JP2005311077A - 多層基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 多層に形成される配線層同士の位置精度を向上させた多層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本形態の多層基板の製造方法は、導電膜１３をパターニングすることで形成された配線層１４が絶縁膜１２を介して積層される多層基板の製造方法において、最初に積層される導電膜１３に円形の確認孔１４を設け、この確認部１４の位置を認識してから、２層目以降の配線層１８のパターンニングを行う構成に成っている。円形の断面の確認孔１４を用いることにより、その中心部を認識することで、正確且つ安定した行き認識を行うことができる。
【選択図】図６

Description

本発明は多層基板の製造方法に関し、特に、円形の形状の確認部を用いることで各配線層同士の位置の精度を向上させることができる多層基板の製造方法に関する。

電子機器の小型化および高機能化に伴い、その内部に収納される実装基板においては、多層配線構造が主流になっている。図９を参照して、多層配線基板の製造方法の一例を説明する（下記特許文献１を参照）。

先ず、図９（Ａ）を参照して、樹脂等の絶縁性の材料から成る基材１００の表面および裏面に第1の導電箔１０１Ａおよび第２の導電箔１０１Ｂを密着させる。

次に、図９（Ｂ）を参照して、第1の導電箔１０１Ａおよび第２の導電箔１０１Ｂの選択的なエッチングを行うことにより、第1の配線層１０２Ａおよび第２の配線層１０２Ｂを形成する。更に、絶縁層１０３Ａを介して配線層を積層させ、図９（Ｃ）に示すような、多層の配線構造を実現する。ここで、接続部１０４は、各配線層同士を電機的に接続するための部位である。
特開２００３−３２４２６３号公報

しかしながら、上述した方法では、配線層同士の位置に誤差が生じてしまう問題があった。更に、層どうしを接続する接続部１０４を精度良く形成するのが困難である問題があった。今日では、小型および高機能化に対する要望が非常に高くなってきているため、パターンは益々微細になり、それに伴い層間を接続する接続部や、各配線層同士の位置精度には厳しい精度が要求されている。

本発明は上述した問題点を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、層同士の相対的な位置のズレを抑止し、層同士を電気的に接続する接続部の位置を精度良く形成する多層基板の製造方法を提供することにある。

本発明の多層基板の製造方法は、絶縁層を介して配線層を複数層積層させる多層基板の製造方法において、円形の平面形状を有する前記配線層から成る確認部を１層目の前記配線層に設け、前記確認部を基準にして２層目以降の前記配線層のパターニングを行うことを特徴とする。

更に本発明の多層基板は、絶縁材料から成るシート状の絶縁膜の両主面に配線層を積層させる多層基板の製造方法において、前記絶縁膜を貫通する円筒状の確認部を前記絶縁膜に穿設し、前記確認部を基準にして２層目以降の前記配線層のパターニングを行うことを特徴とする。

更に、本発明の多層基板の製造方法は、絶縁膜の両主面に第１および第２の導電膜が貼着された積層シートを用意する工程と、前記積層シートを貫通する円筒状の確認孔を穿設する工程と、前記絶縁膜を貫通して前記導電膜同士を電気的に接続する接続部を形成する工程と、前記確認孔を基準にして、前記第１および前記第２の導電膜をパターニングすることにより、第1の配線層および第２の配線層を形成する工程と、前記第１および前記第２の配線層が被覆されるように、絶縁樹脂を介して第３および第４の導電膜を積層させる工程と、前記確認孔に対応する領域の前記絶縁樹脂、前記第３の導電膜および前記第４の導電膜を除去する工程と、露出した前記確認孔を基準にして前記第３および前記第４の導電膜をパターニングすることにより、第３および第４の配線層を形成する工程とを具備することを特徴とする。

下記形態では、上記確認部の一例として積層シートを貫通する確認孔を採用している。しかしながら、本発明では、円形の形状をしている部位であれば、それを上記確認部として採用することができる。

本発明の多層基板の製造方法では、円形に形成される確認部を基準にしてパターニングを行っている。従って、安定した形状の確認部を用いて位置認識を行うことができるので、パターニングの位置精度を向上させることができる。

