JP2005315605A

JP2005315605A - 半導体装置の試験装置および試験方法

Info

Publication number: JP2005315605A
Application number: JP2004130914A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Iida; 俊一飯田
Original assignee: Yamaha Corp
Current assignee: Yamaha Corp
Priority date: 2004-04-27
Filing date: 2004-04-27
Publication date: 2005-11-10

Abstract

【課題】電波に対するＬＳＩ単体の電磁感受性の強度評価を容易に行うことができる半導体装置の試験装置および試験方法を提供する。
【解決手段】アンテナ昇降部７は、制御部１５の指示に基づいて、近接照射用アンテナ４を被試験ＬＳＩ２の頭上の所定の位置に移動させる。近接照射用アンテナ４は、信号発生器５によって発生された信号に基づいた電波を照射する。テストパターン発生部１０によって発生されたテストパターンは被試験ＬＳＩ２に入力され、被試験ＬＳＩ２から出力された出力パターンは比較部１２に入力される。比較部１２はこの出力パターンと、期待値パターン発生部１１から出力された期待値パターンとを比較し、比較結果を示す信号を制御部１５へ出力する。制御部１５はこの信号に基づいて、被試験ＬＳＩ２の誤動作の有無を判定する。被試験ＬＳＩ２に誤動作があった場合、制御部１５はこのときの電波の強度を記憶部１７に格納する。
【選択図】図１

Description

本発明は、電波に対するＬＳＩ（ＬａｒｇｅＳｃａｌｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）などの半導体装置の強度を測定し、評価する半導体装置の試験装置および試験方法に関する。

近年、電波によって機器が誤動作することが問題になってきている。ＬＳＩなどの半導体装置には、静電気による静電ノイズや電磁波などによって発生する電磁界ノイズに対する耐性の高さが要求される。従来、上記のノイズに対する半導体装置の電磁感受性（ＥＭＳ：ＥｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃＳｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉｔｙ）の測定・評価を行う試験においては、複数のＬＳＩ等を備えた回路基板、あるいはその回路基板が装着された電子機器が用いられ、それら回路基板あるいは電子機器に対する試験が行われていた。

例えば、机などの上に被試験機器と水平結合板および垂直結合板とを載置し、水平結合板および垂直結合板に対して放電させ、被試験機器への影響を測定する間接放電試験がある。また、電波暗室で規定の周波数・試験レベルの電磁界ノイズを、広帯域アンテナにより被試験機器に照射し、被試験機器の誤動作および劣化の評価を行うＲＦイミュニティ試験等がある（非特許文献１参照）。
「ＯｒｉｇｉｎａｌＰｒｏｄｕｃｔｓＣＡＴＡＬＯＧ２００１」、株式会社ノイズ研究所、２００１年、ｐ．２９，ｐ．１１２

しかし、従来の半導体装置の電磁感受性の測定試験においては、以下に述べるような問題点があった。例えば、複数のＬＳＩ等を備えた回路基板に対して試験を行う場合、回路基板の作り方や、回路基板に搭載される部品の選定、レイアウトなどが測定結果に大きな影響を及ぼしていた。また、回路基板が装着された電子機器に対して試験を行う場合、電子機器を含む試験システム全体に対する電磁シールドの手法が測定結果に大きな影響を及ぼしていた。さらに、従来の試験においては、複数のＬＳＩを備えた回路基板あるいはその回路基板が装着された電子機器に対して試験を行うのみであり、ＬＳＩ単体に対して電磁感受性の測定試験を行うことが困難であった。したがって、ＬＳＩの開発者にとっては、開発したＬＳＩの、電波に対する電磁感受性の強度評価を知ることが困難であった。

本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであって、電波に対するＬＳＩ単体の電磁感受性の強度評価を容易に行うことができる半導体装置の試験装置および試験方法を提供することを目的とする。

本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、請求項１に記載の発明は、電波に対する半導体装置の電磁感受性を測定する半導体装置の試験装置において、電波発生用の信号を発生する信号発生手段と、前記信号発生手段によって発生された前記信号に基づいた電波を照射するアンテナと、前記アンテナを前記半導体装置の近傍に配置する配置手段と、テストパターンを発生し、該テストパターンを前記半導体装置へ出力するテストパターン発生手段と、動作検証用の期待値パターンを発生する期待値パターン発生手段と、前記半導体装置から出力された出力パターンと、前記期待値パターン発生手段によって発生された前記期待値パターンとを比較し、前記半導体装置の誤動作の有無を判定する判定手段と、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記アンテナによって照射された電波の強度を記憶する記憶手段とを具備することを特徴とする半導体装置の試験装置である。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体装置の試験装置において、前記信号発生手段は、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作がないと判定された場合に、前記信号の強度を上げることを特徴とする。

