CN105764259A - 一种提高内层曝光对位精度的方法 - Google Patents

一种提高内层曝光对位精度的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105764259A
CN105764259A CN201610266379.XA CN201610266379A CN105764259A CN 105764259 A CN105764259 A CN 105764259A CN 201610266379 A CN201610266379 A CN 201610266379A CN 105764259 A CN105764259 A CN 105764259A
Authority
CN
China
Prior art keywords
scale
exposure
inner layer
aligning accuracy
core material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610266379.XA
Other languages
English (en)
Inventor
喻恩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Suntak Multilayer PCB Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Suntak Multilayer PCB Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Suntak Multilayer PCB Co Ltd filed Critical Shenzhen Suntak Multilayer PCB Co Ltd
Priority to CN201610266379.XA priority Critical patent/CN105764259A/zh
Publication of CN105764259A publication Critical patent/CN105764259A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/16—Inspection; Monitoring; Aligning
    • H05K2203/166—Alignment or registration; Control of registration

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明公开了一种提高内层曝光对位精度的方法，包括以下步骤：a、在对应于内层芯板第一表面的菲林上制作第一标尺，所述第一标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成；b、在对应于内层芯板第二表面的菲林上制作第二标尺，所述第二标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成，所述第一标尺和所述第二标尺的第一根刻度线对齐设置，所述第二标尺刻度线之间的间距小于所述第一标尺刻度线之间的间距。第一标尺刻度线间距较第二标尺间距大0.005mm，两面曝光后，通过读取两标尺的偏移量可测出曝光对位的偏差量，即对位精度，可将对位精度提高至5μm，并且测量方法简单快捷，可以直接读取对位精度，可有效检验曝光制程能力，并提升曝光精度。

