JP2005300889A - 光学多層膜及び光学素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板表面に形成する光学多層膜において、厚さの薄い基板に光学多層膜を形成する場合でも基板の反りや変形を防止すると共に、透過率の低下を抑制できるようにする。
【解決手段】 基板3の表面3aに形成される光学多層膜5であって、互いの膜屈折率が異なり、前記表面3aに交互に積層された低屈折率層7及び高屈折率層9を備え、前記低屈折率層7が酸化窒化硅素から構成された光学多層膜5を提供する。また、前記高屈折率層9が、酸化窒化硅素を除く酸化窒化物から構成された光学多層膜5を提供する。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板3の表面3aに形成される光学多層膜5であって、互いの膜屈折率が異なり、前記表面3aに交互に積層された低屈折率層7及び高屈折率層9を備え、前記低屈折率層7が酸化窒化硅素から構成された光学多層膜5を提供する。また、前記高屈折率層9が、酸化窒化硅素を除く酸化窒化物から構成された光学多層膜5を提供する。
【選択図】 図1
Description
この発明は、基板表面に形成する光学多層膜及びこれを備えた光学素子に関する。
デジタルカメラ、顕微鏡等の各種光学機器やレンズ、ミラー等の光学素子には、波長カットフィルター、ダイクロイックフィルター等の光学多層膜が使用されている。この光学多層膜は、ガラス基板等の基板の表面に薄膜状の高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層して構成されている(例えば、特許文献1参照。)。
これら高屈折率層及び低屈折率層は、その膜構造が安定して光学的再現性が高くなるように、また、光学特性の経時変化が発生しないように、イオンアシスト蒸着法、スパッタリング法により成膜される。
すなわち、これら2つの製法により成膜した場合には、高屈折率層及び低屈折率層の膜構造がアモルファス構造となる。また、これら2つの製法により形成した光学多層膜では、高屈折率層及び低屈折率層の膜密度が高く、膜中に水分が吸着し難くなるため、光学特性の経時変化が発生しない高屈折率層及び低屈折率層を形成することができる。なお、特許文献1に記載の高屈折率層や低屈折率層は、TiO2膜やMgF2膜から構成している。
近年、上記構成の光学多層膜を備える光学素子は小型化する傾向にあり、この小型化に伴って光学多層膜を形成する基板の薄型化が要求されている。
特開平8−254612号公報
これら高屈折率層及び低屈折率層は、その膜構造が安定して光学的再現性が高くなるように、また、光学特性の経時変化が発生しないように、イオンアシスト蒸着法、スパッタリング法により成膜される。
すなわち、これら2つの製法により成膜した場合には、高屈折率層及び低屈折率層の膜構造がアモルファス構造となる。また、これら2つの製法により形成した光学多層膜では、高屈折率層及び低屈折率層の膜密度が高く、膜中に水分が吸着し難くなるため、光学特性の経時変化が発生しない高屈折率層及び低屈折率層を形成することができる。なお、特許文献1に記載の高屈折率層や低屈折率層は、TiO2膜やMgF2膜から構成している。
近年、上記構成の光学多層膜を備える光学素子は小型化する傾向にあり、この小型化に伴って光学多層膜を形成する基板の薄型化が要求されている。
しかしながら、基板表面に形成した高屈折率層や低屈折率層においては、内部応力が発生するため、基板を薄く形成した場合には、この内部応力によって基板に反りや変形が生じるという問題がある。
特に、膜密度の高いアモルファス構造を有する光学多層膜においては、高屈折率層やMgF2膜を除く低屈折率層に大きな圧縮応力が発生する。例えば、低屈折率層を酸化硅素膜から形成した場合には、約300MPaの圧縮応力が発生する。このため、上述の圧縮応力によって基板の反りや変形も大きくなる。
すなわち、光学多層膜においては光軸のずれに問題が発生しないように、基板の反り量を20μm以下とすることが望ましいが、例えば、厚さ0.3mmの基板に約40層の光学多層膜を形成した場合には、基板に100μm程度の反りが発生してしまう。
特に、膜密度の高いアモルファス構造を有する光学多層膜においては、高屈折率層やMgF2膜を除く低屈折率層に大きな圧縮応力が発生する。例えば、低屈折率層を酸化硅素膜から形成した場合には、約300MPaの圧縮応力が発生する。このため、上述の圧縮応力によって基板の反りや変形も大きくなる。
すなわち、光学多層膜においては光軸のずれに問題が発生しないように、基板の反り量を20μm以下とすることが望ましいが、例えば、厚さ0.3mmの基板に約40層の光学多層膜を形成した場合には、基板に100μm程度の反りが発生してしまう。
一方、特許文献1に記載した光学多層膜では、圧縮応力を発生するTiO2膜を高屈折率層として形成し、引張応力を発生するMgF2膜を低屈折率層として形成している。このため、これらTiO2膜及びMgF2膜を交互に積層することにより、内部応力を相殺して内部歪みを低減し、クラックの発生を回避している。
しかしながら、MgF2膜をイオンアシスト蒸着法で成膜する場合には、イオンアシスト蒸着時に酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等のプラズマが発生するため、このプラズマエネルギーによってMgF2膜においてフッ素脱離が発生する。このフッ素脱離は、マグネシウムとフッ素との結合エネルギーが弱く、この原子間結合がプラズマエネルギーによって切断されることに起因する。そして、このフッ素脱離が生じると、紫外領域において光の散乱による吸収を生じ、それを用いた光学多層膜の透過率が極端に低下する。したがって、イオンアシスト蒸着法により形成されたMgF2膜は、紫外領域の透過光を対象とする光学多層膜や光学素子に使用できないという問題がある。
しかしながら、MgF2膜をイオンアシスト蒸着法で成膜する場合には、イオンアシスト蒸着時に酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等のプラズマが発生するため、このプラズマエネルギーによってMgF2膜においてフッ素脱離が発生する。このフッ素脱離は、マグネシウムとフッ素との結合エネルギーが弱く、この原子間結合がプラズマエネルギーによって切断されることに起因する。そして、このフッ素脱離が生じると、紫外領域において光の散乱による吸収を生じ、それを用いた光学多層膜の透過率が極端に低下する。したがって、イオンアシスト蒸着法により形成されたMgF2膜は、紫外領域の透過光を対象とする光学多層膜や光学素子に使用できないという問題がある。
また、TiO2膜は、波長400nm以下の光を吸収する光学特性を有しているため、400nm以下の波長領域の透過光を対象とする光学多層膜や光学素子に使用できないという問題がある。
また、上述したMgF2膜やTiO2膜を含む光学多層膜を光学素子に使用するガラスに設けた場合には、所望する光量を十分に得ることができないため、光学素子を利用する際には、光学素子の視認性が劣化するという問題がある。
なお、光学素子の基板として使用するBSL7等のガラスは、350nm以上の波長領域において、裏面反射を除くと光の透過率が95%以上である。このため、このガラスに光学多層膜を設けた光学素子の透過率も95%以上とすることが最も望ましく、一般に、著しい光量の低下を招かない透過率は85%以上とすることが望ましいといわれている。
また、上述したMgF2膜やTiO2膜を含む光学多層膜を光学素子に使用するガラスに設けた場合には、所望する光量を十分に得ることができないため、光学素子を利用する際には、光学素子の視認性が劣化するという問題がある。
なお、光学素子の基板として使用するBSL7等のガラスは、350nm以上の波長領域において、裏面反射を除くと光の透過率が95%以上である。このため、このガラスに光学多層膜を設けた光学素子の透過率も95%以上とすることが最も望ましく、一般に、著しい光量の低下を招かない透過率は85%以上とすることが望ましいといわれている。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたものであって、厚さの薄い基板に光学多層膜を形成する場合でも基板の反りや変形を防止すると共に、透過率の低下を抑制できる光学多層膜及びこれを備えた光学素子の提供を目的としている。
上記目的を達成するために、この発明は、以下の手段を提供する。
請求項1に係る発明は、基板の表面に形成される光学多層膜であって、互いの膜屈折率が異なり、前記表面に交互に積層された低屈折率層及び高屈折率層を備え、前記低屈折率層が酸化窒化硅素から構成されていることを特徴とする光学多層膜を提供する。
この発明に係る光学多層膜によれば、低屈折率層を構成する酸化窒化硅素は、硅素原子と酸素原子、硅素原子と窒素原子の原子間結合エネルギーが高いため、イオンアシスト蒸着法やスパッタリング法により低屈折率層を形成してもプラズマエネルギーにて構成元素の解離が発生しない。
また、酸化窒化硅素により低屈折率層を形成することにより、紫外領域の光も吸収しないため、紫外領域での透過率を確保することができる。
請求項1に係る発明は、基板の表面に形成される光学多層膜であって、互いの膜屈折率が異なり、前記表面に交互に積層された低屈折率層及び高屈折率層を備え、前記低屈折率層が酸化窒化硅素から構成されていることを特徴とする光学多層膜を提供する。
この発明に係る光学多層膜によれば、低屈折率層を構成する酸化窒化硅素は、硅素原子と酸素原子、硅素原子と窒素原子の原子間結合エネルギーが高いため、イオンアシスト蒸着法やスパッタリング法により低屈折率層を形成してもプラズマエネルギーにて構成元素の解離が発生しない。
また、酸化窒化硅素により低屈折率層を形成することにより、紫外領域の光も吸収しないため、紫外領域での透過率を確保することができる。
