JP2005315590A - 磁気ディスク欠陥検査方法および検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】
磁気ディスクの磁性膜の有無あるいは磁性膜が薄い欠陥等の磁気的な欠陥を検査することによって磁気ディスク検査のスループットを向上させることができる磁気ディスク欠陥検査方法および検査装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、光−磁気のカー効果により磁気ディスクの磁性膜の残留磁化Ｂｒが直線偏光の照射光からの反射光の偏光回転角として得られるので、この発明にあっては、このカー効果を利用して受光器の前に偏光面の回転に応じた光量を通過させる検光子を設けて、この検光子を介して得られる検出値と所定の基準値との差に応じて磁気的な欠陥を検出する。
【選択図】 図２

Description

この発明は、磁気ディスク欠陥検査方法および検査装置に関し、詳しくは、磁気ディスクの磁性膜の有無あるいは磁性膜が薄い欠陥等の磁気的な欠陥を検査することによって磁気ディスク検査のスループットを向上させることができるような磁気ディスク欠陥検査方法および検査装置に関する。

コンピュータシステムの記録媒体に使用されるハード磁気ディスクは、その素材基板が鏡面研磨して仕上げられ、そのポリッシュされたディスク（サブストレートあるいはポリッシュドディスク）、そしてその上にメッキされ、磁気薄膜が塗布された磁気ディスクについて、それぞれの段階で表面に存在する欠陥とその大きさ、そして磁気ディスクについては電気的な性能などがそれぞれに検査される。

磁気ディスクの電気的な性能検査（サーティファイ）は、検査時間がかかるので、最近では、磁気ディスク検査のスループットを向上させるために電気的な性能も含めて光学的に磁気ディスクの欠陥が検査され、この検査ではじかれた磁気ディスクに対して電気的な性能検査等が行われている（特許文献１）。
図５は、従来のディスクの欠陥を検査する、特許文献１に記載されたディスク欠陥検査装置の構成である。
図５の欠陥検査装置１０は、回転機構２と検出光学系３および欠陥検出装置４１とデータ処理装置５０とにより構成される。
検査対象となるディスク１は、回転機構２のスピンドル２１に装着されてモータ（Ｍ）２２の駆動により回転する。これに対して検出光学系３は、その投光系３１のレーザ光源３１１より発生したレーザビームＬTを集束レンズ３１２により集束させ、ディスク１の表面１ａにスポットＳpを形成し、ディスク１の表面をスポットＳpにより照射する。
このスポットＳpをディスク１のＸ軸方向に相対的に移動させることによりスポットＳpは、ディスク１の半径Ｒの方向に移動し、この移動とディスク１の回転とによってスポットＳpは、ディスク１の表面をスパイラル走査する。この場合、ディスク１の全走査時間をできるだけ短くするために、スポットＳpは、半径方向に長径が対応する楕円形とされる。
なお、ディスク１の半径ＲのスポットＳpの移動は、通常、回転機構２をＸ軸方向に移動させるディスク１側の移動により行われる。

各種の形状と各種のサイズの欠陥を、それぞれに良好に検出するために、上記の欠陥検査装置１０は、投光系３１のレーザビームＬTの投射角度θTや、受光系３２の受光角度θR、受光器３２２（ＡＰＤ）に加圧する電圧Ｖ、または信号処理回路４１に内蔵されたアンプ４１ａのゲイン、ノイズ除去用の閾電圧、レーザ光源３１１のレーザ出力など、検出信号のレベルに関係する事項をコントロールパネル４７（制御回路を含む）を介してそれぞれ最適に設定して欠陥に対する検出感度の調整をする。
そして、検出された欠陥の検出信号は、サンプリング回路４１ｂで検出値としてサンプリングしてそれをＡ／Ｄ４１ｃでデジタル値にして、そのときのディスク１上の検査位置を発生する位置データ生成回路４１ｄの位置データとともにデータ処理装置５０に入力される。
データ処理装置５０は、ＭＰＵ４２と、メモリ４３、プリンタ（ＰＲ）４５、そしてＣＲＴディスプレイ４６、さらに入力装置４８とコントロールパネル４７とが設けられている。また、データ処理装置５０のメモリ４３には、欠陥データ採取プログラム４３ａと、欠陥マップ表示プログラム４３ｂ、判定基準データ生成プログラム４３ｃ、欠陥サイズ検出プログラム４３ｄ、そして検出欠陥値／欠陥サイズテーブル４３ｅなどが設けられている。

