JP2005340294A - 配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器 - Google Patents

配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】 配線基板等の信頼性の向上を図ることにある。
【解決手段】 配線基板は、チップ部品が搭載されるチップ部品搭載領域12を有するフレキシブル基板10と、配線20を有する配線パターンと、を含む。配線20は、チップ部品搭載領域12の内側に形成された電気的接続部22を有し、かつ、電気的接続部22の幅をもって延出された第1の部分24と、フレキシブル基板10の第1の部分24とは反対の面に形成された第2の部分26と、フレキシブル基板10を貫通して第1の部分24と第2の部分26とを電気的に接続するスルーホール28と、を有する。第1の部分24は、チップ部品搭載領域12の外側に延出しないように形成され、スルーホール28は、チップ部品搭載領域12の内側に形成され、配線20は、第2の部分26を介して、チップ部品搭載領域12の外側に延出されている。
【選択図】 図2

Description

本発明は、配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器に関する。
COF(Chip On Film)の形態が適用された半導体装置では、複数の配線が形成されたフレキシブル基板に、半導体チップが搭載されている。従来の構造では、複数の配線はフレキシブル基板の半導体チップが搭載される面に形成されていたので、配線が半導体チップのエッジに接触して電気的ショートを引き起こす可能性があった。
本発明の目的は、配線基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法、電子デバイス並びに電子機器に関して、信頼性の向上を図ることにある。
特開2003−197673号公報
(1)本発明に係る配線基板は、
チップ部品が搭載されるチップ部品搭載領域を有するフレキシブル基板と、
配線を有する配線パターンと、
を含み、
前記配線は、
前記チップ部品搭載領域の内側に形成された電気的接続部を有し、かつ、前記電気的接続部の幅をもって延出された第1の部分と、
前記フレキシブル基板の前記第1の部分とは反対の面に形成された第2の部分と、
前記フレキシブル基板を貫通して前記第1の部分と前記第2の部分とを電気的に接続するスルーホールと、
を有し、
前記第1の部分は、前記チップ部品搭載領域の外側に延出しないように形成され、
前記スルーホールは、前記チップ部品搭載領域の内側に形成され、
前記配線は、前記第2の部分を介して、前記チップ部品搭載領域の外側に延出されてなる。本発明によれば、配線は、チップ部品搭載領域とは反対の面に形成された第2の部分を介して、チップ部品搭載領域の外側に延出されている。すなわち、配線は、チップ部品とフレキシブル基板との間に介在しない。したがって、配線がチップ部品のエッジに接触してエッジショートを引き起こすのを回避することができ、配線基板の信頼性の向上を図ることができる。
(2)この配線基板において、
前記スルーホールは、前記電気的接続部にオーバーラップして形成されていてもよい。これによれば、例えばスルーホールはフレキシブル基板よりも硬いので、チップ部品をボンディングしたときに、電気的接続部に加えられるボンディング加重を小さくすることができる。したがって、接続不良の少ない良好なボンディングを行うことができ、信頼性の向上を図ることができる。
(3)この配線基板において、
前記スルーホールは、前記電気的接続部を避けて形成されていてもよい。
(4)この配線基板において、
前記フレキシブル基板の前記チップ部品搭載領域とは反対の面に設けられた絶縁層をさらに含み、
前記絶縁層は、前記第2の部分を覆っていてもよい。
(5)この配線基板において、
複数の前記配線を有し、
複数の前記第1の部分のいずれもが、前記チップ部品搭載領域の外側に延出しないように形成され、
複数の前記スルーホールのいずれもが、前記チップ部品搭載領域の内側に形成され、