更に、円形に形成される本発明の確認部は、その表面にメッキ膜が形成されて大きさが変化した場合でも、円形の形状を保持する。従って、円形の確認部を採用することにより、確認部が変形することによる位置精度の低下を抑止することができる。

本発明の多層基板の製造方法を図を参照しつつ説明する。本形態の多層配線とは、２層以上の配線構造を指し、多層配線を有する基板またはパッケージの為回路装置を実装する多層基板等が該当するものである。

本形態の多層基板の製造方法は、導電膜１３をパターニングすることで形成された配線層１４が絶縁膜１２を介して積層される多層基板の製造方法において、最初に積層される導電膜１３に確認孔１４を設け、この確認孔１４の位置を認識してから、２層目以降の配線層１８のパターンニングを行う構成に成っている。更に、本形態では、この確認部を用いて、配線層同士を接続する接続部１６の形成を行う。この詳細を下記にて説明する。

図１を参照して、積層シート１０に確認孔１４を形成する工程を説明する。図１（Ａ）は本工程での積層シート１０の平面図であり、図１（Ｂ）から図１（Ｆ）は各工程での積層シート１０の断面図である。

図１（Ａ）と図１（Ｂ）を参照して、本形態に用いる積層シート１０の詳細を説明する。積層シート１０は、コアとなる第1の絶縁膜１２Ａの両面に第１および第２の導電膜１３Ａ、１３Ｂを密着させたものである。第1の絶縁膜１２Ａの材料としては熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂の何れかが選択される。そして、熱伝導性等が考慮されて、無機のフィラーが樹脂に混入されている。また、全体の強度を向上させるために、第1の絶縁膜１２Ａはガラスクロスを含むものでも良いし、ガラスクロスに無機フィラーが混入されているものでも良い。第1の絶縁膜１２Ａの膜厚は５０ミクロン程度にすることができる。

第１および第２の導電膜１３Ａ、１３Ｂの材料としては、銅を主材料とした金属を全般的に採用することができる。本形態では、圧延された銅箔を第１および第２の導電膜１３Ａ、１３Ｂの材料として採用している。また、両導電箔の厚さは、１０ミクロン程度でよい。また、両導電膜は、メッキ法、蒸着法またはスパッタ法で直接第1の絶縁膜１２Ａに被覆されたり、圧延法やメッキ法により形成された金属箔が貼着されても良い。

更に、図１（Ａ）を参照して、積層シート１０の詳細を説明する。積層シート１０には１つの多層基板を構成する領域であるユニット１１が複数個形成されている。ここでは、マトリックス状に配置された４つのユニット１１が積層シート１０に形成されている。ここではユニット１１は、矩形の平面的形状を呈するが、他の形状のユニット１１でもよい。

図１（Ｃ）を参照して、積層シート１０を貫通するように確認孔１４を設ける。この確認孔１４は、２層目以降のパターニングを行う際に位置合わせを行うための確認部である。

更に、この確認孔１４は、配線層１３同士の電気的接続を行う接続部１６の形成を行う際にも用いられる。この確認孔１４の形成は、ドリルによる削孔により行うことができる。更に、確認孔１４の形成領域の両導電箔１３をエッチングにより除去した後に、露出した絶縁膜をレーザーにより除去しても良い。本工程で形成される確認孔１４の径は、例えば０．１５ｍｍ程度である。

図１（Ａ）を参照して、確認孔１４が形成される箇所の詳細を説明する。ここでは、各ユニット１１の外側の近傍に確認孔１４が形成されている。またユニット１１毎に複数個の確認孔１４を設けることにより、確認孔１４を用いた位置合わせの精度をより向上させることが出来る。ここでは、ユニット１１毎の４角付近に４つの確認孔１４が設けられているが、この確認孔１４の個数は任意である。例えば、ユニット１４毎に２つずつの確認孔１４を形成しても良い。また、１つの積層シート１０に形成される確認孔１４の個数は、２個から１００個程度の範囲で変化させることも可能である。

図１（Ｄ）を参照して、第1の導電膜１３Ａを部分的に除去することで、第1の絶縁膜１２Ａが露出する露出部１５を形成する。ここではユニット１１毎の内部に露出部１５は形成される。この除去は、ユニット１１毎に設けた確認孔１４の外郭を認識し、それから中心点の位置を認識している。確認孔の形状が円のため、円の大きさが違っていてもその中心が一致するメリットがある。

