JP2005333143A - 低誘電体スペーサを備えたトランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
低誘電体スペーサを備えたトランジスタおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005333143A JP2005333143A JP2005147449A JP2005147449A JP2005333143A JP 2005333143 A JP2005333143 A JP 2005333143A JP 2005147449 A JP2005147449 A JP 2005147449A JP 2005147449 A JP2005147449 A JP 2005147449A JP 2005333143 A JP2005333143 A JP 2005333143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spacer
- gate
- dielectric
- dielectric constant
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 title claims abstract description 120
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 121
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 13
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 244000132059 Carica parviflora Species 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 55
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 18
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 15
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 13
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 11
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000007062 medium k Substances 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 241000243321 Cnidaria Species 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004964 aerogel Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000417 polynaphthalene Polymers 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- LVJZCPNIJXVIAT-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2,3,4,5,6-pentafluorobenzene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(C=C)C(F)=C1F LVJZCPNIJXVIAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYZHZLQEGSYGDH-UHFFFAOYSA-N 7-bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-trienyl-[[7,8-bis(ethenyl)-7-bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-trienyl]oxy]silane Chemical compound C1C2=CC=CC=C2C1[SiH2]OC1(C=C)C2=CC=CC=C2C1C=C DYZHZLQEGSYGDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000388002 Agonus cataphractus Species 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- KMTYGNUPYSXKGJ-UHFFFAOYSA-N [Si+4].[Si+4].[Ni++] Chemical compound [Si+4].[Si+4].[Ni++] KMTYGNUPYSXKGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000005383 fluoride glass Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/6656—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using multiple spacer layers, e.g. multiple sidewall spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66575—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
- H01L29/6659—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate with both lightly doped source and drain extensions and source and drain self-aligned to the sides of the gate, e.g. lightly doped drain [LDD] MOSFET, double diffused drain [DDD] MOSFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】 FETトランジスタは、ソースとドレーンの間に配置されたゲートと、ゲートの下側に配置されたゲート誘電体層と、ゲートの側部のスペーサと、を有する。ゲート誘電体層は従来の酸化物であり、スペーサは低誘電定数(k)を有する。低誘電定数(k)は3.85より小さくすることができ、また3.85(〜酸化物)より大きく7.0(〜窒化物)より小さくすることもできる。スペーサは、ゲート誘電体層に選択的にエッチングできる材料からなることが好ましい。スペーサは多孔性とすることができ、多孔性スペーサの上には薄い層が堆積されて、吸湿を防止する。スペーサは、Black Diamond、Coral、TERA、及びBlokタイプの材料からなる群から選択された材料からなるものであってもよい。スペーサ材料には、該スペーサを酸素プラズマに曝すことにより、孔を形成することができる。
【選択図】 図2
Description
ここで用いる低k材料とは、誘電定数kが3.85より小さい(酸化物より小さい)材料であり、中k材料とは、誘電定数kが7.0(窒化物)より小さく、3.85より大きい材料である。