このようなディスクの欠陥検査装置とは別に、磁気ディスクのエラー発生位置を磁気ヘッドの読出信号で特定し、その位置において磁気ディスクの磁気的欠陥をカー効果による光−磁界ヒステリスループを利用してレーザ光を照射してかつ部分掃引して得られるヒステリシス特性から保持力（Ｈc）、角形比等を得て、検査をする磁気欠陥検査方法が公知である（特許文献２）。
特開平１１−８６２８２号公報 特開平９−２６９３６３号公報

しかし、電気的な性能も含めて光学的に磁気ディスクの欠陥を検査する前者の方法では、検査のスループットは、従来の電気的な性能検査をする場合よりも向上しているが、磁気ディスクの記録密度が数ギガ／インチと向上の一途を辿っていて、そのトラック数も１０，０００／インチ以上にもなる最近では、光学的な検査だけで合格となるディスクの割合が低下してきている。そのため、電気的な性能を検査するディスクの割合が増加する傾向にある。その結果、磁気ディスク検査のスループットは低下する傾向にある。
一方、最近ではハードディスク記憶装置（ＨＤＤ）の家電製品の適用が拡大してきており、磁気ディスク検査のスループットの向上の要請が大きくなってきている。
この発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決し、かつ、前記の要請に応えるものであって、磁気ディスクの磁性膜の有無あるいは磁性膜が薄い欠陥等の磁気的な欠陥を検査することによって磁気ディスク検査のスループットを向上させることができる磁気ディスク欠陥検査方法および検査装置を提供することにある。

このような目的を達成するためのこの発明の磁気ディスク欠陥検査方法および検査装置の構成は、レーザスポットを磁気ディスクの表面に照射しかつ照射されたレーザスポットの位置のディスクの表面の上部に磁石を配置してレーザスポットとともに磁石をディスクに対して相対的に移動させてディスクの表面を走査し、レーザスポットの正反射光を受光器により受光してこの受光器の出力信号に応じて検出値を得てこの検出値に応じて磁気ディスクの磁気的な欠陥を検出する欠陥検査装置であって、
レーザスポットを所定の一定方向の直線偏光光とする偏光子と、受光器の前に設けられ正反射光の偏光面の回転に応じた光量を受光器に受光させる検光子とを備えていて、受光器を介して得られる検出値と所定の基準値との差に応じて前記の欠陥を検出するものである。

光−磁気のカー効果により磁気ディスクの磁性膜の残留磁化Ｂｒが直線偏光の照射光からの反射光の偏光回転角として得られるので、この発明にあっては、このカー効果を利用して受光器の前に偏光面の回転に応じた光量を通過させる検光子を設けて、この検光子を介して得られる検出値と所定の基準値との差に応じて磁気的な欠陥を検出する。
これにより、磁気ディスクの磁性膜の有無あるいは磁性膜が薄い欠陥等の磁気的な欠陥について容易に検出することができ、電気的性能検査に近い検査が従来の電気的性能検査をしなくても短時間で可能になる。
したがって、光学的に磁気ディスクの欠陥を検査する場合に、これと併せて磁気ディスクの磁性膜の有無あるいは磁性膜が薄い欠陥等の磁気的な欠陥について検出することで、電気的性能検査を行うディスクの割合を低減することができる。さらには従来のような電気的性能検査に換えてこの発明の前記した構成による磁性膜検査を行うことも可能である。
その結果、磁気ディスク検査のスループットを向上させることができる。

図１は、この発明の磁気ディスク欠陥検査方法を適用した一実施例の磁気ディスク欠陥検査装置の構成図、図２は、この発明の磁気ディスク欠陥検査方法の検出原理を説明するための説明図、図３は、その検出データの説明図、図４は、検光子におけるカー効果による直線偏光光の反射光における偏光面の回転角と検出光量との関係の説明図である。なお、図５と同一の構成要素は同一の符号で示す。
図１の磁気ディスク欠陥検査装置１００は、図５の欠陥検査装置１０に対してさらにマグネットヘッド５とこれのヘッド支持ブラケット５ａ、偏光子６、検光子７、そして駆動回路８とが設けられている。そして、回転機構２をＸ軸方向に移動させるＸθテーブル２０が設けられ、ディスク１のＸ方向移動と回転とは駆動回路８により行われる。その制御は、データ処理装置５０による。
検出光学系３０は、投光系３１０と受光系３２０とからなる。投光系３１０のレーザ光源３１１より発生したレーザビームＬTを偏光子６に通して直線偏光とし、その偏光面が磁性体面に平行となるような振動成分（直線偏光成分）だけを取り出して集束レンズ３１２により集束させてディスク１の表面１ａに照射する。
一方、受光系３２０の受光器３２２（ＡＰＤ）の前には、検光子７が設けられている。
スポットＳpの照射位置（検査領域）の上部には、ヘッド支持ブラケット５ａによりマグネットヘッド５が支持されている。検査領域からの正反射光は、検光子７を経て受光器３２２（ＡＰＤ）により受光される。

