JP2005333132A - 半導体パッケージ - Google Patents
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- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Abstract
【課題】 非導電性粘着材とチップとの間に適切な接着領域を備え、それによって封止処理後に発生する応力集中を緩和させると共にチップクラックの発生を回避してパッケージの製造歩留を向上させることができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 半導体パッケージは、基板と、第1のチップと、非導電性粘着材と、第2のチップと、複数個の支持ボールとを備える。第1のチップは上部表面及びこの上部表面と反対側の下部表面を有し、その下部表面は基板に実装される。非導電性粘着材は第1のチップの上部表面に配置される。第2のチップは上部表面とこの上部表面の反対側の下部表面を有し、この下部表面は非導電性粘着材によって第1のチップの上部表面上に実装され、第2のチップの下部表面の90%を越える領域が非導電性粘着材と第2のチップとの間の接着領域である。支持ボールは第2のチップを支持するために上記非導電性粘着材内に配置される。
【選択図】 図8
【解決手段】 半導体パッケージは、基板と、第1のチップと、非導電性粘着材と、第2のチップと、複数個の支持ボールとを備える。第1のチップは上部表面及びこの上部表面と反対側の下部表面を有し、その下部表面は基板に実装される。非導電性粘着材は第1のチップの上部表面に配置される。第2のチップは上部表面とこの上部表面の反対側の下部表面を有し、この下部表面は非導電性粘着材によって第1のチップの上部表面上に実装され、第2のチップの下部表面の90%を越える領域が非導電性粘着材と第2のチップとの間の接着領域である。支持ボールは第2のチップを支持するために上記非導電性粘着材内に配置される。
【選択図】 図8
Description
本発明は、一般に半導体パッケージに関し、より詳細には、積み重ねられた2個のチップを有する半導体パッケージであって、その積み重ねられたチップの間に非導電性粘着材とボンディングワイヤに必要なスペースを得るための複数個の支持ボールが配設され、その非導電性粘着材と上部チップとの間の接着領域が上部チップの下部表面領域の90%を越えており、それによって封止工程後の応力集中を緩和させると共に、チップのクラックの発生を回避し、半導体パッケージの製造歩留を増加させる半導体パッケージに関する。
小型化及び高動作速度化の需要が増大するに従って、マルチチップモジュールはエレクトロニクスの様々な分野でますます魅力が増している。マルチチップモジュールは、単一の半導体パッケージ上で複数のチップを支持することのできるモジュール又はパッケージである。例えば、マルチチップメモリパッケージは、一般に共通基板上に複数個のメモリチップを設け、それによってサイズの点で優位性を有し、パッケージのメモリ容量を増大できる。更にマルチチップパッケージは高動作速度を有し、ICチップ間の配線長を短くでき、その結果、信号遅延やアクセス時間を低減することができる。しかもマルチチップパッケージは、単一の半導体パッケージ内にメモリチップ、論理チップ、マイクロプロセッサなどの異なる機能を有する複数チップを結合することで一体的に動作機能する。
近年、単一の半導体パッケージに2個のチップを積層したものが出現しており、主にそれについて下記既存の半導体パッケージで説明する。第1の既存の半導体パッケージ2によれば、既存の第1の半導体パッケージ2は、基板10、下部チップ20、ダミーチップ30及び上部チップ40を含んでいる。図1を参照すると、下部チップ20は粘着材22によって基板10上に実装されており、下部チップ20の上部表面28の両端には複数のアルミニウムパッド24が設けられ、それらのパッドは複数の第1のボンディングワイヤ26を介して基板10に設けられた複数のパッド12に電気的に接続される。図2を参照すると、ダミーチップ30は、粘着材32により下部チップ20上に実装され、高さ(H)5ミルを超えるような第1のボンディングワイヤ26に必要なスペースを確保している。図3を参照すると、上部チップ40は、粘着材42によってダミーチップ30上に実装されており、上部チップ40の上面48には複数個のアルミニウムパッド44が設けられ、それらのパッドは複数個の第2のボンディングワイヤ46を介して基板10のパッド12に電気的に接続され、かくして2個のチップ20、40は基板10上に積み重ねられる。しかしながら、この既存の第1の半導体パッケージ2では高い製造コストを要するばかりか、比較的長い実装時間を必要とする。更に、ダミーチップと粘着材の膨張係数の間に不整合があると、封止工程後にダミーチップと粘着材間における接合部分に発生する応力に起因してチップクラックも生じ、半導体パッケージの製造歩留が減少する。半導体パッケージ2の歩留は一般に30%から40%の範囲内である。
更に、従来技術による第2の半導体パッケージ50は、実質的に上記既存の第1の半導体パッケージ2と同様である。既存の第2の半導体パッケージ50は、基板60、下部チップ70及び上部チップ90を備える。図4を参照すると、複数個のアルミニウムパッド74が下部チップ70の上部表面78の同じ側の端部に配置されている。図5を参照すると、下部チップ70は粘着材72によって基板60上に実装され、その下部チップ70のアルミニウムパッド74は複数個の第1のボンディングワイヤ76を介して基板60の複数個のパッド62に電気的に接続される。続いて、上部チップ90は粘着材92によって下部チップ70上に実装され、多段積層法によって下部チップ70上に積み重ねられる。最後に、上部チップ90の上部表面98に複数個のアルミニウムパッド94が設けられ、それらのパッドが複数個の第2のボンディングワイヤ96を介して基板60のパッド62に電気的に接続され、それら2個のチップ70、90は基板60上に積み重ねられる。しかしながら、これらのチップは特別に設計される必要があり、通常のチップとは明らかに相違する。従って、これらのチップを入手するのは容易ではなく、チップのコストが増大する。また、パッケージには上記多段積層法による2層以上の積層チップを含み、各チップは寸法を小さくする必要があり、チップの費用が増大する。
更に、「マルチチップパッケージ」と題する台湾特許公開番号442,876号公報には、半導体パッケージの積層構造が開示されている。その半導体パッケージは、チップキャリア、複数の導電性バンプ、複数のボンディングワイヤ、複数のチップ(例えば、下部チップ及び上部チップ)及び粘着性層を備えている。下部チップはチップキャリア上に配置され、導電性バンプは下部チップ上に配置されている。上部チップは粘着性層によって下部チップ上に配置され、各導電性バンプは上部チップを支持するために円筒形突起を有している。しかしながら、この粘着性層は導電性粘着層ではなく、かつ円筒性突起が導電性材料によって形成されているため、その積層構造の粘着性層では上部チップと下部チップを完全に絶縁することができない。しかもその円筒性突起が上部チップの表面を損傷する場合がある。
更に、「半導体パッケージ内のマルチチップ積層体」と題する台湾特許公開番号510,573号公報には半導体パッケージの積層構造が開示されている。その半導体パッケージは、封止材、複数のチップ、チップキャリア、複数の金属トレース及びグラスファイバエポキシ樹脂層を含んでいる。各チップは封止材で封止され、上部表面、下部表面、及びこの上部表面上に形成された複数のボンディングパッドを有している。基板またはリードフレームなどのチップキャリアはチップを積み重ねて実装するために使用される。金属トレースはチップキャリアにチップのボンディングパッドを電気的に接続するために封止材内に封止される。グラスファイバエポキシ樹脂層は2つのチップを積み重ね実装するためにその2つのチップ間に配設されている。しかしながら、グラスファイバエポキシ樹脂層は柔らかな材料で形成されており、このようなグラスファイバエポキシ樹脂層は、例えば高さが5ミル以上といったボンディングワイヤ(即ち、金属トレース)に必要なスペースを十分に形成することができない。
従って、上記問題を解消することを可能とする半導体パッケージの必要性が生じている。
台湾特許公開番号442,876号明細書
台湾特許公開番号510,573号明細書
本発明の目的は、非導電性粘着材とチップとの間に適切な接着領域を含み、それによって封止処理後における応力集中を緩和させると共にチップクラックの発生を回避してパッケージの製造歩留を向上させることができる半導体パッケージを提供することにある。
本発明の他の目的は、非導電性粘着材内に配置され、ボンディングワイヤに必要なスペースを確保するためのチップを支持する複数個の支持ボールを備える半導体パッケージを提供することにある。
本発明に係る半導体パッケージは、基板、第1のチップ、非導電性粘着材、第2のチップ及び複数個の支持ボールを備える。第1のチップは上部表面とこの上部表面の反対側に下部表面を有し、下部表面は基板に実装される。非導電性粘着材は第1のチップの上部表面に配置される。第2のチップは上部表面とこの上部表面の反対側の下部表面を有し、この下部表面は非導電性粘着材によって上記第1のチップの上部表面に実装され、かつ非導電性粘着材と第2のチップ間の接着領域が第2のチップの下部表面領域の90%を越えている。支持ボールは第2のチップを支持するために非導電性粘着材内に配置される。
従来の半導体パッケージと比較して、本発明に係る半導体パッケージ内の非導電性粘着材と第2のチップ間に設けられた適切な接着領域では、非導電性粘着材と第2のチップ間の接合部分で発生する熱応力が、連続処理工程の間、全接着領域に分散されるため、熱硬化性の処理工程後の応力集中が緩和されると共に、チップクラックの発生も回避され、パッケージの製造歩留が向上する。
本発明の上記目的、特徴及び利点は、添付図面を参照しながら、以下の詳細な説明により容易に明らかになる。
図6〜図11を参照すると、そこには本発明の一実施例による半導体パッケージ100が示されている。半導体パッケージ100は基板110、第1のチップ120及び第2のチップ140を備える。第1のチップ120及び第2のチップ140はダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)、スタティク・ランダム・アクセス・メモリ(SRAM)、フラッシュ・メモリ(FLASH)、ランバス・メモリ等のメモリチップ、マイクロプロセッサ、論理チップまたはラジオチップとすることができる。
図6を参照すると、基板110には複数個のパッド112を設ける。第1のチップ120は上部表面128及びその上部表面128の反対側に下部表面129を有し、その下部表面129が粘着材122によって基板110上に実装されており、且つ上部表面128の端部(例えば、上部表面128の両側の端部)には複数個のパッド124及び第1のチップ120のパッド124を基板110のパッド112に電気的に接続する複数個の第1のボンディングワイヤ126を設ける。第1のチップ120のパッド124はアルミニウムパッドにすることができる。