さらに、イオンアシスト蒸着法やスパッタリング法で形成した酸化窒化硅素の低屈折率層の内部応力は、圧縮応力であっても20MPa以下と極めて小さく、イオンアシスト蒸着法やスパッタリング法で形成した酸化硅素の低屈折率層の内部応力の1/10以下となる。したがって、基板の反りや変形を防止することができる。
なお、この内部応力低下の理由は、酸化硅素からなる低屈折率層では、硅素原子と酸素原子との強い原子間引力によってこれら原子同士で網目構造を作っているが、この構造に窒素原子が入り込んだ場合には、アモルファス構造が崩れ、各元素の原子間引力を弱めるためである。
なお、この内部応力低下の理由は、酸化硅素からなる低屈折率層では、硅素原子と酸素原子との強い原子間引力によってこれら原子同士で網目構造を作っているが、この構造に窒素原子が入り込んだ場合には、アモルファス構造が崩れ、各元素の原子間引力を弱めるためである。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の光学多層膜において、前記高屈折率層が、酸化窒化硅素を除く酸化窒化物から構成されていることを特徴とする光学多層膜を提供する。
この発明に係る光学多層膜によれば、酸化窒化物により構成された高屈折率層は波長400nm以下に光の吸収帯域を持たないため、紫外領域における光学多層膜の透過率低下を防止することができる。そして、高屈折率層の酸化窒化物において、窒素と酸素との比率を適宜変更することにより、圧縮圧力となる高屈折率層の内部応力を低減することができる。例えば、イオンアシスト蒸着法やスパッタリング法により高屈折率層を形成する場合には、窒素と酸素との比率を(0.5:9.5)〜(3:7)とすることにより、高屈折率層の内部応力を数十MPaに抑えて、この内部応力をほぼ無くすことができる。
したがって、圧縮応力が極めて小さい酸化窒化硅素からなる低屈折率層と、窒素と酸素との比率を調整して圧縮応力をほぼ無くした酸化窒化物からなる高屈折率層とを交互に積層することにより、基板の反りや変形を防止することができる。
この発明に係る光学多層膜によれば、酸化窒化物により構成された高屈折率層は波長400nm以下に光の吸収帯域を持たないため、紫外領域における光学多層膜の透過率低下を防止することができる。そして、高屈折率層の酸化窒化物において、窒素と酸素との比率を適宜変更することにより、圧縮圧力となる高屈折率層の内部応力を低減することができる。例えば、イオンアシスト蒸着法やスパッタリング法により高屈折率層を形成する場合には、窒素と酸素との比率を(0.5:9.5)〜(3:7)とすることにより、高屈折率層の内部応力を数十MPaに抑えて、この内部応力をほぼ無くすことができる。
したがって、圧縮応力が極めて小さい酸化窒化硅素からなる低屈折率層と、窒素と酸素との比率を調整して圧縮応力をほぼ無くした酸化窒化物からなる高屈折率層とを交互に積層することにより、基板の反りや変形を防止することができる。
請求項3に係る発明は、請求項1又は請求項2に記載の光学多層膜において、前記低屈折率層の膜屈折率が、1.45以上1.55未満の範囲であることを特徴とする光学多層膜を提供する。
なお、低屈折率層の膜屈折率は、低屈折率層を構成する酸化窒化硅素における窒素と酸素との比率を適宜変えることにより、変更することができる。したがって、低屈折率層の設計の自由度を向上させることができる。
ここで、低屈折率層の膜屈折率が1.50以上1.55未満の範囲にある場合には、紫外領域に含まれる波長350nmの光の透過率が約98%であり、膜屈折率が1.45以上1.50未満の範囲にある場合には、波長350nmの光の透過率が約99%であるため、ガラス基板の透過率よりも1%〜2%程度低下することになる。
なお、低屈折率層の膜屈折率は、低屈折率層を構成する酸化窒化硅素における窒素と酸素との比率を適宜変えることにより、変更することができる。したがって、低屈折率層の設計の自由度を向上させることができる。
ここで、低屈折率層の膜屈折率が1.50以上1.55未満の範囲にある場合には、紫外領域に含まれる波長350nmの光の透過率が約98%であり、膜屈折率が1.45以上1.50未満の範囲にある場合には、波長350nmの光の透過率が約99%であるため、ガラス基板の透過率よりも1%〜2%程度低下することになる。
しかし、例えば、20層の光学多層膜の場合、ガラス基板上に高屈折率層及び低屈折率層とが、各々所定の厚さで交互に10層ずつ積層されることになるが、1つの低屈折率層において透過率が1%低下しても、光学素子に用いられるガラス基板の裏面反射を除く透過率95%と比較して、約85%の透過率を確保できるため、光学多層膜としては実用可能である。
したがって、20層以上の光学多層膜とした場合、透過率85%以上を確保できるように、1つの低屈折率層における透過率の低下を1%以下に納めることが望ましい。すなわち、低屈折率層の膜屈折率の範囲を1.45以上1.55未満とすることにより、光学多層膜として実用可能な透過率を確保することができる。
したがって、20層以上の光学多層膜とした場合、透過率85%以上を確保できるように、1つの低屈折率層における透過率の低下を1%以下に納めることが望ましい。すなわち、低屈折率層の膜屈折率の範囲を1.45以上1.55未満とすることにより、光学多層膜として実用可能な透過率を確保することができる。
請求項4に係る発明は、請求項2又は請求項3に記載の光学多層膜において、前記高屈折率層の膜屈折率が、2.00以上2.45未満の範囲であることを特徴とする光学多層膜を提供する。
なお、高屈折率層の膜屈折率は、高屈折率層を構成する酸化窒化物における窒素と酸素との比率を適宜変えることにより、変更することができる。
ここで、高屈折率層の膜屈折率を2.1以上とした場合には、低屈折率層との膜屈折率の差を大きくできるため、多層膜の積層数を減らすことができ、高屈折率層の設計の自由度を向上させることができる。
なお、高屈折率層の膜屈折率は、高屈折率層を構成する酸化窒化物における窒素と酸素との比率を適宜変えることにより、変更することができる。
ここで、高屈折率層の膜屈折率を2.1以上とした場合には、低屈折率層との膜屈折率の差を大きくできるため、多層膜の積層数を減らすことができ、高屈折率層の設計の自由度を向上させることができる。
また、高屈折率層の膜屈折率を2.45よりも大きくした場合には、前記酸化窒化物における窒素の含有比率が50%よりも大きく、酸素の含有比率よりも大きくなるため、高屈折率層における波長350nmの光の透過率が1%以上低下する。これに対し、高屈折率層の膜屈折率を2.45未満とした場合には、前記酸化窒化物における窒素の含有比率が50%以下と、酸素の含有比率と等しい若しくは小さいため、高屈折率層における波長350nmの光の透過率の低下が1%以内に収まる。したがって、高屈折率層の膜屈折率は2.45未満とすることが好ましい。
例えば、20層以上の光学多層膜の場合、光学多層膜の透過率を85%以上に確保できるように、1つの高屈折率層の透過率の低下は1%以下とすることが望ましい。すなわち、高屈折率層の膜屈折率を2.00以上2.45未満の範囲とすることにより、光学多層膜として実用可能な透過率を確保することができる。
例えば、20層以上の光学多層膜の場合、光学多層膜の透過率を85%以上に確保できるように、1つの高屈折率層の透過率の低下は1%以下とすることが望ましい。すなわち、高屈折率層の膜屈折率を2.00以上2.45未満の範囲とすることにより、光学多層膜として実用可能な透過率を確保することができる。
請求項5に係る発明は、請求項1に記載の光学多層膜において、前記高屈折率層が、酸化窒化タンタル、酸化タンタル、酸化窒化ニオブ、酸化ニオブ、酸化窒化ジルコニウム、酸化ジルコニウムの少なくとも1種類の化合物から構成されていることを特徴とする光学多層膜を提供する。
この発明に係る光学多層膜によれば、内部応力の小さい高屈折率層を構成することができる。また、酸化窒化タンタル、酸化タンタル、酸化窒化ニオブ、酸化ニオブにより高屈折率層を構成する場合には、高屈折率層をイオンアシスト蒸着法やスパッタリング法により、アモルファス構造を容易に形成することができ、かつ、紫外領域における透過率の低下を防止できる。
この発明に係る光学多層膜によれば、内部応力の小さい高屈折率層を構成することができる。また、酸化窒化タンタル、酸化タンタル、酸化窒化ニオブ、酸化ニオブにより高屈折率層を構成する場合には、高屈折率層をイオンアシスト蒸着法やスパッタリング法により、アモルファス構造を容易に形成することができ、かつ、紫外領域における透過率の低下を防止できる。
請求項6に係る発明は、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光学多層膜と、該光学多層膜を表面に形成する基板とを備えることを特徴とする光学素子を提供する。
この発明に係る光学多層膜によれば、厚さ0.5mm以下の極めて薄い基板に40層以上の光学多層膜を設けても、基板の反りや変形を防止することができる。また、基板を薄く形成できるため、光学素子の薄型化や小型化を図ることができる。
この発明に係る光学多層膜によれば、厚さ0.5mm以下の極めて薄い基板に40層以上の光学多層膜を設けても、基板の反りや変形を防止することができる。また、基板を薄く形成できるため、光学素子の薄型化や小型化を図ることができる。
本発明の光学多層膜及び光学素子によれば、低屈折率層を酸化窒化硅素から構成したり、高屈折率層を酸化窒化物や、酸化窒化タンタル、酸化タンタル、酸化窒化ニオブ、酸化ニオブ、酸化窒化ジルコニウム、酸化ジルコニウムから構成することにより、低屈折率層や高屈折率層の内部応力を小さくして、基板の反りや変形を防止することができる。
また、上記構成の光学多層膜はイオンアシスト蒸着法やスパッタリング法により形成することができるため、長期使用時の光学特性の経時変化を防止し、耐環境性を向上できる光学多層膜及び光学素子を提供できる。
また、上記構成の光学多層膜はイオンアシスト蒸着法やスパッタリング法により形成することができるため、長期使用時の光学特性の経時変化を防止し、耐環境性を向上できる光学多層膜及び光学素子を提供できる。