請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の試験装置において、前記信号発生手段は、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記信号の種類を変えることを特徴とする。

請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれかの項に記載の半導体装置の試験装置において、前記テストパターン発生手段は、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記テストパターンとは異なる他のテストパターンを発生することを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、電波に対する半導体装置の電磁感受性を測定する半導体装置の試験方法において、配置手段が前記半導体装置の近傍にアンテナを配置するステップと、信号発生手段が電波照射用の信号を発生し、該信号に基づいた電波を前記アンテナが照射するステップと、テストパターン発生手段がテストパターンを発生し、該テストパターンを前記半導体装置へ出力すると共に、期待値パターン発生手段が動作検証用の期待値パターンを発生するステップと、判定手段が、前記半導体装置から出力された出力パターンと、前記期待値パターン発生手段によって発生された前記期待値パターンとを比較し、前記半導体装置の誤動作の有無を判定するステップと、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記アンテナによって照射された電波の強度を記憶手段が記憶するステップとを具備することを特徴とする半導体装置の試験方法である。

請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の半導体装置の試験方法において、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作がないと判定された場合に、前記信号発生手段が前記信号の強度を上げるステップをさらに具備することを特徴とする。

請求項７に記載の発明は、請求項５または請求項６に記載の半導体装置の試験方法において、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記信号発生手段が前記信号の種類を変えるステップをさらに具備することを特徴とする。

請求項８に記載の発明は、請求項５〜請求項７のいずれかの項に記載の半導体装置の試験方法において、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記テストパターン発生手段が、前記テストパターンとは異なる他のテストパターンを発生するステップをさらに具備することを特徴とする。

本発明によれば、半導体装置の近傍にアンテナを配置し、ある強度および種類の電波をそのアンテナが照射している状態で、半導体装置にテストパターンを入力し、半導体装置の出力パターンと期待値パターンとを比較し、出力パターンと期待値パターンとが異なる場合には、そのときの電波の強度を記憶するようにしたので、電波に対するＬＳＩ単体の電磁感受性の強度評価を容易に行うことができるという効果が得られる。

以下、図面を参照し、本発明を実施するための最良の形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態による半導体装置の試験装置の構成を示すブロック図である。以下、図中の各構成について説明する。ＬＳＩテスター１は、測定対象の半導体装置である被評価ＬＳＩ２の試験を行う。ＬＳＩテスター１は、電波（近傍電磁界）の影響を受けにくいように、フェライト等により電磁シールドされているものとする。被評価ＬＳＩ２は測定ボード３上に設置されている。近接照射用アンテナ４は、被評価ＬＳＩ２の頭上に配置され、被評価ＬＳＩ２に対して電波を照射する。

信号発生器５は、電波照射用の信号を発生する。広帯域パワーアンプ６は、信号発生器５によって発生された信号を増幅して、近接照射用アンテナ４へ出力する。アンテナ昇降部７は、モータ等を備えた昇降機構を有し、近接照射用アンテナ４を被評価ＬＳＩ２の上で鉛直方向に上下させることにより、近接照射用アンテナ４と被評価ＬＳＩ２との間の距離を調節し、近接照射用アンテナ４を被評価ＬＳＩ２の近傍に配置する。操作部８は、ユーザによって操作されるキーボードやマウス等である。表示部９は、ユーザによる入力の結果や、被評価ＬＳＩ２の試験の測定結果等を表示する。

ＬＳＩテスター１において、テストパターン発生部１０は、被試験ＬＳＩ２に入力するテストパターンを発生する。テストパターンは“０”と“１”の複数の論理状態の組み合わせからなる。テストパターン発生部１０は、ＬＳＩの論理設計等の検証（シミュレーション）に使用された検証データに基づいてテストパターンを発生する。テストパターン発生部１０によって発生されたテストパターンは、バッファ１３を介して被試験ＬＳＩ２に入力される。

期待値パターン発生部１１は、特定のテストパターンに対して、被試験ＬＳＩ２から出力が期待される期待値パターンを発生する。期待値パターン発生部１１は、ＬＳＩの論理設計等の検証に使用された検証データに基づいて、期待値パターンを発生する。比較部１２は、期待値パターン発生部１１によって発生された期待値パターンと、被試験ＬＳＩ２から出力され、バッファ１４を介して入力された実際の出力パターンとの論理比較を行う。

