もある。

次に、ユーザはＳＥＭ５に、フォトマスク上に露光された回路パターンの、前記特徴範囲特定部１１で特定された特徴範囲について、画像を取得するよう指示する。するとＳＥＭ５はその特徴範囲の回路パターンの画像を実際に作成されたフォトマスクから読み込む（ステップＳ１４）。そしてユーザは、ＳＥＭ５の読み込んだ回路パターンの特徴範囲の画像を近接効果補正精度検証装置１に読み込ませる。近接効果補正精度検証装置１においては特徴範囲画像取得部１２がＳＥＭ５の取得した回路パターンの画像を取得する（ステップＳ１５）。

次に、ユーザは近接効果補正精度検証装置１に、近接効果補正を行なった回路パターンデータに基づくフォトマスクの製造の後、そのフォトマスクを用いて露光させた、ウェハ上の回路パターンが、所定の効果を発揮するか否かを判定するよう指示する。
すると、近接効果補正精度検証装置１の輪郭抽出部１３は特徴範囲画像取得部１２が読み込んだ回路パターンの各特徴範囲の画像全てについての輪郭を抽出し、特徴範囲ごとに回路パターンの輪郭を示す線データを生成する（ステップＳ１６）。なお線データとは例えば座標を接続した線を示すデータである。

図３はＳＥＭが取得した回路パターンの画像を示す図である。
図３で示すようにＳＥＭ５で取得した画像は回路の配線部分が淡い色となっている画像であるために、濃淡の差を検出し、その差が得られる座標の境を回路パターンの輪郭が位置する座標と決定している。例えば、濃淡の差は画像から得られるＲＧＢ（Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ）値によって濃淡の差を検出する。

次に、輪郭抽出部１３は回路パターンの画像から抽出した輪郭を示す線データを面データ生成部１４に通知し、これにより面データ生成部１４は各特徴範囲についての回路パターンの面データをフォトマスク作成の際に乗じた倍率分を縮小して生成する（ステップＳ１７）。つまり、面データ生成部１４は回路パターンの輪郭を示す座標に基づいて、輪郭を表すベクトルを検出し、そのベクトルで囲まれた内側を回路パターンのデータとした、面データを生成する。この面データの代表例としては例えばＧＤＳフォーマットなどがある。そしてこの面データがフォトマスク上の回路パターンをデータ化したフォトマスク上の回路パターンデータである。これにより、近接効果補正済みの回路パターンデータに基づいて製造されたフォトマスク上の回路パターンのデータをコンピュータ上で再現することができる。

次に、近接効果補正精度検証装置１の第２シミュレーション部１６は、面データ生成部の生成したフォトマスク上の回路パターンを示す回路パターンデータと光学モデル式とに基づいて、その回路パターンがウェハ上に露光された時の回路パターン（以降、第２回路パターンと呼ぶ）をシミュレーションする。これにより、製造されたフォトマスクを用いてウェハ上に回路パターンが露光された時の、当該回路パターンの形状を把握することが出来る。そして、第２シミュレーション部１６は第２回路パターンのデータを誤差判定部１７に通知する。

そして、誤差判定部１７は第１シミュレーション部１５から第１回路パターンのデータを既に得ているので、第１回路パターンのデータと第２回路パターンのデータとを用いて、両者の回路パターンを比較する。この時、第１回路パターンのデータが示す回路の形状に基づいて、第２回路パターンのデータが示す回路の形状がどの程度誤差があるか否かを判定する（ステップＳ１８）。この時、第一回路パターンと設計後の回路パターンとを比較して決定された予め記録部などに記録されている許容誤差、たとえば±５ｎｍを超えなければ問題なし、というような設定を行ない、近接効果補正の効果が得られたと判断する。そして誤差判定部１７は前記特徴範囲特定部１１で指定された範囲において前記ＳＥＭ５により取り込まれた回路パターンの全てについて、誤差判定を行なう。