Description

一种提高内层曝光对位精度的方法
技术领域
本发明属于印制电路板制作技术领域，具体地说涉及一种提高内层曝光对位精度的方法。
背景技术
在印制电路板(PCB)的制作工艺中，曝光工序一般存在于内层线路制作、外层线路制作、阻焊层制作三个部分，该工序的步骤主要为在板面压制感光膜或涂覆感光剂后进行曝光显影，此工序中，曝光对位精准度是衡量制程能力的关键因素，也是影响产品性能的重要原因。现有技术中，PCB曝光工序中，对位精度一般由如下方法确定：在同一张内层芯板两面设置两个圆环，两个圆环同心且两圆环半径相差3mil，曝光后判断两个圆的相对位置，从而确定曝光图形偏移量。
上述方法测量精度无法精确到微米级，对于精度更高的LDI曝光机无法测量对位精度是否可以达到+/-5μm，精度与制程能力不能满足要求。
发明内容
为此，本发明所要解决的技术问题在于现有曝光对位精度检测方式精度较低，不能达到微米级，无法满足高精度的制程要求，从而提出一种可提高内层曝光对位精度的方法。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：
本发明提供一种提高内层曝光对位精度的方法，包括如下步骤：
a、在对应于内层芯板第一表面的菲林上制作第一标尺，所述第一标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成；
b、在对应于内层芯板第二表面的菲林上制作第二标尺，所述第二标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成，所述第一标尺和所述第二标尺的第一根刻度线对齐设置，所述第二标尺刻度线之间的间距小于所述第一标尺刻度线之间的间距。
作为优选，所述第一标尺的刻度线间距为0.5mm。
作为优选，所述第二标尺的刻度线间距为0.495mm。
作为优选，所述第一标尺和所述第二标尺的位置对应于所述内层芯板的无效区设置。
作为优选，步骤b后，还包括对所述内层芯板进行两面曝光、显影和蚀刻的工序。
作为优选，所述两面曝光的工艺参数为：曝光能量级别：7级，温度：18-24℃，真空度：-300mmHg，能量均匀性：85％。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
本发明所述的提高内层曝光对位精度的方法，根据错位放大原理，在内层芯板两面的菲林上分别设置第一标尺和第二标尺，第一标尺刻度线间距较第二标尺间距大0.005mm，两面曝光后，通过读取两标尺的偏移量可测出曝光对位的偏差量，即对位精度，可将对位精度提高至5μm，并且测量方法简单快捷，可以直接读取对位精度，可有效检验曝光制程能力，并提升曝光精度。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是本发明实施例1所述的一种提高内层曝光对位精度的方法的示意图；
图2是本发明实施例2所述的一种提高内层曝光对位精度的方法的示意图。
图中附图标记表示为：1-第一标尺；2-第二标尺。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供一种提高内层曝光对位精度的方法，如图1所示，包括如下步骤：
a、在对应于内层芯板第一表面即上表面的菲林上制作第一标尺1，所述第一标尺1由至少3根均匀分布的刻度线组成，本实施例中所述刻度线为多根，相邻刻度线之间距离为0.5mm；
b、在对应于内层芯板第二表面即下表面的菲林上制作第二标尺2，所述第二标尺2与第一标尺1的位置相对应，所述第二标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成，本实施例中所述刻度线为多根，所述第一标尺1和所述第二标尺2的第一根刻度线对齐设置，且所述第二标尺2的刻度线之间的间距小于所述第一标尺1刻度线之间的间距，所述第二标尺刻度线之间的间距为0.495mm。
所述第一标尺1和第二标尺2的位置对应于所述内层芯板的无效区设置。
菲林制作完成后，在内层芯板两面贴覆感光膜，然后将菲林贴在覆有感光膜的芯板表面，进行双面曝光，之后用显影剂显影并蚀刻，得到两面标尺图形，曝光过程中，具体的工艺参数如下：曝光能量级别：7级，温度：18-24℃，真空度：-300mmHg，能量均匀性：85％。
读数时，根据错位放大原理，如图1所示，在理想状态下，第一标尺1的第一根刻度线即与第二标尺的第一根刻度线对齐，读数为0，即偏差量为0。
实施例2
本实施例提供一种提高内层曝光对位精度的方法，所述方法与实施例1基本相同，不同之处在于，在一般情况下，会存在一定偏移量，如图2所示，第二标尺2的第一根刻度线处于第一标尺第一根、第二个根刻度线之间，第二标尺的第四根刻度线与第一标尺的第四根刻度线对齐，依据错位放大原理，芯板两面曝光偏移量为15μm，然后可根据此偏移量，调节对位位置，提高对位精度。本发明所述的方法，最高可将对位精度提高至5μm，测量方法简单快捷，可直接读取数据，有效检验曝光制程能力，进一步提升曝光精度。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (6)

1.一种提高内层曝光对位精度的方法，其特征在于，包括如下步骤：
a、在对应于内层芯板第一表面的菲林上制作第一标尺，所述第一标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成；
b、在对应于内层芯板第二表面的菲林上制作第二标尺，所述第二标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成，所述第一标尺和所述第二标尺的第一根刻度线对齐设置，所述第二标尺刻度线之间的间距小于所述第一标尺刻度线之间的间距。
2.根据权利要求1所述的提高内层曝光对位精度的方法，其特征在于，所述第一标尺的刻度线间距为0.5mm。
3.根据权利要求2所述的提高内层曝光对位精度的方法，其特征在于，所述第二标尺的刻度线间距为0.495mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的提高内层曝光对位精度的方法，其特征在于，所述第一标尺和所述第二标尺的位置对应于所述内层芯板的无效区设置。
5.根据权利要求4所述的提高内层曝光对位精度的方法，其特征在于，步骤b后，还包括对所述内层芯板进行两面曝光、显影和蚀刻的工序。
6.根据权利要求5所述的提高内层曝光对位精度的方法，其特征在于，所述两面曝光的工艺参数为：曝光能量级别：7级，温度：18-24℃，真空度：-300mmHg，能量均匀性：85％。
CN201610266379.XA 2016-04-26 2016-04-26 一种提高内层曝光对位精度的方法 Pending CN105764259A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610266379.XA CN105764259A (zh) 2016-04-26 2016-04-26 一种提高内层曝光对位精度的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610266379.XA CN105764259A (zh) 2016-04-26 2016-04-26 一种提高内层曝光对位精度的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105764259A true CN105764259A (zh) 2016-07-13

