CN103246152B - 确定覆盖误差的方法和动态控制中间掩模位置的控制系统 - Google Patents
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Abstract
一种确定覆盖误差的方法。该方法包括将图案从中间掩模转印至晶圆以及选择第一组数据点以测量中间掩模上的部件与晶圆上的部件之间的位置差。该方法还包括确定第一组数据点但包含较少数据点的第二组数据点。控制系统使用第二组数据点来动态地调整中间掩模的位置。本发明还提供了动态控制中间掩模位置的控制系统。
Description
技术领域
本发明一般地涉及半导体技术领域，更具体地来说，涉及减少覆盖误差的方法和系统。
背景技术
随着技术节点尺寸的减小，衬底上部件的密度增加。增加的部件密度要求更加精确地控制部件之间的间隔以制造可变器件。部分通过图案化衬底过程中所使用的中间掩模上的部件布局来确定部件间隔。诸如覆盖误差的附加因素也会影响衬底上的部件间隔。覆盖误差是中间掩模上的部件布局与形成在衬底上的实际部件图案之间的偏差。
覆盖误差由可校正因素引起，诸如中间掩模和衬底之间的热膨胀系数的差异、衬底形状不精确、中间掩模和衬底之间的未对准、图案化装置中致动器不精确的校准等。热膨胀的差异引起覆盖误差，因为图案化工艺生成使衬底和中间掩模膨胀的热能。如果用于形成衬底和中间掩模的材料具有不同的热膨胀系数，则用于衬底和中间掩模的膨胀率是不同的。与衬底上部件的间隔相比，不同的膨胀率导致中间掩模上产生不同的部件间隔。衬底形状的不精确引起覆盖误差，因为衬底表面的弯曲使得部件的尺寸由于图案化光经过不同的距离到达衬底表面而发生变化。中间掩模和衬底的未对准引起覆盖误差，因为整个布局发生偏移。致动器不精确的校准引起覆盖误差，因为图案化工艺使用致动器来定位中间掩模、衬底和图案化装置的其他部件。如果由致动器引起的移动不精确，则部件之间的间隔通过来自实际移动的预期移动的差异来改变。
此外，一些覆盖误差由不可校正的因素引起，诸如衬底上的光刻胶层中的光散射或厚度梯度。该不可校正的覆盖误差被称为残留误差。一些残留误差量是不可避免的。
一些技术通过使用固定的、预定基准点来测量覆盖误差。在实施任何图案化工艺之前选择基准点，并且不能解决中间掩模和衬底之间的实际测量差。在图案化衬底之前，测量中间掩模上的多个所选部件的位置。然后，图案化衬底，并且在图案化的衬底上测量这些相同的所选部件的位置。中间掩模上的所选部件的位置与衬底上的所选部件的位置之间的差异确定覆盖误差。
用于测量衬底上部件的位置的测量系统包括辐射源、检测器和支持衬底的台架。来自辐射源的光与衬底的图案化表面接触并反射到检测器。来自辐射源的光以预定的基准点为目标。检测器向诸如计算机的计算单元传送信息以确定衬底上所选部件的位置。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种减少覆盖误差的方法，包括：将部件的图案从中间掩模转印至晶圆；在第一组数据点处测量所述中间掩模上的图案和所述晶圆上的图案之间的位置差；基于所述第一组数据点确定第二组数据点，所述第二组数据点为所述第一组数据点的子集，其中，所述第二组数据点的位置表示所述第一组数据点中的至少一个的位置，并且所述第一组数据点的数量大于所述第二组数据点的数量；以及基于所述第二组数据点改变所述中间掩模的位置以使所述位置差最小。
该方法还包括：确定至少一个固定数据点。
在该方法中，确定所述第二组数据点包括：从所述第一组数据点中选择数据点。
在该方法中，确定所述第二组数据点包括：确定至少一个区域数据点；确定至少一个可变数据点，其中所述至少一个区域数据点的数量和所述至少一个可变数据点的数量的总和等于所述第二组数据点的数量。
在该方法中，确定多个固定数据点包括接收来自用户的输入。
该方法还包括：在部件的图案中确定多个区域边界；以及在所述多个区域边界的每一个内定位所述第一组数据点中的至少一个。
该方法还包括：在部件的图案中确定多个区域边界以限定多个区域；以及在所述多个区域的每一个内定位所述第一组数据点中的至少一个，其中确定区域数据点包括对于所述多个区域的每一个选择所述多个区域的每一个内的第一组数据点中的至少一个。
在该方法中，确定至少一个可变数据点包括选择表征所述位置差的一个或多个数据点。
在该方法中，确定至少一个可变数据点包括覆盖误差测量的统计分析。
在该方法中，确定至少一个区域数据点包括覆盖误差测量的统计分析。
在该方法中，将部件的图案从所述中间掩模转印至所述晶圆包括使用光刻工艺。