マグネットヘッド５は、１０，０００Ｏｅ程度の永久磁石であり、ヘッド支持ブラケット５ａは、装置のフレーム（図示せず）に固定され、磁気ディスク１がＸ軸方向へ移動したときにこれを受け入れる空間を持った片持ち支持のＬ字型部材で構成される。そのアーム部分５ｂは、スポットＳpの入射および反射方向に対して直交する方向に延びている。これによりスポットＳpの入射および反射は妨げられない。
マグネットヘッド５は、このヘッド支持ブラケット５ａによりディスク１の表面１ａのスポットＳpが形成された領域（検査領域）の上部でディスク表面１ａから０．５ｍｍ程度離れた位置に保持される。
偏光子６と検光子７とはともに偏光プリズム（グラムトムソンプリズム）で構成されている（図４（ａ）参照）。検光子７は、偏光子６の直線偏光の振動面（磁性体面に平行となる振動成分）に直交する位置からφだけオフセットを持たせてこのオフセット位置の角度に対応する振動面で一定の光量を通過させる（図４参照）。

データ処理装置５０のメモリ４３には、測定データ採取プログラム４４ａと、スパイラル走査プログラム４４ｂ、判定基準データ生成プログラム４４ｃ、欠陥検出プログラム４４ｄ、欠陥サイズ判定プログラム４４ｅ、そして欠陥表示プログラムなどが設けられている。
信号処理回路４１は、先に従来技術で説明した欠陥を検出して、検出欠陥値を発生する回路である。これは、受光器３２２からの出力信号を増幅するアンプ４１ａと、アンプ４１ａで増幅された出力信号のうちノイズを越える欠陥についての出力信号についてロータリエンコーダ２３からのパルスに応じてピーク値をサンプリングして検出欠陥値を得るサンプリング回路４１ｂと、さらにサンプリングされた検出値をデジタル値にするためのＡ／Ｄコンバータ（Ａ／Ｄ）４１ｃ、そしてロータリエンコーダ２３からのパルスを受けてディスク上の位置データを生成する位置データ生成回路４１ｄ等からなる。
ところで、この実施例では、図１に示すように、投射角度θTと受光角度θRとは、θT＝θRであって、３０゜〜６０゜程度の範囲のうちのある角度に設定されている。これにより、受光器３２２（ＡＰＤ）は、散乱光ではなく、偏光された正反射光を受光する。

駆動回路８は、データ処理装置５０により制御されて、スピンドル２１を回転駆動して回転機構２をＸ軸方向に移動させる。これによりマグネットヘッド５がスポットＳpとともにディスク１の表面をスパイラル走査する。
このスパイラル走査において、図２（ａ）において矢印で示すように、ディスク１の残留磁化Ｂｒの状態がマグネットヘッド５のシーク方向で異なってくる。
なお、図中、矢印の先端側がＮ極であり、マグネットヘッド５が外周側から内周側へとシークしていく場合と、逆に内周側から外周側へとシークしていく場合とでは、ディスク１の表面１ａのスポットＳp形成領域（検査領域）に対する残留磁化Ｂｒの極性が逆になる。
ディスク１の表面１ａは、マグネットヘッド５によりＮからＳに向かう磁束が発生しているので、マグネットヘッド５のＮ極側では、Ｎ極が下となり、Ｓ極が上となる図示する矢印の方向でディスク表面１ａ（検査領域）が磁化される。これに対してマグネットヘッド５のＳ極側では、Ｓ極が下となり、Ｎ極が上となる図示する矢印の方向でディスク表面１ａ（検査領域）が磁化される。そこで、マグネットヘッド５が外周側から内周側へとシークしていく場合には、Ｎ極が先に近づきＮ極が遠ざかって次にＳ極が近づくので、図２（ａ）に矢印で示すように、内周側が先にマグネットヘッド５のＮ極で磁化されてその残留磁化Ｂｒは、Ｎ極が下に向かう矢印で示す磁化になる。それがマグネットヘッド５のＳ極が近づくに従って、その磁化が反転されてＮ極が上に向かう矢印の磁化に反転される。そのため、検査領域の残留磁化Ｂｒは、Ｎ極が下に向かう矢印で示す磁化のままになる。
一方、マグネットヘッド５が内周側から外周側へとシークしているときには、ディスク１の表面１ａは、前記とは逆にマグネットヘッド５のＳ極により外周側が先にＳ極で磁化されてその残留磁化は、Ｓ極が下に向かう矢印で示す磁化になる。その後、マグネットヘッド５のＮ極が近づくにつれて図示するように、その磁化が反転されてＮ極が下となり、Ｓ極が上となる磁化がなされる。そのため、検査領域の残留磁化は、Ｎ極が上に向かう矢印で示す磁化になる。