制御部１５は、ＬＳＩテスター１内の各部を制御すると共に、アンテナ昇降部７および信号発生器５の動作を制御する。ユーザＩ／Ｆ部１６は、ユーザによる入力結果を示す操作部８からの信号を制御部１５へ出力すると共に、制御部１５から出力された表示用データを処理し、表示部９内の表示回路を駆動するための表示信号を生成し、表示部９へ出力する。記憶部１７は、試験時の制御部１５の動作を規定する試験プログラムや試験結果などを記憶する。

制御部１５は、電波の強度、周波数、変調の有無、変調度等を示す情報を信号発生器５へ出力する。これにより、近接照射用アンテナ４によって照射される電波の強度および種類を制御することができる。近接照射用アンテナ４としては、例えば文献（「ＮＯＩＳＥＴＥＣＨＮＩＣＡＬＲＥＰＯＲＴ」，株式会社ノイズ研究所，ＶＯＬ．２８，ＮＯ．７−８，２００１）に記載された近接照射用アンテナを用いることができる。現在、日常的に様々な周波数が無線用として割り当てられており、それらの周波数帯域を持ったアンテナが一般電子機器の近傍で使用されることが多くなっている。近接照射用アンテナ４を用いて、被評価ＬＳＩ２の近傍で電波を発生することにより、実際の使用環境に近い状態で、被評価ＬＳＩ２の試験を行うことができる。

近接照射用アンテナ４の近傍においては、近接照射用アンテナ４からのわずかの距離の違いによって電界が変化する。したがって、近接照射用アンテナ４の移動に関しては、安定した移動を行うことが必要である。アンテナ昇降部７により、近接照射用アンテナ４を安定して移動させることができ、試験において高い再現性を得ることができる。

なお、近接照射用アンテナ４から被評価ＬＳＩ２に照射された電波の強度に関して、フィールドプローブを被評価ＬＳＩ２の近傍に設置し、このフィールドプローブによって電波強度を測定することができる。フィールドプローブとＬＳＩテスター１とをケーブル等で接続し、フィールドプローブによる測定結果をＬＳＩテスター１が自動的に取り込むようにしてもよいし、ユーザが操作部８を操作して、フィールドプローブによる測定結果を入力するようにしてもよい。なお、被評価ＬＳＩ２に対するフィールドプローブの位置の再現性を得るため、フィールドプローブの位置は、アンテナ昇降部７と同様の機構によって制御されることが望ましい。

次に、本実施形態による半導体装置の試験装置の動作を、図２のフローチャートを用いて説明する。被評価ＬＳＩ２の機能を個々に確認するためのテストパターン（パターン＃１、パターン＃２、・・・）を用意し、記憶部１７に予め格納しておく（ステップＳ２０１）。ユーザによって操作部８が操作され、試験の開始が入力されると、操作部８は、試験の開始を指示する信号を、ユーザＩ／Ｆ部１６を介して制御部１５へ出力する。制御部１５は、この信号に基づいて、試験の開始が指示されたことを認識する。制御部１５は、電波が照射されていない状態で被評価ＬＳＩ２が正常に動作することを確認するため、テストパターン発生部１０に対してテストパターンの発生を指示する。

この指示を受けたテストパターン発生部１０はテストパターンを発生し、バッファ１３を介して被試験ＬＳＩ２へテストパターンを出力する。また、制御部１５は、期待値パターン発生部１１に対して、期待値パターンの発生を指示する。この指示を受けた期待値パターン発生部１１は期待値パターンを発生し、比較部１２へ期待値パターンを出力する。被試験ＬＳＩ２から出力された出力パターンは、バッファ１４を介して比較部１２に入力される。比較部１２は被試験ＬＳＩ２からの出力パターンと、期待値パターン発生部１１から出力された期待値パターンとを論理的に比較し、比較結果を示す信号を制御部１５へ出力する。

比較部１２による比較の結果、出力パターンと期待値パターンとが同一であった場合、制御部１５は、被評価ＬＳＩ２が正常な動作を行ったと判断する。電波が照射されていない状態においては、被評価ＬＳＩ２は正常な動作を行うはずである。制御部１５は、評価結果を表示するための表示用データをユーザＩ／Ｆ部１６へ出力し、ユーザＩ／Ｆ部１６は、この表示用データに基づいて表示信号を生成し、表示部９へ出力する。表示部９は、表示信号に基づいた表示を行う。ユーザは、この表示を確認することにより、被評価ＬＳＩ２が正常に動作することを確認する（ステップＳ２０２）。複数のテストパターンを用いて試験を行う場合には、この時点で、各テストパターンに対する被評価ＬＳＩ２の動作の確認を行っておく。

続いて、制御部１５は、アンテナ昇降部７に対して所定の距離を示す距離情報を出力すると共に、被評価ＬＳＩ２と近接照射用アンテナ４との距離を、距離情報によって示される距離に保つように指示する信号を出力する。指示を受けたアンテナ昇降部７は、図示せぬモータ等を駆動し、近接照射用アンテナ４を被評価ＬＳＩ２の頭上で鉛直方向に動かし、近接照射用アンテナ４と被評価ＬＳＩ２との距離を、距離情報によって示される距離に固定する（ステップＳ２０３）。この距離は、予め設定された距離であってもよいし、ユーザによって試験前に操作部８から入力された距離であってもよい。

続いて、制御部１５は、信号発生器５に対して、信号の発生を指示する信号を出力する。このとき、制御部１５は電波の強度および種類（周波数、ＦＭ変調・ＡＭ変調・パルス変調等の有無、および変調度等）を示す情報を信号発生器５へ出力する。信号発生器５は、電波の発生に必要な信号の強度や周波数、変調度等のパラメータを、制御部１５から出力された情報によって示される値に設定する（ステップＳ２０４）。信号発生器５は、設定された値に基づいた信号を発生し、広帯域パワーアンプ６へ出力する。広帯域パワーアンプ６は、この信号を増幅し、近接照射用アンテナ４へ出力する。近接照射用アンテナ４は、設定された強度および種類の電波を照射する（ステップＳ２０５）。

続いて、制御部１５は、テストパターン発生部１０に対して、所定のテストパターンの発生を指示する。この指示を受けたテストパターン発生部１０はテストパターンを発生し、バッファ１３を介して被試験ＬＳＩ２へテストパターンを出力する。また、制御部１５は、期待値パターン発生部１１に対して、期待値パターンの発生を指示する。この指示を受けた期待値パターン発生部１１は期待値パターンを発生し、比較部１２へ期待値パターンを出力する（ステップＳ２０６）。

被試験ＬＳＩ２から出力された出力パターンは、バッファ１４を介して比較部１２に入力される。比較部１２は被試験ＬＳＩ２からの出力パターンと、期待値パターン発生部１１から出力された期待値パターンとを論理的に比較し、比較結果を示す信号を制御部１５へ出力する。制御部１５は、比較部１２から出力された、比較結果を示す信号に基づいて、被評価ＬＳＩ２に誤動作が発生したかどうか判定する（ステップＳ２０７）。

比較部１２による比較の結果、出力パターンと期待値パターンとが同一であった場合、制御部１５は、被試験ＬＳＩ２が正常な動作を行ったと判断する。この場合、制御部１５は、電波の強度を以前よりも上げることを示す信号を信号発生器５へ出力する。信号発生器５は、制御部１５から出力された信号に基づいて、出力する信号の強度を上げる（ステップＳ２０８）。続いて、処理はステップＳ２０５へ戻る。ステップＳ２０５においては、強度が以前よりも増加した電波が発生する。

また、比較部１２による比較の結果、出力パターンと期待値パターンとが同一でなかった場合、制御部１５は被試験ＬＳＩ２に誤動作が生じたと判断する。この場合、制御部１５は、被試験ＬＳＩ２に誤動作が発生したときの電波の強度および種類を記憶部１７に格納する（ステップＳ２０９）。電波の強度に関しては、前述したように、フィールドプローブの測定値を自動的に読み込むようにしてもよいし、ユーザがその値を読み取って操作部８から入力してもよい。

続いて、制御部１５はテストパターンを変えて試験を行うかどうか判定する（ステップＳ２１０）。この場合、試験時のテストパターンの順序を示す情報を予め記憶部１７に格納しておき、制御部１５が、その情報に基づいて判定を行ってもよいし、ユーザによって操作部８から入力された情報に基づいて判定を行ってもよい。テストパターンを変えて試験を行う場合には、制御部１５は、テストパターンの種類の変更を示す信号をテストパターン発生部１０へ出力する。テストパターン発生部１０は、この信号に基づいて、発生するテストパターンの種類を変更する（ステップＳ２１１）。続いて、処理はステップＳ２０５へ戻る。

