JP2005333015A - 微細構造体の乾燥方法および該方法により得られる微細構造体 - Google Patents
微細構造体の乾燥方法および該方法により得られる微細構造体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005333015A JP2005333015A JP2004150819A JP2004150819A JP2005333015A JP 2005333015 A JP2005333015 A JP 2005333015A JP 2004150819 A JP2004150819 A JP 2004150819A JP 2004150819 A JP2004150819 A JP 2004150819A JP 2005333015 A JP2005333015 A JP 2005333015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- fluorine
- containing compound
- carbon dioxide
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】水を含む溶媒Aで微細構造体を洗浄する工程、前記溶媒Aを、フッ素含有化合物aと、界面活性剤および/または前記フッ素含有化合物aとの親和性を有すると共に親水基を有する化合物を含む溶媒Bで置換する工程、前記溶媒Bを、前記フッ素含有化合物aおよび/または該フッ素含有化合物aとは異なるフッ素含有化合物bを含む溶媒Cで置換する工程、前記溶媒Cを、液化二酸化炭素または超臨界二酸化炭素で置換する工程、次いで、乾燥する工程、を含み、この際前記溶媒Bおよび前記溶媒Cに含まれるNa+の濃度を0.5ng/ml以下に抑制して操業する。
【選択図】 図2
Description
(1)水を含む溶媒Aで微細構造体を洗浄する工程、
(2)前記溶媒Aを、フッ素含有化合物aと、界面活性剤および/または前記フッ素含有化合物aとの親和性を有すると共に親水基を有する化合物を含む溶媒Bで置換する工程、
(3)前記溶媒Bを、前記フッ素含有化合物aおよび/または該フッ素含有化合物aとは異なるフッ素含有化合物bを含む溶媒Cで置換する工程、
(4)前記溶媒Cを、液化二酸化炭素または超臨界二酸化炭素(以下、「二酸化炭素流体」と称する場合がある。)で置換する工程、
(5)乾燥する工程。
フッ素含有化合物aからなる溶媒として、ハイドロフルオロエーテル(住友スリーエム社製の「HFE7200」)または「FC−40」[住友スリーエム社製の「フロリナート」(登録商標)シリーズ]を用い、水切り剤(フッ素含有化合物との親和性を有すると共に親水基を有する化合物)からなる溶媒としてパーフルオロイソプロパノール[セントラル硝子社製、(CF3)2CHOH]を用い、これらの溶媒中に不純物として含まれるカチオン(金属イオン)量を誘導結合プラズマ質量分析計(ICP−MS)にて定量分析した。なお、一部の不純物元素についてはフレームレス原子吸光分析により定量分析した。分析結果を下記表1に示す。
フッ素含有化合物aからなる溶媒として、ハイドロフルオロエーテル(住友スリーエム社製の「HFE7200」)または「FC−40」(住友スリーエム社製の「フロリナート」(登録商標)シリーズ)を用い、水切り剤(フッ素含有化合物との親和性を有すると共に親水基を有する化合物)からなる溶媒としてパーフルオロイソプロパノール[セントラル硝子社製、(CF3)2CHOH]を用い、これらの溶媒中に不純物として含まれるアニオン量をイオンクロマトグラフ法により定量分析した。分析結果を下記表2に示す。なお、下記表2中、「0」は検出限界以下であることを示し、「−」は測定していないことを示す。
上記実施例1で用いた「HFE7200」をフッ素含有化合物aからなる溶媒とし、この溶媒に水切り剤(フッ素含有化合物との親和性を有すると共に親水基を有する化合物)として上記実施例1で用いた「未精製のパーフルオロイソプロパノール」または「精製後のパーフルオロイソプロパノール」を5質量%添加して混合液(溶媒B)を調製した。この溶媒Bをクリーンな環境下でガラス瓶に夫々注入し、液中に存在するパーティクルの数を興和社製NALOLYZER PC500型パーティクルカウンターにて測定した。結果を下記表3に示す。
回転しているシリコンウエハ(ベアウエハ)の表面に、水を含む溶媒Aとして超純水を供給して洗浄した。シリコンウエハの形状はφ8インチの円盤状である。
実施例1で用いた未精製のパーフルオロイソプロパノールと精製後のパーフルオロイソプロパノールを、任意の割合で混合することによりNa+濃度の異なるパーフルオロイソプロパノールを調製した。Na+量はICP−MSを用いて分析した。
Claims (3)
- 微細構造体を液化二酸化炭素または超臨界二酸化炭素で乾燥する方法であって、
水を含む溶媒Aで微細構造体を洗浄する工程、
前記溶媒Aを、フッ素含有化合物aと、界面活性剤および/または前記フッ素含有化合物aとの親和性を有すると共に親水基を有する化合物を含む溶媒Bで置換する工程、
前記溶媒Bを、前記フッ素含有化合物aおよび/または該フッ素含有化合物aとは異なるフッ素含有化合物bを含む溶媒Cで置換する工程、
前記溶媒Cを、液化二酸化炭素または超臨界二酸化炭素で置換する工程、
次いで、乾燥する工程、を含み、
この際前記溶媒Bおよび前記溶媒Cに含まれるNa+の濃度を0.5ng/ml以下に抑制することを特徴とする微細構造体の乾燥方法。 - 前記フッ素含有化合物aとの親和性を有すると共に親水基を有する化合物が、該フッ素含有化合物aとは異なるフッ素含有化合物cである請求項1に記載の乾燥方法。
- 請求項1または2に記載の乾燥方法により得られたことを特徴とする微細構造体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004150819A JP4393268B2 (ja) | 2004-05-20 | 2004-05-20 | 微細構造体の乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004150819A JP4393268B2 (ja) | 2004-05-20 | 2004-05-20 | 微細構造体の乾燥方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005333015A true JP2005333015A (ja) | 2005-12-02 |
JP4393268B2 JP4393268B2 (ja) | 2010-01-06 |
Family
ID=35487444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004150819A Expired - Fee Related JP4393268B2 (ja) | 2004-05-20 | 2004-05-20 | 微細構造体の乾燥方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4393268B2 (ja) |
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015135942A (ja) * | 2014-08-22 | 2015-07-27 | 株式会社東芝 | 基板処理方法及び装置 |
JP2015176935A (ja) * | 2014-03-13 | 2015-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 分離再生装置および基板処理装置 |
JP2017022271A (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP6421902B1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法 |
WO2018216326A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法 |
JP2019024104A (ja) * | 2012-11-26 | 2019-02-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高アスペクト比半導体デバイス構造のための、汚染物質除去を伴うスティクションフリー乾燥処理 |
JP2019053306A (ja) * | 2014-03-06 | 2019-04-04 | セイジ・エレクトロクロミクス,インコーポレイテッド | 非水性流体を用いたエレクトロクロミックフィルムからの粒子除去 |