図１（Ｅ）を参照して、露出部１５から露出する第1の絶縁膜１２Ａを除去することにより、貫通孔１５を形成する。絶縁膜１２Ａの除去はレーザーを用いて行うことが出来る。このレーザーによる除去は、貫通孔１５の底部に第２の導電膜１３Ｂの表面が露出されるまで行う。ここで用いるレーザーとしては、炭酸ガスレーザーが好ましい。また、貫通孔１５の底部に残査が有る場合は、過マンガン酸ソーダまたは過硫酸アンモニウム等でウエットエッチングを行い、この残査を除去する。

図１（Ｆ）を参照して、メッキ処理を施すことにより、第1の導電膜１３Ａと第２の導電膜１３Ｂとを電気的に接続する第1の接続部１６Ａを形成する。より具体的には、貫通孔１５を含む第１の導電膜１３Ａの全面に、メッキ膜を形成することで、第1の接続部１６Ａを形成する。このメッキ膜は無電解メッキと電解メッキの両方で形成され、ここでは、無電解メッキにより約２μｍのＣｕを少なくとも貫通孔１５を含む第１の導電膜１４Ａの全面に形成する。これにより第１の導電膜１３Ａと第２の導電膜１３Ｂとが電気的に導通するため、再度この両導電膜を電極にして電解メッキを行い、約２０μｍのＣｕをメッキする。これにより貫通孔１５はＣｕで埋め込まれ、第1の接続部１５Ａが形成される。なお、いわゆるフィリングメッキを行うと、貫通孔１５のみを選択的に埋め込むことも可能である。またメッキ膜は、ここではＣｕを採用したが、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ等を採用しても良い。またマスクを使用して部分メッキを行うことで、貫通孔１５の部分のみにメッキ膜を形成しても良い。

また、本工程により、確認孔１４の内壁にもメッキ膜から成る金属膜１７が形成される。この金属膜１７は、確認孔１４の内壁に均一な膜厚で形成される。従って、金属膜１７の付着により、確認孔１４の断面積は小さくなるものの、円形である。

次に、図２を参照して、積層シート１０に更に導電膜１３を積層させる工程を説明する。図２（Ａ）は本工程での積層シート１０の平面図であり、図２（Ｂ）から図２（Ｄ）は各ステップでの積層シート１０の断面図である。

図２（Ｂ）を参照して、第１および第２の導電膜１３Ａ、１３Ｂのエッチングを行うことにより、第１および第２の配線層１８Ａ、１８Ｂを形成する。これは、エッチングレジストを用いて各導電膜を選択的にエッチングすることにより行う。本工程では、エッチングレジストの露光を行う際に、確認孔１４の位置の認識を行って、積層シート１０と露光マスクとの相対的な位置合わせを行っている。確認孔１４のサイズか小さくなっても円形であるのでその中心点は前回の位置合わせと一致し、その中心点を認識して位置あわせする。

従って、精度良く位置合わせを行うことが出来る。更に、本工程では、Ｘ線で認識を行う為の認識部２０もエッチングにより形成される。この認識部は、Ｘ線認識装置が認識できる形状なら四角、丸、十字等何でも良い。またその位置は、何処にあっても良いが、一般にはユニットの周囲である。

図２（Ｃ）を参照して、次に、積層シート１０の両主面に絶縁膜を介して導電膜を密着させる。具体的には、積層シート１０の表面に第２の絶縁膜１２Ｂを介して第３の導電膜１３Ｃが積層される。そして、積層シート１０の裏面には、第３の絶縁膜１２Ｃを介して第４の導電膜１３Ｄが積層される。これら導電膜１３の積層は、真空プレスにより行うことが可能である。本工程にて、確認孔１４にも樹脂が充填される。本工程では、両絶縁層としては、プリプレグを採用することができる。プリプレグとは、ガラス繊維等から成る織物に、エポキシ樹脂などを含浸させたものである。