−Dow Chemicalにより販売されているBCB(ジビニルシロキサン・ビスベンゾシクロブテン)。
−Dow Chemicalにより販売されている、BCBに似た、k=2.65の有機ポリマーであるSiLK(商標)。
−Honeywellにより販売されているk=2.2の無機多孔性ポリマーであるNANOGLASS(商標)。
−カリフォルニア州サニーベール所在のAllied SignalのAdvanced Microelectronic Materials(事業部)から入手可能な有機低kポリ(アリーレン)エーテルであるFLARE 2.0(商標)誘電体。
−スピン・オン・ガラス(SOG)、フッ素化シリコンガラス(FSG)、及び特に当業者によりブラック・ダイヤモンド又はBDと呼ばれるメチルドープされた多孔性シリカなどといった無機材料。BD層の体積の約36%は、直径約8オングストロームから約24オングストロームの孔の形態を取る。
−JSR LKD 5109(日本合成ゴムのスピン・オン材料)などの有機ケイ酸材料。
−(フッ素化された又はフッ素化されない)有機ポリマー、無機ポリマー(無孔性)、無機−有機ハイブリッド、又は多孔性材料(キセロゲル又はエアロゲル)。
−パリレン系ポリマー、ポリナフタレン系ポリマー、又はポリテトラフルオロエチレンから選択された材料。
−有機ケイ酸塩ガラス(OSG)であり、Applied Materials Inc.により販売されている2.7から3.0までの(例えば2.9の)誘電定数kを持ったSi−O−C−N系の材料である、Black Diamond(商標)。Black Diamond(商標)は約12%の炭素及び約9%の窒素で構成される。
−同じく有機ケイ酸塩ガラス(OSG)であり、Novellus Systems, Inc.から発売されている2.7から3.0までのkを持ったSi−O−C−H系の材料であるCORAL(商標)。CORAL(商標)は約30%の炭素で構成される。
フッ素化SiO2ガラス、及びアモルファスC:F。
−3.4のk値を持つFSG(フッ素化シリコンガラス)。組成(Si−O−F)。
−IBMによって開発されたk=5のシリコンカーバイド(Si−C−H)系の材料であるTERA(商標)。
−AMAT Corp.によって販売されているk=5のシリコンカーバイド(Si−C−H)系の材料であるBlok(商標)。
誘電体材料内に存在する孔は、誘電定数を下げることができるものとして知られている。低k誘電体材料及び中k誘電体材料は典型的に、プロセス条件に応じて、最初から有孔状態で付着させるか、又は無孔状態で付着させることができる。空気の誘電定数は1に近いことから、多孔性膜は、それが成長させられるベース材料より低い誘電定数を呈する。一般に、高度の多孔性を呈するのはスピン・オン材料(例えばSiLK、NANOGLASS)である。付着方法に起因して、PECVD材料は一般にそれほど高度の多孔性を呈さない。結果として、k値<2.5のCVD膜を調製することは非常に困難である。
−多孔性であるSiLK(商標、DOW Chemical)などの有機材料。
−NANOGLASS(商標、Honeywell)などの無機材料。
−JSR LKD 5109(スピン・オン材料、日本合成ゴム)などの有機ケイ酸塩材料。
−IBMによって開発されたk=5.0のシリコンカーバイド系材料であるTERA(商標)。
−AMAT Corp.によって販売されているk=5.0のシリコンカーバイド系材料であるBlok(商標)。
’748特許は、ゲート電極18上に複数の低k誘電体スペーサ(38)を設けることを論じる。スペーサ38は、以下のようにして低k誘電体材料から形成される。トランジスタ12の上に低k誘電体材料のコンフォーマル層が供与される。コンフォーマル層は、CVD法によってゲート構造体18の上に付着され、選択的にエッチングされて、ゲート構造体18の側部に当接したスペーサ38を残すことが好ましい。或いは又、スペーサ38は、スピン・オン技術又は他のプロセスによって付着することも可能である。低k誘電体コンフォーマル層はキセロゲル(例えば多孔性SiO2)であり、200nm−250nm厚さで、異方性プラズマ・ドライ・エッチング法によりエッチングされることが好ましい。
−CORAL及びBlack Diamond、又はTERA及びBlokのようなPECVD材料。これらの材料は、以下で説明するように、スペーサのエッチングの後で容易に多孔性にすることができ、結果として2より小さい誘電定数をもたらす。
−SiLK及びJSRなどのスピン・オン材料
又は広く用いられる窒化ケイ素より低い誘電定数を有する同様の材料である。
(1)ソース及びドレインの間に配置されたゲートを有するFETトランジスタと、
前記ゲートの下側に配置されたゲート誘電体層と、
前記ゲートの一側部上のスペーサと、
を備え、前記ゲート誘電体層が酸化物であり、前記スペーサが低誘電定数(k)を有する、集積回路(IC)。
(2)前記低誘電定数(k)が、3.85より小さい、上記(1)に記載のIC。
(3)前記低誘電定数(k)が、7.0より小さく、かつ3.85より大きい、上記(1)に記載のIC。
(4)前記スペーサが、選択的にエッチングしてゲート誘電体層とすることができる材料からなる、上記(1)に記載のIC。
(5)前記スペーサが多孔性であって、吸湿を防止するために前記スペーサ上に付着された薄層をさらに備える、上記(1)に記載のIC。
(6)前記薄層が酸化物からなる、上記(5)に記載のIC。
(7)前記薄層が、5nmより小さい厚さを有する、上記(5)に記載のIC。
(8)前記薄層が、約1−2nmの厚さを有する、上記(5)に記載のIC。
(9)前記スペーサが、Black Diamond、Coral、TERA、及びBlokタイプの材料からなる群から選択された材料からなる、上記(1)に記載のIC。
(10)ゲート電極上にスペーサを有するトランジスタを形成する方法であって、
誘電体材料を付着し、
前記誘電体材料をエッチングしてスペーサを形成し、
前記誘電体材料に孔を形成し、
前記多孔性誘電体材料の上に薄層を付着する、
各ステップを含む方法。
(11)前記スペーサは、該スペーサを酸素プラズマに曝すことによって多孔性にされる、上記(10)に記載の方法。
(12)前記スペーサが有機物質を含み、
前記スペーサは、前記有機物質を除去することによって多孔性にされる、上記(10)に記載の方法。
(13)前記スペーサが、Si−O−C−N系の低k材料からなる、上記(10)に記載の方法。
(14)前記孔が、前記スペーサのエッチング中に形成される、上記(10)に記載の方法。
(15)前記スペーサが、低誘電定数(k)を有する、上記(10)に記載の方法。
(16)前記低誘電定数(k)が、3.85より小さい、上記(15)に記載の方法。
(17)前記低誘電定数(k)が、7.0より小さく、3.85より大きい、上記(15)に記載の方法。
(18)前記スペーサが多孔性であって、吸湿を防止するために前記スペーサ上に薄層を付着させることをさらに含む、上記(15)に記載の方法。
(19)前記薄層が酸化物からなる、上記(10)に記載の方法。
(20)前記薄層が、5nmより小さい厚さを有する、上記(10)に記載の方法。
517、519:深いコンタクト領域
518:ゲート構造体
520:酸化物層
522:ソース領域
523:ソース延長部
524:ドレイン領域
525:ドレイン延長部
534:誘電体層
538:多孔性スペーサ
558:構造体
560、562:ケイ化物層
570:ケイ化物層
Claims (8)
- ソース及びドレインの間に配置されたゲートを有するFETトランジスタと、
前記ゲートの下側に配置されたゲート誘電体層と、
前記ゲートの一側部上のスペーサと、