前記複数の配線のいずれもが、複数の前記第2の部分を介して、前記チップ部品搭載領域の外側に延出されていてもよい。これによれば、チップ部品とフレキシブル基板との間に配線が全く介在しないので、より確実にチップ部品のエッジショートを防止することができる。
(6)この配線基板において、
前記チップ部品搭載領域の外形は、第1及び第2の長辺を有する長方形をなし、
前記複数の配線は、それぞれに複数が属する第1及び第2のグループに分けられ、
前記第1のグループに属する前記複数の配線のうち、複数の前記電気的接続部は、前記チップ部品搭載領域の前記第1の長辺に沿った領域に配列され、
前記第2のグループに属する前記複数の配線のうち、複数の前記電気的接続部は、前記チップ部品搭載領域の前記第2の長辺に沿った領域に配列されていてもよい。
(7)この配線基板において、
前記第1及び第2のグループの少なくとも一方では、隣同士の前記電気的接続が千鳥状にずれて配置されていてもよい。これによれば、限られた平面領域内で隣同士の電気的接続部のピッチを広げることができ、電気的接続部同士の電気的ショートを防止することができる。
(8)この配線基板において、
前記第1及び第2のグループの少なくとも一方では、隣同士の前記スルーホールが千鳥状にずれて配置されていてもよい。これによれば、限られた平面領域内で隣同士のスルーホールのピッチを広げることができ、スルーホール同士の電気的ショートを防止することができる。
(9)本発明に係る半導体装置は、
上記配線基板と、
前記チップ部品としての、バンプを有する半導体チップと、
を含み、
前記半導体チップは、前記チップ部品搭載領域にフェースダウンボンディングされ、
前記電気的接続部は、前記バンプの一部にオーバーラップしてなり、かつ、前記バンプに入り込んでなる。
(10)本発明に係る電子デバイスは、
上記半導体装置と、
前記半導体装置が電気的に接続された電気光学パネルと、
を含む。
(11)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
(12)本発明に係る配線基板の製造方法は、
チップ部品が搭載されるチップ部品搭載領域を有するフレキシブル基板に、配線を有する配線パターンを形成することを含み、
前記配線形成工程で、
前記チップ部品搭載領域の内側に配置された電気的接続部を有し、前記電気的接続部の幅をもって延出させ、かつ、前記チップ部品搭載領域の外側に延出しないように第1の部分を形成すること、
前記フレキシブル基板の前記第1の部分とは反対の面に第2の部分を形成すること、
前記フレキシブル基板に形成した貫通穴に導電材料を設けることによって、前記チップ部品搭載領域の内側に、前記第1の部分と前記第2の部分とを電気的に接続するためのスルーホールを形成すること、
を行うことによって、前記配線を、前記第2の部分を介して、前記チップ部品搭載領域の外側に延出するように形成する。本発明によれば、配線を、チップ部品搭載領域とは反対の面に形成された第2の部分を介して、チップ部品搭載領域の外側に延出させる。すなわち、配線を、チップ部品とフレキシブル基板との間に介在させない。したがって、配線がチップ部品のエッジに接触してエッジショートを引き起こすのを回避することができ、配線基板の製造方法に関して、信頼性の向上を図ることができる。
(13)本発明に係る半導体装置の製造方法は、
上記方法によって配線基板を製造し、バンプを含む半導体チップを、前記チップ部品搭載領域にフェースダウンボンディングすることを含み、
前記フェースダウンボンディング工程で、前記電気的接続部を、前記バンプの一部にオーバーラップさせ、かつ、前記バンプに入り込ませる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1〜図4は、本発明の実施の形態に係る配線基板又は半導体装置を示す図である。詳しくは、図1は配線基板の平面図であり、図2は図1の部分拡大図であり、図3は図2のIII−III線断面図であり、図4は図2のIV−IV線断面図である。図3及び図4には、半導体チップを含む半導体装置が示されている。