さらに、低屈折率層や高屈折率層を酸化窒化硅素や酸化窒化物から構成したり、これら酸化窒化硅素や酸化窒化物における窒素と酸素との比率を調整することにより、紫外領域における透過率を確保し、光学多層膜の透過率特性の低下を防止することができる。
また、本発明の光学素子によれば、厚さの薄い基板に光学多層膜を設けても基板の反りや変形を防止することができるため、光学素子の薄型化や小型化を図ることができる。
また、本発明の光学素子によれば、厚さの薄い基板に光学多層膜を設けても基板の反りや変形を防止することができるため、光学素子の薄型化や小型化を図ることができる。
以下、本発明による第1の実施形態について図1〜3を参照して詳細に説明する。
図1に示すように、この実施の形態に係る光学素子1は、ガラス平板からなる基板3と、基板3の表面3aに形成された光学多層膜5とを備えている。基板3は、平面視略矩形の板状に形成されており、その寸法は、一辺30mm、厚さ0.2mmである。
光学多層膜5は、基板3の表面3aに低屈折率層7と高屈折率層9とを交互に20層ずつ、合計40層積層して構成したものである。ここで、低屈折率層7は酸化窒化硅素(SiNxOy、x:y=2:8)から構成され、高屈折率層9は低屈折率層7よりも膜屈折率が大きい酸化タンタル(Ta2O5)から構成されている。この光学多層膜5は、スパッタリング法により形成されるものであり、その設計値は以下の通りである。
{11H、25L、(110H、170L)8、15H、190L、110H、(130L、83H)8、143L、83H、68L}
ここで、例えば、設計値「11H」は、酸化タンタルを基板3の表面に11nmの膜厚(物理膜厚)で成膜して高屈折率層9を形成することを示し、設計値「25L」は、酸化窒化硅素を設計値「11H」の高屈折率層9の表面に25nmの膜厚(物理膜厚)で成膜して低屈折率層7を形成することを示している。また、例えば、設計値「(110H、170L)8」は、酸化タンタルを110nmで成膜した高屈折率層9と、酸化窒素硅素を170nmで成膜した低屈折率層7とを重ね合わせたものを8回繰り返して形成することを示している。
図1に示すように、この実施の形態に係る光学素子1は、ガラス平板からなる基板3と、基板3の表面3aに形成された光学多層膜5とを備えている。基板3は、平面視略矩形の板状に形成されており、その寸法は、一辺30mm、厚さ0.2mmである。
光学多層膜5は、基板3の表面3aに低屈折率層7と高屈折率層9とを交互に20層ずつ、合計40層積層して構成したものである。ここで、低屈折率層7は酸化窒化硅素(SiNxOy、x:y=2:8)から構成され、高屈折率層9は低屈折率層7よりも膜屈折率が大きい酸化タンタル(Ta2O5)から構成されている。この光学多層膜5は、スパッタリング法により形成されるものであり、その設計値は以下の通りである。
{11H、25L、(110H、170L)8、15H、190L、110H、(130L、83H)8、143L、83H、68L}
ここで、例えば、設計値「11H」は、酸化タンタルを基板3の表面に11nmの膜厚(物理膜厚)で成膜して高屈折率層9を形成することを示し、設計値「25L」は、酸化窒化硅素を設計値「11H」の高屈折率層9の表面に25nmの膜厚(物理膜厚)で成膜して低屈折率層7を形成することを示している。また、例えば、設計値「(110H、170L)8」は、酸化タンタルを110nmで成膜した高屈折率層9と、酸化窒素硅素を170nmで成膜した低屈折率層7とを重ね合わせたものを8回繰り返して形成することを示している。
次に、上述した光学素子1を製造する成膜装置について説明する。
図2に示すように、成膜装置10は、スパッタリング法によって基板3上に低屈折率層7や高屈折率層9を形成するものであり、真空槽11と、真空槽11内の下方側に配設された複数のスパッタリングターゲット13a,13bを備えている。これらスパッタリングターゲット13a,13bは、真空槽11の上下方向に延びる基準軸線L1を中心とした同一円周上に配され、低屈折率層7や高屈折率層9に応じた2種類の材料から構成されている。
すなわち、第1のスパッタリングターゲット13aは、酸化窒化硅素からなる低屈折率層7を形成するためにSiターゲットから構成されている。また、第2のスパッタリングターゲット13bは、酸化タンタルからなる高屈折率層9を形成するためにTaターゲットから構成されている。
図2に示すように、成膜装置10は、スパッタリング法によって基板3上に低屈折率層7や高屈折率層9を形成するものであり、真空槽11と、真空槽11内の下方側に配設された複数のスパッタリングターゲット13a,13bを備えている。これらスパッタリングターゲット13a,13bは、真空槽11の上下方向に延びる基準軸線L1を中心とした同一円周上に配され、低屈折率層7や高屈折率層9に応じた2種類の材料から構成されている。
すなわち、第1のスパッタリングターゲット13aは、酸化窒化硅素からなる低屈折率層7を形成するためにSiターゲットから構成されている。また、第2のスパッタリングターゲット13bは、酸化タンタルからなる高屈折率層9を形成するためにTaターゲットから構成されている。
これらスパッタリングターゲット13a,13bは、その直下に配されたバッキングプレート15a,15bに各々取り付けられている。具体的には、スパッタリングターゲット13a,13bは、無酸素銅からなるバッキングプレート15a,15bに低融点金属であるインジウム(In)を用いてボンディングされている。
バッキングプレート15a,15bは、真空槽11の下部に設けられたカソード電極17a,17bの上面にそれぞれ取り付けられている。各カソード電極17a,17bは、真空槽11の外部に配されたマッチングボックス19を介して13.56MHzの高周波電源21に接続されている。なお、マッチングボックス19は、高周波電源のエネルギーを有効に活用するために、カソード電極17a,17bのリアクタンス成分をキャンセルし、インピーダンスを補正するものである。
バッキングプレート15a,15bは、真空槽11の下部に設けられたカソード電極17a,17bの上面にそれぞれ取り付けられている。各カソード電極17a,17bは、真空槽11の外部に配されたマッチングボックス19を介して13.56MHzの高周波電源21に接続されている。なお、マッチングボックス19は、高周波電源のエネルギーを有効に活用するために、カソード電極17a,17bのリアクタンス成分をキャンセルし、インピーダンスを補正するものである。
真空槽11の上方側には、基板3がスパッタリングターゲット13a,13bに対向するように、複数の基板3を取り付ける略円板状の基板ホルダー23が設けられている。
真空槽11の上壁部には、基準軸線L1を中心として回転可能な支持軸25が設けられており、前述の基板ホルダー23は、この支持軸25に固定されている。そして、この支持軸25は、真空槽11の上部に配された駆動モータ27に接続されている。したがって、この駆動モータ27は、その駆動力により基準軸線L1を中心として支持軸25及び基板ホルダー23を回転させることができる。
なお、基板ホルダー23には、その厚さ方向に貫通する複数の孔(図示せず)が基準軸線L1を中心とする同一円周上に形成されており、複数の基板3がこれら孔を介して基板ホルダー23に保持されている。
真空槽11の上壁部には、基準軸線L1を中心として回転可能な支持軸25が設けられており、前述の基板ホルダー23は、この支持軸25に固定されている。そして、この支持軸25は、真空槽11の上部に配された駆動モータ27に接続されている。したがって、この駆動モータ27は、その駆動力により基準軸線L1を中心として支持軸25及び基板ホルダー23を回転させることができる。
なお、基板ホルダー23には、その厚さ方向に貫通する複数の孔(図示せず)が基準軸線L1を中心とする同一円周上に形成されており、複数の基板3がこれら孔を介して基板ホルダー23に保持されている。
基板3と各スパッタリングターゲット13a,13bとの間には、スパッタリングによってスパッタリングターゲット13a,13bから放出されたターゲット材料が基板3に到達することを阻止するシャッター29a,29bが配設されている。
これらシャッター29a,29bは、真空槽11の下壁部に固定されたシャッター支持棒31a,31bにそれぞれ揺動可能に取り付けられており、スパッタリングターゲット13a,13bの直上を覆う第1のシャッター位置と、スパッタリングターゲット13a,13bを基板ホルダー23に臨ませる第2のシャッター位置との間で移動できるようになっている。
したがって、シャッター29a,29bが第2のシャッター位置に配されている状態では、スパッタリングにより基板3上に低屈折率層7や高屈折率層9の成膜が行われ、シャッター29a,29bが第1のシャッター位置に配されている状態では、前述の成膜が行われないことになる。すなわち、低屈折率層7や高屈折率層9を所望の膜厚で形成するためには、シャッター29a,29bを第2のシャッター位置に配する時間を制御すればよい。
これらシャッター29a,29bは、真空槽11の下壁部に固定されたシャッター支持棒31a,31bにそれぞれ揺動可能に取り付けられており、スパッタリングターゲット13a,13bの直上を覆う第1のシャッター位置と、スパッタリングターゲット13a,13bを基板ホルダー23に臨ませる第2のシャッター位置との間で移動できるようになっている。
したがって、シャッター29a,29bが第2のシャッター位置に配されている状態では、スパッタリングにより基板3上に低屈折率層7や高屈折率層9の成膜が行われ、シャッター29a,29bが第1のシャッター位置に配されている状態では、前述の成膜が行われないことになる。すなわち、低屈折率層7や高屈折率層9を所望の膜厚で形成するためには、シャッター29a,29bを第2のシャッター位置に配する時間を制御すればよい。