検査領域からの反射光は、カー効果により偏波面がこれらの磁化された方向と残留磁化Ｂｒの大きさとに応じて回転量と回転方向とが決定される。検査領域は、マグネットヘッド５の走査方向に応じてＳ極が下となり、Ｎ極が上になる磁化と、その逆に、Ｎ極が下となりＳ極が上となる磁化とに分けられる。
図４は、このような磁化に対するカー効果による偏光光の回転角を光量に変換する検光子７の検出光量との関係の説明図である。
図４（ｂ）に示すように、カー効果による光量変化は、カー角に対して放物線Ａで示すような特性になる。そこで、検光子７を偏光子６の直線偏光の振動面（磁性体面に平行となる振動成分）に直交する位置からφだけオフセットを持たせてこのオフセット位置の振動面で一定の光量を通過させる。これにより検光子７により偏光光の回転角を光量に変換する。
このようなオフセットφを検光子７に設けると、カ−効果によりディスク１の表面１ａの検査領域の残留磁化方向で、入射光の直線偏光面が反射光において±θ回転する。その回転量θの大きさは、ディスク１の表面１ａの残留磁化Ｂｒの磁力に対応している。

回転角をθとすると、反射光の偏光がオフセット角φに対応するときには、θ＝０゜となる。マグネットヘッド５が外周側から内周側へとシークしているときには、検査領域ではＮ極が下となるので、反射光の偏光角が＋θ方向に増加してそれに応じてオフセット角φ（θ＝０゜）のときよりも検出信号のレベルが増加し、逆に、マグネットヘッド５が内周側から外周側へとシークしているときには、反射光の偏光角が−θ方向に減少してそれに応じてオフセット角φ（θ＝０゜）のときよりも検出信号のレベルが減少する。
そこで、検査領域の残留磁化Ｂｒの状態とその大きさとに応じて回転角θが図４（ｂ）に示すように±θとして増減して、それに応じて受光器３２２から得られる検出信号が増減する。
また、直線偏光された反射光がθ＝０゜のときを基準とし、そのときの検出光量受光する受光器３２２（ＡＰＤ）の受光光の検出信号の検出値を基準値ＲＦとすれば、マグネットヘッド５が内側シークしたときには、基準値ＲＦより上側のレベルの検出信号が得られ、マグネットヘッド５が外側シークしたときには、基準値ＲＦより下側のレベルの検出信号が得られる（図３参照）。受光器３２２の受光光量の増減で磁化されたディスク１の表面１ａの検査領域の残留磁化Ｂｒの極性とその大きさとを検出できる。

次に、データ処理装置５０によるディスク１の表面１ａの検査領域の残留磁化Ｂｒの極性とその大きさについての検出方法について説明する。
データ処理装置５０のＭＰＵ４２は、測定データ採取プログラム４４ａを実行して、まず、外周側から内周側へとシークするようにスパイラル走査プログラム４４ｂをコールして走査方向を設定し、スポットＳpによりスパイラル走査し、この走査に応じて信号処理回路４１からの検出欠陥値のＡ／Ｄ変換値と、検出位置データとを順次受けて、メモリ４３の作業領域あるいは所定の記憶領域Ａに内周シーク測定データとして記憶する。
ディスク１の全面走査が終了すると、次に内周側から外周側へとシークするようにスパイラル走査プログラム４４ｂをコールして走査方向を設定し、スポットＳpによりスパイラル走査し、この走査に応じて信号処理回路４１からの検出欠陥値のＡ／Ｄ変換値と、位置データとを順次受けて、メモリ４３の作業領域あるいは別の記憶領域Ｂに外周シーク測定データとして記憶する。
スパイラル走査プログラム４４ｂは、これがＭＰＵ４２に実行されたときには、スピンドル２１を回転駆動して回転機構２をＸ軸方向にマグネットヘッド５が外周側から内周側へとシークするように駆動する制御信号と、逆に、外周側から内周側へとシークするように駆動する制御信号とを駆動回路８に送出して、それぞれにスパイラル走査を行う。
その結果、図３に示すような、内周シーク測定データＡS，外周シーク測定データＢSが記憶領域Ａ，Ｂにそれぞれに記憶され、得られる。
この処理が終了すると、次に、ＭＰＵ４２は、判定基準データ生成プログラム４４ｃをコールして実行する。