を備え、前記ゲート誘電体層が酸化物であり、前記スペーサが低誘電定数(k)を有する、集積回路(IC)。 - 前記スペーサが多孔性であって、吸湿を防止するために前記スペーサ上に付着された薄層をさらに備える、請求項1に記載のIC。
- 前記スペーサが、Black Diamond、Coral、TERA、及びBlokタイプの材料からなる群から選択された材料からなる、請求項1に記載のIC。
- ゲート電極上にスペーサを有するトランジスタを形成する方法であって、
前記ゲート電極上に誘電体材料を付着するステップと、
前記誘電体材料をエッチングしてスペーサを形成するステップと、
前記誘電体材料に孔を形成するステップと、
前記誘電体材料の上に薄層を付着するステップと
を含む方法。 - 前記スペーサは、該スペーサを酸素プラズマに曝すことによって多孔性にされる、請求項4に記載の方法。
- 前記スペーサが有機物質を含み、
前記スペーサは、前記有機物質を除去することによって多孔性にされる、請求項4に記載の方法。 - 前記スペーサが、Si−O−C−N系の低k材料からなる、請求項4に記載の方法。
- 前記孔が、前記スペーサのエッチング中に形成される、請求項4に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/709,652 US7081393B2 (en) | 2004-05-20 | 2004-05-20 | Reduced dielectric constant spacer materials integration for high speed logic gates |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005333143A true JP2005333143A (ja) | 2005-12-02 |
Family
ID=35375728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005147449A Pending JP2005333143A (ja) | 2004-05-20 | 2005-05-20 | 低誘電体スペーサを備えたトランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7081393B2 (ja) |
JP (1) | JP2005333143A (ja) |
CN (1) | CN100383969C (ja) |
TW (1) | TW200539313A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008047635A1 (en) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Tokyo Electron Limited | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
KR20190055680A (ko) * | 2017-11-15 | 2019-05-23 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 게이트 스택들을 위한 측벽 스페이서들을 가진 집적 회로 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7217647B2 (en) * | 2004-11-04 | 2007-05-15 | International Business Machines Corporation | Structure and method of making a semiconductor integrated circuit tolerant of mis-alignment of a metal contact pattern |
US20080070356A1 (en) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Trench replacement gate process for transistors having elevated source and drain regions |
US7585716B2 (en) * | 2007-06-27 | 2009-09-08 | International Business Machines Corporation | High-k/metal gate MOSFET with reduced parasitic capacitance |
US7863123B2 (en) * | 2009-01-19 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Direct contact between high-κ/metal gate and wiring process flow |
US8114780B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-02-14 | Lam Research Corporation | Method for dielectric material removal between conductive lines |
US8492278B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-07-23 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a plurality of spaced features |
US20120080749A1 (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Purtell Robert J | Umos semiconductor devices formed by low temperature processing |
US8580646B2 (en) * | 2010-11-18 | 2013-11-12 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating field effect transistors with low k sidewall spacers |
US20140367767A1 (en) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10084060B2 (en) * | 2014-08-15 | 2018-09-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method of the same |
US10607932B2 (en) | 2016-07-05 | 2020-03-31 | E Ink Holdings Inc. | Circuit structure |
CN107580410B (zh) * | 2016-07-05 | 2019-12-13 | 元太科技工业股份有限公司 | 电连接结构 |
US10103201B2 (en) | 2016-07-05 | 2018-10-16 | E Ink Holdings Inc. | Flexible display device |
CN107689329B (zh) * | 2016-08-03 | 2020-03-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 鳍式场效应晶体管及其制造方法 |