本実施の形態に係る配線基板は、フレキシブル基板10と、フレキシブル基板10に形成された配線パターンと、を含む。配線パターンは、配線基板1の配線パターン形成領域3に形成されている。配線基板1が長尺状のテープとなっており、複数の配線パターン形成領域3が配線基板1の長さ方向に配列されていてもよい。隣同士の配線パターン形成領域3には間隔があけられていてもよい。配線基板1は、後工程で、配線パターン形成領域3の外形に沿って打ち抜かれる。本実施の形態に係る配線基板は、打ち抜き後の配線パターン形成領域3を含む。
フレキシブル基板10は、屈曲可能なベース基板である。フレキシブル基板10は、樹脂基板(例えばポリイミド基板)などの有機系材料から構成されていてもよい。フレキシブル基板10は、COF(Chip On Film)用基板であってもよく、フィルム又はテープであってもよい。フレキシブル基板10は、チップ部品が搭載されるチップ部品搭載領域12を有する。チップ部品は、半導体チップ50(図3参照)などの半導体部品であってもよいし、能動部品(例えば集積回路部品など)又は受動部品(例えば抵抗器、キャパシタ、インダクタなど)であってもよい。チップ部品搭載領域12はフレキシブル基板10の一方の面に設けられ、配線パターン形成領域3の範囲内に設けられている。チップ部品搭載領域12の外形は、チップ部品の平面形状と同一であり、例えば四辺形(例えば正方形又は長方形)であってもよい。図1及び図2に示す例では、チップ部品搭載領域12の外形は、対向する第1及び第2の長辺14,16を有する長方形をなしている。
配線パターンは、導電材料(例えばCuなどの金属)によって形成されている。配線パターン形成領域3に、電気的に独立する1つ又は複数の配線パターンが形成されている。配線パターンは、電気めっき、無電解めっき、スパッタリング、又はエッチングなどを適用して形成することができる。
図2〜図4に示すように、配線パターンは、複数の配線20を含む。配線20は、少なくとも2点間の電気的接続を図るものである。配線20の一方の電気的接続部は、チップ部品に対する電気的接続部22であってもよい。配線20の他方の電気的接続部は、他の電子部品(例えば電気光学パネル)に対する電気的接続部(図示しない)であってもよいし、回路基板(例えばマザーボード)に対する電気的接続部であってもよい。配線20は、フレキシブル基板10の一方の面から他方の面に引き廻されている。
配線20は、第1の部分24を有する。第1の部分24は、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12の面に形成されている。第1の部分24は、チップ部品搭載領域12の内側のみに形成され、チップ部品搭載領域12の外側に延出しないように形成されている。複数の第1の部分24のいずれもが、チップ部品搭載領域12の外側に延出しないように形成されていてもよい。第1の部分24の断面形状は、上端部が下端部よりもすぼむ形状(例えば上辺が下辺よりも小さい台形)になっていてもよい。
第1の部分24は、電気的接続部22を有する。電気的接続部22は、チップ部品搭載領域12の内側に形成されている。電気的接続部22は、チップ部品(例えば半導体チップ50)に電気的に接続される部分であり、詳しくはチップ部品の電気的接続部(例えばバンプ54)とオーバーラップする部分である。電気的接続部22は、第1の部分24の端部であってもよいし、第1の部分24の端部を避けた部分であってもよい。
第1の部分24は、電気的接続部22の幅をもって延出されている。例えば、第1の部分24は、電気的接続部22から同一の幅で延出された延出部23を有していてもよい。電気的接続部22はランド形状になっていない。延出部23は、チップ部品搭載領域12の外方向に延出されていてもよいし、その内方向に延出されていてもよい。延出部23は、チップ部品の電気的接続部の範囲からはみ出す部分であってもよい。
配線20は、第2の部分26を有する。第2の部分26は、フレキシブル基板10の第1の部分24とは反対の面に形成されている。第2の部分26は、チップ部品搭載領域12の平面視の範囲の内側から外側に延出されている。第2の部分26は、配線パターン形成領域3の端部に至るまで延出されていてもよい。あるいは、第2の部分26は、配線パターン形成領域3の中間部まで延出されていてもよい。その場合、配線20は、スルーホールを介して第2の部分26に電気的に接続された第3の部分(図示しない)をさらに有し、第3の部分が、フレキシブル基板10の第2の部分26とは反対の面に形成されて、配線パターン形成領域3の端部に至るまで延出されていてもよい。
