JP2005318662A - スイッチング電源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】昇降圧制御の切り替わり時において出力に発生するリップル電圧を低減するスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】制御部(CTRL)10は、入力電位検出部20の検出値に応じて、降圧制御モード/昇圧制御モードを切替え、各制御モードにおいて、出力電位Voutに応じてコンパレータ50が生成するクロック信号を、それぞれプライマリ回路(PRI)/セカンダリ回路(SEC)にフィードバックし、その際、制御モードに応じて、トランスコンダクタンス増幅器40の入力極性を切り替えるためのマルチプレクサ60を有する。
【選択図】図1

Description

本発明は、スイッチング電源装置に関し、特に、入力側および出力側にそれぞれ2つの半導体スイッチング素子を配したHブリッジ型のスイッチング回路を有するスイッチング電源装置に関する。
以下、添付図面に関連付けて従来のスイッチング電源装置について述べる。
図9は、従来のスイッチング電源装置1aの一構成例を示す。図に示すスイッチング電源装置1aは、入力側に設定されたニッケル水素電池等のバッテリ(図のBat)により得られる広い範囲の直流電圧に基づいて、所定の安定した直流電圧を得るための電源装置である。
スイッチング電源装置1aは、図に示すように、インダクタンスLを介して入力側に配設された半導体スイッチング素子Tr1,Tr2と、出力側に配設された半導体スイッチング素子Tr3,Tr4とによりHブリッジのスイッチング回路を含んで構成され、これらの半導体スイッチング素子の導通状態を制御することにより、昇降圧制御を実現する。たとえば、1.5〜5V程度の広い範囲の入力電圧に基づいて、安定した3Vの出力電圧が得られるように半導体スイッチング素子を制御する。
入力側に配設された半導体スイッチング素子Tr1およびTr2には、それぞれバッファBuf1およびインバータInv2を介して、後述するPWM制御信号が制御部10aより供給される。したがって、半導体スイッチング素子Tr1およびTr2は、供給されるPWM制御信号のパルス幅に応じて、一方がオン状態、他方がオフ状態となるように制御される。
以下、図9に示すように、半導体スイッチング素子Tr1,Tr2、バッファBuf1およびインバータInv2により構成される入力側の制御回路を、プライマリ回路(PRI)と称する。
出力側に配設された半導体スイッチング素子Tr3およびTr4には、それぞれバッファBuf3およびインバータInv4を介して、後述するPWM制御信号が制御部10aより供給される。したがって、半導体スイッチング素子Tr3およびTr4は、供給されるPWM制御信号のパルス幅に応じて、一方がオン状態、他方がオフ状態となるように制御される。
以下、図9に示すように、半導体スイッチング素子Tr3,Tr4、バッファBuf3およびインバータInv4により構成される入力側の制御回路を、セカンダリ回路(SEC)と称する。
入力電位検出部20は、所定の基準電位に基づいて入力電位Vinを常時検出し、検出した入力電位Vinを制御部10aに供給する。後述するように、制御部10aは、入力電位検出部20が検出した入力電位Vinに応じて、制御モードを切り替える。
トランスコンダクタンス増幅器40は、いわゆるGmアンプである。
図9に示すように、トランスコンダクタンス増幅器40のプラス端子は、所定のレファレンス電圧Vrefを入力し、マイナス端子は、出力電位Voutを抵抗RFおよびRSにより分圧した電位を入力する。
トランスコンダクタンス増幅器40の出力端子には、トランスコンダクタンス増幅器40の出力した電流に応じた電位を生成するための抵抗R1と、抵抗R1と直列に接続され位相補償を行うコンデンサC1と、が接続されている。位相補償用のコンデンサC1は、比較的大きな容量、たとえば、10nF程度の容量が必要となる。
また、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端子は、コンパレータ50aのマイナス端子に接続されている。したがって、コンパレータ50aのマイナス端子は、位相補償されたトランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位となっている。一方、コンパレータ50aのプラス端子には、三角波生成部30により生成された、一定周期で、かつ、一定振幅の三角波信号が入力される。
これにより、コンパレータ50aは、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位に応じたデューティ比のクロック信号を生成する。コンパレータ50aの出力端子は、図9に示すように、制御部10aの外部端子cに接続され、後述するように、当該クロック信号が、制御モードに応じて、反転され、または、反転されないで、FB_PWM信号として、プライマリ回路/セカンダリ回路のいずれかに供給される。
制御部10aは、入力電位検出部20により検出された入力電位Vinに応じて、制御モードを切り替える。すなわち、目標出力電位Voutに対して、入力電位Vinが高いと判断した場合には(Vin>Vout)、制御モードを降圧制御モードに切替える制御を行い、目標出力電位Voutに対して、入力電位Vinが低いと判断した場合には(Vin<Vout)、制御モードを昇圧制御モードに切替える制御を行う。
具体的には、降圧制御モードでは、制御部10aは、コンパレータ50aから送出されるクロック信号をFB_PWM信号として、プライマリ回路へ供給するとともに、セカンダリ回路に対し、仮想的な出力電位Vout(仮想Vout)が得られるようなパルス幅のFF_PWM信号を供給する。
なお、仮想Voutは、セカンダリ回路側の平均電位であり、以下の式に示す関係が成立する。