US11355615B2 (en) * | 2020-01-17 | 2022-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | FinFET having fluorine-doped gate sidewall spacers |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223572A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-11 | Lucent Technol Inc | 熱的に安定で低誘電率の材料を具備するデバイス |
JP2001257346A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-21 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2002241532A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP2002261278A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-09-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ノッチ・ゲート・プロセスを使用する低誘電率側壁スペーサ |
JP2003152106A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003179064A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Sony Corp | 配線パターンの形成方法 |
JP2003209169A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004006891A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Sharp Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2004023031A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6271577B1 (en) | 1997-12-17 | 2001-08-07 | Texas Instruments Incorporated | Transistor and method |
US6383951B1 (en) | 1998-09-03 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Low dielectric constant material for integrated circuit fabrication |
US6297115B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-10-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Cmos processs with low thermal budget |
US6342450B1 (en) | 1999-01-07 | 2002-01-29 | International Business Machines Corporation | Method of forming insulating spacers in DRAM chips |
US6245669B1 (en) | 1999-02-05 | 2001-06-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | High selectivity Si-rich SiON etch-stop layer |
US6194748B1 (en) * | 1999-05-03 | 2001-02-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | MOSFET with suppressed gate-edge fringing field effect |
JP3450758B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2003-09-29 | 株式会社東芝 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
US6429477B1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-08-06 | International Business Machines Corporation | Shared body and diffusion contact structure and method for fabricating same |
US6528372B2 (en) | 2001-06-27 | 2003-03-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Sidewall spacer definition of gates |
JP3859540B2 (ja) * | 2002-05-14 | 2006-12-20 | 松下電器産業株式会社 | 低誘電率絶縁膜形成用材料 |
-
2004
- 2004-05-20 US US10/709,652 patent/US7081393B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-26 CN CNB2005100678241A patent/CN100383969C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-28 TW TW094113712A patent/TW200539313A/zh unknown
- 2005-05-20 JP JP2005147449A patent/JP2005333143A/ja active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000223572A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-11 | Lucent Technol Inc | 熱的に安定で低誘電率の材料を具備するデバイス |
JP2001257346A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-21 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JP2002261278A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-09-13 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ノッチ・ゲート・プロセスを使用する低誘電率側壁スペーサ |
JP2002241532A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-28 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP2003152106A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003179064A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Sony Corp | 配線パターンの形成方法 |