US10529585B2 (en) | 2017-06-02 | 2020-01-07 | Applied Materials, Inc. | Dry stripping of boron carbide hardmask |
US10529603B2 (en) | 2017-03-10 | 2020-01-07 | Micromaterials, LLC | High pressure wafer processing systems and related methods |
US10566188B2 (en) | 2018-05-17 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Method to improve film stability |
US10573510B2 (en) | 2015-10-04 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Substrate support and baffle apparatus |
US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
US10636677B2 (en) | 2017-08-18 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US10636669B2 (en) | 2018-01-24 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | Seam healing using high pressure anneal |
US10643867B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-05-05 | Applied Materials, Inc. | Annealing system and method |
US10675581B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Gas abatement apparatus |
US10685830B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-06-16 | Applied Materials, Inc. | Condenser system for high pressure processing system |
US10704141B2 (en) | 2018-06-01 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination |
US10714331B2 (en) | 2018-04-04 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer |
US10720341B2 (en) | 2017-11-11 | 2020-07-21 | Micromaterials, LLC | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
US10777405B2 (en) | 2015-10-04 | 2020-09-15 | Applied Materials, Inc. | Drying process for high aspect ratio features |
US10847360B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-11-24 | Applied Materials, Inc. | High pressure treatment of silicon nitride film |
US10854483B2 (en) | 2017-11-16 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | High pressure steam anneal processing apparatus |
US10957533B2 (en) | 2018-10-30 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching a structure for semiconductor applications |
US10998200B2 (en) | 2018-03-09 | 2021-05-04 | Applied Materials, Inc. | High pressure annealing process for metal containing materials |
US11018032B2 (en) | 2017-08-18 | 2021-05-25 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US11133174B2 (en) | 2015-10-04 | 2021-09-28 | Applied Materials, Inc. | Reduced volume processing chamber |
US11177128B2 (en) | 2017-09-12 | 2021-11-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing semiconductor structures using protective barrier layer |
US11227797B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-01-18 | Applied Materials, Inc. | Film deposition using enhanced diffusion process |
US11424137B2 (en) | 2015-10-04 | 2022-08-23 | Applied Materials, Inc. | Drying process for high aspect ratio features |
US11581183B2 (en) | 2018-05-08 | 2023-02-14 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
US11749555B2 (en) | 2018-12-07 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
CN117945852A (zh) * | 2024-03-15 | 2024-04-30 | 山东华安新材料有限公司 | 一种七氟异丙醇的制备方法 |
-
2004
- 2004-05-20 JP JP2004150819A patent/JP4393268B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020098933A (ja) * | 2012-11-26 | 2020-06-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高アスペクト比半導体デバイス構造のための、汚染物質除去を伴うスティクションフリー乾燥処理 |
JP2019024104A (ja) * | 2012-11-26 | 2019-02-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高アスペクト比半導体デバイス構造のための、汚染物質除去を伴うスティクションフリー乾燥処理 |
TWI826650B (zh) * | 2012-11-26 | 2023-12-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理 |
US11011392B2 (en) * | 2012-11-26 | 2021-05-18 | Applied Materials, Inc. | Stiction-free drying process with contaminant removal for high-aspect ratio semiconductor device structures |
JP2019053306A (ja) * | 2014-03-06 | 2019-04-04 | セイジ・エレクトロクロミクス,インコーポレイテッド | 非水性流体を用いたエレクトロクロミックフィルムからの粒子除去 |
US10767143B2 (en) | 2014-03-06 | 2020-09-08 | Sage Electrochromics, Inc. | Particle removal from electrochromic films using non-aqueous fluids |