図7aを参照すると、非導電性粘着材130は第1のチップ120の上部表面128に配置される。複数個の支持ボール132はインターミキシング法を用いて非導電性粘着材130内に配置され、しかも図8に示したように、第2のチップ140を支持する。支持ボール132は第1のボンディングワイヤ126に必要なスペースを決定するため、たとえば5ミルの高さ(H)以上の所定の直径を有している。支持ボール132はゴムの如き弾性のある耐熱性材料により形成できる。図7bに示した他の実施例によれば、上記支持ボール132は第1の支持ボール132aと第2の支持ボール132bに分割され、第1の支持ボール132aの直径は第2の支持ボール132bの直径よりも大きく形成されている。第1の支持ボール132aは第1のボンディングワイヤ126に必要なスペース、例えば5ミルの高さ(H)以上を確保するのに用いられ、第2の支持ボール132bは第1の支持ボール132aを分離してそれらをより規則正しく、緊密に整列するのに用いられる。第2の支持ボール132bの数は第1の支持ボール132aの数の20%未満であることが好ましい。
再び図8を参照すると、第2のチップ140は上部表面148とこの上部表面148の反対側に下部表面149を有し、その下部表面149は非導電性粘着材130によって第1のチップ120の上部表面128上に実装され、上部表面148には複数個のパッド144及び第2のチップ140のパッド144を基板110のパッド112に電気的に接続する複数個の第2のボンディングワイヤ146が設けられる。非導電性粘着材130と第2のチップ140との間の接着領域は第2のチップ140の下部表面149の90%を越える領域であることが好ましい。
本発明に係る半導体パッケージ100は、更に複数個のチップ(図示せず)を追加して設けることも可能であることは本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者には明らかであり、その構造は実質的に第2のチップ140と同様であり、第2のチップ140上に複数個の非導電性粘着材と支持ボールが順々に積み重ねられ、それによって半導体パッケージ100のチップの数が増加し、上記全ての積層チップの寸法を小さくする必要はない。半導体パッケージ100の基板110はリードフレーム(図示せず)に置き換えることができる。
図9を参照すると、半導体パッケージ100は更に第3のチップ150及び第4のチップ160を含み、それらの構造は、それぞれ第1のチップ120及び第2のチップ140と同様である。第3のチップ150及び第4のチップ160は非導電性粘着材130及び支持ボール132によって順々に基板110上に積み重ねられ、その結果、半導体パッケージ100の数は増加する。非導電性粘着材130と第4のチップ160の間の接着領域は第4のチップ160の下部表面領域の90%を越えている。
図10を参照すると、半導体パッケージ100は制御チップなどの第5のチップ170及び受動素子180をさらに備える。第5のチップ170は粘着材172によって基板110に実装されワイヤボンディング方式によって基板110に電気的に接続される。受動素子180ははんだペイスト182によって基板110にはんだ付けされて基板110に電気的に接続される。
図11を参照すると、第1、第2、第3、第4及び第5のチップ120、140、150、160及び170、受動素子180及び全ボンディングワイヤを封止するため、エポキシ樹脂などの封止材190が基板110上に形成される。最後に、この封止材190は分割され、熱融着方式あるいは超音波方式によってカバー(図示せず)を封止材190にくっつけ完全なパッケージを形成する。半導体パッケージ100はフラッシュメモリカードの半導体パッケージにすることができる。
従来の半導体パッケージと比較して、本発明に係る半導体パッケージにおける非導電性粘着材130と第2のチップ140間の接着領域は増加しており、このため非導電性粘着材130と第2のチップ140間の接合部分に生じる熱応力が、連続処理工程中、全接着領域に分散され、その結果、熱硬化処理後の応力集中が緩和され、チップクラックの発生も回避されてパッケージの製造歩留が増加する。一般に、本発明に係る半導体パッケージの歩留は約92%以上である。
以上本発明はその好ましい実施形態について説明したが、本発明はそれに限定されるものではない。添付した特許請求の範囲に記載した本発明の精神及び範囲から逸脱することはなく、当業者であればその他様々な改良及び変更をなし得ることは当然のことである。
2、50、100…半導体パッケージ
10、60、110…基板
12、24、62、74、94、112、124、144…パッド
20、70…下部チップ
22、32、72、92、172…粘着材
26、46、76、96、126、164…ボンディングワイヤ
30…ダミーチップ
40、90…上部チップ
120…第1のチップ
128、148…上部表面
129、149…下部表面
130…非導電性粘着材
132…支持ボール
140…第2のチップ
150…第3のチップ
160…第4のチップ
170…第5のチップ
180…受動素子
182…はんだペイスト
190…封止材
10、60、110…基板
12、24、62、74、94、112、124、144…パッド
20、70…下部チップ
22、32、72、92、172…粘着材
26、46、76、96、126、164…ボンディングワイヤ
30…ダミーチップ
40、90…上部チップ
120…第1のチップ
128、148…上部表面
129、149…下部表面
130…非導電性粘着材
132…支持ボール
140…第2のチップ
150…第3のチップ
160…第4のチップ
170…第5のチップ
180…受動素子
182…はんだペイスト