真空槽11の側壁部には、外方から真空槽11内部にO2ガス、N2ガスやArガスを供給するためのガス導入口33が設けられている。なお、これら各ガスの供給量は、図示しない流量計により確認して適宜調整できるようになっている。そして、各ガスの供給量を調整することにより、スパッタリングターゲット13a,13bから基板3上に供給されるターゲット材料の膜応力や膜屈折率を調整することができる。
この成膜装置10を用いて前述の光学多層膜5の第1層として、基板3の表面3aに設計値「11H」の高屈折率層9を形成する際には、はじめに、基板ホルダー23に基板3を取り付け、真空槽11内を1.0×10−4Paまで減圧する。次いで、導入量が2SCCMのO2ガス、及び導入量が20SCCMのArガスを各々ガス導入口33から導入し、真空槽11内の圧力を5.0×10−1Paとする。
ここで、O2ガス及びArガスの各導入量は、高屈折率層9の膜屈折率が高くなるように決定している。すなわち、表1に示すように、予め2つの条件のO2ガス及びArガスの導入量について、各条件により形成した高屈折率層9の内部応力、透過率及び膜屈折率との関係を求めておく。
ここで、O2ガス及びArガスの各導入量は、高屈折率層9の膜屈折率が高くなるように決定している。すなわち、表1に示すように、予め2つの条件のO2ガス及びArガスの導入量について、各条件により形成した高屈折率層9の内部応力、透過率及び膜屈折率との関係を求めておく。
なお、各条件の酸化タンタルの膜厚は180nmである。また、表1における内部応力は片持ち梁(cantilever)法により測定されたものであり、同じく透過率は分光測定機を用いて測定されたものである。また、表1における膜屈折率は前述の透過率を基に算出したものである。
この表1の結果によれば、条件1の膜屈折率は、条件2の膜屈折率2.16よりも大きい2.21となっているため、前述のように、O2ガスの導入量を2SCCM、Arガスの導入量を20SCCMに決定している。なお、条件2は、本実施形態の高屈折率層9に採用していないが、その内部応力は、条件1の内部応力80MPaよりも小さい75MPaとなっているため、基板3の変形防止には有効である。
この表1の結果によれば、条件1の膜屈折率は、条件2の膜屈折率2.16よりも大きい2.21となっているため、前述のように、O2ガスの導入量を2SCCM、Arガスの導入量を20SCCMに決定している。なお、条件2は、本実施形態の高屈折率層9に採用していないが、その内部応力は、条件1の内部応力80MPaよりも小さい75MPaとなっているため、基板3の変形防止には有効である。
上述のように、所定量のO2ガス及びArガスを導入した後には、シャッター29a,29bを第1のシャッター位置に配した状態で高周波電源21からカソード電極17a,17bに400Wの電力を供給し、スパッタリングターゲット13a,13bから放出されるターゲット材料を基板3に到達させないプレスパッタを開始する。このプレスパッタは、スパッタリングターゲット13a,13bの表面に発生するプラズマが安定し、かつ、スパッタリングターゲット13a,13bの表面温度が所定温度で安定するまで行われる。
そして、このプレスパッタの終了後には、基板ホルダー23を所定速度で回転させた状態でシャッター29bを第2のシャッター位置に配し、Taターゲットである第2のスパッタリングターゲット13bから放出されるターゲット材料を基板3に到達させる。なお、この際、カソード電極17a,17bに供給する電力は前述と同様の400Wとしている。最後に、所定のスパッタリング時間の経過後にシャッター29bを閉じることにより、基板3の表面に酸化タンタルからなる膜厚11nmの高屈折率層9が形成されることになる。
そして、このプレスパッタの終了後には、基板ホルダー23を所定速度で回転させた状態でシャッター29bを第2のシャッター位置に配し、Taターゲットである第2のスパッタリングターゲット13bから放出されるターゲット材料を基板3に到達させる。なお、この際、カソード電極17a,17bに供給する電力は前述と同様の400Wとしている。最後に、所定のスパッタリング時間の経過後にシャッター29bを閉じることにより、基板3の表面に酸化タンタルからなる膜厚11nmの高屈折率層9が形成されることになる。
この第1層の高屈折率層9の成膜後には、光学多層膜5の第2層として、第1層の表面に設計値「28L」の低屈折率層7を形成する。この形成の際には、真空槽11内を1.0×10−4Paまで減圧し、次いで、導入量が1SCCMのO2ガス、導入量が0.5SCCMのN2ガス、及び導入量が20SCCMのArガスを各々ガス導入口33から導入し、真空槽内の圧力を5.0×10−1Paとする。
ここで、O2ガス、N2ガス及びArガスの各導入量は、低屈折率層7の膜透過率が高くなるよう、かつ、内部応力が小さくなるように決定している。すなわち、表2に示すように、予め4つの条件のO2ガス、N2ガス及びArガスの導入量について、各条件により形成した低屈折率層7の内部応力、透過率及び膜屈折率との関係を求めておく。
ここで、O2ガス、N2ガス及びArガスの各導入量は、低屈折率層7の膜透過率が高くなるよう、かつ、内部応力が小さくなるように決定している。すなわち、表2に示すように、予め4つの条件のO2ガス、N2ガス及びArガスの導入量について、各条件により形成した低屈折率層7の内部応力、透過率及び膜屈折率との関係を求めておく。
なお、各条件の膜厚は190nmである。また、表2における内部応力、透過率及び膜屈折率は、前述の表1と同様に測定若しくは算出したものである。また、低屈折率層7を構成するSiNxOyにおける窒素と酸素との比率(x:y)は、XPS分析(X線光電子分光分析法)により算出したものである。
この表2の結果によれば、条件3においては、内部応力が20MPaと条件5の内部応力よりも極めて小さい。すなわち、条件5は、内部応力が300MPaと条件3の10倍以上になるため、多層膜にした場合に基板3の変形を招く。なお、この内部応力の違いは、酸化硅素からなる低屈折率層7では、硅素原子と酸素原子との強い原子間引力によってこれら原子同士で網目構造を作っているのに対し、この構造に窒素原子が入り込んだ酸化窒化硅素からなる低屈折率層7では、前記網目構造が崩れ、各元素の原子間引力を弱めるためである。
この表2の結果によれば、条件3においては、内部応力が20MPaと条件5の内部応力よりも極めて小さい。すなわち、条件5は、内部応力が300MPaと条件3の10倍以上になるため、多層膜にした場合に基板3の変形を招く。なお、この内部応力の違いは、酸化硅素からなる低屈折率層7では、硅素原子と酸素原子との強い原子間引力によってこれら原子同士で網目構造を作っているのに対し、この構造に窒素原子が入り込んだ酸化窒化硅素からなる低屈折率層7では、前記網目構造が崩れ、各元素の原子間引力を弱めるためである。
また、表2の結果によれば、条件3においては、波長350nmの光の透過率が99.7%以上と条件4,6の透過率よりも高い。すなわち、条件4は、透過率が光学素子に用いるガラスの裏面反射を除く透過率と比較して1%以上低下しているため、40層もの多層膜にした場合に、性能の劣化を招く。
以上のことから、前述のように、O2ガスの導入量を1SCCM、N2ガスの導入量を0.5SCCM、Arガスの導入量を20SCCMに決定している。
なお、本実施形態における低屈折率層7を構成する酸化窒化硅素(SiNxOy)に含まれる窒素と酸素との比率x:yが2:8となるのは、このガス導入条件に基づくものである。
以上のことから、前述のように、O2ガスの導入量を1SCCM、N2ガスの導入量を0.5SCCM、Arガスの導入量を20SCCMに決定している。
なお、本実施形態における低屈折率層7を構成する酸化窒化硅素(SiNxOy)に含まれる窒素と酸素との比率x:yが2:8となるのは、このガス導入条件に基づくものである。
上述のように、所定量のO2ガス、N2ガス及びArガスを導入した後には、スパッタリングターゲット13a,13bの表面に発生するプラズマが安定し、かつ、スパッタリングターゲット13a,13bの表面温度が所定温度で安定するまで、前述と同様のプレスパッタを行う。
そして、このプレスパッタの終了後には、基板ホルダー23を所定速度で回転させた状態でシャッター29aを第2のシャッター位置に配し、Siターゲットである第1のスパッタリングターゲット13aから放出されるターゲット材料を基板3に到達させる。なお、プレスパッタ及びの低屈折率層7の成膜の際には、カソード電極17a,17bに供給する電力を共に400Wとしている。最後に、所定のスパッタリング時間の経過後にシャッター29aを閉じることにより、第1層の表面に酸化窒化硅素からなる膜厚28nmの低屈折率層7が形成されることになる。
そして、このプレスパッタの終了後には、基板ホルダー23を所定速度で回転させた状態でシャッター29aを第2のシャッター位置に配し、Siターゲットである第1のスパッタリングターゲット13aから放出されるターゲット材料を基板3に到達させる。なお、プレスパッタ及びの低屈折率層7の成膜の際には、カソード電極17a,17bに供給する電力を共に400Wとしている。最後に、所定のスパッタリング時間の経過後にシャッター29aを閉じることにより、第1層の表面に酸化窒化硅素からなる膜厚28nmの低屈折率層7が形成されることになる。
なお、低屈折率層7を構成する酸化窒化硅素は、硅素原子と酸素原子、硅素原子と窒素原子の原子間結合エネルギーが高いため、スパッタリング法により低屈折率層を形成してもプラズマエネルギーにて構成元素の解離が発生しない。
これら第1層及び第2層の形成後には、順次同様なプロセスにより、各設計値の膜厚通りに高屈折率層9及び低屈折率層7を交互に積層し、合計40層の光学多層膜5を形成する。
これら第1層及び第2層の形成後には、順次同様なプロセスにより、各設計値の膜厚通りに高屈折率層9及び低屈折率層7を交互に積層し、合計40層の光学多層膜5を形成する。
