JP2005332978A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 スタックドコンタクト構造を備えた半導体装置において、積層されるコンタクト同士の電気的な接続を確保する。
【解決手段】 本発明に基づく半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1上に位置する第1の層間絶縁膜12と、第1の層間絶縁膜12上に位置する第2の層間絶縁膜13と、第1の層間絶縁膜12を上下方向に貫通し、上端部における断面形状が環状形状である下層コンタクト21と、第2の層間絶縁膜13を上下方向に貫通し、下端部における断面形状が略円形状である上層コンタクト31とを備えており、下端部における断面形状が略円形状である上層コンタクト31の下面31aの中心部O2が、上端部における断面形状が環状形状である下層コンタクト21の上面21aに接触している。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明に基づく半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1上に位置する第1の層間絶縁膜12と、第1の層間絶縁膜12上に位置する第2の層間絶縁膜13と、第1の層間絶縁膜12を上下方向に貫通し、上端部における断面形状が環状形状である下層コンタクト21と、第2の層間絶縁膜13を上下方向に貫通し、下端部における断面形状が略円形状である上層コンタクト31とを備えており、下端部における断面形状が略円形状である上層コンタクト31の下面31aの中心部O2が、上端部における断面形状が環状形状である下層コンタクト21の上面21aに接触している。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特にスタックドコンタクト構造を備えた半導体装置およびその製造方法に関する。
近年、半導体装置、特に汎用DRAM(Dynamic Random Access Memory)やDRAM混載ロジック等の微細化が進み、セル面積が小型化する一方、一定量のキャパシタ容量を確保するために周辺コンタクトの上下方向の長さを従来に比して長く形成する必要が生じている。その場合、周辺コンタクトとして、複数のコンタクトを積層配置する、いわゆるスタックドコンタクト構造を採用することが必要になっている。
スタックドコンタクト構造を採用した場合には、積層されるコンタクト同士の電気的な接続を確実に実現するとともに、配線抵抗の低減化のために接触面積を大きく確保することが重要である。なお、スタックドコンタクト構造を採用したものではないが、配線抵抗の低減化を図った文献として、特開2002−343861号公報(特許文献1)や特開平10−144878号公報(特許文献2)などがある。
特開2002−343861号公報
特開平10−144878号公報
層間絶縁膜にコンタクトを形成する半導体製造プロセスとして、主にPVD(Physical Vapor Deposition)プロセスと、CVD(Chemical Vapor Deposition)プロセスとが知られている。デバイスの微細化に伴い、これらPVDプロセスおよびCVDプロセスにおいては、コンタクトホールあるいはビアホールへの導電性部材の埋め込みが困難になってきており、特に高アスペクト比のホールとなればなるほど、ホール内を完全に充填することは困難になってきている。その結果、コンタクトホールの上端部中央付近に十分に導電性部材が充填されない部分が発生するようになり、いわゆるシーム形状のコンタクトが形成されることとなっている。
図19は、PVDプロセスを採用した場合のコンタクトの断面形状を示す図であり、図20は、CVDプロセスを採用した場合のコンタクトの断面形状を示す図である。図19および図20に示すように、いずれの場合にもコンタクト21の上端部の中央部分に空隙部24が形成されており、コンタクト21の上端部の断面形状は環状形状を有することとなっている。
このシーム形状を有するコンタクトの上層にさらにコンタクトを形成するスタックドコンタクト構造を採用した場合には、上層のコンタクトの下端部の断面積を大きく形成することができないため、製造プロセスのばらつき等によって下層のコンタクトと上層のコンタクトとの電気的な接触が安定しないという問題が生じ、接続不良を起こす不具合が多く発生しているのが現状である。
そこで、本発明は、上述の問題点を解決すべくなされたものであり、スタックドコンタクト構造を備えた半導体装置において、積層されるコンタクト同士の電気的な接続を確実に実現することを目的とするものである。