判定基準データ生成プログラム４４ｃは、スパイラル走査におけるトラック１周ごとに内周シーク測定データＡSのトラック当たりの平均値Ａmと、外周シーク測定データＢSのトラック当たりの平均値Ｂmとを算出して平均値Ａmと平均値Ｂmの差Ｒについて差Ｒ（Ｒ＝Ａm−Ｂm）を基準値Ｒとして算出する。なお、この場合の平均値Ａmと平均値Ｂmとは、数トラック分あるいは全トラック分であってもよい。
この処理が終了すると、次に、ＭＰＵ４２は、欠陥検出プログラム４４ｄをコールして実行する。
欠陥検出プログラム４４ｄは、これがＭＰＵ４２に実行されたときには、位置データを参照してディスク１上の同じ位置にある検査領域（検出位置）における内周シーク測定データＡSと外周シーク測定データＢSとの差Ｓ（Ｓ＝ＡS−ＢS）を算出して、さらに差Ｓと基準値Ｒとの差ΔＳ（ΔＳ＝Ｓ−Ｒ）を測定位置に対応して算出してメモリ４３に記憶する。
そして、差ΔＳが正のときにΔＳ＞Ｒaのときには、正側エラーであり、ΔＳが負のときにΔＳ＜−Ｒbのときには、負側エラーであると判定して、それぞれのフラグを付けてその検出位置とともに差ΔＳを欠陥データとして作業領域あるいは外部記憶装置（図示せず）等に記憶する。なお、Ｒa，Ｒbは、基準値Ｒに対する％でそれぞれ算出された値であり、例えば、Ｒa＝Ｒ×１１０％，Ｒb＝Ｒ×９０％である。
なお、差ΔＳの値が９０％以下で５０％程度のときには磁性膜が薄い欠陥となり、５０％以下のときには、磁性膜がない状態として検出できる。したがって、Ｒbの値の設定により種々の磁性膜の状態を磁気的な欠陥として検出することが可能である。逆にＲａの値の設定により磁性膜の厚いところが検出でき、磁性膜のむらや突起のような種々の磁性膜の状態を磁気的な欠陥として検出することが可能である。

検出欠陥値／欠陥サイズ判定プログラム４４ｅは、欠陥データを参照して、正側エラーと負側エラーそれぞれについて欠陥が連続するものをグルーピングして大きさを、例えば、５段階に分類して欠陥のサイズのデータに変換する。その結果を欠陥サイズデータとしてその欠陥の位置データ（グルーピングした場合にはその中央位置）とともにメモリ４３に順次記憶する。そして、欠陥表示プログラムをコールしてＭＰＵ４２に実行させて、その位置（欠陥座標）と大きさ、正、負エラーの別とを表示する。
なお、この場合、ディスクの映像を加えて欠陥の大きさの映像をその位置とともにマップ表示してもよい。

以上説明してきたが、実施例では、実施例では、内周へのシークと外周へのシークとのそれぞれにおいて測定データを採取しているが、これは、いずれか一方だけであってもよい。このような場合には、基準値Ｒは、１あるいは数トラックの平均値あるいは全トラックの平均値が使用される。
また、実施例では、スパイラル走査の例を挙げているが、走査は、ＸＹ走査であってもよいことはもちろんである。
さらに、実施例では、磁性膜の欠陥を検査する磁気ディスク欠陥検査方法および装置を中心に説明しているが、これ以前の磁気ディスクの検査工程として図５に示すような光学的に磁気ディスクの欠陥を検査する検査装置による検査工程があって、そこで、電気的な性能も含めて光学的に磁気ディスクの欠陥が検査なされ、この検査ではじかれた磁気ディスクに対してこの発明の磁性膜の欠陥を検査する磁気ディスク欠陥検査方法および検査装置による検査工程があってもよい。もちろん、図５から分かるように、１つの検査装置にこれらの検査方法がすべて行われてもよい。