在该方法中，将部件的图案从所述中间掩模转印至所述晶圆包括使用电子束图案化工艺。
根据本发明另一方面，提供了一种中间掩模，包括：遮光层，具有第一表面和第二表面；开口图案，从所述第一表面延伸到所述第二表面；至少一个域，其中，每个域都包括：至少一个第一开口，定位在与对应的至少一个固定测量位置相关的对应域中；至少一个第二开口，定位在与对应的至少一个区域测量位置相关的对应域中；和至少一个第三开口，定位在与对应的至少一个可变测量位置相关的对应域中。
在该中间掩模中，所述至少一个域的每一个都分别包括至少一个区域。
在该中间掩模中，所述至少一个区域测量位置分别位于所述至少一个区域的每一个中。
在该中间掩模中，基于覆盖误差测量的统计分析来选择所述至少一个区域测量位置和所述至少一个可变测量位置。
根据本发明的又一方面，提供了一种反馈控制系统，包括：中间掩模图案化装置，被配置成将图案从中间掩模转印至晶圆；位置测量工具，被配置成测量所述晶圆上的图案的至少一个部件的位置，其中，至少一个位置表征所述中间掩模的一部分相对于所述晶圆的位置；以及控制器，被配置成接收来自所述位置测量工具的位置数据并基于所述位置数据将至少一个控制信号传输至所述中间掩模图案化装置。
在该反馈控制系统中，所述中间掩模图案化装置被配置成接收控制信号并基于所述控制信号改变所述中间掩模的位置。
在该反馈控制系统中，所述中间掩模图案化装置是光刻装置。
在该反馈控制系统中，所述中间掩模图案化装置是电子束图案化装置。
附图说明
在附图中通过实例但不限制地示出了一个或多个实施例，其中，在整个说明书和全部附图中，相同的参考标号表示类似的元件。应该强调的是，根据工业的标准实践，各种部件不按比例绘制，并且只是用于说明的目的。实际上，为了讨论的清楚，可以任意增加或减小附图中的各个部件的尺寸。
图1是根据一个或多个实施例的具有多个域(field)的图案化元件的示图。
图2是根据一个或多个实施例的具有多个初始测量位置的域的示图。
图3是根据一个或多个实施例的具有多个选择测量位置的域的示图。
图4A是根据一个或多个实施例的用于减少覆盖误差的反馈控制系统的高级框图。
图4B是根据一个或多个实施例的反馈控制系统的控制的框图。
图5是根据一个或多个实施例的减少覆盖误差的方法的流程图。
具体实施方式
以下公开内容提供了用于实施本发明不同特征的许多不同的实施例或实例。以下描述部件和配置的具体实例以简化本公开内容。当然，这些仅仅是实例而不用于限制。
图1是具有晶圆102和多个域104的图案化元件100的示图。在图案化工艺期间，图案化晶圆102。在一些实施例中，具有遮光层的中间掩模被用于图案化晶圆102，其中，遮光层具有第一表面和第二表面。晶圆102包括在图案化工艺期间形成的部件的图案。每个部件都对应于中间掩模中的开口，中间掩模中的开口被配置成允许光从第一表面传到第二表面。
每个域(field)104都是开口的子集，并表示将在晶圆102上图案化的部件的集合。在一些实施例中，每个域104都表示电路。在其他实施例中，域104的组统一表示电路。晶圆上的域104的集合被称为晶圆102的总体布局。
图2是示出具有多个由正方形表示的固定测量位置202的域104的示图。域104还具有通过“+”符号表示的多个初始测量位置204。此外，域104被划分为多个区域206。
固定测量位置202表示用户确定的域104中最重要部件的位置。如果通过固定测量位置202表示的部件没有被精确图案化，则使用域104的部件形成的电路将不能正确运行。
初始测量位置204表示域104中的其他部件，并用于确定域104的总体布局。初始测量位置204统称为第一组数据点。通过用户确定初始测量位置204的数量。在每个区域206内具有至少一个初始测量位置204。在一些实施例中，初始测量位置204表示域104的每个部件。在其他实施例中，初始测量位置204表示少于域104的每个部件。
区域206是域104的部件的分组。在一些实施例中，基于域104中管芯的轮廓来确定区域边界。在一些实施例中，基于域104中的电路模块(即，高速电路模块、低速电路模块、数字电路模块、模拟电路模块等)的轮廓来确定区域边界。在一些实施例中，选择区域边界以提供测量位置的均匀分布。在一些实施例中，通过设计者来指定区域边界。图3示出了具有不规则边界的区域206。在一些实施例中，区域206具有规则边界。图3示出了在区域206之间没有间隔。通过没有部件的空间来分隔区域206。