本発明に基づく半導体装置は、半導体基板と、上記半導体基板上に位置する第1の層間絶縁膜と、上記第1の層間絶縁膜上に位置する第2の層間絶縁膜と、上記第1の層間絶縁膜を上下方向に貫通し、上端部における断面形状が環状形状である第1のコンタクトと、上記第2の層間絶縁膜を上下方向に貫通し、下端部における断面形状が略円形状である第2のコンタクトとを備えており、下端部における断面形状が略円形状である上記第2のコンタクトの下面の中心部が、上端部における断面形状が環状形状である上記第1のコンタクトの上面に接触していることを特徴としている。
本発明に基づく半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、上記第1の層間絶縁膜を上下方向に貫通する、開口断面が略円形状である第1のコンタクトホールを形成する工程と、上記第1のコンタクトホールを導電性部材にて埋め込むことにより、上端部における断面形状が環状形状である第1のコンタクトを形成する工程と、上記第1のコンタクトを覆うように上記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、上記第2の層間絶縁膜を上下方向に貫通する、開口断面が略円形状である第2のコンタクトホールを形成することにより、上端部における断面形状が環状形状である上記第1のコンタクトの上面の少なくとも一部を露出せしめる工程と、上記第2のコンタクトホールを導電性部材にて埋め込むことにより、下面の中心部が上端部における断面形状が環状形状である上記第1のコンタクトの上面に接触し、かつ下端部における断面形状が略円形状である第2のコンタクトを形成する工程とを備える。
本発明によれば、スタックドコンタクト構造を備えた半導体装置において、積層されるコンタクト同士の電気的な接続を確実に実現することが可能になる。
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、スタックドコンタクト構造を構成するコンタクトのうち下層に位置するコンタクトをPVDプロセスにて形成した場合を例示する。
(実施の形態1)
図1(a)は、本発明の実施の形態1におけるスタックドコンタクト構造を示す断面図であり、図1(b)は、下層コンタクトと上層コンタクトとの平面的な位置関係を示した模式図である。
図1(a)は、本発明の実施の形態1におけるスタックドコンタクト構造を示す断面図であり、図1(b)は、下層コンタクトと上層コンタクトとの平面的な位置関係を示した模式図である。
図1(a)に示すように、本実施の形態におけるスタックドコンタクト構造においては、第1のコンタクトである下層コンタクト21が、半導体基板(図示せず)上に形成された第1の層間絶縁膜12に形成されている。一方、第2のコンタクトである上層コンタクト31は、第1の層間絶縁膜12上に形成された第2の層間絶縁膜13に形成されている。
下層コンタクト21は、第1の層間絶縁膜12を上下方向に貫通するように形成されている。下層コンタクト21は、第1の層間絶縁膜12に形成された第1のコンタクトホール12aの内壁面および底面を覆うように形成されたバリアメタル膜22と、このバリアメタル膜22を覆うように上記第1のコンタクトホール12a内に形成された導電プラグ23とによって構成されている。下層コンタクト21は、上述のようにPVDプロセスによって形成されることによりシーム形状を有しており、上端部においてその中央部分に空隙部24を有している。このため、下層コンタクト21の上端部における断面形状は、環状形状となっている。
上層コンタクト31は、第2の層間絶縁膜13を上下方向に貫通するように形成されている。上層コンタクト31は、第2の層間絶縁膜13に形成された第2のコンタクトホール13aの内壁面および底面を覆うように形成された導電プラグ32によって構成されている。上層コンタクトは、少なくとも下端部における断面形状が略円形状となるように形成されている。
図1(b)に示すように、本実施の形態におけるスタックドコンタクト構造にあっては、下端部における断面形状が略円形状である上層コンタクト31の下面31aの中心部O2が、上端部における断面形状が環状形状である下層コンタクト21の上面21aに接触している。すなわち、図1(b)を参照して、下層コンタクト21と上層コンタクト31の接触部において、中心部をO1とする環状形状の上面21aを有する下層コンタクト21の半径方向における幅Wの範囲内に、略円形状の下面31aを有する上層コンタクトの中心部O2が位置しており、これら下層コンタクト21の上面21aと上層コンタクト31の下面31aとが直接接触することにより、下層コンタクト21と上層コンタクト31との電気的な接続が確保されている。