また、テストパターンを変えて試験を行わない場合には、制御部１５は、電波の種類を変えて試験を行うかどうか判定する（ステップＳ２１２）。この場合にも、試験時の電波の種類を示す情報を予め記憶部１７に格納しておき、制御部１５が、その情報に基づいて判定を行ってもよいし、ユーザによって操作部８から入力された情報に基づいて判定を行ってもよい。電波の種類を変えて試験を行う場合には、制御部１５は、電波の種類を示す信号を信号発生器５へ出力する。信号発生器５は、制御部１５から出力された信号に基づいて、出力する信号の種類を設定する（ステップＳ２１３）。続いて、処理はステップＳ２０５へ戻る。ステップＳ２０５においては、周波数や変調の種類、変調度等が変更された電波が発生する。

以上の動作により、記憶部１７には試験の結果が格納される。ユーザが操作部８を操作し、試験結果の表示指示を入力すると、操作部８は試験結果の表示を指示する信号を、ユーザＩ／Ｆ部１６を介して制御部１５へ出力する。制御部１５は、この信号に基づいて、記憶部１７から試験結果を示す情報を読み出し、その情報を表示するための表示用データを作成し、ユーザＩ／Ｆ部１６へ出力する。ユーザＩ／Ｆ部１６は、表示用データに基づいて表示信号を生成し、表示部９へ出力する。表示部９は、この表示信号に基づいて、試験結果を例えばグラフ等により表示する。

図３は、試験結果を示すグラフの例である。これは、周波数をｘとし、変調をＦＭ変調とした場合の、テストパターン＃１〜＃４による動作時の被評価ＬＳＩ２の試験結果を示している。図の縦軸は、被評価ＬＳＩ２に誤動作が発生したときの電波の強度を示している。この図により、各テストパターンによる機能がどの程度の電波強度に耐えられるのかを知ることができる。電波の種類を変えて同様の試験を行えば、同じ電波強度であっても、電波の種類による影響の違いを知ることができる。

なお、上記の動作において、アンテナ昇降部７の動作を制御することにより、被評価ＬＳＩ２と近接照射用アンテナ４との間の距離を変化させて試験を行ってもよい。また、近接照射用アンテナ４を被評価ＬＳＩ２の頭上で上下させることにより、被評価ＬＳＩ２と近接照射用アンテナ４との間の鉛直方向の距離を制御するようにしているが、近接照射用アンテナ４を水平方向で動かし、水平方向における被評価ＬＳＩ２と近接照射用アンテナ４との間の距離を制御してもよい。

また、被評価ＬＳＩ２に誤動作が発生した場合に、電波の強度や種類と共に、テストパターンのどの状態において誤動作が発生したのかを記録するようにしてもよい。この場合、比較部１２は、被試験ＬＳＩ２の動作に異常が生じたテストパターン中の位置を制御部１５に通知する。通知を受けた制御部１５は、電波の強度や種類と共に、動作に異常が生じたテストパターン中の位置を記憶部１７に格納する。これにより、被試験ＬＳＩ２が動作モードのどの状態において電波に対する影響を受けやすくなるのかを知ることができる。

以上の説明のように、本実施形態においては、被試験ＬＳＩ２の頭上（近傍）にアンテナを配置し、信号発生器５によって発生された信号に基づいて、ある強度および種類の電波（近傍電磁界）を近接照射用アンテナ４により照射する。また、その状態で被試験ＬＳＩ２にテストパターンを入力し、被試験ＬＳＩ２の出力パターンと期待値パターンとを比較する。比較の結果、出力パターンと期待値パターンとが同じ場合には、電波の強度を上げ、出力パターンと期待値パターンとが異なる場合には、そのときの電波の強度を記憶する。これにより、電波に対する被試験ＬＳＩ２の電磁感受性の測定試験を容易に行うことができる。

また、本実施形態によれば、特定の動作モード（特定のパターン入力に対する総合的な動作や特定の機能だけの動作等）によって規定される被試験ＬＳＩ２の各機能をどの程度の強度の電波まで保証することができるのか確認することができる。さらに、被試験ＬＳＩ２の各機能がどのような種類（周波数、変調の有無、変調度等）の電波に対して弱いのか、あるいは強いのかを確認することができる。