JP2015176935A (ja) * | 2014-03-13 | 2015-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 分離再生装置および基板処理装置 |
JP2015135942A (ja) * | 2014-08-22 | 2015-07-27 | 株式会社東芝 | 基板処理方法及び装置 |
JP2017022271A (ja) * | 2015-07-10 | 2017-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
US11133174B2 (en) | 2015-10-04 | 2021-09-28 | Applied Materials, Inc. | Reduced volume processing chamber |
US11424137B2 (en) | 2015-10-04 | 2022-08-23 | Applied Materials, Inc. | Drying process for high aspect ratio features |
US10777405B2 (en) | 2015-10-04 | 2020-09-15 | Applied Materials, Inc. | Drying process for high aspect ratio features |
US10573510B2 (en) | 2015-10-04 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Substrate support and baffle apparatus |
US10529603B2 (en) | 2017-03-10 | 2020-01-07 | Micromaterials, LLC | High pressure wafer processing systems and related methods |
US10847360B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-11-24 | Applied Materials, Inc. | High pressure treatment of silicon nitride film |
US10622214B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
US11705337B2 (en) | 2017-05-25 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Tungsten defluorination by high pressure treatment |
JP6421902B1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法 |
KR102575928B1 (ko) | 2017-05-26 | 2023-09-07 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 반도체기판에 발알코올성을 부여하는 표면처리방법 |
CN110731004B (zh) * | 2017-05-26 | 2023-06-13 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 对半导体基板赋予拒醇性的表面处理方法 |
WO2018216326A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体基板に撥アルコール性を付与する表面処理方法 |
US11174399B2 (en) | 2017-05-26 | 2021-11-16 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Surface treatment method for imparting alcohol repellency to semiconductor substrate |
CN110731004A (zh) * | 2017-05-26 | 2020-01-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 对半导体基板赋予拒醇性的表面处理方法 |
KR20200010293A (ko) * | 2017-05-26 | 2020-01-30 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 반도체기판에 발알코올성을 부여하는 표면처리방법 |
US10529585B2 (en) | 2017-06-02 | 2020-01-07 | Applied Materials, Inc. | Dry stripping of boron carbide hardmask |
US10636677B2 (en) | 2017-08-18 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US11694912B2 (en) | 2017-08-18 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US11469113B2 (en) | 2017-08-18 | 2022-10-11 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US11462417B2 (en) | 2017-08-18 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US11018032B2 (en) | 2017-08-18 | 2021-05-25 | Applied Materials, Inc. | High pressure and high temperature anneal chamber |
US11177128B2 (en) | 2017-09-12 | 2021-11-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing semiconductor structures using protective barrier layer |
US10643867B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-05-05 | Applied Materials, Inc. | Annealing system and method |
US10720341B2 (en) | 2017-11-11 | 2020-07-21 | Micromaterials, LLC | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
US11756803B2 (en) | 2017-11-11 | 2023-09-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
US11527421B2 (en) | 2017-11-11 | 2022-12-13 | Micromaterials, LLC | Gas delivery system for high pressure processing chamber |
US10854483B2 (en) | 2017-11-16 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | High pressure steam anneal processing apparatus |
US10685830B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-06-16 | Applied Materials, Inc. | Condenser system for high pressure processing system |
US11610773B2 (en) | 2017-11-17 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Condenser system for high pressure processing system |
US10636669B2 (en) | 2018-01-24 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | Seam healing using high pressure anneal |