JP2003209169A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004006891A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Sharp Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2004023031A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008047635A1 (en) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Tokyo Electron Limited | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
KR20190055680A (ko) * | 2017-11-15 | 2019-05-23 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 게이트 스택들을 위한 측벽 스페이서들을 가진 집적 회로 |
KR102112641B1 (ko) * | 2017-11-15 | 2020-05-19 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 게이트 스택들을 위한 측벽 스페이서들을 가진 집적 회로 |
US10770354B2 (en) | 2017-11-15 | 2020-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming integrated circuit with low-k sidewall spacers for gate stacks |
US10854726B2 (en) | 2017-11-15 | 2020-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated circuit with doped low-k sidewall spacers for gate stacks |
US11699737B2 (en) | 2017-11-15 | 2023-07-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated circuit with doped low-k side wall spacers for gate spacers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1700472A (zh) | 2005-11-23 |
US7081393B2 (en) | 2006-07-25 |
CN100383969C (zh) | 2008-04-23 |
US20050260819A1 (en) | 2005-11-24 |
TW200539313A (en) | 2005-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005333143A (ja) | 低誘電体スペーサを備えたトランジスタおよびその製造方法 | |
KR102465095B1 (ko) | 반도체 디바이스들을 위한 에칭 스탑 층 | |
TWI736884B (zh) | 半導體裝置的形成方法 | |
US11854907B2 (en) | Contact air gap formation and structures thereof | |
US9105606B2 (en) | Self aligned contact with improved robustness | |
US6194748B1 (en) | MOSFET with suppressed gate-edge fringing field effect | |
JP5400913B2 (ja) | シリサイド化金属ゲートの形成のための方法 | |
KR102112641B1 (ko) | 게이트 스택들을 위한 측벽 스페이서들을 가진 집적 회로 | |
JP4988091B2 (ja) | ダマシンコンタクトおよびゲートプロセスで作製された自己整列ソースおよびドレイン延在部 | |
US20130320414A1 (en) | Borderless contacts for metal gates through selective cap deposition | |
US20210134665A1 (en) | Fin field effect transistor (finfet) device structure with protection layer and method for forming the same | |
US20060177979A1 (en) | Method of manufacturing a capacitor and a metal gate on a semiconductor device | |
US8053323B1 (en) | Patterning methodology for uniformity control | |
KR100772901B1 (ko) | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 | |
KR20130108025A (ko) | 반도체 소자의 접촉 구조 | |
TW201015669A (en) | Method for gate height control in a gate last process | |
CN110660742A (zh) | 制造半导体装置的方法 | |
US10297454B2 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
JP2004095611A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US11264456B2 (en) | Isolation regions for reduced junction leakage | |
KR100626928B1 (ko) | 자기 정합 콘택 식각용 실리사이드 게이트 스택을 형성하는 방법 | |
JP2009514213A (ja) | 犠牲マスキング構造を用いた半導体装置の製造方法 | |
US20230014156A1 (en) | Semiconductor interconnect structure with bottom self-aligned via landing | |
TW202247268A (zh) | 使用旋塗碳化矽形成自對準接觸窗的方法 | |
US7745298B2 (en) | Method of forming a via |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080326 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111129 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120717 |