また、表3に示すように、上記構成の光学多層膜5(実施例1)の比較例として、低屈折率層7を酸化硅素(SiO2)から構成した比較例1、及び、高屈折率層9を酸化チタン(TiO2)から構成すると共に低屈折率層7をフッ化マグネシウム(MgF2)から構成した比較例2も作成した。なお、比較例1の高屈折率層9は膜厚を除いて実施例1の光学多層膜5と同様の酸化タンタル(Ta2O5)から構成されている。また、比較例1,2の光学多層膜5は、実施例1の光学多層膜5と同様に、基板3の表面に合計40層積層して構成したものである。
比較例1の光学多層膜5の設計値を以下に示す。
{11H、28L、(110H、175L)8、15H、197L、110H、(136L、83H)8、148L、83H、72L}
この比較例1の光学多層膜5は、前述の成膜装置10を用いてスパッタリング法により形成される。また、この比較例1の光学多層膜5は、前述と同様のガラス平板からなる基板3の表面3aに形成される。
この比較例1の高屈折率層9は、実施例1の光学多層膜5と同様の構成であるため、例えば、基板3の表面3aに形成される第1層は、実施例1の光学多層膜5の高屈折率層9と同様にして形成され、その膜厚は11nmとなる。
この比較例1の第1層の成膜後には、第2層として、第1層の表面に設計値「28L」の低屈折率層7を形成する。この形成の際には、真空槽11内を1.0×10−4Paまで減圧し、次いで、導入量が2SCCMのO2ガス、及び導入量が20SCCMのArガスを各々ガス導入口33から導入し、真空槽11内の圧力を5.0×10−1Paとする。すなわち、これらO2ガス及びArガスの導入量は、表2中の条件3となっている。最後に、実施例1の光学多層膜5と同様なプレスパッタプロセス及びスパッタプロセスを行うことにより、第1層の表面に酸化硅素からなる膜厚28nmの低屈折率層7が形成されることになる。
これら第1層及び第2層の形成後には、順次同様なプロセスにより、各設計値の膜厚通りに高屈折率層9及び低屈折率層7を交互に積層し、合計40層からなる比較例1の光学多層膜5を形成する。
{11H、28L、(110H、175L)8、15H、197L、110H、(136L、83H)8、148L、83H、72L}
この比較例1の光学多層膜5は、前述の成膜装置10を用いてスパッタリング法により形成される。また、この比較例1の光学多層膜5は、前述と同様のガラス平板からなる基板3の表面3aに形成される。
この比較例1の高屈折率層9は、実施例1の光学多層膜5と同様の構成であるため、例えば、基板3の表面3aに形成される第1層は、実施例1の光学多層膜5の高屈折率層9と同様にして形成され、その膜厚は11nmとなる。
この比較例1の第1層の成膜後には、第2層として、第1層の表面に設計値「28L」の低屈折率層7を形成する。この形成の際には、真空槽11内を1.0×10−4Paまで減圧し、次いで、導入量が2SCCMのO2ガス、及び導入量が20SCCMのArガスを各々ガス導入口33から導入し、真空槽11内の圧力を5.0×10−1Paとする。すなわち、これらO2ガス及びArガスの導入量は、表2中の条件3となっている。最後に、実施例1の光学多層膜5と同様なプレスパッタプロセス及びスパッタプロセスを行うことにより、第1層の表面に酸化硅素からなる膜厚28nmの低屈折率層7が形成されることになる。
これら第1層及び第2層の形成後には、順次同様なプロセスにより、各設計値の膜厚通りに高屈折率層9及び低屈折率層7を交互に積層し、合計40層からなる比較例1の光学多層膜5を形成する。
比較例2の光学多層膜5の設計値を以下に示す。
{13H、25L、(105H、178L)8、15H、195L、102H、(138L、83H)8、140L、90H、60L}
この比較例2の光学多層膜5は、真空蒸着法により形成される。なお、真空蒸着法とは、低屈折率層7や高屈折率層9を形成するための蒸着材料を電子ビームや抵抗加熱により加熱し(蒸発プロセス)、気化した蒸発粒子が基板3上で凝縮することにより低屈折率層7や高屈折率層9を形成するものである。
{13H、25L、(105H、178L)8、15H、195L、102H、(138L、83H)8、140L、90H、60L}
この比較例2の光学多層膜5は、真空蒸着法により形成される。なお、真空蒸着法とは、低屈折率層7や高屈折率層9を形成するための蒸着材料を電子ビームや抵抗加熱により加熱し(蒸発プロセス)、気化した蒸発粒子が基板3上で凝縮することにより低屈折率層7や高屈折率層9を形成するものである。
実施例1及び比較例1,2における耐性試験前後の透過率及び反り量の比較結果を表4に示す。ここで、耐性試験は、40層の光学多層膜5を形成した基板を温度70℃、湿度80%の高温多湿下に300時間放置した場合における前後の膜の特性変化を比較する試験である。また、実施例1及び比較例2の分光透過率を図3に示す。
上述した耐性試験前後の透過率は、分光測定機を用いて測定したものである。また、基板の反り量は、表面形状測定機を用いて基板3の対角線上を長さ30mmに渡って測定した表面形状から算出したものである。
上述した耐性試験前後の透過率は、分光測定機を用いて測定したものである。また、基板の反り量は、表面形状測定機を用いて基板3の対角線上を長さ30mmに渡って測定した表面形状から算出したものである。
図3及び表4に示すように、実施例1の透過率は、380nmの紫外領域における透過率が96.8%と高く、十分な明るさを確保できている。一方、比較例2では、380nm以下の紫外領域おける透過率が76.7%となっており、実施例1の透過率よりも約20%低下している、すなわち、著しい明るさの低下を引き起こしている。
また、実施例1及び比較例1の耐性試験前後における透過率を比較すると、380nmにおける透過率は同等となっているが、低屈折率層7における窒素と酸素との比率を2:8とすることで、比較例1の基板3の裏面反射を除いて同等の透過率96.4%を得ることができ、十分な光量を得ることができる。
また、実施例1及び比較例1の耐性試験前後における透過率を比較すると、380nmにおける透過率は同等となっているが、低屈折率層7における窒素と酸素との比率を2:8とすることで、比較例1の基板3の裏面反射を除いて同等の透過率96.4%を得ることができ、十分な光量を得ることができる。
比較例2では、真空蒸着法により低屈折率層7や高屈折率層9を形成しているため、紫外領域における透過光に対する適用が難しく、さらに、耐性試験の前後で透過率が約5%低下しているため耐環境性に劣る。これは、低屈折率層7や高屈折率層9の膜構造が、粒界間に隙間が形成された毛細管構造を有する柱状構造となっている事に起因する。すなわち、毛細管構造は分子間結合力が大きく、膜中に水分を容易に吸着する性質を持っているが、低屈折率層7や高屈折率層9内に大気の水分が吸着すると、低屈折率層7や高屈折率層9の膜屈折率が変化するため、光学素子の光学特性が変化するためである。
一方、実施例1の透過率には変化が少なく、また、膜構造がアモルファス構造であるため、耐環境性が確保されている。
一方、実施例1の透過率には変化が少なく、また、膜構造がアモルファス構造であるため、耐環境性が確保されている。
基板3の反り量については、実施例1の方が比較例1,2よりも小さい。これは、内部応力が小さいSiNxOy(x:y=2:8)からなる低屈折率層7と、圧縮応力を有するTa2O5からなる高屈折率層9とを交互に積層することで、光学多層膜5の内部応力が減少したためであり、基板3の反りが減少し、11μmとほぼ変形しないことになる。この結果、実施例1には、光軸のずれ等の問題が生じない。
なお、実施例1は、光学多層膜5全体での内部応力も22MPaともっとも小さくなっているため、好ましい。
なお、実施例1は、光学多層膜5全体での内部応力も22MPaともっとも小さくなっているため、好ましい。
上記のように、本実施形態の光学多層膜5及び光学素子1によれば、低屈折率層7を構成する酸化窒化珪素における酸素及び窒素の比率を調整することにより、光学素子1に用いられる一般的なガラスの裏面反射を除く透過率と同等な透過率である95%以上を確保できると共に、光学多層膜5の透過率特性の低下を防止できる。
また、スパッタリング法にて光学多層膜5を形成する際に、低屈折率層7を酸化窒化珪素から構成したり、高屈折率層9を酸化タンタルから構成したりして、高屈折率層9において発生する圧縮応力を低減することにより、基板3の反りを30μm以下とすることができる、すなわち、基板3の反りや変形を防止することができる。
さらに、本実施形態の光学素子1によれば、厚さの薄い基板3に光学多層膜5を設けても基板3の反りや変形を防止することができるため、光学素子1の薄型化や小型化を図ることができる。
また、スパッタリング法にて光学多層膜5を形成する際に、低屈折率層7を酸化窒化珪素から構成したり、高屈折率層9を酸化タンタルから構成したりして、高屈折率層9において発生する圧縮応力を低減することにより、基板3の反りを30μm以下とすることができる、すなわち、基板3の反りや変形を防止することができる。
さらに、本実施形態の光学素子1によれば、厚さの薄い基板3に光学多層膜5を設けても基板3の反りや変形を防止することができるため、光学素子1の薄型化や小型化を図ることができる。
なお、第1の実施形態においては、低屈折率層7を構成するSiNxOyにおける窒素と酸素との比率(x:y)は3:7としたが、これに限ることはなく、低屈折率層7が少なくとも酸化窒化硅素から構成されていればよい。この構成の場合でも、低屈折率層7の内部応力を極めて小さくすることができる。
すなわち、酸化硅素から低屈折率層7を構成する場合には、硅素原子と酸素原子との強い原子間引力によってこれら原子同士で網目構造を作っているが、この構造に窒素原子を入れ込むことにより、前記網目構造を崩して、各元素の原子間引力を弱めることができる。したがって、酸化窒化硅素からなる低屈折率層7の内部応力は、酸化硅素の低屈折率層7の内部応力よりも小さくすることができる。
すなわち、酸化硅素から低屈折率層7を構成する場合には、硅素原子と酸素原子との強い原子間引力によってこれら原子同士で網目構造を作っているが、この構造に窒素原子を入れ込むことにより、前記網目構造を崩して、各元素の原子間引力を弱めることができる。したがって、酸化窒化硅素からなる低屈折率層7の内部応力は、酸化硅素の低屈折率層7の内部応力よりも小さくすることができる。