图3是域104的示图，域104包括由正方形表示的多个固定测量位置202；多个区域206；由圆表示的多个区域测量位置306；以及通过“x”符号表示的多个可变测量位置308。固定测量位置202与图2所示的相同。如图2所示，区域测量位置306和可变测量位置308是初始测量位置204的子集。即，每个区域测量位置306和每个可变测量位置308都对应于初始测量位置204。
区域测量位置306和可变测量位置308统称为第二组数据点。用户选择第二组数据点中位置的数量。第二组数据点中位置的数量小于第一组数据点中位置的数量。区域测量位置306和可变测量位置308组合的数量等于或小于初始测量位置204的数量。基于产品速度和精度来选择第二组数据点中的数据点的数量。第二组数据点中位置的数量越大，覆盖误差的测量精确越高。然而，较多数量的位置将使制造工艺变慢，这是因为测量时间增加。因此，用户必须确定适用于制造工艺的第二组数据点中位置的数量。如果域104的部件要求非常高的精度，则优选第二组数据点中较多数量的位置。
总体上从多个初始测量位置204中选择每个区域测量位置306作为区域206内的用于确定每个区域206中的部件位置的最有代表性的位置。每个区域206都包括一个区域测量位置306。在覆盖误差的确定期间，在图案化工艺之后测量与每个区域测量位置306相对应的晶圆102上的位置。总体区域测量位置的确定帮助限定晶圆102和中间掩模之间的最终覆盖误差。
总体上从初始测量位置204中选择每个可变测量位置308作为域104的最有代表性的位置。通过区域测量位置306的数量和第二组数据点的差值来确定可变测量位置308的数量。在覆盖误差的确定期间，在图案化工艺之后测量与每个可变测量位置308相对应的晶圆102上的位置。以与区域测量位置306类似的方式，可变测量位置308也帮助确定覆盖误差的类型。
第二组数据点中的位置数量包括固定测量位置202、区域测量位置306和可变测量位置308。在一些实施例中，第二组数据点的确定开始于确定固定测量位置202。在确定固定测量位置202之后，确定区域测量位置306。使用覆盖误差测量的统计分析或者其他适当的数字方法，确定每个区域206内的每个区域测量位置306的位置以使覆盖误差最小。在确定区域测量位置306之后，第二组数据点中的剩余位置为可变测量位置308。使用覆盖误差测量的统计分析或者其他适当的数字方法，确定每个可变测量位置308的位置以使覆盖误差最小。
图4A是用于重新定位中间掩模102以使覆盖误差最小的反馈控制系统400的高级框图。反馈控制系统400包括光刻装置402，其被配置成使用中间掩模图案化晶圆102。反馈控制系统400还包括位置测量工具404，其被配置成确定与晶圆102上的固定测量位置202、区域测量位置306和可变测量位置308相对应的部件的实际位置。反馈控制系统400还包括控制器406，其被配置成接收来自位置测量工具404的数据并且进一步被配置成传输控制信号。光刻装置402被配置成接收控制信号并基于控制信号改变光刻装置402内的元件的校准。
光刻装置402包括光源，用于使光穿过中间掩模到达晶圆102以将中间掩模的总体布局转印至晶圆102的光入射面。在图4的实施例中，使用光刻装置402图案化晶圆102。在一些实施例中，使用电子束图案化装置或其它适当的图案化装置图案化晶圆102。
在图案化晶圆102之后，晶圆102被传送至位置测量工具404。位置测量工具404类似于上述用于确定晶圆102上的部件位置的器件。位置测量工具404被配置成将测量数据传输至控制器406。
图4B是控制器406的框图。控制器406包括输入/输出(I/O)设备410，用于接收来自位置测量工具404的信息并将控制信号传输至光刻装置402。控制器406还包括处理器412，其通过总线414连接至I/O设备410，处理器412被配置成计算覆盖误差和校准校正以减少覆盖误差。在一些实施例中，处理器412为微处理器、专用集成电路或其它适当的逻辑设备。控制器406还包括存储器416，其通过总线414连接至处理器412和I/O设备410，存储器416被配置成存储与反馈控制系统400相关的信息并提供处理器412执行计算所必须的存储。存储器416包括变量存储单元418，被配置成存储诸如被测量的中间掩模位置418a、被测量的晶圆102位置418b、固定测量位置418c、区域测量位置418d、可变测量位置418e、区域边界418f、光刻装置校准418g的变量或反馈控制系统400使用的其他适当变量。在一些实施例中，I/O设备410被配置成连接至用户接口以允许输入诸如固定测量位置418c或区域边界418f的值。
控制器406被配置成使用I/O设备410接收来自位置测量工具404的测量数据。控制器406还被配置成使用处理器412计算晶圆102上的部件的实际位置与中间掩模上的部件的位置之间的差以确定覆盖误差。控制器406还被配置成使用I/O设备410基于所计算的位置差将控制信号传输至光刻装置402。基于控制信号，光刻装置402被配置成改变中间掩模或者扫描装置的重校部件的位置以减小剩余的覆盖误差。
图5是减小覆盖误差的方法500的流程图。方法500开始于步骤502，其中，用户确定与固定测量位置202相对应的域104的重要部件，并将这些位置输入至与I/O设备401连接的用户接口。在一些实施例中，用户通过监控域104内器件的要求并确定哪些部件最大程度地表示域104内所形成器件的适当性能来确定域104的所选部件。步骤502还包括确定区域边界以及将区域边界输入与I/O设备401连接的用户接口。
在步骤504中，选择初始测量位置204的数量和位置。步骤504还包括使用位置测量工具404测量中间掩模102上的初始测量位置204(图2)的位置。
方法500继续到步骤506，其中，基于制造速度和精度选择第二组数据点中的数据点的数量。
然后，在步骤508中，初始测量位置204(图2)的位置被传输至计算系统。在步骤510中，计算系统基于初始测量位置204的位置和步骤506中限定的区域边界来确定区域测量位置306。在步骤512中，计算系统基于初始测量位置204的位置和用户确定的第二组数据点中的位置的数量来确定可变测量位置308的数量和位置。
第二组数据点中的位置的数量包括固定测量位置202、区域测量位置306和可变测量位置308。在一些实施例中，第二组数据点的确定开始于固定测量位置202。在确定固定测量位置202之后，确定区域测量位置306。使用覆盖误差测量的统计分析或者其他适当的数字方法，确定每个区域206内的每个区域测量位置306的位置以使覆盖误差最小。在确定区域测量位置306之后，第二组数据点中的剩余位置为可变测量位置308。使用覆盖误差测量的统计分析或者其他适当的数字方法，确定每个可变测量位置308的位置以使覆盖误差最小。
在步骤514中，使用光刻装置402图案化晶圆102。在步骤516中，使用位置测量工具404确定与晶圆102上的固定测量位置202、区域测量位置306和可变测量位置308相对应的部件的实际位置。
在步骤518中，来自位置测量工具404的信息被传送至控制器406。然后，控制器406确定覆盖误差并将控制信号传输至光刻装置402。在制造工艺中重复步骤514、516和518以补偿在制造工艺期间产生的动态误差。
本说明的一个方面涉及减小覆盖误差的方法，包括：将部件的图案从中间掩模转印至晶圆；测量中间掩模上的图案与晶圆上的图案之间的位置差作为第一组数据点；确定表征第一组数据点的第二组数据点；以及基于第二组数据点改变中间掩模的位置以使位置差最小。本说明的另一方面涉及包括至少一个域的中间掩模，其中，至少一个域的每一个都包括至少一个部件、至少一个固定测量位置、至少一个区域测量位置和至少一个可变测量位置。本说明的又一方面涉及反馈控制系统，包括：图案化装置，用于将图案从中间掩模转印至晶圆的中间掩模；测量工具，用于测量晶圆上的图案的至少一个部件的位置，其中，至少一个位置表征中间掩模相对于晶圆的位置；以及控制器，用于接收来自测量工具的位置数据并基于位置数据将至少一个控制信号传输至中间掩模图案化装置。
本领域的技术人员应该理解，所公开的实施例实现了上述一个或多个优点。在阅读前面的说明书之后，本领域的技术人员能够进行各种改变、等效替换和本文中所公开的各种其他实施例。因此，仅通过所附权利要求及其等同物所包含的定义来限制保护范围。
Claims (19)
1.一种减少覆盖误差的方法，包括：
将部件的图案从中间掩模转印至晶圆；
在第一组数据点处测量所述中间掩模上的图案和所述晶圆上的图案之间的位置差；
基于所述第一组数据点确定第二组数据点，所述第二组数据点为所述第一组数据点的子集，其中，所述第二组数据点的位置表示所述第一组数据点中的至少一个的位置，并且所述第一组数据点的数量大于所述第二组数据点的数量；以及
基于所述第二组数据点改变所述中间掩模的位置以使所述位置差最小，
其中，所述覆盖误差是所述中间掩模上的部件布局与形成在所述晶圆上的实际部件图案之间的偏差。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二组数据点的确定开始于确定至少一个固定数据点。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述第二组数据点包括：从所述第一组数据点中选择数据点。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述第二组数据点包括：