図２（Ｄ）を参照して、次に、積層シート１０を貫通するようにガイド孔１９を削孔する。具体的には、図２（Ａ）を参照して、積層シート１０の４角付近の４カ所にガイド孔１９を削孔する。ガイド孔１９の削孔は、エッチングとレーザーの組み合わせ、または、ドリルにより行うことができる。ここで、ドリル孔１９の位置を特定する為の位置合わせは、図２（Ｃ）に示す確認部２０の位置を認識して行う。この確認部２０は、ガイド孔１９が形成される箇所に対応して設けられている。更に、確認部２０は、第２の配線層１８Ａの一部から成る。ガイド孔１９の径は、数十ミクロン程度から２ｍｍ程度の範囲でよい。

本工程では、認識部２０は、上層の第３の導電膜１３Ｃにより覆われているため、可視光線にてその位置を認識することは出来ない。このことから、認識部２０の位置認識はＸ線等を照射して行い、ドリルを位置あわせして開口させる。また、本工程での位置合わせは、積層シート１０の外形寸法が所定の精度を満たしていたら、外形を基準にして行うことも可能である。

図３を参照して、位置合わせを行うための確認孔１４を露出させる。図３（Ａ）は本工程での積層シート１０の平面図であり、図３（Ｂ）から図３（Ｄ）は各ステップでの積層シート１０の断面図である。

図３（Ａ）を参照して、円形のガイド孔１９の位置を認識してから第３の導電膜１３Ｃを部分的に除去することで、露出部２２を形成する。具体的には、ガイド孔１９の位置を基準として、第３の導電膜１３Ｃの表面にエッチングマスクをパターニングしてエッチングを行うことで、露出部２２を形成する。また、本工程では、第４の導電膜１３Ｄについてついても同様の工程を行うことで、積層シート１０の裏面にも露出部２２を形成する。

露出部２０の平面的な大きさは、確認孔１４の断面よりも大きく形成される。具体的には、確認孔１４の平面的大きさが０．１５ｍｍ径の円形であるのに対し、露出部２０の平面的な大きさは１．５ｍｍ程度の円形である。また、本工程では、確認孔１４周辺部が露出するように露出部２２が形成される。

また、このように露出部２２を確認孔１４よりも大きくすることで、ガイド孔１９による位置認識がラフにされても、確認孔１４を露出部２２の形成される領域内に位置させることが出来る。

図３（Ｂ）を参照して、次に、認識部２１の位置を認識してから、レーザーにより確認孔１４の露出を行う。具体的には、先ず、認識部２１の位置を認識することで、レーザー照射器（図示せず）と確認孔１４との相対的位置を調整した後に、レーザーの照射を行う。また、レーザーの照射は、積層シート１０の表面のみから行っても良いし、両面から行っても良い。ここで、確認孔１４と連続して形成される保護部２４とは鍔形を形成している。

図３（Ｃ）を参照して、確認孔の周辺部には、導電膜から成る保護部２４が形成されている。即ち、確認孔１４の側面に付着された金属膜１７と連続するメッキ膜により保護部２４が形成されている。この保護部２４は金属から成るので、この領域にレーザー２３が照射されても保護部２４は影響を受けない。

レーザー２３は、確認孔１４の領域よりも広い領域に照射が行われている。このことで、確認孔１４が形成された領域以外の積層シート１０の表面にレーザー２３が照射された場合でも、その領域がレーザー２３によるダメージを受けるのを防止することが出来る。

確認孔１４の側壁は、メッキ膜から成る金属膜１７より保護されている。従って、レーザー２３が確認孔１４の側壁に照射された場合でも、金属膜１７によりレーザー２３は反射されるので、確認孔１４の側壁が浸食されてしまうのを防止すすることができる。

図３（Ｄ）を参照して、レーザー２３を照射することにより各確認孔１４は絶縁膜１２から露出される。また、レーザー２３による確認孔１４の露出は、各ユニット１１について行われる。即ち、確認孔２１が完全に露出され、しかも各ユニットの表面には、第３および第４の導電膜１３Ｃ、１３Ｄが残存する。

次に、図４および図５を参照して、絶縁層１２を貫通して各配線層１８同士を接続する接続部１６を新たに形成する。具体的には、形成予定の第２の接続部１６Ｂに対応する領域の第３の導電膜１３Ｃおよび第２の絶縁膜１２Ｂを部分的に除去し、その除去した領域にメッキ膜を形成することで、第２の接続部１６Ｂを形成する。また、同様の方法で、第３の絶縁膜１２Ｃを貫通する第２の接続部１２Ｂも形成する。

具体的には、図４（Ａ）を参照して、先ず、第３の導電膜１３Ｃを被覆するようにエッチングレジスト２５を塗布する。そして、露光マスク３１を用いてレジスト２５の露光を行う。露光マスク３１は、ガラス等の透明性を有する基材の表面に遮光パターン３２を有する。遮光パターン３２の形状は、形成予定の第２の接続部１６Ｂと逆転したパターン形状を有する。ここでは、光線３０が照射されなかった箇所が残存するポジ型のレジストが、レジスト２５として採用されている。ここで、ネガ型のものをレジスト２５として採用することも可能である。

図４（Ｂ）を参照して、上記露光の工程等によりパターニングされたレジスト２５を介してエッチングを行うことで、第２の接続部１６Ｂの領域に対応する第３の導電膜１３Ｃが除去される。また、第２の接続部１６Ｂの領域に対応する第４の導電膜１３Ｄも除去される。

図４（Ｃ）を参照して、確認孔１４を用いた位置合わせの詳細を説明する。本形態では、露光マスク３１の位置合わせは、確認孔１４の中心部を基準として行う。具体的には、ＣＣＤカメラ等の撮像手段を用いて、確認孔１４の形状を画像化する。この図では、画像化した状態の確認孔１４の断面を示している。そして、確認孔１４の外周部にて任意の３点の観測を行い、それらの位置を特定する。ここでは、第１観測点Ｋ１、第２観測点Ｋ２、第３観測点Ｋ３の観測を行い、それらの平面的な座標を特定する。更に、これらの点の座標値から、幾何学の定理により、確認孔１４の中心点Ｃの座標を算出する。確認孔１４の平面的形状は円形であるので、中心点Ｃの座標の算出は容易に行えるメリットがある。また、中心点を基準として、露光マスク３１の位置合わせを行うことから、極めて位置精度が高い露光を行うことが出来る。

更に、第４の導電膜１３Ｄの部分的除去を行うための露光も、確認孔１４の中心位置を基準として行っている。従って、同一の確認孔１４を用いて、積層シート１０の表面および裏面に塗布されたレジスト２５の露光を行うので、両者の露光される相対的位置を精度良くすることができる。

次に、図５を参照して、第３の導電膜１３Ｃから露出された第２の絶縁層１２Ｂの除去を行う。更に、第４の導電膜１３Ｄから露出された第３の絶縁膜１２Ｃの部分的除去も行う。図５（Ａ）は積層シート１０の平面図であり、図５（Ｂ）および図５（Ｃ）は積層シート１０の断面図である。

図５（Ａ）を参照して、各ユニット１１の４角の近傍には確認孔１４が形成されている。そして、ユニット毎に形成される接続部１６の位置の特定は、その近傍に形成された確認孔１４を用いて行う。確認孔１４とユニット１１とが近いほど、位置合わせの精度が向上するからである。

図５（Ｂ）を参照して、次に、レーザー２３の照射を行って第２の絶縁膜を部分的に蒸発させることで、貫通孔１５を形成する。貫通孔１５の底部には、第１の配線層１８Ａの上面が露出している。ここでも、レーザー２３と積層シート１０との位置合わせは、確認孔１４の中心点を基準として行っている。従って、第1の配線層１８Ａと貫通孔１５との相対的な位置の精度は非常に良い。

図５（Ｃ）を参照して、次に、無電界メッキ処理および電解メッキ処理を行うことで、貫通孔１５にメッキ膜から成る第２の接続部１６Ｂを形成する。本工程のメッキ処理の詳細は、図１（Ｆ）を参照して説明した方法と同様である。本工程のメッキ処理では、確認孔１４の内壁にもメッキ膜が形成さる。確認孔１４は円筒状を呈しているので、その内壁にメッキ膜が形成されることで断面は小さくなるが、円形状の断面形状は保持される。同様に、ガイド孔１９の内壁にもメッキ膜が形成される。