配線20は、スルーホール28を有する。スルーホール28は、フレキシブル基板10を貫通して形成されている。フレキシブル基板10の面に対して垂直方向に貫通穴を形成し、その貫通穴に導電材料を設けることによって、スルーホール28を形成してもよい。貫通穴は、フレキシブル基板10をパンチして形成することができる。貫通穴の全部を導電材料で充填してもよいし、貫通穴の中心軸を避けて内壁面のみに導電材料を設けてもよい。導電材料の形成方法として、スパッタリング、めっき法(無電解めっき法)、ペースト材の塗布を適用してもよい。スルーホール28の平面形状(横断面形状)は円形であってもよい。スルーホール28の幅(例えば直径)は、第1の部分24(又は第2の部分26)の幅よりも大きくてもよいし、小さくてもよいし、あるいは同一であってもよい。また、スルーホール28の幅(例えば直径)は、チップ部品の電気的接続部(例えばバンプ54)の幅よりも大きくてもよいし、小さくてもよいし、あるいは同一であってもよい。
スルーホール28は、第1の部分24と第2の部分26とを電気的に接続している。スルーホール28と第1の部分24、又はスルーホール28と第2の部分26との境界は必ずしも明確になっていなくてもよい。スルーホール28は、第1及び第2の部分24,26と同一の材料で形成されていてもよい。そして、スルーホール28は、チップ部品搭載領域12の内側に形成されている。これによれば、配線20は、チップ部品搭載領域12とは反対の面に形成された第2の部分26を介して、チップ部品搭載領域12の外側に延出されている。すなわち、図3に示すように、配線20は、チップ部品(例えば半導体チップ50)とフレキシブル基板10との間に介在しない。したがって、配線20がチップ部品のエッジに接触してエッジショートを引き起こすのを回避することができ、配線基板の信頼性の向上を図ることができる。図2に示すように、複数のスルーホール28のいずれもが、チップ部品搭載領域12の内側に形成されていてもよい。複数の配線20のいずれもが複数の第2の部分26を介してチップ部品搭載領域12の外側に延出されていれば、チップ部品とフレキシブル基板10との間に配線20が全く介在しないので、より確実にチップ部品のエッジショートを防止することができる。
図3に示すように、配線基板は、配線パターンの一部を覆う絶縁層60をさらに有していてもよい。絶縁層60は、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12とは反対の面に設けられている。詳しくは、絶縁層60は、配線20の第2の部分26を覆う。絶縁層60は、第2の部分26とともにスルーホール28も覆っていてもよい。これによれば、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12の面であって、少なくともチップ部品搭載領域12の周囲には絶縁層を形成しなくて済む。これによって、例えば、チップ部品とフレキシブル基板10との間に樹脂などの封止材(アンダーフィル材)58を充填する場合、封止材58の樹脂量を必要最少量にすることができる。すなわち、絶縁層の開口領域を覆うまで樹脂を充填させる必要がなくなる。したがって、樹脂の硬化収縮時の応力を可能な限り小さくすることができ、配線基板(又は半導体装置)に加えられる応力を効果的に緩和することができる。
図2に示すように、複数の配線20は、第1のグループ30に属する複数の配線20と、第2のグループ40に属する複数の配線20と、に分けることができる。
第1のグループ30に属する複数の配線20のうち、複数の電気的接続部22は、第1の長辺14に沿った領域に配列されている。第1のグループ30に属する複数の電気的接続部22は、チップ部品からの出力端子であってもよい。第1のグループ30に属する複数の配線20は、その一部である電気的接続部22から第1の長辺14の方向に、第1の長辺14に交差(例えば直交)して延出されている。
第2のグループ40に属する複数の配線20のうち、複数の電気的接続部22は、第2の長辺16に沿った領域に配列されている。第2のグループ40に属する複数の電気的接続部22は、チップ部品からの入力端子であってもよい。第2のグループ40に属する複数の配線20は、その一部である電気的接続部22から第2の長辺16の方向に、第2の長辺16に交差(例えば直交)して延出されている。