下層コンタクト21と上層コンタクト31がこのような位置関係を有するように構成されたスタックドコンタクト構造は、たとえば、上層コンタクト31を形成するための第2のコンタクトホール13aの形成時に、下層コンタクト21の中央部O1に対して上層コンタクト31の中央部O2の重ね合わせが一定量ずれた位置にくるように第2のコンタクトホール13aを位置決めして形成することによって実現可能である。
たとえば、図1(b)に示すように、下層コンタクト21の半径をRとした場合に、下層コンタクト21の中心部O1に対して上層コンタクト31の中心部O2をR−W/2だけずらして形成することにより、より確実に上記構成のスタックドコンタクト構造を実現することが可能になる。
また、第2のコンタクトホール13aの形成時に生じる開孔チルティングを予め考慮に入れて上層コンタクト31の形成位置を決定しておくことにより、より確実に上記構成のスタックドコンタクト構造とすることが可能になる。ここで、開孔チルティングとは、形成するコンタクトホールが半導体基板の主面に対して傾斜することを言い、製造プロセス上の理由から回避しがたいコンタクトホールの傾斜や、意図的にコンタクトホールを傾斜させた場合の双方を含むものである。
たとえば、図2(a)および図2(b)に示すように、開孔チルティングによって生じる第2のコンタクトホール13aの傾斜を予め考慮し、上記図1に示す場合の上層コンタクト31の形成位置よりも多少ずらしてコンタクトホール13aを形成することにより、上記構成のスタックドコンタクト構造を実現することが可能になる。すなわち、下層コンタクト21の延在方向(図2(a)において一点鎖線C1で示す方向)と、上層コンタクト31の延在方向(図2(b)において一点鎖線C2で示す方向)とが交差するように構成することが可能である。
なお、上述の開孔チルティングを用いれば、下層コンタクト21の中央部O1に対して上層コンタクト31の中央部O2の重ね合わせがずれていないにもかかわらず、結果として上記構成のスタックドコンタクト構造が実現されるように構成することも可能である。
図3は、上述の図1に示すスタックドコンタクト構造をDRAMに適用した場合の構成例を示す断面図である。図3に示すDRAMは、一般にコンケーブ型キャパシタと称されるキャパシタを備えるDRAM混載ロジックの断面構造の一例である。
図3に示すように、本実施の形態におけるDRAMは、半導体基板1と、半導体基板1の主表面上に形成されたMOSトランジスタ3と、MOSトランジスタ3を覆うように半導体基板1上に形成された第1の層間絶縁膜12と、第1の層間絶縁膜12上に形成された3層の絶縁膜15,16,17からなる第2の層間絶縁膜13と、第2の層間絶縁膜13に形成されたキャパシタ41と、キャパシタ41とMOSトランジスタ3とを電気的に接続する接続コンタクト6と、MOSトランジスタ3と図示しない他の回路とを電気的に接続する周辺コンタクトである、スタックドコンタクト構造を構成する下層コンタクト21および上層コンタクト31とを備える。
MOSトランジスタ3は、半導体基板1に形成された素子分離領域2以外の部分である能動領域上に形成されたゲート電極4と、このゲート電極4に隣接して設けられた不純物領域であるソース/ドレイン領域5とを有している。キャパシタ41は、下部電極であるストレージノード42と、上部電極であるセルプレート44と、これらストレージノード42とセルプレート44とによって挟持された誘電体膜43とを有している。
接続コンタクト6は、第1の層間絶縁膜12を上下方向に貫通して設けられ、上述のMOSトランジスタ3のソース/ドレイン領域5と、キャパシタ41のストレージノード42とを電気的に接続している。周辺コンタクトは、第1の層間絶縁膜12を上下方向に貫通して設けられた下層コンタクト21と、第2の層間絶縁膜13を上下方向に貫通して設けられた上層コンタクト31とを有し、これら下層コンタクト21と上層コンタクト31とは直接接触することによって接続されており、MOSトランジスタ3のソース/ドレイン領域5と図示しない他の回路とを電気的に接続している。なお、この下層コンタクト21および上層コンタクト31からなるスタックドコンタクト構造は、上述の図1に示すスタックドコンタクト構造と同一の構成を有しており、下端部における断面形状が略円形状である上層コンタクト31の下面の中心部O2が、上端部における断面形状が環状形状である下層コンタクト21の上面に接触している。
また、図4は、上述の図2に示すスタックドコンタクト構造をDRAMに適用した場合の構成例を示す断面図であり、図4に示すDRAMにおいては、図3に示すDRAMと異なり、下層コンタクト21の延在方向と上層コンタクト31の延在方向とが交差するように両コンタクトが形成されている。