図６（Ａ）を参照して、次に、第３の導電膜１３Ｃおよび第４の導電膜１３Ｄのエッチングを行うことで、新たな電極や配線のパターンを形成する。具体的には、第３の導電膜１３Ｃの表面にエッチングレジスト２５を塗布した後に、露光マスク３１を用いて露光行ってレジスト２５のパターニングを行う。更に、パターニングされたレジスト２５を介して、第３および第４の導電膜１３Ｃ、１３Ｄのエッチングを行う。ここでも、露光マスク３１と積層シート１０との位置合わせは、確認孔１４の中心点を認識することで行う。

図６（Ｂ）を参照して、本工程での確認孔１４の認識方法は、図４（Ｃ）を参照して説明した認識方法と基本的には同一である。ここでは、確認孔１４の内壁にメッキ膜が形成されることで、その断面が小さくなっている。この図では、メッキ膜が内壁に形成される前の確認孔１４をＶ１で示した点線で示している。そして、内壁にメッキ膜が形成された後の確認孔１４を実線で示している。確認孔１４の内壁に均一な膜厚のメッキ膜が形成されることで、確認孔１４の断面積は小さくなっても、円形は保持されている。従って、本工程でも、確認孔１４の周辺部にて、３つの観測点（第1の観測点、第２の観測点、第３の観測点）を観測することで、中心点Ｃの位置を正確に計測することが可能となる。

図７を参照して次に、積層シート１０の表面および裏面に露出する配線層１８をソルダーレジストで被覆する。図７（Ａ）は積層シート１０の平面図であり、図７（Ｂ）から図７（Ｄ）は積層シート１０の断面図である。

図７（Ｂ）を参照して、上記したエッチングの工程により、積層シート１０の表面には、第３の配線層１８Ｃが形成され、積層シート１０の裏面には第４の配線層１８Ｄが形成されている。

図７（Ｃ）を参照して、積層シート１０の表面および裏面に形成された第３の配線層１３Ｃおよび第４の配線層１８Ｄが被覆されるようにレジスト２６を形成する。レジスト２６を形成する樹脂が、確認孔１４およびガイド孔１９に充填されても良い。

図７（Ｄ）を参照して、レーザーを用いた蒸発あるいはリソグラフィ工程により、レジスト２６に開口部２７を設ける。この開口部２７は、積層シート１０の両面にも設けても良いし、片面のみに設けても良い。開口部２７の底部には、第３の配線層１８Ｃまたは、第４の配線層１８Ｄが露出している。この開口部２７の形成は、第３の配線層１８Ｃから成る確認部２８の位置を認識することで行うことが出来る。更に、本工程でも、確認孔１４の位置を基準として、開口部２７の形成を行うことが出来る。

上記工程が終了した後に、一点鎖線で示す分割線Ｌ１で積層シート１０の分割を行うことで、各ユニット１１の分離を行うことが出来る。この分離は、レーザーを用いて、配線層１８が形成されていない領域の積層シート１０を切断することで行うことが出来る。このことにより、切断を行う際の振動の発生を極力抑えて、各ユニット１１の分離を行うことが出来る。以上の工程により、多層の配線構造を有する多層基板が完成する。また、各ユニットの分割は、開口部２７を介して回路素子を積層シート１０に固着した後に行っても良い。また、上記分離は、ルーターを用いた加工、プレス加工でも行うことが出来る。

次に、図８（Ａ）を参照して、上記工程により製造された多層基板３６を用いた実装構造を説明する。多層基板３６の表面には、半導体素子である回路素子３３Ｂがろう材３４を介して実装されている。ここでは、回路素子３３Ｂはフェイスダウンで実装されているが、金属細線を用いた固着構造を採用することも出来る。回路素子３３Ａはチップ抵抗やチップコンデンサ等の受動素子であり、ロウ材３４を介して多層基板３６に固着されている。また必要により外部との接続手段であるリードまたはコネクタが実装されても良い。またモジュール基板として成り、ケース付けされない場合、半導体素子は、パッケージされたＩＣ、ＣＳＰ等が実装され、ケース付けされる場合は、この他にベアチップが実装されても良い。