190…封止材
Claims (14)
- キャリアと、
上部表面及び該上部表面と反対側の下部表面を有し、前記下部表面が前記キャリア上に実装された第1のチップと、
前記第1のチップの前記上部表面に配置された非導電性粘着材と、
上部表面及び該上部表面と反対側の下部表面を有し、前記下部表面が前記非導電性粘着材によって前記第1のチップの前記上部表面に実装され、前記下部表面領域の90%を越える領域が前記非導電性粘着材との接着領域である第2のチップと、
該第2のチップを支持する前記非導電性粘着材内に配置された複数個の支持ボールと、
を含むことを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記キャリアに複数個の第1のパッドが設けられ、前記第1のチップの前記上部表面に複数個の第2のパッドと、該第2のパッドを前記キャリアの前記第1のパッドに電気的に接続する複数個の第1のボンディングワイヤが設けられ、前記第2のチップの前記上部表面に複数個の第3のパッドと、該第3のパッドを前記キャリアの第1のパッドに電気的に接続する複数個のボンディングワイヤとが設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記支持ボールが前記第1のボンディングワイヤに必要なスペースを決める所定の直径を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体パッケージ。
- 前記支持ボールが第1の支持ボールと第2の支持ボールに分割され、前記第1の支持ボールの直径が前記第2の支持ボールの直径よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1の支持ボールが前記第1のボンディングワイヤに必要なスペースを決定するために用いられ、前記第2の支持ボールが前記第1の支持ボールを分離するために用いられることを特徴とする請求項4に記載の半導体パッケージ。
- 前記第2の支持ボールの数がすべての支持ボールの数の20%未満であることを特徴とする請求項4に記載の半導体パッケージ。
- 前記支持ボールが弾性のある耐熱性材料により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記支持ボールがゴムにより形成されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体パッケージ。
- 上部表面と該上部表面の反対側の下部表面を有し、該下部表面が前記キャリア上に実装された第3のチップと、
上部表面と該上部表面の反対側の下部表面とを有し、該下部表面が前記非導電性粘着材によって前記第3のチップの上部表面に実装され、前記下部表面の90%を越える領域が前記非導電性粘着材との接着領域である第4のチップと、
を更に備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。 - 前記キャリア上に実装された第5のチップを更に備えることを特徴とする請求項9に記載の半導体パッケージ。
- 前記キャリア上に実装された複数個の受動素子を更に備えることを特徴とする請求項10に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1、第2、第3、第4及び第5のチップ、前記受動素子及び全ボンディングワイヤを封止する封止材を更に備えることを特徴とする請求項11に記載の半導体パッケージ。
- 前記半導体パッケージがメモリカードの半導体パッケージであることを特徴とする請求項12に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1及び第2のチップ、並びに前記第1及び第2のボンディングワイヤを封止する封止材を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
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Family Applications (1)
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Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100646468B1 (ko) * | 2000-09-19 | 2006-11-14 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
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- 2004-05-18 CN CNB2004100424147A patent/CN100505250C/zh active Active
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2005
- 2005-05-12 KR KR1020050039741A patent/KR100709695B1/ko active IP Right Grant
- 2005-05-16 JP JP2005142388A patent/JP2005333132A/ja active Pending
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CN100505250C (zh) | 2009-06-24 |
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