仮想Vout=Vin×FBduty …(1)
一方、昇圧制御モードでは、制御部10aは、コンパレータ50aから送出されるクロック信号を反転させた信号をFB_PWM信号として、セカンダリ回路へ供給するとともに、プライマリ回路に対し、仮想的な入力電位Vin(仮想Vin)が得られるようなパルス幅のFF_PWM信号を供給する。
なお、仮想Vinは、プライマリ回路側の平均電位であり、以下の式に示す関係が成立する。

仮想Vin=Vout×FBduty …(2)

なお、コンパレータ50aが出力するクロック信号を反転させてFB_PWM信号を生成する処理は、インバータを含むロジック回路が制御部10a内に構成されて行われる。
図10は、スイッチング電源装置1aが降圧制御モードで動作する場合の接続状態およびPWM信号の供給状態を示す等価回路である。
入力電位Vinが出力電位Voutよりも高い降圧制御モードでは、図に示すように、出力電位Voutに応じたデューティ比(FBduty)のFB_PWM信号がプライマリ回路に供給されるとともに、FF_PWM信号がセカンダリ回路に供給される。これにより、スイッチング電源装置1aは、目標の出力電位Voutが得られるように降圧制御される。
図11は、スイッチング電源装置1aが昇圧制御モードで動作する場合の接続状態およびPWM信号の供給状態を図示したものである。
なお、実際には、コンパレータ50aが出力するクロック信号が反転されて、FB_PWM信号としてセカンダリ回路に供給されるが、記載の簡略化のため、図11のコンパレータ50aでは、図10に示したコンパレータ50aと比較して、プラス端子とマイナス端子とを逆転させて記載し、その出力が等価的に直接セカンダリ回路に供給されるように記載している。
入力電位Vinが出力電位Voutより低くなると、制御モードは、昇圧制御モードとなり、図に示すように、出力電圧に応じたデューティ比(FBduty)のFB_PWM信号がセカンダリ回路に供給されるとともに、FF_PWM信号がプライマリ回路に供給される。これにより、スイッチング電源装置1aは、目標の出力電位Voutが得られるように昇圧制御される。
ところで、上述した従来のスイッチング電源装置1aにおいては、制御モードを切り替える際に、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位の過渡特性に起因して、スイッチング電源装置1aの出力にリップル電圧が発生するという問題がある。すなわち、比較的容量が大きい位相補償用のコンデンサC1の存在により、制御モードが切り替わった直後に、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端の電位が安定するまでの過渡領域において、出力電位Voutを安定的に制御できないという問題がある。
以下、上述した問題について、図12に関連付けて具体的に述べる。
図12は、制御モードの切替え時刻Tcの前後における各信号波形のタイミングチャートであり、(a)はトランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位V40を、(b)はコンパレータ50aに入力される三角波信号Vtriを、(c)はFB_PWM信号を、(d)はFF_PWM信号を、(e)は出力電位Voutを、それぞれ示す。なお、三角波信号Vtriの最大電位をVtri2、最小電位をVtri1と称する。
図12において、時刻Tc以前は、入力電位Vin>出力電位Voutの関係が成立し、制御部10aは降圧制御モードにより動作し、時刻Tc以後は、入力電位Vin<出力電位Voutの関係が成立し、制御部10aは昇圧制御モードにより動作し、その際のFB_PWM信号のデューティ比FBdutyは、常に0.9となることを目標に設定されているものとする。
時刻Tc以前においては、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位V40は安定しているため、FB_PWM信号は、下記式(1)に示す安定したデューティ比FBdutyをもって、プライマリ回路に供給されている。

FBduty=(V40−Vtri1)/(Vtri2−Vtri1) …(3)

たとえば、Vtri2=1.45V、Vtri1=0.85Vとすると、FB_PWM信号のデューティ比FBdutyが上述した0.9の場合には、前記した式(3)により、V40=1.39Vとなっている。
その後、入力電位Vinが低下して、入力電位Vin<出力電位Voutの関係が成立する時刻Tcになると、制御部10aは昇圧制御モードにより動作を開始する。すなわち、時刻Tcになった直後から、コンパレータ50aから出力されるクロック信号が反転されてセカンダリ回路に供給される。
仮に、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端に接続された位相補償用のコンデンサC1が存在しないとすると、その出力端電位V40は、時刻Tc以前の1.39V(FBduty=0.9)から、短時間で0.91Vとなるように制御される。
なお、昇圧制御モードでは、制御部10aは、コンパレータ50aの出力するクロック信号を反転させてFB_PWM信号を生成するので、0.91Vは、昇圧制御モードにおけるFBduty=0.9に相当する。
すなわち、前述した式(2)に従って、仮想Vinが2.7V(仮想Vin=出力電位Vout×FBduty=3×0.9=2.7V)となるように、FF_PWM信号がプライマリ回路に供給される。
しかし、実際には、位相補償用のコンデンサC1が存在するために、時刻Tc直後の出力端電位V40は、図12(a)に示すように、なだらかに低下し、安定点であるV40=0.91Vに達するには時間がかかる。
たとえば、時刻Tc直後の出力電位V40が時刻Tc以前と変わらずに1.39Vであるとすると、昇圧制御モードでは、制御部10aは、コンパレータ50aの出力するクロック信号を反転させてFB_PWM信号を生成するので、そのデューティ比は、切替え直後に0.9から0.1となる。一方、FF_PWM信号は、上述したように、仮想Vin=2.7Vとなるようにプライマリ回路に供給されるので、前述した式(2)により、出力電位Voutは、