そして、誤差判定部１７は全ての特徴範囲について許容誤差内であると判断（ステップＳ１９）した場合には、例えばモニタなどに、出荷可能の表示を行なう。これにより、近接効果補正後の回路パターンのデータを用いて製造されたフォトマスクが取引き先に出荷される（ステップＳ２０）。

また、いずれかの特徴範囲について、許容誤差を超えてしまっている場合（ステップＳ２１）には、誤差判定部１７は、その結果を不具合箇所判定部１８に送り、不具合判定部１８はその旨を表示部などに表示して、許容誤差を超えた原因を解析して、必要に応じた是正処置を施した後、フォトマスク製造装置４に再度フォトマスクの作成を指示する（ステップ１０）。

図４は、第１回路パターンと第２回路パターンとを比較した図である。
次に、図４を用いて、近接効果補正精度検証装置が行なう処理の概要を説明する。
図４の（Ａ）は近接効果補正後の回路パターンデータの示す回路パターンａ１と、その回路パターンと光学モデル式とを用いてシミュレーションした結果である第１回路パターンａ２を示している。また（Ｂ）は近接効果補正後の回路パターンデータに基づいて実際に製造されたフォトマスク上の回路パターンｂ１と、そのフォトマスク上の回路パターンのデータと光学モデル式とを用いてシミュレーションした結果である第２回路パターンｂ２を示している。

ここで回路パターンｂ１は、回路パターンａ１に基づいて製造されたフォトマスク上の回路パターンであると上述したが、図４で示すように、フォトマスクを製造する過程において近接効果補正部分が変形してしまう。これによりフォトマスク上の回路パターン（ｂ１）に基づいて露光したウェハ上の回路パターン（ｂ２）と、近接効果補正部分が変形しなかった場合の回路パターン（ａ１）に基づいてウェハ上に露光した回路パターン（ａ２）が形状が大きく異なる場合がある。従って、上述の回路パターン（ａ２）と（ｂ２）を比較することで、近接効果補正した回路パターンデータによって、所定の効果（実際にウェハ上に露光される回路パターンが、所望の回路パターンの形状からの許容誤差範囲内となるという効果）が発揮されるか否かを判定することができる。

なお上述の近接効果補正精度検証装置は内部に、コンピュータシステムを有している。そして、上述した処理の過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶されており、このプログラムをコンピュータが読み出して実行することによって、上記処理が行われる。ここでコンピュータ読み取り可能な記録媒体とは、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、半導体メモリ等をいう。また、このコンピュータプログラムを通信回線によってコンピュータに配信し、この配信を受けたコンピュータが当該プログラムを実行するようにしても良い。

また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであっても良い。さらに、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であっても良い。

近接効果補正精度検証システムの構成を示すブロック図である。近接効果補正精度検証システムにおける各装置の処理フローを示す図である。ＳＥＭが取得した回路パターンの画像を示す図である。第１回路パターンと第２回路パターンとを比較した図である。

符号の説明

１・・・近接効果補正精度検証装置
２・・・光学モデル式導出装置
３・・・回路パターンデータ作成装置
４・・・フォトマスク製造装置
５・・・ＳＥＭ
１１・・・特徴範囲特定部
１２・・・特徴範囲画像取得部
１３・・・輪郭抽出部
１４・・・面データ生成部
１５・・・第１シミュレーション部
１６・・・第２シミュレーション部
１７・・・誤差判定部
１８・・・不具合箇所判定部