また、動作モードを変えながら試験を繰り返すことにより、被試験ＬＳＩ２のどの動作モードが電波の影響を受け易いのか、あるいは受け難いのかを推定することができ、各動作モードにおいて、被試験ＬＳＩ２がどのような電波に対して弱いのか、あるいは強いのか等を推定することができる。したがって、ＬＳＩ単体についての各種の電波強度をＬＳＩの仕様と関連させて容易に知ることができ、試験結果をＬＳＩ設計やＬＳＩを用いたシステム設計にフィードバックさせることができる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。例えば、上述した実施形態におけるＬＳＩテスター１は、その動作および機能を実現するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータに読み込ませ、実行させることにより実現してもよい。

ここで、「コンピュータ」は、ＷＷＷシステムを利用している場合であれば、ホームページ提供環境（あるいは表示環境）も含むものとする。また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ−ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピュータに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリ（ＲＡＭ）のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。

また、上述したプログラムは、このプログラムを記憶装置等に格納したコンピュータから、伝送媒体を介して、あるいは、伝送媒体中の伝送波により他のコンピュータに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク（通信網）や電話回線等の通信回線（通信線）のように情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。また、上述したプログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであってもよい。さらに、前述した機能をコンピュータにすでに記録されているプログラムとの組合せで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。

本発明の一実施形態による半導体装置の試験装置の構成を示すブロック図である。同実施形態による半導体装置の試験装置の動作を示すフローチャートである。同実施形態における試験結果の一例を示す参考図である。

符号の説明

１・・・ＬＳＩテスター、２・・・被評価ＬＳＩ、３・・・測定ボード、４・・・近接照射用アンテナ、５・・・信号発生器、６・・・広帯域パワーアンプ、７・・・アンテナ昇降部、８・・・操作部、９・・・表示部、１０・・・テストパターン発生部、１１・・・期待値パターン発生部、１２・・・比較部、１３，１４・・・バッファ、１５・・・制御部、１６・・・ユーザＩ／Ｆ部、１７・・・記憶部。

Claims

電波に対する半導体装置の電磁感受性を測定する半導体装置の試験装置において、
電波発生用の信号を発生する信号発生手段と、
前記信号発生手段によって発生された前記信号に基づいた電波を照射するアンテナと、
前記アンテナを前記半導体装置の近傍に配置する配置手段と、
テストパターンを発生し、該テストパターンを前記半導体装置へ出力するテストパターン発生手段と、
動作検証用の期待値パターンを発生する期待値パターン発生手段と、
前記半導体装置から出力された出力パターンと、前記期待値パターン発生手段によって発生された前記期待値パターンとを比較し、前記半導体装置の誤動作の有無を判定する判定手段と、
前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記アンテナによって照射された電波の強度を記憶する記憶手段と、
を具備することを特徴とする半導体装置の試験装置。
前記信号発生手段は、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作がないと判定された場合に、前記信号の強度を上げることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の試験装置。
前記信号発生手段は、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記信号の種類を変えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の試験装置。
前記テストパターン発生手段は、前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記テストパターンとは異なる他のテストパターンを発生することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかの項に記載の半導体装置の試験装置。
電波に対する半導体装置の電磁感受性を測定する半導体装置の試験方法において、
配置手段が前記半導体装置の近傍にアンテナを配置するステップと、
信号発生手段が電波照射用の信号を発生し、該信号に基づいた電波を前記アンテナが照射するステップと、
テストパターン発生手段がテストパターンを発生し、該テストパターンを前記半導体装置へ出力すると共に、期待値パターン発生手段が動作検証用の期待値パターンを発生するステップと、
判定手段が、前記半導体装置から出力された出力パターンと、前記期待値パターン発生手段によって発生された前記期待値パターンとを比較し、前記半導体装置の誤動作の有無を判定するステップと、
前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記アンテナによって照射された電波の強度を記憶手段が記憶するステップと、
を具備することを特徴とする半導体装置の試験方法。
前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作がないと判定された場合に、前記信号発生手段が前記信号の強度を上げるステップをさらに具備することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の試験方法。
前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記信号発生手段が前記信号の種類を変えるステップをさらに具備することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置の試験方法。
前記判定手段によって、前記半導体装置に誤動作があったと判定された場合に、前記テストパターン発生手段が、前記テストパターンとは異なる他のテストパターンを発生するステップをさらに具備することを特徴とする請求項５〜請求項７のいずれかの項に記載の半導体装置の試験方法。