Family

ID=56325907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610266379.XA Pending CN105764259A (zh) 2016-04-26 2016-04-26 一种提高内层曝光对位精度的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105764259A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111398314A (zh) * 2020-05-25 2020-07-10 鹤山市中富兴业电路有限公司 一种基于游标的双面pcb检测模块以及对位方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311077A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Sanyo Electric Co Ltd 多層基板の製造方法
CN101625529A (zh) * 2008-07-11 2010-01-13 比亚迪股份有限公司 一种电路板曝光对位装置及电路板曝光对位方法
CN202693996U (zh) * 2012-08-10 2013-01-23 东莞市五株电子科技有限公司 一种返工线路板绿油曝光对位的定位工具
US20130293889A1 (en) * 2012-04-20 2013-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Position measuring apparatus, pattern transfer apparatus, and method for manufacturing a device
CN103529659A (zh) * 2013-10-29 2014-01-22 天津芯硕精密机械有限公司 一种对位精度检测方法及系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005311077A (ja) * 2004-04-21 2005-11-04 Sanyo Electric Co Ltd 多層基板の製造方法
CN101625529A (zh) * 2008-07-11 2010-01-13 比亚迪股份有限公司 一种电路板曝光对位装置及电路板曝光对位方法
US20130293889A1 (en) * 2012-04-20 2013-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Position measuring apparatus, pattern transfer apparatus, and method for manufacturing a device
CN202693996U (zh) * 2012-08-10 2013-01-23 东莞市五株电子科技有限公司 一种返工线路板绿油曝光对位的定位工具
CN103529659A (zh) * 2013-10-29 2014-01-22 天津芯硕精密机械有限公司 一种对位精度检测方法及系统

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111398314A (zh) * 2020-05-25 2020-07-10 鹤山市中富兴业电路有限公司 一种基于游标的双面pcb检测模块以及对位方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102866576B (zh) 一种掩膜板组及应用掩膜板组确定对位精度范围的方法
CN105278261B (zh) 一种激光直写曝光机内层对位精度的测量方法
CN103995438B (zh) 晶圆曝光布局的优化方法
CN103744214A (zh) 一种液晶显示器的玻璃基板的曝光方法
CN109561605A (zh) 一种多层板压合涨缩数据的抓取方法及多层板的制作方法
CN100527375C (zh) 一种用于边缘球状物去除检测的测试晶圆及检测方法
CN104166306A (zh) 压印设备、装置制造方法以及压印方法
CN104898383A (zh) 双层套刻精度控制层次管理的方法、校准标记及测量系统
CN105159038A (zh) 一种用单面光刻曝光机上晶圆正反面光刻图案的对位方法
CN201740972U (zh) 一种用于测量套准精度的测量结构
US9298034B1 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
CN106154768A (zh) 一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法
CN105764259A (zh) 一种提高内层曝光对位精度的方法
CN102520593B (zh) 一种曝光机的对位验证方法
TWI547918B (zh) 面板裝置及其檢測方法
CN204243021U (zh) 一种晶圆定位组件
CN102591158A (zh) 一种精确测量wee宽度的方法
CN103246152B (zh) 确定覆盖误差的方法和动态控制中间掩模位置的控制系统
CN106997146A (zh) 一种掩膜板的制作方法、制作系统及掩膜板
CN111123653B (zh) 一种测量盘及偏心值测量方法
CN202284948U (zh) 一种pcb菲林涨缩值简易测量装置
CN102097284A (zh) 对准标记制作的管控方法及装置
CN113109997B (zh) 测量外延前后光刻套刻误差的方法及结构
CN108073051B (zh) 一种提升光刻机坐标精度的方法
CN102522360B (zh) 光刻对准精度检测方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160713