以下においては、上述の図3に示す構成のDRAMの製造方法について、各工程ごとに詳細に説明する。図5ないし図10は、図3に示す構成のDRAMの製造方法を示す各工程毎における断面図である。
まず、図5に示すように、主表面にMOSトランジスタ3が形成された半導体基板1を準備する。
次に、図6に示すように、MOSトランジスタ3のゲート電極4を覆うように半導体基板1の主表面上に第1の層間絶縁膜12を形成し、この第1の層間絶縁膜12の所定の部分をレジスト等を用いて選択的に除去し、半導体基板1の主表面に位置するMOSトランジスタ3のソース/ドレイン領域5を露出させることにより、第1のコンタクトホール12aを開孔する。
次に、図7に示すように、第1のコンタクトホール12aの内壁面および底面をPVDプロセスを用いて導電性部材であるバリアメタル膜22および導電プラグ23で覆い、シーム形状を有する下層コンタクト21よび接続コンタクト6を形成する。
次に、図8に示すように、第2の層間絶縁膜13の一部となる絶縁膜15,16を第1の層間絶縁膜13上に形成し、接続コンタクト6の上面が露出するように、絶縁膜15,16の所定の部分をレジスト等を用いて選択的に除去し、トレンチ13bを開孔する。
次に、図9に示すように、ストレージノード42、誘電体膜43、セルプレート44の順で上記トレンチ13bの内壁面および底面に薄膜を形成し、これら3層からなる積層膜をエッチングすることにより、キャパシタ41を形成する。
次に、図10に示すように、キャパシタ41を覆うように第2の層間絶縁膜13の残りの部分を構成する絶縁膜17を上記絶縁膜16上に形成し、第2の層間絶縁膜13の所定の部分をレジスト等を用いて選択的に除去し、第2の層間絶縁膜13に第2のコンタクトホール13aを開孔する。このとき、下層コンタクト21の上面が少なくとも一部露出するように第2のコンタクトホール13aを形成する。より具体的には、第2のコンタクトホール13aの下面中央部が、下層コンタクト21の上面に面するように第2のコンタクトホール13aを開孔する。
その後、第2のコンタクトホール13aを導電性部材である導電プラグにて埋め込むことにより、図3に示す構成のDRAMが形成される。
なお、意図的に開孔チルティングを利用して下層コンタクト21と上層コンタクト31との接触を確保する方法としては、たとえば、第2の層間絶縁膜13をドライエッチングすることによって第2のコンタクトホール13aを形成する工程において、半導体基板1をステージ上に傾斜させてセットしたり、あるいはステージごと傾斜させることによって実現可能である。このように、第2のコンタクトホール13aのドライエッチング時に半導体基板1を傾斜させることにより、下層コンタクト21の延在方向C1と交差する方向C2に第2のコンタクトホール13aが延在するようになる。
以上において説明した半導体装置および半導体装置の製造方法とすることにより、上層コンタクト31の下面31aが下層コンタクト21の上面21aに確実に接触するようになるため、下層コンタクト21と上層コンタクト31の電気的な接続不良の発生が抑止されるようになる。その結果、高集積化された半導体装置を歩留まりよく製造することが可能になる。
(実施の形態2)
図11(a)は、本発明の実施の形態2におけるスタックドコンタクト構造を示す断面図であり、図11(b)は、下層コンタクトと上層コンタクトとの平面的な位置関係を示した模式図である。なお、上述の実施の形態1と同様の部分については図中同一の符号を付し、その説明はここでは繰り返さない。
図11(a)は、本発明の実施の形態2におけるスタックドコンタクト構造を示す断面図であり、図11(b)は、下層コンタクトと上層コンタクトとの平面的な位置関係を示した模式図である。なお、上述の実施の形態1と同様の部分については図中同一の符号を付し、その説明はここでは繰り返さない。
図11に示すように、本実施の形態におけるスタックドコンタクト構造においては、上述の実施の形態1におけるスタックドコンタクト構造と同様に、下端部における断面形状が略円形状である上層コンタクト31の下面31aの中心部O2が、上端部における断面形状が環状形状である下層コンタクト21の上面21aに接触している。加えて、本実施の形態におけるスタックドコンタクト構造においては、上層コンタクト31の下端部が下層コンタクト21の上面および側面に接触している。これは、上層コンタクト31を形成するための工程である第2のコンタクトホール13aの形成時に、下層コンタクト21に比して第1の層間絶縁膜12に対するエッチングレートの高いエッチング成分を用いてオーバーエッチングを行なうことにより実現される構造である。