図８（Ｂ）を参照して、多層基板を使った半導体パッケージを説明する。ここでは、多層基板３６の表面に上述した回路素子３３が実装され、回路素子３３が封止されるように多層基板３６の表面に封止樹脂３５が形成されている。本発明の多層基板３６は極めて薄型になっているので、このような多層基板を回路装置に適用させることで、薄型の回路装置を提供することが出来る。また近年では、ＩＣ自体が５００ピン、１０００ピンと多ピン化傾向で且つ外部電極のサイズも微細で狭ピッチな傾向にある。よって多層基板を採用すればＩＣ、ディスクリート素子、チップコンデンサ、チップ抵抗等を使った回路モジュール、いわゆるＳＩＰが可能になる。

本発明の多層基板の製造方法を示す平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）―（Ｆ）である。 本発明の多層基板の製造方法を示す平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）―（Ｄ）である。 本発明の多層基板の製造方法を示す平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）―（Ｄ）である。 本発明の多層基板の製造方法を示す断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）、概念図（Ｃ）である。 本発明の多層基板の製造方法を示す平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）―（Ｃ）である。 本発明の多層基板の製造方法を示す断面図（Ａ）、概念図（Ｂ）である。 本発明の多層基板の製造方法を示す平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）―（Ｄ）である。 本発明の多層基板の製造方法により製造された多層基板が採用された構造を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。 従来の多層基板の製造方法を示す断面図（Ａ）−（Ｃ）である。

符号の説明

１０ 積層シート
１１ ユニット
１２Ａ 第1の絶縁膜
１２Ｂ 第２の絶縁膜
１２Ｃ 第３の絶縁膜
１３Ａ 第1の導電膜
１３Ｂ 第２の導電膜
１３Ｃ 第３の導電膜
１３Ｄ 第４の導電膜
１４ 確認孔
１５ 露出部
１６Ａ 第1の接続部
１６Ｂ 第２の接続部
１７ 金属膜
１８Ａ 第1の配線層
１８Ｂ 第２の配線層
１８Ｃ 第３の配線層
１８Ｄ 第４の配線層
１９ ガイド孔

Claims (8)

1. 絶縁層を介して配線層を複数層積層させる多層基板の製造方法において、
   円形の平面形状を有する前記配線層から成る確認部を１層目の前記配線層に設け、
   前記確認部を基準にして２層目以降の前記配線層のパターニングを行うことを特徴とする多層基板の製造方法。
2. 絶縁材料から成るシート状の絶縁膜の両主面に配線層を積層させる多層基板の製造方法において、
   前記絶縁膜を貫通する円筒状の確認部を前記絶縁膜に穿設し、
   前記確認部を基準にして２層目以降の前記配線層のパターニングを行うことを特徴とする多層基板の製造方法。
3. 前記確認部の中心を基準にすることを特徴とする請求項１または請求項２記載の多層基板の製造方法。
4. 前記確認部の周縁部の３点を認識することで、前記確認部の中心の位置を特定することを特徴とする請求項１または請求項２記載の多層基板の製造方法。
5. 前記確認部を認識するときは、前記確認部を被覆している絶縁樹脂を除去することを特徴とする請求項１または請求項２記載の多層基板の製造方法。
6. 絶縁膜の両主面に第１および第２の導電膜が貼着された積層シートを用意する工程と、
   前記積層シートを貫通する円筒状の確認孔を穿設する工程と、
   前記絶縁膜を貫通して前記導電膜同士を電気的に接続する接続部を形成する工程と、
   前記確認孔を基準にして、前記第１および前記第２の導電膜をパターニングすることにより、第1の配線層および第２の配線層を形成する工程と、
   前記第１および前記第２の配線層が被覆されるように、絶縁樹脂を介して第３および第４の導電膜を積層させる工程と、
   前記確認孔に対応する領域の前記絶縁樹脂、前記第３の導電膜および前記第４の導電膜を除去する工程と、
   露出した前記確認孔を基準にして前記第３および前記第４の導電膜をパターニングすることにより、第３および第４の配線層を形成する工程とを具備することを特徴とする多層基板の製造方法。
7. 前記確認孔の中心を基準にすることを特徴とする請求項６記載の多層基板の製造方法。
8. 前記確認孔の３点を認識することで、前記確認部の中心の位置を特定することを特徴とする請求項６記載の多層基板の製造方法。
   
   

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