Claims

面データで表される回路パターンデータに基づいて露光装置がウェハ上に露光する回路パターンのシミュレーションを行なう光学モデル式を記憶する光学モデル式記憶手段と、
前記ウェハ上に露光される回路パターンの許容誤差を記憶する許容誤差記憶手段と、
設計後の回路パターンデータに基づいて製造されたフォトマスク上の回路パターンの輪郭を検出し、当該フォトマスク上の回路パターンの輪郭を示す線データを生成する回路パターン輪郭検出手段と、
前記フォトマスク上の回路パターンの輪郭を示す線データをその回路パターンを示す面データに変換し、フォトマスク上の回路パターンデータを生成する回路パターンデータ変換手段と、
前記設計後の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記設計後の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第１回路パターンをシミュレーションする第１シミュレーション手段と、
前記フォトマスク上の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記フォトマスク上の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第２回路パターンをシミュレーションする第２シミュレーション手段と、
前記第１シミュレーション手段による第１回路パターンのシミュレーションの結果と前記第２シミュレーション手段による第２回路パターンのシミュレーションの結果とを比較して、前記第２回路パターンが前記第１回路パターンを基準として前記許容誤差内であるか否かを判定する誤差判定手段と、
を備えることを特徴とする近接効果補正精度検証装置。
前記設計後の回路パターンデータは、前記光学モデル式に基づいて近接効果補正されたパターンが付加された回路パターンのデータである
ことを特徴とする請求項１に記載の近接効果補正精度検証装置。
前記第１回路パターンと前記設計後の回路パターンデータの示す回路パターンとを比較して、前記第１回路パターンが前記設計後の回路パターンデータの示す回路パターンを基準として前記許容誤差内であるか否かを判定し、前記許容誤差外であった前記第１回路パターンにおける特徴範囲を特定する特徴範囲特定手段とを備え、
前記回路パターン輪郭検出手段は、前記特徴範囲についての前記フォトマスク上の回路パターンの輪郭を検出する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の近接効果補正精度検証装置。
面データで表される回路パターンデータに基づいて露光装置がウェハ上に露光する回路パターンのシミュレーションを行なう光学モデル式を記憶する光学モデル式記憶手段と、
前記ウェハ上に露光される回路パターンの許容誤差を記憶する許容誤差記憶手段と、
を備えた近接効果補正精度検証装置における近接効果補正精度検証方法であって、
設計後の回路パターンデータに基づいて製造されたフォトマスク上の回路パターンの輪郭を検出し、当該フォトマスク上の回路パターンの輪郭を示す線データを生成する回路パターン輪郭検出過程と、
前記フォトマスク上の回路パターンの輪郭を示す線データをその回路パターンを示す面データに変換し、フォトマスク上の回路パターンデータを生成する回路パターンデータ変換過程と、
前記設計後の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記設計後の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第１回路パターンをシミュレーションする第１シミュレーション過程と、
前記フォトマスク上の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記フォトマスク上の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第２回路パターンをシミュレーションする第２シミュレーション過程と、
前記第１シミュレーション過程による第１回路パターンのシミュレーションの結果と前記第２シミュレーション過程による第２回路パターンのシミュレーションの結果とを比較して、前記第２回路パターンが前記第１回路パターンを基準として前記許容誤差内であるか否かを判定する誤差判定過程と、
を有することを特徴とする近接効果補正精度検証方法。
面データで表される回路パターンデータに基づいて露光装置がウェハ上に露光する回路パターンのシミュレーションを行なう光学モデル式を記憶する光学モデル式記憶手段と、
前記ウェハ上に露光される回路パターンの許容誤差を記憶する許容誤差記憶手段と、
を備えた近接効果補正精度検証装置のコンピュータに実行させるプログラムであって、
設計後の回路パターンデータに基づいて製造されたフォトマスク上の回路パターンの輪郭を検出し、当該フォトマスク上の回路パターンの輪郭を示す線データを生成する回路パターン輪郭検出処理と、
前記フォトマスク上の回路パターンの輪郭を示す線データをその回路パターンを示す面データに変換し、フォトマスク上の回路パターンデータを生成する回路パターンデータ変換処理と、
前記設計後の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記設計後の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第１回路パターンをシミュレーションする第１シミュレーション処理と、
前記フォトマスク上の回路パターンデータと前記光学モデル式とを用いて、前記フォトマスク上の回路パターンデータによって前記ウェハ上に露光される第２回路パターンをシミュレーションする第２シミュレーション処理と、
前記第１シミュレーション処理による第１回路パターンのシミュレーションの結果と前記第２シミュレーション処理による第２回路パターンのシミュレーションの結果とを比較して、前記第２回路パターンが前記第１回路パターンを基準として前記許容誤差内であるか否かを判定する誤差判定処理と、
をコンピュータに実行させるプログラム。