また、本実施の形態におけるスタックドコンタクト構造においても、図12(a)および図12(b)に示すように、開孔チルティングによって生じる第2のコンタクトホール13aの傾斜を予め考慮し、上記図11に示す場合の上層コンタクト31の形成位置よりも多少ずらして第2のコンタクトホール13aを形成することにより、上記構成のスタックドコンタクト構造を実現することが可能になる。すなわち、下層コンタクト21の延在方向(図12(a)において一点鎖線C1で示す方向)と、上層コンタクト31の延在方向(図12(b)において一点鎖線C2で示す方向)とが交差するように構成することが可能である。
なお、図13は、図11に示すスタックドコンタクト構造をDRAMに適用した場合の構成例を示す断面図であり、図14は、図12に示すスタックドコンタクト構造をDRAMに適用した場合の構成例を示す断面図である。このように、本実施の形態におけるスタックドコンタクト構造は、各種デバイスへの適用が可能である。
以上のように構成することにより、上述の実施の形態1における効果に加えて、下層コンタクト21と上層コンタクト31との接続部における接触面積を大きく確保することが可能になるため、配線抵抗の低抵抗化が実現されるという効果が得られるようになる。
(実施の形態3)
図15(a)は、本発明の実施の形態2におけるスタックドコンタクト構造を示す断面図であり、図15(b)は、下層コンタクトと上層コンタクトとの平面的な位置関係を示した模式図である。なお、上述の実施の形態1と同様の部分については図中同一の符号を付し、その説明はここでは繰り返さない。
図15(a)は、本発明の実施の形態2におけるスタックドコンタクト構造を示す断面図であり、図15(b)は、下層コンタクトと上層コンタクトとの平面的な位置関係を示した模式図である。なお、上述の実施の形態1と同様の部分については図中同一の符号を付し、その説明はここでは繰り返さない。
図15に示すように、本実施の形態におけるスタックドコンタクト構造においては、上述の実施の形態1におけるスタックドコンタクト構造と同様に、下端部における断面形状が略円形状である上層コンタクト31の下面31aの中心部O2が、上端部における断面形状が環状形状である下層コンタクト21の上面21aに接触している。加えて、本実施の形態におけるスタックドコンタクト構造においては、上端部が環状形状である下層コンタクト21の上層コンタクト31に接触する部分が、他の部分に比べて下方(すなわち、半導体基板1側)に位置している。これは、上層コンタクト31を形成するための工程である第2のコンタクトホール13aの形成時に、下層コンタクト21と第1の層間絶縁膜12に対するエッチングレートがほぼ同じであるエッチング成分を用いてオーバーエッチングを行なうことにより実現される構造である。
また、本実施の形態におけるスタックドコンタクト構造においても、図16(a)および図16(b)に示すように、開孔チルティングによって生じるコンタクトホール13aの傾斜を予め考慮し、上記図15に示す場合の上層コンタクト31の形成位置よりも多少ずらして第2のコンタクトホール13aを形成することにより、上記構成のスタックドコンタクト構造を実現することが可能になる。すなわち、下層コンタクト21の延在方向(図16(a)において一点鎖線C1で示す方向)と、上層コンタクト31の延在方向(図16(b)において一点鎖線C2で示す方向)とが交差するように構成することが可能である。
なお、図17は、図15に示すスタックドコンタクト構造をDRAMに適用した場合の構成例を示す断面図であり、図18は、図16に示すスタックドコンタクト構造をDRAMに適用した場合の構成例を示す断面図である。このように、本実施の形態におけるスタックドコンタクト構造は、各種デバイスへの適用が可能である。
以上のように構成することにより、上述の実施の形態1における効果に加えて、上層コンタクト31を形成するための第2のコンタクトホール13aの形成時におけるエッチング不足が確実に解消するため、断線による電気的接続の不良が発生しなくなる効果が得られる。
上述の実施の形態1ないし3においては、PVDプロセスにて下層コンタクトを形成した場合を例示して説明を行なったが、特にこれに限定されるものではなく、少なくとも上端部の中央部分に空隙部を有するシーム形状の下層コンタクトであればCVDプロセス等の他のプロセスを経て形成されたものにも本発明は当然に適用可能である。
また、上述の実施の形態においては、本発明に基づくスタックドコンタクト構造をDRAMに適用した場合を例示して説明を行なったが、特にこれに限定されるものではない。
このように、今回開示した上記各実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって画定され、また特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