第1のグループ30(あるいは第2のグループ40)に属する複数の電気的接続部22のうち、隣同士の電気的接続部22は千鳥状にずれて配置されていてもよい。これによれば、限られた平面領域内で隣同士の電気的接続部22のピッチを広げることができ、電気的接続部22同士の電気的ショートを防止することができる。同様にして、第1のグループ30(あるいは第2のグループ40)に属する複数のスルーホール28のうち、隣同士のスルーホール28は千鳥状にずれて配置されていてもよい。これによれば、限られた平面領域内で隣同士のスルーホール28のピッチを広げることができ、スルーホール28同士の電気的ショートを防止することができる。あるいは、第2のグループ40(あるいは第1のグループ30)に属する複数の電気的接続部22は1列に配置されていてもよいし、第2のグループ40(あるいは第1のグループ30)に属する複数のスルーホール28は1列に配置されていてもよい。
スルーホール28は、それと電気的導通が図られた電気的接続部22(の全体)を避けて形成されていてもよい。すなわち、電気的接続部22の下地(直下)にはスルーホール28が配置されていなくてもよい。例えば、スルーホール28は、延出部23にオーバーラップして形成されていてもよい。
あるいは、図5の変形例に示されるように、配線70のスルーホール78は、それと電気的導通が図られた電気的接続部72にオーバーラップして形成されていてもよい。すなわち、電気的接続部72の下地(直下)にスルーホール78を配置してもよい。複数のスルーホール78のそれぞれを、それと電気的導通が図られた電気的接続部72にオーバーラップして形成してもよい。これによれば、スルーホール78は導電材料でありフレキシブル基板10よりも硬いので、チップ部品(例えば半導体チップ50)をボンディングしたときに、電気的接続部22に加えられるボンディング加重を小さくすることができる。したがって、接続不良の少ない良好なボンディングを行うことができ、信頼性の向上を図ることができる。なお、図5に示すように、延出部73は、第1の部分74のうち、チップ部品の電気的接続部(例えばバンプ54)からわずかにはみ出した部分であってもよい。あるいは、第1の部分74が電気的接続部72であってもよく、その場合には延出部73を省略することができる。
本実施の形態に係る配線基板は上述のように構成されており、次に配線基板の製造方法について説明する。本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、フレキシブル基板10に上述の配線20を有する配線パターンを形成することを含む。配線20は、金属箔をエッチングすることによってパターニングすることができる。例えば、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12の面に金属箔を形成し、金属箔をエッチングして第1の部分24の形状にパターニングしてもよい。第2の部分26の形成工程は、第1の部分24の形成工程と同様であってもよい。スルーホール28の形成工程は、第1及び第2の部分24,26の形成工程後に行ってもよいし、それらの形成工程前に行ってもよいし、いずれか一方の形成工程後であって他方の形成工程前に行ってもよい。スルーホール28を電気的接続部22とオーバーラップするように形成する場合には、スルーホール28の形成工程後に第1の部分24の形成工程を行う。配線基板の製造方法についてのその他の詳細は、上述の配線基板の内容から導くことができる。
本実施の形態に係る半導体装置は、上述の配線基板と、チップ部品としての半導体チップ50と、を有する。半導体チップ50には集積回路が形成されている。半導体チップ50は、パッド(例えばアルミパッド)52と、パッド52上のバンプ(例えば金バンプ)54と、を含む。複数のパッド52(又はバンプ54)の配列は、上述の配線基板の電気的接続部22の配列に対応している。バンプ54は、半導体チップ50の電気的接続部である。なお、半導体チップ50には、パッド52の中央部(バンプ54の形成領域)を避けて、パッシベーション膜56が設けられている。