Vout=仮想Vin/FBduty
=2.7V/0.1=27V …(4)

となり、出力電位Voutはオーバーシュートする。
この出力電位Voutのオーバーシュートは、コンデンサC1が十分に放電し、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位V40が安定的に0.91V(昇圧制御モードにおいて、FBduty:0.9相当)になった時点で解消されるが、その間はリップル電圧として観測される。
すなわち、FB_PWM信号のデューティ比は、常に0.9となるように設定されているが、実際には、制御モードの切り替わり直後の過渡領域において、デューティ比が0.1となる状態が生じ、その間に、リップル電圧が観測される。
以上述べたように、トランスコンダクタンス増幅器を有する従来のスイッチング電源装置は、特に降圧制御から昇圧制御への切り替わり時において、トランスコンダクタンス増幅器の出力端に位相補償用の比較的大容量のコンデンサを接続していたため、当該コンデンサの影響により、増幅器の出力端電位がすぐに所望の値に追従することができず、その結果、出力にリップル電圧が発生するという問題があったのである。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、昇降圧制御の切り替わり時において出力に発生するリップル電圧を低減するスイッチング電源装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係るスイッチング電源装置は、入力側の導通状態を制御するための複数のスイッチング素子からなる第1のスイッチング手段と、出力側の導通状態を制御するための複数のスイッチング素子からなる第2のスイッチング手段と、出力電位に応じたパルス幅のフィードバックパルスを生成するフィードバックパルス生成手段と、少なくとも降圧制御モードと昇圧制御モードとを含む複数の制御モードを入力電位に応じて切り替え、前記降圧制御モードでは、前記フィードバックパルスを前記第1のスイッチング手段に与え、前記昇圧制御モードでは、前記フィードバックパルスを前記第2のスイッチング手段に与える第1の制御手段と、前記フィードバックパルスのデューティ比が前記複数の制御モードによらず一定となるように、前記フィードバックパルス生成手段を制御する第2の制御手段とを有するスイッチング電源装置である。
好適には、前記フィードバックパルス生成手段は、出力電位に対応した電圧を入力する第1の端子と基準電位を入力する第2の端子を有するトランスコンダクタンス増幅器、を含み、前記第2の制御手段は、前記降圧制御モードおよび前記昇圧制御モードに応じて、前記トランスコンダクタンス増幅器の第1および第2の端子の極性を反転させる。
好適には、前記フィードバックパルス生成手段は、容量素子に接続されたノードの電位と一定周期の三角波信号を比較して前記フィードバックパルスを生成する比較器、を含み、前記トランスコンダクタンス増幅器の出力端が前記ノードよりも出力側に位置するように、前記トランスコンダクタンス増幅器が配設される。
本発明のスイッチング電源装置によれば、第2の制御手段は、フィードバックパルス生成手段のトランスコンダクタンス増幅器の入力極性を、制御モードに応じて切り替えるため、制御モードに応じて適切にフィードバックをかけつつ、安定した定電流を出力し、フィードバックパルスのデューティ比が制御モードによらず一定となる。
また、本発明のスイッチング電源装置によれば、フィードバックパルス生成手段の比較器は、容量素子に接続されたトランスコンダクタンス増幅器の出力端の電位と、一定周期の三角波信号とを比較して前記フィードバックパルスを生成するので、当該容量素子の充電状態によらず、比較器に入力される電位レベルが安定する結果、フィードバックパルスのデューティ比が一定となる。
本発明によれば、昇降圧制御の切り替わり時において出力に発生するリップル電圧を低減するので、出力端に接続された負荷に対して、常に安定した電源を供給することが可能となる。
以下、添付図面に関連付けて本発明に係るスイッチング電源装置の一実施形態について述べる。
図1は、本実施形態に係るスイッチング電源装置1の一構成例を示す。図に示すスイッチング電源装置1は、入力側に設定されたニッケル水素電池等のバッテリ(図のBat)により得られる広い範囲の直流電圧に基づいて、所定の安定した直流電圧を得るための電源装置である。
スイッチング電源装置1は、図に示すように、インダクタンスLを介して入力側に配設された半導体スイッチング素子Tr1,Tr2と、出力側に配設された半導体スイッチング素子Tr3,Tr4とによりHブリッジのスイッチング回路を含んで構成され、これらの半導体スイッチング素子の導通状態を制御することにより、昇降圧制御を実現する。たとえば、1.5〜5V程度の広い範囲の入力電圧に基づいて、安定した3Vの出力電圧が得られるように半導体スイッチング素子を制御する。
なお、後述するプライマリ回路およびセカンダリ回路は、それぞれ、本発明の第1および第2のスイッチング手段の一実施形態である。
制御部(CTRL)10は、本発明の第1の制御手段の一実施形態である。
マルチプレクサ(MPX)60は、本発明の第2の制御手段の一実施形態である。
トランスコンダクタンス増幅器40およびコンパレータ50は、本発明のフィードバックパルス生成手段を構成する一実施形態である。
入力側に配設された半導体スイッチング素子Tr1およびTr2には、それぞれバッファBuf1およびインバータInv2を介して、後述するPWM制御信号が制御部10より供給される。したがって、半導体スイッチング素子Tr1およびTr2は、供給されるPWM制御信号のパルス幅に応じて、一方がオン状態、他方がオフ状態となるように制御される。
以下、図1に示すように、半導体スイッチング素子Tr1,Tr2、バッファBuf1およびインバータInv2により構成される入力側の制御回路を、プライマリ回路(PRI)と称する。
出力側に配設された半導体スイッチング素子Tr3およびTr4には、それぞれバッファBuf3およびインバータInv4を介して、後述するPWM制御信号が制御部10より供給される。したがって、半導体スイッチング素子Tr3およびTr4は、供給されるPWM制御信号のパルス幅に応じて、一方がオン状態、他方がオフ状態となるように制御される。
以下、図1に示すように、半導体スイッチング素子Tr3,Tr4、バッファBuf3およびインバータInv4により構成される入力側の制御回路を、セカンダリ回路(SEC)と称する。
入力電位検出部20は、所定の基準電位に基づいて入力電位Vinを常時検出し、検出した入力電位Vinを制御部10およびマルチプレクサ60に供給する。後述するように、制御部10は、入力電位検出部20が検出した入力電位Vinに応じて、制御モードを切り替える。
マルチプレクサ60は、図に示すように、少なくとも端子g〜端子kの5端子を含んで構成され、端子iから入力される入力電位検出部20の検出電位Vinに応じて、端子gおよび端子hと、端子kおよび端子jとの接続状態が切り替わるように制御する。
具体的には、検出電位Vinが目標となる出力電位Voutより高い場合(Vin>Vout)には、端子gと端子kとを導通させるとともに、端子hと端子jとを導通させる。一方、検出電位Vinが目標となる出力電位Voutより低い場合(Vin<Vout)には、端子gと端子jとを導通させるとともに、端子hと端子kとを導通させる。
図2は、マルチプレクサ60の一回路構成例である。
図2に示すように、マルチプレクサ60は、4つのアナログスイッチ61〜64と、コンパレータ(COMP)65と、を含んで構成することができる。
図に示す回路構成例では、端子iより入力した入力電位検出部20の検出電位Vinがレファレンス電圧Vref1(目標の出力電位Voutに設定される)よりも高い場合には、コンパレータ65がHレベルを出力することにより、アナログスイッチ62および64が導通状態となり、アナログスイッチ61および63が非導通状態となる。これにより、端子gと端子kが導通し、端子hと端子jが導通する。
また、端子iより入力した入力電位検出部20の検出電位Vinがレファレンス電圧Vref1(目標の出力電位Voutに設定される)よりも低い場合には、コンパレータ65がLレベルを出力することにより、アナログスイッチ61および63が導通状態となり、アナログスイッチ62および64が非導通状態となる。これにより、端子gと端子jが導通し、端子hと端子kが導通する。
トランスコンダクタンス増幅器40は、いわゆるGmアンプである。
図に示すように、トランスコンダクタンス増幅器40のプラス端子はマルチプレクサ60の端子gに、マイナス端子はマルチプレクサ60のh端子に、ぞれぞれ接続されている。
したがって、トランスコンダクタンス増幅器40には、所定のレファレンス電圧Vrefと、出力電位Voutを抵抗RFおよびRSにより分圧した電位と、のいずれかを、入力電位検出部20の検出電位Vinに応じて、プラス端子/マイナス端子に切り替えて入力される。
トランスコンダクタンス増幅器40の出力端子には、トランスコンダクタンス増幅器40の出力した電流に応じた電位を生成するための抵抗R1と、抵抗R1と直列に接続され位相補償を行う本発明の容量素子としてのコンデンサC1と、が接続されている。位相補償用のコンデンサC1は、比較的大きな容量、たとえば、10nF程度の容量が必要となる。
また、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端子は、コンパレータ50のマイナス端子に接続されている。したがって、コンパレータ50のマイナス端子は、位相補償されたトランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位となっている。一方、コンパレータ50のプラス端子には、三角波生成部30により生成された、一定周期で、かつ、一定振幅の三角波信号が入力される。
これにより、コンパレータ50は、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位に応じたデューティ比のクロック信号を生成する。コンパレータ50の出力端子は、図1に示すように、制御部10の外部端子cに接続され、後述するように、当該クロック信号は、FB_PWM信号として、制御モードに応じて、プライマリ回路/セカンダリ回路のいずれかに供給される。
なお、本実施形態に係るスイッチング電源装置1では、コンパレータ50が生成するクロック信号は、従来のスイッチング電源装置1aと異なり、制御モードによらず反転処理はされない。
制御部10は、入力電位検出部20により検出された入力電位Vinに応じて、以下の3つの制御モードを切り替える。
(1)降圧制御モード
たとえば、入力電位Vinが4〜5Vの範囲であり、目標の出力電位Voutが3Vであるような場合に降圧制御モードが行われる。
降圧制御モードでは、セカンダリ回路の半導体スイッチング素子Tr3を常にオン状態、半導体スイッチング素子Tr4を常にオフ状態とし、出力電位Voutに応じて、プライマリ回路に対して与えるクロック信号のデューティ比を制御することにより、入力側の平均電位(仮想電位Vin)を制御する。
(2)昇圧制御モード
たとえば、入力電位Vinが1.5〜2.7Vの範囲であり、目標の出力電位Voutが3Vであるような場合に昇圧制御モードが行われる。
昇圧制御モードでは、プライマリ回路の半導体スイッチング素子Tr1を常にオン状態、半導体スイッチング素子Tr2を常にオフ状態として、出力電位Voutに応じて、セカンダリ回路に対して与えるクロック信号のデューティ比を制御することにより、出力側の平均電位(仮想電位Vout)を制御する。
(3)昇降圧制御モード
たとえば、入力電位Vinが2.7〜4Vの範囲であり、目標の出力電位Voutが3Vであるような場合に昇降圧制御モードが行われる。
昇降圧制御モードでは、入力電位Vinと目標の出力電位Voutの関係により、降圧制御モードと昇圧制御モードが逐次切り替わって制御が行われる。
すなわち、昇降圧制御モードにおいては、目標出力電位Voutに対して、入力電位Vinが高いと判断した場合には(Vin>Vout)、制御モードを降圧制御モードに切替える制御を行い、目標出力電位Voutに対して、入力電位Vinが低いと判断した場合には(Vin<Vout)、制御モードを昇圧制御モードに切替える制御を行う。
その際、上述した(1)降圧制御モードおよび(2)昇圧制御モードと異なり、プライマリ回路およびセカンダリ回路双方に与えるクロック信号のデューティ比を制御する。
本実施形態に係るスイッチング電源装置1は、昇降圧制御モードにおける制御モードの切替え時の動作について特徴があるため、以下では、昇降圧制御モードの場合における制御部10について述べる。
また、以下において、降圧制御モード/昇圧制御モードと述べる場合には、昇降圧制御モードにおける降圧制御モード/昇圧制御モードについて言及しているものとする。
図3は、上述した昇降圧制御モードによって動作する場合の制御部10の一回路構成例である。
図3に示すように、制御部10は、4つのアナログスイッチ11〜14と、コンパレータ(COMP)15と、FF_PWM生成部16と、FB_PWM生成部17とを含んで構成することができる。
FF_PWM生成部16は、所定のタイミング、たとえば、FB_PWM信号が出力されるタイミングと反転したタイミングで、降圧制御モード/昇圧制御モードによらず、一定のデューティ比のFF_PWM信号を出力する。
FB_PWM生成部17は、コンパレータ50が供給するクロック信号を端子cを介して入力し、タイミングが制御された後に、入力したクロック信号とデューテュ比が等しいFB_PWM信号を出力する。
図3に示す回路構成例では、端子bより入力した入力電位検出部20の検出電位Vinがレファレンス電圧Vref2(目標の出力電位Voutに設定される)よりも高い場合には、コンパレータ15がHレベルを出力することにより、アナログスイッチ12および14が導通状態となり、アナログスイッチ11および13が非導通状態となる。これにより、FF_PWM生成部16が出力するFF_PWM信号が端子dを介してセカンダリ回路に供給され、FB_PWM生成部17が出力するFB_PWM信号が端子aを介してプライマリ回路に供給される。
また、端子iより入力した入力電位検出部20の検出電位Vinがレファレンス電圧Vref2(目標の出力電位Voutに設定される)よりも低い場合には、コンパレータ15がLレベルを出力することにより、アナログスイッチ11および13が導通状態となり、アナログスイッチ12および14が非導通状態となる。これにより、FF_PWM生成部16が出力するFF_PWM信号が端子aを介してプライマリ回路に供給され、FB_PWM生成部17が出力するFB_PWM信号が端子dを介してセカンダリ回路に供給される。
したがって、降圧制御モードでは、制御部10は、コンパレータ50から送出されるクロック信号(FB_PWM信号)をプライマリ回路へ供給するとともに、セカンダリ回路に対し、仮想的な出力電位Vout(仮想Vout)が得られるようなパルス幅のFF_PWM信号を供給する。
なお、仮想Voutは、セカンダリ回路側の平均電位であり、以下の式に示す関係が成立する。

仮想Vout=Vin×FBduty …(5)
一方、昇圧制御モードでは、制御部10は、コンパレータ50から送出されるクロック信号(FB_PWM信号)をセカンダリ回路へ供給するとともに、プライマリ回路に対し、仮想的な入力電位Vin(仮想Vin)が得られるようなパルス幅のFF_PWM信号を供給する。
なお、仮想Vinは、プライマリ回路側の平均電位であり、以下の式に示す関係が成立する。

仮想Vin=Vout×FBduty …(6)
図4は、スイッチング電源装置1が降圧制御モードで動作する場合の接続状態およびPWM信号の供給状態を示す等価回路である。
入力電位Vinが目標の出力電位Voutよりも高い降圧制御モードでは、図に示すように、出力電位Voutに応じたデューティ比(FBduty)のFB_PWM信号がプライマリ回路に供給されるとともに、FF_PWM信号がセカンダリ回路に供給される。これにより、スイッチング電源装置1は、目標の出力電位Voutが得られるように降圧制御される。
なお、入力電位Vinが目標の出力電位Voutよりも高い場合には、図示した接続状態となるように、マルチプレクサ60が動作する。
図5は、スイッチング電源装置1が昇圧制御モードで動作する場合の接続状態およびPWM信号の供給状態を示す等価回路である。
入力電位Vinが目標の出力電位Voutより低くなると、制御モードは、昇圧制御モードとなり、図に示すように、出力電圧に応じたデューティ比(FBduty)のFB_PWM信号がセカンダリ回路に供給されるとともに、FF_PWM信号がプライマリ回路に供給される。これにより、スイッチング電源装置1は、目標の出力電位Voutが得られるように昇圧制御される。
その際、入力電位Vinが目標の出力電位Voutより低くなった直後に、マルチプレクサ60がトランスコンダクタンス増幅器40のプラス/マイナス端子の接続状態を切り替えるが、記載の簡略化のため、図5に示すトランスコンダクタンス増幅器40では、各端子に対する外部との接続状態を図4と変えずに、図4に示したトランスコンダクタンス増幅器40に対して、プラス端子とマイナス端子とを逆転させて記載している。
次に、制御部10が制御モードを降圧制御モードから昇圧制御モードへ切り替える際のスイッチング電源装置1の動作について、図6に関連付けて具体的に述べる。
図6は、制御モードの切替え時刻Tcの前後における各信号波形のタイミングチャートであり、(a)はトランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位V40を、(b)はコンパレータ50に入力される三角波信号Vtriを、(c)はFB_PWM信号を、(d)はFF_PWM信号を、(e)は出力電位Voutを、それぞれ示す。なお、三角波信号Vtriの最大電位をVtri2、最小電位をVtri1と称する。
図6において、時刻Tc以前は、入力電位Vin>出力電位Voutの関係が成立し、制御部10は降圧制御モードにより動作し、時刻Tc以後は、入力電位Vin<出力電位Voutの関係が成立し、制御部10は昇圧制御モードにより動作し、FB_PWM信号のデューティ比FBdutyが常に0.9となるように設定されているものとする。
時刻Tc以前においては、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位V40は安定しているため、FB_PWM信号は、下記式(7)に示す安定したデューティ比FBdutyをもって、プライマリ回路に供給されている。

FBduty=1−(V40−Vtri1)/(Vtri2−Vtri1)…(7)

たとえば、Vtri2=1.45V、Vtri1=0.85Vとすると、FB_PWM信号のデューティ比FBdutyが上述した0.9の場合には、前記した式(7)により、V40=0.91Vとなっている。
その後、入力電位Vinが低下して、入力電位Vin>目標の出力電位Voutの関係が成立する時刻Tcになると、制御部10は昇圧制御モードに切り替わって動作を開始し、FBdutyが0.9を維持するように制御を行う。
その際に、マルチプレクサ60がトランスコンダクタンス増幅器40のプラス/マイナス端子に対する接続状態を切り替える動作を行うので、図6(a)に示すように、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位V40を0.91V(FBduty=0.9)に維持しつつ、切り替わり前後の各制御モードに対して、常にフィードバックをかける構成とすることが可能となる。
その際、制御モードの切り替わり前後において、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位V40に変化がなく、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端に接続された位相補償用のコンデンサC1の充電状態は、切り替わり前後において変化はない。すなわち、切り替わり前から、コンデンサC1の電位は、0.91Vを維持している。
したがって、時刻Tc直後において、コンデンサC1の充電電位によって、デューティ比FBdutyの値が影響を受けることはないので、前述した式(6)の関係が常に維持される結果、図6(e)に示すように、出力電位Voutに生ずるリップルが非常に小さいものとなる。
なお、上述した例では、デューティ比FBdutyが0.9と設定されている場合について述べたが、任意のデューティ比に設定できることは言うまでもない。デューティ比が任意に設定されていても、トランスコンダクタンス増幅器40は、デューティ比に応じた電流値を出力し、その出力端電位は一定に維持されるので、任意のデューティ比に対しても、出力電位Voutに生ずるリップルは非常に小さいものとなる。
なお、上述した実施形態の説明においては、降圧制御モードから昇圧制御モードへ切り替わる際の動作について述べたが、昇圧制御モードから降圧制御モードへ切り替わる際にも同様に、出力に生ずるリップル電圧の低減に対して効果がある。
たとえば、シミュレーション結果の一例によれば、降圧制御モードから昇圧制御モードへ切り替わる際に生ずるリップル電圧を比較すると、従来のスイッチング電源装置では1.4Vであるのに対し、本実施形態に係るスイッチング電源装置では13mVとなる。また、昇圧制御モードから降圧制御モードへ切り替わる際に生ずるリップル電圧を比較すると、従来のスイッチング電源装置では0.2Vであるのに対し、本実施形態に係るスイッチング電源装置では20mVとなり、いずれの制御モードの変化に対しても大幅な改善が見られる。
以上説明したように、本実施形態に係るスイッチング電源装置1によれば、出力電位に応じたFB_PWM信号を降圧制御モード/昇圧制御モードに対して、それぞれプライマリ回路/セカンダリ回路にフィードバックし、その際、制御モードに応じて、トランスコンダクタンス増幅器40の入力極性を切り替えるためのマルチプレクサ60を有しているので、制御モードの切り替わり前後において、トランスコンダクタンス増幅器40の出力電位が変動しない、すなわち、FB_PWM信号のデューティ比を一定としつつ、各制御モードにおいて、ネガティブフィードバックをかけることが可能となる。
また、本実施形態に係るスイッチング電源装置1は、トランスコンダクタンス増幅器40の出力端に位相補償用の比較的大容量のコンデンサC1を有しているが、トランスコンダクタンス増幅器40の出力電位が制御モードによらず常に一定に維持されるので、コンデンサC1の充電状態によらず、生成されるFB_PWM信号のデューティ比が一定となる。
すなわち、制御モードの切り替わり前後において、コンデンサC1の充電電圧の過渡特性の影響を受けることはなく、出力に生ずるリップル電圧が非常に小さいものとなる。したがって、フィードバック系の位相補償とリップル電圧の低減という相反する性能を両立させることが可能である。
なお、本発明の実施形態は、上述した内容に拘泥するものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲で様々な改変が可能である。
たとえば、図7は、一変形例に係るスイッチング電源装置が降圧制御モードで動作する場合の等価回路を、図8は、一変形例に係るスイッチング電源装置が昇圧制御モードで動作する場合の等価回路を、それぞれ示す。
図7およびに図8に示すスイッチング電源装置は、図4および図5に示したスイッチング電源装置1と比較して、トランスコンダクタンス増幅器40の入力端子の極性がそれぞれ逆転している点で相違する。すなわち、図7においては、出力電位Voutを分圧した電位がマイナス端子にフィードバックされ、図8においては、出力電位Voutを分圧した電位がプラス端子にフィードバックされている。
また、ネガティブフィードバックを構成するように、コンパレータ50の極性を図4および図5に示したスイッチング電源装置1に対して反転させている。
本変形例においても、上述したスイッチング電源装置1と同様に、トランスコンダクタンス増幅器40の出力電位が制御モードによらず常に一定に維持されるので、コンデンサC1の充電状態によらず、生成されるFB_PWM信号のデューティ比が一定となるので、制御モードの切り替わり前後において、コンデンサC1の充電電圧の過渡特性の影響を受けることはなく、出力に生ずるリップル電圧が非常に小さいものとなる。
実施形態に係るスイッチング電源装置の一構成例である。 実施形態に係るスイッチング電源装置のマルチプレクサの一回路構成例である。 実施形態に係るスイッチング電源装置が昇降圧制御モードによって動作する場合の制御部の一回路構成例である。 実施形態に係るスイッチング電源装置が降圧制御モードで動作する場合の等価回路である。 実施形態に係るスイッチング電源装置が昇圧制御モードで動作する場合の等価回路である。 実施形態に係るスイッチング電源装置において、制御モードの切替え時刻Tcの前後の各信号波形のタイミングチャートであり、(a)はトランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位V40を、(b)はコンパレータ50に入力される三角波信号Vtriを、(c)はFB_PWM信号を、(d)はFF_PWM信号を、(e)は出力電位Voutを、それぞれ示す。 変形例に係るスイッチング電源装置が降圧制御モードで動作する場合の等価回路である。 変形例に係るスイッチング電源装置が昇圧制御モードで動作する場合の等価回路である。 従来のスイッチング電源装置の一構成例である。 従来のスイッチング電源装置が降圧制御モードで動作する場合の接続状態およびPWM信号の供給状態を図示 従来のスイッチング電源装置が昇圧制御モードで動作する場合の接続状態およびPWM信号の供給状態を図示 従来のスイッチング電源装置において、制御モードの切替え時刻Tcの前後の各信号波形のタイミングチャートであり、(a)はトランスコンダクタンス増幅器40の出力端電位V40を、(b)はコンパレータ50aに入力される三角波信号Vtriを、(c)はFB_PWM信号を、(d)はFF_PWM信号を、(e)は出力電位Voutを、それぞれ示す。
符号の説明
1,1a…スイッチング電源装置
10,10a…制御部(CTRL)
11〜14…アナログスイッチ
15…コンパレータ(COMP)
16…FF_PWM生成部
17…FB_PWM生成部
20…入力電位検出部(VID)
30…三角波生成部(TRI)
40…トランスコンダクタンス増幅器
50,50a…コンパレータ
60…マルチプレクサ(MPX)
61〜64…アナログスイッチ
65…コンパレータ(COMP)

Claims (6)

  1. 入力側の導通状態を制御するための複数のスイッチング素子からなる第1のスイッチング手段と、
    出力側の導通状態を制御するための複数のスイッチング素子からなる第2のスイッチング手段と、
    出力電位に応じたパルス幅のフィードバックパルスを生成するフィードバックパルス生成手段と、
    少なくとも降圧制御モードと昇圧制御モードとを含む複数の制御モードを入力電位に応じて切り替え、前記降圧制御モードでは、前記フィードバックパルスを前記第1のスイッチング手段に与え、前記昇圧制御モードでは、前記フィードバックパルスを前記第2のスイッチング手段に与える第1の制御手段と、
    前記フィードバックパルスのデューティ比が前記複数の制御モードによらず一定となるように、前記フィードバックパルス生成手段を制御する第2の制御手段と
    を有するスイッチング電源装置。
  2. 前記フィードバックパルス生成手段は、出力電位に対応した電圧を入力する第1の端子と基準電位を入力する第2の端子を有するトランスコンダクタンス増幅器、を含み、
    前記第2の制御手段は、前記降圧制御モードおよび前記昇圧制御モードに応じて、前記トランスコンダクタンス増幅器の第1および第2の端子の極性を反転させる
    請求項1記載のスイッチング電源装置。
  3. 前記フィードバックパルス生成手段は、容量素子に接続されたノードの電位と一定周期の三角波信号を比較して前記フィードバックパルスを生成する比較器、を含み、
    前記トランスコンダクタンス増幅器の出力端が前記ノードよりも出力側に位置するように、前記トランスコンダクタンス増幅器が配設される
    請求項2記載のスイッチング電源装置。
  4. 電圧入力端子とインダクタンス素子の一方の端子との間に接続された第1のスイッチング素子と、
    インダクタンス素子の一方の端子と基準電位との間に接続された第2のスイッチング素子と、
    電圧出力端子とインダクタンス素子の他方の端子との間に接続された第3のスイッチング素子と、
    インダクタンス素子の他方の端子と基準電位との間に接続された第4のスイッチング素子と、
    上記第3及び第4のスイッチング素子又は上記第1及び第2のスイッチング素子にフォードフォワード制御信号を供給するためのフィードフォワード制御回路と、
    上記第1及び第2のスイッチング素子又は上記第3及び第4のスイッチング素子にフォードバック制御信号を供給するためのフィードバック制御回路と、
    を有し、降圧モードで動作する際には上記フィードフォワード制御信号が上記第3及び第4のスイッチング素子に供給されると共に上記フィードバック制御信号が上記第1及び第2のスイッチング素子に供給され、昇圧モードで動作する際には上記フィードフォワード制御信号が上記第1及び第2のスイッチング素子に供給されると共に上記フィードバック制御信号が上記第3及び第4のスイッチング素子に供給されるスイッチング電源装置であって、
    上記フィードバック制御回路が、極性が逆となる第1及び第2の端子を有する比較回路を有し、降圧モードで動作する際には上記第1の端子に出力電圧に応じた電圧が供給されると共に上記第2の端子に基準電圧が供給され、昇圧モードで動作する際には上記第1の端子に基準電圧が供給されると共に上記第2の端子に出力電圧に応じた電圧が供給されるスイッチング電源装置。
  5. 上記フィードバック制御回路が、上記比較回路の出力信号と三角波信号とを入力してフィードバック制御信号を生成するコンパレータを有し、上記比較回路が電流出力型の増幅回路である
    請求項4に記載のスイッチング電源装置。
  6. 上記フィードバック制御回路が、上記比較回路の上記第1及び第2の端子と出力電圧に応じた電圧及び基準電圧との接続関係を切り替える入力切替回路を有する
    請求項4又は5に記載のスイッチング電源装置。
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