JP2015135942A - 基板処理方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本実施形態に係る基板処理方法によれば、基板の表面に超純水を供給する。超純水が付着した基板の表面にフッ化アルコールを含有する溶剤を供給する。フッ化アルコールを含有する溶剤が付着した基板の表面に、フッ化アルコールを含有する溶剤に対して溶解性を有し、フッ化アルコールを含有する溶剤と異なる第1の溶剤を供給する。第1の溶剤が付着した基板をチャンバ内に導入し、基板の表面の第1の溶剤を超臨界流体に置換させた後、チャンバ内の圧力を下げて超臨界流体を気体に変化させる。基板をチャンバから排出する。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の第1実施形態に係る基板処理方法及び装置について図面を参照して説明する。本実施形態に係る基板処理装置は、基板であるウエハWに各種の処理液による液処理を行う液処理ユニット10と、液処理後のウエハWの表面に付着している液体を超臨界流体と接触させて抽出置換させる超臨界乾燥処理ユニット20(超臨界乾燥手段)とを備える。
図1は、液処理ユニット10の一例を示す図である。液処理ユニット10は、例えば、スピン洗浄によりウエハWを1枚ずつ洗浄する枚葉式の液処理ユニットや、複数のウエハWの液処理を同時に実施するバッチ式の液処理ユニットとして構成される。液処理ユニット10は、液処理チャンバ11と、ウエハ保持部12と、洗浄液供給部13、超純水供給部14と、第1溶剤供給部15と、中間溶剤供給部16とを備える。
図2は、超臨界乾燥処理ユニット20の一例を示す図である。超臨界乾燥処理ユニット20は、液処理ユニット10により液処理が施されたウエハWに対して、超臨界流体を用いた乾燥処理を実行する。超臨界乾燥処理ユニット20は、チャンバ21と、ヒーター22と、ステージ23と、第2溶剤供給部24と、第2溶剤回収部25とを備える。
次に、本実施形態に係る基板処理方法において使用される中間溶剤、第1の溶剤、及び第2の溶剤について説明する。本実施形態に係る基板処理方法では、中間溶剤、第1の溶剤、第2の溶剤の順に使用される。より具体的には、ウエハWは、洗浄液による洗浄後、超純水、中間溶剤、第1の溶剤の順にリンスされ、第1の溶剤が表面に液盛りされた状態で超臨界乾燥処理が施される。超臨界乾燥処理において、超臨界流体として第2の溶剤が利用される。当該基板処理方法において、超臨界流体として利用される第2の溶剤に応じて第1の溶剤が選択され、第1の溶剤に応じて中間溶剤が選択される。そこで、以下では、第2の溶剤、第1の溶剤、中間溶剤の順に説明する。
以下、本実施形態に係る基板処理方法について、図3を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る基板処理方法の工程フロー図である。
第1実施形態に係る基板処理方法では、超純水を第1の溶剤と置換する際、中間溶剤を用いたが、当該中間溶剤を用いない構成も可能である。すなわち、本実施形態に係る基板処理方法では、超純水は第1の溶剤と直接置換される。
第1実施形態に係る基板処理方法では、中間溶剤としてフッ化アルコールのみを用いたが、2種類の中間溶剤を用いる構成も可能である。ここで、図5は、第3実施形態に係る基板処理方法の一例を示す工程フロー図である。図5では、図3と共通する工程には、同じステップ番号を付しており、以下では相違点を中心に説明する。
Claims (14)
- 基板の表面に水を供給する工程と、
前記水が付着した前記基板の表面にIPA(イソプロピルアルコール)を含有する溶剤を供給する工程と、
前記IPAを含有する溶剤が付着した前記基板の表面にHFE(ハイドロフルオロエーテル)を含有する溶剤を供給する工程と、
前記HFEを含有する溶剤が付着した前記基板の表面に、前記HFEを含有する溶剤に対して溶解性を有し、PFC(パーフルオロカーボン)を含有する沸点が100℃以上の第1の溶剤を供給する工程と、
前記第1の溶剤が付着した前記基板をチャンバ内に導入し、前記基板の表面の前記第1の溶剤を超臨界流体に置換させた後、前記チャンバ内の圧力を下げて前記超臨界流体を気体に変化させる工程と、
前記基板を前記チャンバから排出する工程と、
を備える基板処理方法。 - 前記超臨界流体は、フッ素を含有した溶剤であることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記第1の溶剤の沸点は、前記超臨界流体の臨界温度よりも低いことを特徴とする請求項1又は2に記載の基板処理方法。
- 前記第1の溶剤の沸点は、前記超臨界流体の沸点よりも高いことを特徴とする
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記第1の溶剤が付着した前記基板を前記チャンバ内に導入した後、
前記チャンバ内に第2の溶剤を供給する工程と、
前記第2の溶剤を相変化させて前記超臨界流体を生成する工程と、
をさらに備える
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記第2の溶剤は、PFC(パーフルオロカーボン)を含有する溶剤であることを特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。
- 前記HFEを含有する溶剤は、不燃性であることを特徴とする
請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 基板の表面に水を供給する水供給部と、
前記水が付着した前記基板の表面にIPA(イソプロピルアルコール)を含有する溶剤を供給するIPA含有溶剤供給部と、
前記IPAを含有する溶剤が付着した基板の表面にHFE(ハイドロフルオロエーテル)を含有する溶剤を供給するHFE含有溶剤供給部と、
前記HFE含有溶剤が付着した前記基板の表面に、前記HFEを含有する溶剤に対して溶解性を有し、PFC(パーフルオロカーボン)を含有する沸点が100℃以上の第1の溶剤を供給する第1の溶剤供給部と、
前記第1の溶剤が付着した前記基板をチャンバ内に導入し、前記基板の表面の前記第1の溶剤を超臨界流体に置換させた後、前記チャンバ内の圧力を下げて前記超臨界流体を気体に変化させる超臨界乾燥処理手段と、
を備える基板処理装置。 - 前記超臨界流体は、フッ素を含有した溶剤であることを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記第1の溶剤の沸点は、前記超臨界流体の臨界温度よりも低いことを特徴とする請求項8又は9に記載の基板処理装置。
- 前記第1の溶剤の沸点は、前記超臨界流体の沸点よりも高いことを特徴とする
請求項8乃至10のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記チャンバ内に第2の溶剤を供給する第2の溶剤供給部をさらに備え、
前記超臨界乾燥処理手段は、前記第2の溶剤を超臨界状態に相変化させて前記超臨界流体を生成する
請求項8乃至11のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記第2の溶剤は、PFC(パーフルオロカーボン)を含有する溶剤であることを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。
- 前記HFEを含有する溶剤は、不燃性であることを特徴とする
請求項8乃至13に記載の基板処理装置。
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