図１は、この発明の磁気ディスク欠陥検査方法を適用した一実施例の磁気ディスク欠陥検査装置の構成図である。 図２は、この発明の磁気ディスク欠陥検査方法の検出原理を説明するための説明図である。 図３は、その検出データの説明図である。 図４は、検光子におけるカー効果による直線偏光光の反射光における偏光面の回転角と検出光量との関係の説明図である。 図５は、従来の欠陥検査装置の要部の構成図である。

符号の説明

１…磁気ディスク、
２…回転機構、１０，１００…欠陥検査装置、
２１…スピンドル、２２…モータ、
３…検出光学系、３１，３１０…投光系、
３１１…レーザ光源、３１２…集束レンズ、
３２，３２０…受光系、３２１…集光レンズ、
３２２…受光器（ＡＤＰ等）、
４…欠陥検出処理部、５…マグネットヘッド、
５ａ…ヘッド支持ブラケット、６…偏光子、
７…検光子、８…駆動回路、
４１…信号処理回路、
４０，５０…データ処理装置、
４１ａ…アンプ、４１ｂ…サンプリング回路、
４１ｃ…Ａ／Ｄコンバータ（Ａ／Ｄ）４１ｃ、
４１ｄ…位置データ生成回路、
４２…ＭＰＵ、４３…メモリ、４４…データ処理装置、
４５…プリンタ（ＰＲ）、４６…ディスプレイ、
４４ａ…測定データ採取プログラム、
４４ｂ…スパイラル走査プログラム、
４４ｃ…判定基準データ生成プログラム、
４４ｄ…欠陥検出プログラム、
４４ｅ…検出欠陥値／欠陥サイズ判定プログラム、
ＬT…レーザビーム、Ｓp…スポット。

Claims (6)

1. レーザスポットを磁気ディスクの表面に照射しかつ照射された前記レーザスポットの位置の前記ディスクの表面の上部に磁石を配置して前記レーザスポットとともに前記磁石を前記ディスクに対して相対的に移動させて前記ディスクの表面を走査し、前記レーザスポットの正反射光を受光器により受光してこの受光器の出力信号に応じて検出値を得てこの検出値に応じて前記磁気ディスクの磁気的な欠陥を検出する欠陥検査装置であって、
   前記レーザスポットを所定の一定方向の直線偏光光とする偏光子と、
   前記受光器の前に設けられ前記正反射光の偏光面の回転に応じた光量を前記受光器に受光させる検光子とを備え、
   前記受光器を介して得られる前記検出値と所定の基準値との差に応じて前記欠陥を検出する磁気ディスク欠陥検査方法。
2. さらに、前記検光子は偏光プリズムであり、前記検出値が得られた前記ディスク上の位置を前記検出値とともに採取して、採取された多数の前記検出値の平均値を前記所定の基準値とする請求項１記載の磁気ディスク欠陥検査方法。
3. 前記検光子は、前記偏光面の回転角の増減に応じて前記光量が増減するものであり、前記磁石が前記ディスクを外周から内周へとシークして得られる前記検出値を第１の測定値とし、前記磁石が前記ディスクを内周から外周へとシークして得られる前記検出値を第２の測定値として得て、前記検出値が得られた前記ディスク上の位置における前記第１の測定値と前記第２の測定値との差を第１の差とし、前記第１の測定値により得られる前記平均値を第１の基準値とし、前記第２の測定値により得られる前記平均値を第２の基準値として得て、前記第１の基準値と前記第２の基準値との差を第２の差とし、前記第１の差と前記第２の差に応じて前記欠陥を検出する請求項２記載の磁気ディスク欠陥検査方法。
4. さらに、プロセッサとメモリとを有し、前記プロセッサは、所定のプログラムの実行により前記第１の測定値および前記第２の測定値をデータとして前記メモリに記憶する処理をし、さらに前記第１および第２の基準値を１トラックあるいは数トラックの平均値として算出して前記第１および第２の差を算出する請求項３記載の磁気ディスク欠陥検査方法。
5. 光学的に磁気ディスクの欠陥を検査する検査工程と前記請求項１〜４のうちのいずれか１項記載の磁気ディスク欠陥検査方法とからなる磁気ディスク欠陥検査方法。
6. 請求項１〜５のうちのいずれか１項記載の磁気ディスク欠陥検査方法を用いる磁気ディスク欠陥検査装置。

Images