また、高屈折率層9は、酸化タンタルから構成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ジルコニウムの少なくとも1種類の化合物から構成されていればよい。この構成の場合でも、高屈折率層9の内部応力を小さくすることができる。ただし、イオンアシスト蒸着法によってアモルファス構造を容易に形成することができ、かつ、紫外領域における透過率の低下を防止できるようにするためには、高屈折率層9を酸化タンタルや酸化ニオブから構成することが望ましい。
以下、本発明による第2の実施形態について図4,5を参照して詳細に説明する。
この実施の形態に係る光学素子は、前述した第1の実施形態と同様に、図1に示すように、ガラス平板からなる基板3と、基板3の表面3aに形成された光学多層膜5とを備えている。基板3は、平面視略円形の板状に形成されており、その寸法は、直径65mm、厚さ0.2mmである。
光学多層膜5は、基板3の表面3aに低屈折率層7と高屈折率層9とを交互に32層ずつ、合計64層積層して構成したものである。ここで、低屈折率層7は酸化窒化硅素(SiNcOd、c:d=3:7)から構成され、高屈折率層9は低屈折率層7よりも膜屈折率が大きい酸化窒化ニオブ(NbNaOb、a:b=3:7)から構成されている。この光学多層膜5は、イオンアシスト蒸着法により形成されるものであり、その設計値は以下の通りである。
{46H、108L、35H、92L、(50H、47L)16、50H、73L、56H、62L、(56H、67L)10、60H、94L、24H、57L}
ここで、例えば、設計値「46H」は、酸化窒化ニオブを基板3の表面3aに46nmの膜厚(物理膜厚)で成膜して高屈折率層9を形成することを示し、設計値「108L」は、酸化窒化硅素を設計値「46H」の高屈折率層9の表面に46nmの膜厚(物理膜厚)で成膜して低屈折率層7を形成することを示している。また、例えば、設計値「(50H、47L)16」は、酸化窒化ニオブを110nmで成膜した高屈折率層9と、酸化窒素硅素を47nmで成膜した低屈折率層7とを重ね合わせたものを16回繰り返して形成することを示している。
この実施の形態に係る光学素子は、前述した第1の実施形態と同様に、図1に示すように、ガラス平板からなる基板3と、基板3の表面3aに形成された光学多層膜5とを備えている。基板3は、平面視略円形の板状に形成されており、その寸法は、直径65mm、厚さ0.2mmである。
光学多層膜5は、基板3の表面3aに低屈折率層7と高屈折率層9とを交互に32層ずつ、合計64層積層して構成したものである。ここで、低屈折率層7は酸化窒化硅素(SiNcOd、c:d=3:7)から構成され、高屈折率層9は低屈折率層7よりも膜屈折率が大きい酸化窒化ニオブ(NbNaOb、a:b=3:7)から構成されている。この光学多層膜5は、イオンアシスト蒸着法により形成されるものであり、その設計値は以下の通りである。
{46H、108L、35H、92L、(50H、47L)16、50H、73L、56H、62L、(56H、67L)10、60H、94L、24H、57L}
ここで、例えば、設計値「46H」は、酸化窒化ニオブを基板3の表面3aに46nmの膜厚(物理膜厚)で成膜して高屈折率層9を形成することを示し、設計値「108L」は、酸化窒化硅素を設計値「46H」の高屈折率層9の表面に46nmの膜厚(物理膜厚)で成膜して低屈折率層7を形成することを示している。また、例えば、設計値「(50H、47L)16」は、酸化窒化ニオブを110nmで成膜した高屈折率層9と、酸化窒素硅素を47nmで成膜した低屈折率層7とを重ね合わせたものを16回繰り返して形成することを示している。
次に、上述した光学素子を製造する成膜装置について説明する。
図4に示すように、この成膜装置40は、イオンアシスト蒸着法によって基板3上に低屈折率層7や高屈折率層9を形成するものであり、真空槽41と、真空槽41内の下方側に配設された複数の蒸発源43a,43bとを備えている。これら蒸発源43a,43bは、真空槽41の上下方向に延びる軸線を中心とする同一円周上に位置しており、低屈折率層7や高屈折率層9に応じた2種類の材料から構成されている。
すなわち、第1の蒸発源43aは、酸化窒化硅素からなる低屈折率層7を形成するSiO2からなり、また、第2の蒸発源43bは、酸化窒化ニオブからなる高屈折率層9を形成するNb2O5からなる。
図4に示すように、この成膜装置40は、イオンアシスト蒸着法によって基板3上に低屈折率層7や高屈折率層9を形成するものであり、真空槽41と、真空槽41内の下方側に配設された複数の蒸発源43a,43bとを備えている。これら蒸発源43a,43bは、真空槽41の上下方向に延びる軸線を中心とする同一円周上に位置しており、低屈折率層7や高屈折率層9に応じた2種類の材料から構成されている。
すなわち、第1の蒸発源43aは、酸化窒化硅素からなる低屈折率層7を形成するSiO2からなり、また、第2の蒸発源43bは、酸化窒化ニオブからなる高屈折率層9を形成するNb2O5からなる。
真空槽41の上方側には、基板3が蒸発源43a,43bに対向するように、複数の基板3を取り付ける球面ドーム45が設けられている。この球面ドーム45は、真空槽41の上部に配置した駆動モータ(図示せず)に接続されており、この駆動モータは、その駆動力により真空槽41の上下方向に延びる軸線を中心として球面ドーム45を回転させることができる。
なお、この球面ドーム45には、その厚さ方向に貫通する複数の孔(図示せず)が形成されており、複数の基板3がこれら孔を介して球面ドーム45に保持されている。
なお、この球面ドーム45には、その厚さ方向に貫通する複数の孔(図示せず)が形成されており、複数の基板3がこれら孔を介して球面ドーム45に保持されている。
基板3と各蒸発源43a,43bとの間には、蒸発源43a,43bから放出された成膜材料が基板3に到達することを阻止するシャッター49a,49bが配設されている。
これらシャッター49a,49bは、真空槽41の下壁部に固定されたシャッター支持棒51a,51bにそれぞれ揺動可能に取り付けられており、蒸発源43a,43bの直上を覆う第1のシャッター位置と、蒸発源43a,43bを球面ドーム45に臨ませる第2のシャッター位置との間で移動できるようになっている。
したがって、シャッター49a,49bが第2のシャッター位置に配されている状態では、基板3上に低屈折率層7や高屈折率層9の成膜が行われ、シャッター49a,49bが第1のシャッター位置に配されている状態では、前述の成膜が行われないことになる。
これらシャッター49a,49bは、真空槽41の下壁部に固定されたシャッター支持棒51a,51bにそれぞれ揺動可能に取り付けられており、蒸発源43a,43bの直上を覆う第1のシャッター位置と、蒸発源43a,43bを球面ドーム45に臨ませる第2のシャッター位置との間で移動できるようになっている。
したがって、シャッター49a,49bが第2のシャッター位置に配されている状態では、基板3上に低屈折率層7や高屈折率層9の成膜が行われ、シャッター49a,49bが第1のシャッター位置に配されている状態では、前述の成膜が行われないことになる。
また、球面ドーム45と蒸着源43a,43b、シャッター49a,49bとの間には、真空槽41の側壁部に固定された補正板53が配されている。この補正板53は、球面ドーム45に取り付けられた基板3に形成される低屈折率層7や高屈折率層9の膜厚を均一とするためのものである。
球面ドーム45の中心部には、モニターガラス53が設けられている。また、モニターガラス53の上方部に位置する真空槽41の外部には、モニターガラス53上に形成される成膜材料の膜厚の増加と共に変化する反射光量値を計測する光量計測器55と、光量計測器55に接続された膜厚制御システムコンピュータ57とが設けられている。膜厚制御システムコンピュータ57は、光量計測器55にて計測された反射光量と目標反射光量値を用いて、所望の膜厚を積層するように膜厚制御を行うものである。
球面ドーム45の中心部には、モニターガラス53が設けられている。また、モニターガラス53の上方部に位置する真空槽41の外部には、モニターガラス53上に形成される成膜材料の膜厚の増加と共に変化する反射光量値を計測する光量計測器55と、光量計測器55に接続された膜厚制御システムコンピュータ57とが設けられている。膜厚制御システムコンピュータ57は、光量計測器55にて計測された反射光量と目標反射光量値を用いて、所望の膜厚を積層するように膜厚制御を行うものである。
すなわち、シャッター49a,49bを第2のシャッター位置に配した状態においては、基板3やモニターガラス53上に成膜材料が到達して膜厚が増加する。そして、光量計測器55によって計測される反射光量値が目標反射光量値に達すると、シャッター49a,49bの移動操作信号が膜厚制御システムコンピュータ57から送信され、シャッター49a,49bを第2のシャッター位置から第1のシャッター位置に移動させる。これにより、基板3に形成される低屈折率層7や高屈折率層9の膜厚を制御することができる。
なお、目標反射光量値は、予め設計膜厚に応じて算出した値であり、膜厚制御システムコンピュータ57に記憶されている。
なお、目標反射光量値は、予め設計膜厚に応じて算出した値であり、膜厚制御システムコンピュータ57に記憶されている。
真空槽41の下壁部の中心位置には、真空槽41内部にプラズマを発生させるためのガスを導入するガス導入口59が設けられている。このガス導入口59からは、外方から真空槽41内部にO2ガス、N2ガスやArガスを供給することができる。なお、これら各ガスの供給量は、図示しない流量計により確認して適宜調整できるようになっている。そして、各ガスの供給量を調整することにより、低屈折率層や高屈折率層を構成する成膜材料の膜応力や膜屈折率を調整することができる。
この成膜装置40を用いて前述の光学多層膜5の第1層として、基板3の表面3aに設計値「46H」の高屈折率層9を形成する際には、はじめに、球面ドーム45に基板3を取り付け、真空槽41内を1.0×10−4Paまで減圧する。次いで、真空槽41外部に設置された高周波電源(図示せず)から、球面ドーム45に高周波供給電極(図示せず)を通じて高周波電力を給電する。そして、導入量が40SCCMのO2ガス、及び導入量が10SCCMのN2ガスを各々ガス導入口59から導入し、真空槽41内の圧力を2。0×10−2Paとする。この際には、導入したO2ガス及びN2ガスがプラズマ化する。
ここで、O2ガス及びN2ガスの各導入量は、高屈折率層9の内部応力が小さく、かつ、膜屈折率が高くなるように決定している。すなわち、表5に示すように、予め4つの条件のO2ガス及びN2ガスの導入量について、各条件により形成した高屈折率層9の内部応力、透過率及び膜屈折率との関係を求めておく。
ここで、O2ガス及びN2ガスの各導入量は、高屈折率層9の内部応力が小さく、かつ、膜屈折率が高くなるように決定している。すなわち、表5に示すように、予め4つの条件のO2ガス及びN2ガスの導入量について、各条件により形成した高屈折率層9の内部応力、透過率及び膜屈折率との関係を求めておく。
なお、各条件の膜厚は180nmである。また、表5における内部応力は片持ち梁(cantilever)法により測定されたものであり、同じく透過率は分光測定機を用いて測定されたものである。また、表5における膜屈折率は前述の透過率を基に算出したものであり、高屈折率層を構成するNbNaObにおける窒素と酸素との比率(a:b)は、XPS分析により算出したものである。
この表5の結果によれば、条件8においては、内部応力が13MPaと条件7,10の内部応力よりも小さく、膜屈折率も2.425と条件7,10の膜屈折率よりも大きい。すなわち、条件7は、波長350nmの光の透過率が99.9%以上と高くなっているが、条件8よりも膜屈折率が小さいため、設計自由度が劣る。また、条件10は、波長350nmの光の透過率が99.9%以上と高くなっているが、窒素ガスを用いていないため、内部応力が90MPaと条件8の内部応力よりも大きくなり、基板3の反りを引き起こす。
この表5の結果によれば、条件8においては、内部応力が13MPaと条件7,10の内部応力よりも小さく、膜屈折率も2.425と条件7,10の膜屈折率よりも大きい。すなわち、条件7は、波長350nmの光の透過率が99.9%以上と高くなっているが、条件8よりも膜屈折率が小さいため、設計自由度が劣る。また、条件10は、波長350nmの光の透過率が99.9%以上と高くなっているが、窒素ガスを用いていないため、内部応力が90MPaと条件8の内部応力よりも大きくなり、基板3の反りを引き起こす。
また、表5の結果によれば、条件8においては、波長350nmの光の透過率が、99.4%以上と条件9の透過率よりも高い。すなわち、条件9は、内部応力が13MPaと条件8よりも小さくなっているが、透過率が97%と条件8よりも低いため、多層膜とした場合に性能の劣化を招く。
以上のことから、前述のように、O2ガスの導入量を40SCCM、N2ガスの導入量を10SCCMに決定している。なお、本実施形態における高屈折率層9を構成する酸化窒化ニオブ(NbNaOb)に含まれる窒素と酸素との比率a:bが3:7となるのは、このガス導入条件に基づくものである。
以上のことから、前述のように、O2ガスの導入量を40SCCM、N2ガスの導入量を10SCCMに決定している。なお、本実施形態における高屈折率層9を構成する酸化窒化ニオブ(NbNaOb)に含まれる窒素と酸素との比率a:bが3:7となるのは、このガス導入条件に基づくものである。
上述のように、所定量のO2ガス及びN2ガスを導入した後には、駆動モータにより球面ドーム45を自転させ、シャッター49bを第1のシャッター位置から第2のシャッター位置に移動させる。この状態においては、第2の蒸発源43bから基板3及びモニターガラス53に高屈折率層9を形成する成膜材料が到達する。そして、モニターガラス53上の反射光量値が、設計膜厚に応じて算出した所定の目標反射光量値に達した際には、膜厚制御システムコンピュータ57からの信号によりシャッター49bが第1のシャッター位置に移動し、基板3の表面3aに酸化窒化ニオブからなる膜厚46nmの高屈折率層9が形成されることになる。
この第1層の高屈折率層9の成膜後には、光学多層膜5の第2層として、第1層の表面に設計値「108L」の低屈折率層7を形成する。この形成の際には、第1層のときと同様に、真空槽41内を1.0×10−4Paまで減圧し、高周波電源から球面ドーム45に高周波電力を給電する。次いで、導入量が40SCCMのO2ガス及び導入量が10SCCMのN2ガスを各々ガス導入口59から導入し、真空槽41内の圧力を2.5×10−1Paとする。
ここで、O2ガス及びN2ガスの各導入量は、低屈折率層7の内部応力が小さく、かつ、膜屈折率が小さくなるように決定している。すなわち、表6に示すように、予め4つの条件のO2ガス及びN2ガスの導入量について、各条件により形成した高屈折率層9の内部応力、透過率及び膜屈折率との関係を求めておく。
ここで、O2ガス及びN2ガスの各導入量は、低屈折率層7の内部応力が小さく、かつ、膜屈折率が小さくなるように決定している。すなわち、表6に示すように、予め4つの条件のO2ガス及びN2ガスの導入量について、各条件により形成した高屈折率層9の内部応力、透過率及び膜屈折率との関係を求めておく。
なお、各条件の膜厚は190nmである。また、表6における内部応力、透過率、膜屈折率及びは、前述の表1と同様に測定若しくは算出したものである。また、低屈折率層を構成するSiNcOdにおける窒素と酸素との比率(c:d)は、XPS分析(X線光電子分光分析法)により算出したものである。
この表6の結果によれば、条件12においては、内部応力が10MPaと条件11,14の内部応力よりも小さい。すなわち、条件11は、内部応力が50MPaと条件12よりも大きいため、基板変形量が大きくなる。また、条件14は、窒素ガスを用いていないため、内部応力が270MPaと条件8の内部応力よりも大きくなり、基板の反りを引き起こす。
この表6の結果によれば、条件12においては、内部応力が10MPaと条件11,14の内部応力よりも小さい。すなわち、条件11は、内部応力が50MPaと条件12よりも大きいため、基板変形量が大きくなる。また、条件14は、窒素ガスを用いていないため、内部応力が270MPaと条件8の内部応力よりも大きくなり、基板の反りを引き起こす。
また、表6の結果によれば、条件12においては、波長350nmの光の透過率が99.5%以上と条件13の透過率よりも高く、膜屈折率も1.485と条件13の膜屈折率よりも小さい。すなわち、条件13は、内部応力が9MPaと条件12によりも小さいが、窒素含有量が50%あり、透過率が光学素子に用いるガラスの裏面反射を除く透過率と比較して約3%低下しているため、多層膜にした場合に性能の劣化を招く。
以上のことから、前述のように、O2ガスの導入量を40SCCM、N2ガスの導入量を10SCCMに決定している。なお、本実施形態における高屈折率層9を構成する酸化窒化硅素(SiNcOd)に含まれる窒素と酸素との比率c:dが3:7となるのは、このガス導入条件に基づくものである。
以上のことから、前述のように、O2ガスの導入量を40SCCM、N2ガスの導入量を10SCCMに決定している。なお、本実施形態における高屈折率層9を構成する酸化窒化硅素(SiNcOd)に含まれる窒素と酸素との比率c:dが3:7となるのは、このガス導入条件に基づくものである。
上述のように、所定量のO2ガス及びN2ガスを導入した後には、駆動モータにより球面ドーム45を自転させ、シャッター49aを第1のシャッター位置から第2のシャッター位置に移動させる。この状態においては、第1の蒸発源から基板3及びモニターガラス53に高屈折率層9を形成する成膜材料が到達する。そして、モニターガラス53上の反射光量値が、設計膜厚に応じて算出した所定の目標反射光量値に達した際には、膜厚制御システムコンピュータ57からの信号によりシャッター49aが第1のシャッター位置に移動し、第1層の表面に酸化窒化硅素からなる膜厚108nmの低屈折率層7が形成されることになる。
なお、低屈折率層7を構成する酸化窒化硅素は、硅素原子と酸素原子、硅素原子と窒素原子の原子間結合エネルギーが高いため、イオンアシスト蒸着法により低屈折率層7を形成してもプラズマエネルギーにて構成元素の解離が発生しない。
これら第1層及び第2層の形成後には、順次同様なプロセスにより、各設計値の膜厚通りに高屈折率層9及び低屈折率層7を交互に積層し、合計64層の光学多層膜5を形成する。
これら第1層及び第2層の形成後には、順次同様なプロセスにより、各設計値の膜厚通りに高屈折率層9及び低屈折率層7を交互に積層し、合計64層の光学多層膜5を形成する。
また、表7に示すように、上記構成の光学多層膜5(実施例2)の比較例として、高屈折率層9を酸化チタン(TiO2)から構成すると共に低屈折率層7を酸化硅素(SiO2)から構成した比較例3も作成した。なお、比較例3の光学多層膜5は、実施例2と同様の基板3の表面に合計76層積層して構成したものである。
比較例3の光学多層膜5の設計値を以下に示す。
{49H、105L、38H、93L、42H、98L、35H、90L、(52H、175L)20、48H、79L、51H、71L、(57H、65L)10、62H、88L、28H、52L}
この比較例3の光学多層膜5は、前述の成膜装置40を用いてイオンアシスト蒸着法により形成される。