US11881411B2 (en) | 2018-03-09 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | High pressure annealing process for metal containing materials |
US10998200B2 (en) | 2018-03-09 | 2021-05-04 | Applied Materials, Inc. | High pressure annealing process for metal containing materials |
US10714331B2 (en) | 2018-04-04 | 2020-07-14 | Applied Materials, Inc. | Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer |
US11581183B2 (en) | 2018-05-08 | 2023-02-14 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom |
US10566188B2 (en) | 2018-05-17 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Method to improve film stability |
US10704141B2 (en) | 2018-06-01 | 2020-07-07 | Applied Materials, Inc. | In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination |
US11361978B2 (en) | 2018-07-25 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
US10748783B2 (en) | 2018-07-25 | 2020-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery module |
US11110383B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-09-07 | Applied Materials, Inc. | Gas abatement apparatus |
US10675581B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Gas abatement apparatus |
US10957533B2 (en) | 2018-10-30 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching a structure for semiconductor applications |
US11227797B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-01-18 | Applied Materials, Inc. | Film deposition using enhanced diffusion process |
US11749555B2 (en) | 2018-12-07 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
US11901222B2 (en) | 2020-02-17 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Multi-step process for flowable gap-fill film |
CN117945852A (zh) * | 2024-03-15 | 2024-04-30 | 山东华安新材料有限公司 | 一种七氟异丙醇的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4393268B2 (ja) | 2010-01-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4393268B2 (ja) | 微細構造体の乾燥方法 | |
JP6674186B2 (ja) | 半導体パターン乾燥用置換液および半導体パターン乾燥方法 | |
JP5450494B2 (ja) | 半導体基板の超臨界乾燥方法 | |
KR100561178B1 (ko) | 반도체 장치용의 유기 및 플라즈마 에칭된 잔사의 세척조성물 | |
JP5843277B2 (ja) | 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置 | |
JP2020098933A (ja) | 高アスペクト比半導体デバイス構造のための、汚染物質除去を伴うスティクションフリー乾燥処理 | |
TWI450052B (zh) | 用於後段製程操作有效之剝離溶液 | |
JP4499604B2 (ja) | 超臨界処理方法 | |
TW200521222A (en) | Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
JP2007535697A (ja) | イオン注入されたフォトレジストを除去するための非フッ化物含有超臨界流体組成物 | |
JP2005252234A (ja) | 物品を処理するための方法及び装置 | |
TW201416436A (zh) | 清潔配方 | |
WO2007114448A1 (ja) | デバイス基板の洗浄方法 | |
US20060081273A1 (en) | Dense fluid compositions and processes using same for article treatment and residue removal | |
KR100494257B1 (ko) | 미세 구조체의 건조 방법 및 이 방법에 의해 수득된 미세구조체 | |
JP2019206609A (ja) | 非共沸性洗浄用組成物 | |
JP2008516419A (ja) | ウェハー様物の加工のためのオゾンの使用 | |
JP2009164214A (ja) | 微細構造体の処理方法、微細構造体の処理システムおよび電子デバイスの製造方法 | |
JP3920696B2 (ja) | 微細構造体の乾燥方法および該方法により得られる微細構造体 | |
WO2019224032A1 (en) | Use of compositions comprising a solvent mixture for avoiding pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below | |
TWI278927B (en) | Fluid assisted cryogenic cleaning | |
JP2007536730A (ja) | 集積回路製品を製造する間にパターン形成されたウエハーを乾燥させるための組成物及び方法 | |
US20230265362A1 (en) | Rinsing solution, method of treating substrate, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP7295251B2 (ja) | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP2005142301A (ja) | 高圧処理方法、及び高圧処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20060911 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20090204 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090310 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090416 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20090728 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090903 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20091006 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091013 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |