JP2005308716A - 電磁気的物性値の測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1誘電体基板2の一方の面に第1リング導体1、他方の面に、第1リング導体1と同じ電磁気的物性値を有する第1グラウンド導体3が形成された第1リング共振器Aの共振周波数f1と無負荷Q値Q1を測定する第1の工程と、第1誘電体基板2と同じ電磁気的物性値を有する第2誘電体基板2の一方の面に、第1リング導体1と同じ電磁気的物性値を有し、異なる幅を有する第2リング導体1が形成され、第2誘電体基板2の他方の面に第1リング導体1と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体1が形成された第2リング共振器Bの共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、リング導体1及び/又は誘電体基板2の電磁気的物性値を算出する。
【選択図】図1
Description
Aly E. Fathy, et al., "An innovative semianalytical technique for ceramic evaluation at microwave frequencies," IEEE Trans. MTT., vol. 50, pp. 2247-2252, Oct. 2002. A. Nakayama, Y. Terashi, H. Uchimura and, A. Fukuura, "Conductivity measurement at the interface between the sintered conductor and dielectric substrate at microwave frequencies," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. MTT-50, No.7, pp. 1665-1674, July 2002.
前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有する第2誘電体基板の一方の面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有し、かつ前記第1共振導体の幅と異なる幅を有する第2共振導体が形成され、前記第2誘電体基板の他方の面に前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、
測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、前記共振導体及び/又は前記誘電体基板の電磁気的物性値を算出することを特徴とする。このような測定法に用いられる共振器としては、マイクロストリップライン共振器がある。
前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有する第2誘電体基板の一方の面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有し、かつ前記第1共振導体の幅と異なる幅を有する第2共振導体と、該第2共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、
測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、前記共振導体及び/又は前記誘電体基板の電磁気的物性値を算出することを特徴とする。このような測定法に用いられる共振器としては、コプレナー共振器がある。
前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有する第2誘電体基板の内部に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有し、かつ前記第1共振導体の幅と異なる幅を有する第2共振導体が形成され、前記第2誘電体基板の両面に、前記第2共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、
測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、前記共振導体及び/又は前記誘電体基板の電磁気的物性値を算出することを特徴とする。このような測定法に用いられる共振器としては、ストリップライン共振器がある。
2・・・誘電体基板
3・・・グラウンド導体
4・・・支持基板
5・・・遮蔽導体
A・・・第1リング共振器
B・・・第2リング共振器
Claims (19)
- 第1誘電体基板の一方の面に第1共振導体が形成され、前記第1誘電体基板の他方の面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第1グラウンド導体が形成された第1共振器の共振周波数f1と無負荷Q値Q1を測定する第1の工程と、
前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有する第2誘電体基板の一方の面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有し、かつ前記第1共振導体の幅と異なる幅を有する第2共振導体が形成され、前記第2誘電体基板の他方の面に前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、
測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、前記共振導体及び/又は前記誘電体基板の電磁気的物性値を算出することを特徴とする電磁気的物性値の測定方法。 - 第1誘電体基板の一方の面に第1共振導体と、該第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第1グラウンド導体が形成された第1共振器の共振周波数f1と無負荷Q値Q1を測定する第1の工程と、
前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有する第2誘電体基板の一方の面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有し、かつ前記第1共振導体の幅と異なる幅を有する第2共振導体と、該第2共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、
測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、前記共振導体及び/又は前記誘電体基板の電磁気的物性値を算出することを特徴とする電磁気的物性値の測定方法。 - 第1誘電体基板の内部に第1共振導体が形成され、前記第1誘電体基板の両面に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第1グラウンド導体が形成された第1共振器の共振周波数f1と無負荷Q値Q1を測定する第1の工程と、
前記第1誘電体基板と同じ電磁気的物性値を有する第2誘電体基板の内部に、前記第1共振導体と同じ電磁気的物性値を有し、かつ前記第1共振導体の幅と異なる幅を有する第2共振導体が形成され、前記第2誘電体基板の両面に、前記第2共振導体と同じ電磁気的物性値を有する第2グラウンド導体が形成された第2共振器の共振周波数f2と無負荷Q値Q2を測定する第2の工程と、
測定された共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、前記共振導体及び/又は前記誘電体基板の電磁気的物性値を算出することを特徴とする電磁気的物性値の測定方法。 - 共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2に基づき、共振導体の導電率、誘電体基板の比誘電率及び誘電正接のうち少なくとも一種の電磁気的物性値を算出することを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 共振導体の導電率は端面の導電率であることを特徴とする請求項4記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 共振周波数f1、f2の差が、共振周波数f1の10%以内であることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれかに記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 第1誘電体基板及び第2誘電体基板の厚みが同一であることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれかに記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 第1誘電体基板及び第2誘電体基板の厚みが0.3mm以下であることを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれかに記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 第1、第2誘電体基板がセラミックス又はガラスセラミックスからなり、該第1、第2誘電体基板と第1、第2共振導体が同時焼成されて一体化されていることを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれかに記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 支持基板及び共振器が同時焼成されて一体化されていることを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれかに記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 共振器は、ループアンテナ、マイクロストリップライン、ストリップライン、コプレナーライン及びNRDガイドのうちいずれかにより励振されることを特徴とする請求項1乃至10のうちいずれかに記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 共振周波数f1、f2及び無負荷Q値Q1、Q2の温度依存性を測定し、電磁気的物性値の温度依存性を得ることを特徴とする請求項1乃至11のうちいずれかに記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 共振器の共振周波数f1、f2が1GHz以上であることを特徴とする請求項1乃至12のうちいずれかに記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 第1、第2共振器はリング共振器であることを特徴とする請求項1乃至13のうちいずれかに記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 第1共振導体の直径D1と第2共振導体の直径D2の差が、前記第1共振導体の直径D1の10%以内であることを特徴とする請求項14記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 第1共振導体と第2共振導体の幅のうち、細い方の幅が0.5mm以下であることを特徴とする請求項14又は15記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 第1、第2共振器はストリップライン共振器であることを特徴とする請求項3記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 第1、第2共振器はコプレナー共振器であることを特徴とする請求項2記載の電磁気的物性値の測定方法。
- 第1、第2共振器はマイクロストリップライン共振器であることを特徴とする請求項1記載の電磁気的物性値の測定方法。
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