确定至少一个区域数据点；
确定至少一个可变数据点，其中
所述至少一个区域数据点的数量和所述至少一个可变数据点的数量的总和等于所述第二组数据点的数量。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，确定多个固定数据点包括接收来自用户的输入。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在部件的图案中确定多个区域边界；以及
在所述多个区域边界的每一个内定位所述第一组数据点中的至少一个。
7.根据权利要求4所述的方法，还包括：在部件的图案中确定多个区域边界以限定多个区域；以及
在所述多个区域的每一个内定位所述第一组数据点中的至少一个，其中
确定区域数据点包括对于所述多个区域的每一个选择所述多个区域的每一个内的第一组数据点中的至少一个。
8.根据权利要求4所述的方法，其中，确定至少一个可变数据点包括选择表征所述位置差的一个或多个数据点。
9.根据权利要求4所述的方法，其中，确定至少一个可变数据点包括覆盖误差测量的统计分析。
10.根据权利要求4所述的方法，其中，确定至少一个区域数据点包括覆盖误差测量的统计分析。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，将部件的图案从所述中间掩模转印至所述晶圆包括使用光刻工艺。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，将部件的图案从所述中间掩模转印至所述晶圆包括使用电子束图案化工艺。
13.一种中间掩模，包括：
遮光层，具有第一表面和第二表面；
开口图案，从所述第一表面延伸到所述第二表面；
至少一个域，其中，每个域都包括：
至少一个第一开口，定位在与对应的至少一个固定测量位置相关的对应域中；
至少一个第二开口，定位在与对应的至少一个区域测量位置相关的对应域中；和
至少一个第三开口，定位在与对应的至少一个可变测量位置相关的对应域中。
14.根据权利要求13所述的中间掩模，其中，所述至少一个域的每一个都分别包括至少一个区域。
15.根据权利要求14所述的中间掩模，其中，所述至少一个区域测量位置分别位于所述至少一个区域的每一个中。
16.根据权利要求13所述的中间掩模，其中，基于覆盖误差测量的统计分析来选择所述至少一个区域测量位置和所述至少一个可变测量位置。
17.一种反馈控制系统，包括：
中间掩模图案化装置，被配置成将图案从中间掩模转印至晶圆；
位置测量工具，被配置成测量所述晶圆上的图案的至少一个部件的位置，其中，至少一个位置表征所述中间掩模的一部分相对于所述晶圆的位置；以及
控制器，被配置成接收来自所述位置测量工具的位置数据并基于所述位置数据将至少一个控制信号传输至所述中间掩模图案化装置，
其中，所述中间掩模图案化装置被配置成接收控制信号并基于所述控制信号改变所述中间掩模的位置。
18.根据权利要求17所述的反馈控制系统，其中，所述中间掩模图案化装置是光刻装置。
19.根据权利要求17所述的反馈控制系统，其中，所述中间掩模图案化装置是电子束图案化装置。
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN101379435A (zh) * | 2004-06-03 | 2009-03-04 | 得克萨斯州大学系统董事会 | 用于改进显微蚀刻的对齐和覆盖的系统和方法 |
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Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN101379435A (zh) * | 2004-06-03 | 2009-03-04 | 得克萨斯州大学系统董事会 | 用于改进显微蚀刻的对齐和覆盖的系统和方法 |
| CN101452912A (zh) * | 2007-12-06 | 2009-06-10 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 在背面表面形成对准标记的装置与方法 |
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