半導体チップ50は、フレキシブル基板10のチップ部品搭載領域12にフェースダウンボンディングされている。配線パターンの電気的接続部22は、半導体チップ50のバンプ54に電気的に接続されている。両者の電気的接続は、金属接合であってもよい。電気的接続部22は、バンプ54の一部にオーバーラップしてなり(図2参照)、かつ、バンプ54に入り込んでいる(図4参照)。電気的接続部22の上端部のみがバンプ54に入り込んでもよい。なお、図3に示すように、半導体チップ50とフレキシブル基板10との間に、樹脂などの封止材(アンダーフィル材)58が充填されていてもよい。
本実施の形態に係る半導体装置によれば、上述の配線基板を有するので、信頼性の向上を図ることができる。詳しくは、配線20は、半導体チップ50とフレキシブル基板10との間に介在しないので、バンプ54の高さを低くしてもエッジショートを引き起こさずに済む。なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ50をチップ部品搭載領域12にフェースダウンボンディングすることを含む。図1に示す配線基板1に複数の半導体チップ50を搭載した後、それぞれの配線パターン形成領域3ごとに打ち抜くことによって、複数の半導体装置を製造することができる。
図6は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。この電子デバイスは、上述の半導体装置と、半導体装置が電気的に接続されて電気光学パネル110と、を含む。半導体装置には、フレキシブル基板10上に半導体チップ(駆動IC)50が搭載されている。この電子デバイスは、電気的情報信号を視覚的に認識できる光情報信号に変換する表示装置であってもよい。電気光学パネル110は、表示パネルであってもよい。電気光学パネル110として、例えば、液晶パネル、プラズマディスプレイパネル、エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルなどが挙げられる。
本発明の実施の形態に係る電子機器として、図7にはノート型パーソナルコンピュータ1000が示され、図8には携帯電話2000が示されている。これらの電子機器は、上述の配線基板、半導体装置、電子デバイスのいずれかを有する。
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
図1は、本発明の実施の形態に係る配線基板の平面図である。 図2は、図1の部分拡大図である。 図3は、図2のIII−III線断面図である。 図4は、図2のIV−IV線断面図である。 図5は、本発明の実施の形態の変形例を示す図である。 図6は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスを示す図である。 図7は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。 図8は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
符号の説明
1…配線基板 3…配線パターン形成領域 10…フレキシブル基板
12…チップ部品搭載領域 14…第1の長辺 16…第2の長辺 20…配線
22…電気的接続部 23…延出部 24…第1の部分 26…第2の部分
28…スルーホール 30…第1のグループ 40…第2のグループ
50…半導体チップ 52…パッド 54…バンプ 56…パッシベーション膜
58…封止材 60…絶縁層 70…配線 72…電気的接続部 73…延出部
74…第1の部分 78…スルーホール 110…電気光学パネル

Claims (13)

  1. チップ部品が搭載されるチップ部品搭載領域を有するフレキシブル基板と、
    配線を有する配線パターンと、
    を含み、
    前記配線は、
    前記チップ部品搭載領域の内側に形成された電気的接続部を有し、かつ、前記電気的接続部の幅をもって延出された第1の部分と、
    前記フレキシブル基板の前記第1の部分とは反対の面に形成された第2の部分と、
    前記フレキシブル基板を貫通して前記第1の部分と前記第2の部分とを電気的に接続するスルーホールと、
    を有し、
    前記第1の部分は、前記チップ部品搭載領域の外側に延出しないように形成され、
    前記スルーホールは、前記チップ部品搭載領域の内側に形成され、
    前記配線は、前記第2の部分を介して、前記チップ部品搭載領域の外側に延出されてなる配線基板。
  2. 請求項1記載の配線基板において、
    前記スルーホールは、前記電気的接続部にオーバーラップして形成されてなる配線基板。
  3. 請求項1記載の配線基板において、
    前記スルーホールは、前記電気的接続部を避けて形成されてなる配線基板。
  4. 請求項1から請求項3のいずれかに記載の配線基板において、
    前記フレキシブル基板の前記チップ部品搭載領域とは反対の面に設けられた絶縁層をさらに含み、
    前記絶縁層は、前記第2の部分を覆ってなる配線基板。
  5. 請求項1から請求項4のいずれかに記載の配線基板において、
    複数の前記配線を有し、
    複数の前記第1の部分のいずれもが、前記チップ部品搭載領域の外側に延出しないように形成され、
    複数の前記スルーホールのいずれもが、前記チップ部品搭載領域の内側に形成され、
    前記複数の配線のいずれもが、複数の前記第2の部分を介して、前記チップ部品搭載領域の外側に延出されてなる配線基板。
  6. 請求項5記載の配線基板において、
    前記チップ部品搭載領域の外形は、第1及び第2の長辺を有する長方形をなし、
    前記複数の配線は、それぞれに複数が属する第1及び第2のグループに分けられ、
    前記第1のグループに属する前記複数の配線のうち、複数の前記電気的接続部は、前記チップ部品搭載領域の前記第1の長辺に沿った領域に配列され、
    前記第2のグループに属する前記複数の配線のうち、複数の前記電気的接続部は、前記チップ部品搭載領域の前記第2の長辺に沿った領域に配列されてなる配線基板。
  7. 請求項6記載の配線基板において、
    前記第1及び第2のグループの少なくとも一方では、隣同士の前記電気的接続が千鳥状にずれて配置されてなる配線基板。
  8. 請求項6又は請求項7記載の配線基板において、
    前記第1及び第2のグループの少なくとも一方では、隣同士の前記スルーホールが千鳥状にずれて配置されてなる配線基板。
  9. 請求項1から請求項8のいずれかに記載の配線基板と、
    前記チップ部品としての、バンプを有する半導体チップと、
    を含み、
    前記半導体チップは、前記チップ部品搭載領域にフェースダウンボンディングされ、
    前記電気的接続部は、前記バンプの一部にオーバーラップしてなり、かつ、前記バンプに入り込んでなる半導体装置。
  10. 請求項9記載の半導体装置と、
    前記半導体装置が電気的に接続された電気光学パネルと、
    を含む電子デバイス。
  11. 請求項10記載の半導体装置を有する電子機器。
  12. チップ部品が搭載されるチップ部品搭載領域を有するフレキシブル基板に、配線を有する配線パターンを形成することを含み、
    前記配線形成工程で、
    前記チップ部品搭載領域の内側に配置された電気的接続部を有し、前記電気的接続部の幅をもって延出させ、かつ、前記チップ部品搭載領域の外側に延出しないように第1の部分を形成すること、
    前記フレキシブル基板の前記第1の部分とは反対の面に第2の部分を形成すること、
    前記フレキシブル基板に形成した貫通穴に導電材料を設けることによって、前記チップ部品搭載領域の内側に、前記第1の部分と前記第2の部分とを電気的に接続するためのスルーホールを形成すること、
    を行うことによって、前記配線を、前記第2の部分を介して、前記チップ部品搭載領域の外側に延出するように形成する配線基板の製造方法。
  13. 請求項12記載の方法によって配線基板を製造し、バンプを含む半導体チップを、前記チップ部品搭載領域にフェースダウンボンディングすることを含み、
    前記フェースダウンボンディング工程で、前記電気的接続部を、前記バンプの一部にオーバーラップさせ、かつ、前記バンプに入り込ませる半導体装置の製造方法。
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