JP2005311340A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 第１のレーザビームを発振させるレーザ発振器と、
   前記第１のレーザビームを一方向に分割して、複数の第２のレーザビームを形成する軸外しシリンドリカルレンズアレイと、
   前記複数の第２のレーザビームを前記一方向に集光して、第３のレーザビームを形成する光学素子と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
2. 第１のレーザビームを発振させるレーザ発振器と、
   前記第１のレーザビームを長方形状の短辺方向に分割して、複数の第２のレーザビームを形成するシリンドリカルレンズアレイと、
   前記複数の第２のレーザビームを長方形状の長辺方向に分割して、複数の第３のレーザビームを形成する軸外しシリンドリカルレンズアレイと、
   前記複数の第３のレーザビームを前記長辺方向に集光して、複数の第４のレーザビームを形成する第１のシリンドリカルレンズと、
   前記複数の第４のレーザビームを前記短辺方向に集光して、第５のレーザビームを形成する第２のシリンドリカルレンズと、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
3. 請求項２において、前記レーザ発振器側から照射面側に向かって、前記シリンドリカルレンズアレイ、前記軸外しシリンドリカルレンズアレイ、前記第１のシリンドリカルレンズ、前記第２のシリンドリカルレンズの順に配置されていることを特徴とするレーザ照射装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、前記軸外しシリンドリカルレンズアレイを構成するシリンドリカルレンズの母線は、アレイの中心から離れた方向にレンズ中心軸からずれていることを特徴とするレーザ照射装置。
5. 請求項４において、前記軸外しシリンドリカルレンズアレイの中心に配置されたシリンドリカルレンズから両端に配置されたシリンドリカルレンズに向って、母線とレンズ中心軸とのずれ量が大きくなることを特徴とするレーザ照射装置。
6. 第１のレーザビームを発振させるレーザ発振器と、
   前記第１のレーザビームを一方向に分割して、複数の第２のレーザビームを形成する第１の光学素子と、
   前記複数の第２のレーザビームを前記一方向に集光して、第３のレーザビームを形成する第２の光学素子と、を有し、
   前記複数の第２のレーザビームを前記レーザ発振器側に延長したときに、前記複数の第２のレーザビームがそれぞれ同一領域に重畳する仮想的な面が、前記第２の光学素子を介して照射面と共役関係となることを特徴とするレーザ照射装置。
7. 第１のレーザビームを発振させるレーザ発振器と、
   前記第１のレーザビームを長方形状の短辺方向に分割して、複数の第２のレーザビームを形成する第１の光学素子と、
   前記複数の第２のレーザビームを長方形状の長辺方向に分割して、複数の第３のレーザビームを形成する第２の光学素子と、
   前記複数の第３のレーザビームを前記長辺方向に集光して、複数の第４のレーザビームを形成する第３の光学素子と、
   前記複数の第４のレーザビームを前記短辺方向に集光して、第５のレーザビームを形成する第４の光学素子と、を有し、
   前記複数の第３のレーザビームを前記レーザ発振器側に延長したときに、前記複数の第３のレーザビームがそれぞれ同一領域に重畳する仮想的な面が、前記第３の光学素子を介して照射面と共役関係となることを特徴とするレーザ照射装置。
8. 請求項７において、前記レーザ発振器側から前記照射面側に向かって、前記第１の光学素子、前記第２の光学素子、前記第３の光学素子、前記第４の光学素子の順に配置されていることを特徴とするレーザ照射装置。
9. 請求項７または８において、前記第２の光学素子は軸外しシリンドリカルレンズアレイであることを特徴とするレーザ照射装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一において、前記レーザ発振器は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザのいずれか一であることを特徴とするレーザ照射装置。
11. 請求項１乃至９のいずれか一において、前記レーザ発振器は、ＹＶＯ_４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザ、ＧｄＶＯ_４レーザのいずれか一であることを特徴とするレーザ照射装置。
12. 軸外しシリンドリカルレンズアレイを用いて、レーザ発振器より発振された第１のレーザビームを一方向に分割して、複数の第２のレーザビームを形成し、
    光学素子を用いて前記複数の第２のレーザビームを前記一方向に集光して、第３のレーザビームを形成し、
    前記第３のレーザビームを非単結晶半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項１２において、前記光学素子はシリンドリカルレンズであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. シリンドリカルレンズアレイを用いて、レーザ発振器より発振された第１のレーザビームを長方形状の短辺方向に分割して、複数の第２のレーザビームを形成し、
    軸外しシリンドリカルレンズアレイを用いて、前記複数の第２のレーザビームを長方形状の長辺方向に分割して、複数の第３のレーザビームを形成し、
    第１のシリンドリカルレンズを用いて、前記複数の第３のレーザビームを前記長辺方向に集光して、複数の第４のレーザビームを形成し、
    第２のシリンドリカルレンズを用いて、前記複数の第４のレーザビームを前記短辺方向に集光して、第５のレーザビームを形成し、
    前記第５のレーザビームを非単結晶半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。