1 半導体基板、2 素子分離領域、3 MOSトランジスタ、4 ゲート電極、5 ソース/ドレイン領域、6 接続コンタクト、12 第1の層間絶縁膜、12a 第1のコンタクトホール、13 第2の層間絶縁膜、13a 第2のコンタクトホール、13b トレンチ、15,16,17 絶縁膜、21 下層コンタクト、21a 上面、22 バリアメタル膜、23 導電プラグ、24 空隙部、31 上層コンタクト、31a 下面、32 導電プラグ、41 キャパシタ、42 ストレージノード、43 誘電体膜、44 セルプレート。
Claims (7)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に位置する第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜上に位置する第2の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜を上下方向に貫通し、上端部における断面形状が環状形状である第1のコンタクトと、
前記第2の層間絶縁膜を上下方向に貫通し、下端部における断面形状が略円形状である第2のコンタクトとを備え、
下端部における断面形状が略円形状である前記第2のコンタクトの下面の中心部が、上端部における断面形状が環状形状である前記第1のコンタクトの上面に接触している、半導体装置。 - 前記第2のコンタクトの下端部が、前記第1のコンタクトの上面にのみ接触している、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2のコンタクトの下端部が、前記第1のコンタクトの上面および側面に接触している、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2のコンタクトに接触している部分の前記第1のコンタクトの上端部が、前記第2のコンタクトに接触していない部分の前記第1のコンタクトの上端部よりも下方に位置している、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2のコンタクトの延在方向が、前記第1のコンタクトの延在方向と交差している、請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 半導体基板上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の層間絶縁膜を上下方向に貫通する、開口断面が略円形状である第1のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第1のコンタクトホールを導電性部材にて埋め込むことにより、上端部における断面形状が環状形状である第1のコンタクトを形成する工程と、
前記第1のコンタクトを覆うように前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁膜を上下方向に貫通する、開口断面が略円形状である第2のコンタクトホールを形成することにより、上端部における断面形状が環状形状である前記第1のコンタクトの上面の少なくとも一部を露出せしめる工程と、
前記第2のコンタクトホールを導電性部材にて埋め込むことにより、下面の中心部が上端部における断面形状が環状形状である前記第1のコンタクトの上面に接触し、かつ下端部における断面形状が略円形状である第2のコンタクトを形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。 - 前記第2の層間絶縁膜に前記第2のコンタクトホールをドライエッチングによって形成するとともに、前記ドライエッチング時に前記半導体基板を傾斜させることにより、前記第1のコンタクトの延在方向と交差する方向に延在するように前記第2のコンタクトホールを形成することを特徴とする、請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2008042085A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
US8071439B2 (en) | 2008-08-08 | 2011-12-06 | Elpida Memory, Inc. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9219145B2 (en) | 2012-03-27 | 2015-12-22 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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