この比較例3の光学多層膜5の第1層として設計値「49H」の高屈折率層9を形成する際には、予め真空槽41内に第2の蒸発源43bとして、高屈折率層9を形成するための酸化チタン(TiO2)を設置しておく。次いで、導入量が50SCCMのO2ガスのみをガス導入口33から導入し、真空槽41内の圧力を2.0×10−1Paとする。そして、実施例2の場合と同様に、球面ドーム45を回転させながら、シャッター49bを第1のシャッター位置から第2のシャッター位置に移動させて、第2の蒸発源43bから基板3の表面3aに高屈折率層9を形成する成膜材料を到達させる。最後に、モニターガラス53上の反射光量値が、設計膜厚に応じて算出した所定の目標反射光量値に達した際に、シャッター49bを第1のシャッター位置に移動させることにより、基板3の表面3aに酸化チタンからなる膜厚49nmの高屈折率層9が形成される。
{49H、105L、38H、93L、42H、98L、35H、90L、(52H、175L)20、48H、79L、51H、71L、(57H、65L)10、62H、88L、28H、52L}
この比較例3の光学多層膜5は、前述の成膜装置40を用いてイオンアシスト蒸着法により形成される。
この比較例3の光学多層膜5の第1層として設計値「49H」の高屈折率層9を形成する際には、予め真空槽41内に第2の蒸発源43bとして、高屈折率層9を形成するための酸化チタン(TiO2)を設置しておく。次いで、導入量が50SCCMのO2ガスのみをガス導入口33から導入し、真空槽41内の圧力を2.0×10−1Paとする。そして、実施例2の場合と同様に、球面ドーム45を回転させながら、シャッター49bを第1のシャッター位置から第2のシャッター位置に移動させて、第2の蒸発源43bから基板3の表面3aに高屈折率層9を形成する成膜材料を到達させる。最後に、モニターガラス53上の反射光量値が、設計膜厚に応じて算出した所定の目標反射光量値に達した際に、シャッター49bを第1のシャッター位置に移動させることにより、基板3の表面3aに酸化チタンからなる膜厚49nmの高屈折率層9が形成される。
この比較例3の第1層の成膜後には、第2層として、第1層の表面に設計値「105L」の低屈折率層7を形成する。この形成の際には、予め真空槽41内に第1の蒸発源43aとして、低屈折率層7を形成するための酸化硅素(SiO2)を設置しておく。次いで、導入量が50SCCMのO2ガスをガス導入口33から導入し、真空槽41内の圧力を2.0×10−1Paとする。そして、実施例2の場合と同様に、シャッター49aを第1のシャッター位置から第2のシャッター位置に移動させて、第1の蒸発源43aから基板3の表面3aに低屈折率層7を形成する成膜材料を到達させる。最後に、モニターガラス53上の反射光量値が、設計膜厚に応じて算出した所定の目標反射光量値に達した際に、シャッター49aを第1のシャッター位置に移動させることにより、基板3の表面3aに酸化硅素からなる膜厚105nmの低屈折率層7が形成される。
これら第1層及び第2層の形成後には、順次同様なプロセスにより、各設計値の膜厚通りに高屈折率層9及び低屈折率層7を交互に積層し、合計76層からなる比較例3の光学多層膜5を形成する。
これら第1層及び第2層の形成後には、順次同様なプロセスにより、各設計値の膜厚通りに高屈折率層9及び低屈折率層7を交互に積層し、合計76層からなる比較例3の光学多層膜5を形成する。
実施例2及び比較例3における耐性試験前後の透過率及び反り量の比較結果を表8に示す。ここで、耐性試験は、光学多層膜5を形成した基板3を温度70℃、湿度80%の高温多湿下に300時間放置した場合における前後の膜の特性変化を比較する試験である。また、実施例2及び比較例3の分光透過率を図5に示す。
上述した耐性試験前後の透過率は、分光測定機を用いて測定したものである。また、基板の反り量は、表面形状測定機を用いて基板3の直径線上を長さ30mmに渡って測定した表面形状から算出したものである。
上述した耐性試験前後の透過率は、分光測定機を用いて測定したものである。また、基板の反り量は、表面形状測定機を用いて基板3の直径線上を長さ30mmに渡って測定した表面形状から算出したものである。
図5に示すように、実施例2においては、積層する低屈折率層7や高屈折率層9の層数を比較例3よりも少なくしても、比較例3と同等の透過率特性を得ることができる。これは、TiO2からなる比較例3の高屈折率層9の膜屈折率が2.28であるのに対し、実施例2では膜屈折率が2.425と高いNbNaOb(a:b=3:7)から高屈折率層9を形成し、低屈折率層7との膜屈折率の差をより広げているためである。
また、表8に示すように、実施例2においては、380nmの紫外領域における透過率が98.3%と比較例3の透過率よりも十分に高く、十分な明るさを確保できている。これは、実施例2では紫外領域の光を吸収する性質を持たないNbNaOb(a:b=3:7)を使用しているためである。そして、実施例2においては、耐性試験前後の透過率にも変化が殆どなく、耐環境性も確保されているため、長期的にも所望する光量を十分に得ることができる。
また、表8に示すように、実施例2においては、380nmの紫外領域における透過率が98.3%と比較例3の透過率よりも十分に高く、十分な明るさを確保できている。これは、実施例2では紫外領域の光を吸収する性質を持たないNbNaOb(a:b=3:7)を使用しているためである。そして、実施例2においては、耐性試験前後の透過率にも変化が殆どなく、耐環境性も確保されているため、長期的にも所望する光量を十分に得ることができる。
また、基板3の反り量については、実施例2の方が比較例3よりもはるかに小さい。これは、内部応力を殆ど持たないNbNaOb(a:b=3:7)からなる高屈折率層と、SiNcOd(c:d=3:7)からなる低屈折率層とを交互に積層し、光学多層膜全体の内部応力が4MPaと減少したためである。したがって、実施例2においては、基板3の反りがほぼ無くなり、十分な光学性能が得られる。
上記のように、本実施形態の光学多層膜5及び光学素子1によれば、膜屈折率の高いNbNaOb(a:b=3:7)により高屈折率層9を形成することにより、光学多層膜の設計層数を減らすことができ、設計の自由度を向上させることができる。
また、イオンアシスト蒸着法により光学多層膜を形成する際に、低屈折率層7や高屈折率層9として、殆ど内部応力のない酸化窒化硅素や酸化窒化ニオブを用いることにより、光学多層膜5の積層数が増えた場合でも、基板3の反りや変形を防止することができる。
さらに、低屈折率層7や高屈折率層9として酸化窒化硅素や酸化窒化ニオブ用いたり、酸化窒化硅素や酸化窒化ニオブにおける窒素と酸素との比率を調整することにより、光学00多層膜の透過率特性の低下を防止することができる。
また、イオンアシスト蒸着法により光学多層膜を形成する際に、低屈折率層7や高屈折率層9として、殆ど内部応力のない酸化窒化硅素や酸化窒化ニオブを用いることにより、光学多層膜5の積層数が増えた場合でも、基板3の反りや変形を防止することができる。
さらに、低屈折率層7や高屈折率層9として酸化窒化硅素や酸化窒化ニオブ用いたり、酸化窒化硅素や酸化窒化ニオブにおける窒素と酸素との比率を調整することにより、光学00多層膜の透過率特性の低下を防止することができる。
なお、上記第2の実施形態においては、高屈折率層9を構成するNbNaObにおける窒素と酸素との比率(a:b)を3:7としたが、これに限ることはなく、高屈折率層9が少なくとも酸化窒化ニオブにより構成されていればよい。
また、高屈折率層9は、酸化窒化ニオブから構成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも酸化窒化物から構成されていればよい。すなわち、高屈折率層9は、例えば、酸化窒化ニオブ、酸化窒化タンタル、酸化窒化ジルコニウムの少なくとも1種類の化合物から構成されていればよい。この構成の場合でも、高屈折率層9の内部応力を小さくすることができる。ただし、イオンアシスト蒸着法によってアモルファス構造を容易に形成することができ、かつ、紫外領域における透過率の低下を防止できるようにするためには、高屈折率層9を酸化窒化タンタル、酸化窒化ニオブから構成することが望ましい。
また、高屈折率層9は、酸化窒化ニオブから構成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも酸化窒化物から構成されていればよい。すなわち、高屈折率層9は、例えば、酸化窒化ニオブ、酸化窒化タンタル、酸化窒化ジルコニウムの少なくとも1種類の化合物から構成されていればよい。この構成の場合でも、高屈折率層9の内部応力を小さくすることができる。ただし、イオンアシスト蒸着法によってアモルファス構造を容易に形成することができ、かつ、紫外領域における透過率の低下を防止できるようにするためには、高屈折率層9を酸化窒化タンタル、酸化窒化ニオブから構成することが望ましい。
また、低屈折率層7を構成するSiNcOdにおける窒素と酸素との比率(c:d)は3:7としたが、これに限ることはなく、低屈折率層7が少なくとも酸化窒化硅素により構成されていればよい。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
1 光学素子
3 基板
3a 表面
5 光学多層膜
7 低屈折率層
9 高屈折率層
3 基板
3a 表面
5 光学多層膜
7 低屈折率層
9 高屈折率層
Claims (6)
- 基板の表面に形成される光学多層膜であって、
互いの膜屈折率が異なり、前記表面に交互に積層された低屈折率層及び高屈折率層を備え、
前記低屈折率層が酸化窒化硅素から構成されていることを特徴とする光学多層膜。 - 前記高屈折率層が、酸化窒化硅素を除く酸化窒化物から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光学多層膜。
- 前記低屈折率層の膜屈折率が、1.45以上1.55未満の範囲であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光学多層膜。
- 前記高屈折率層の膜屈折率が、2.00以上2.45未満の範囲であることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の光学多層膜。
- 前記高屈折率層が、酸化窒化タンタル、酸化タンタル、酸化窒化ニオブ、酸化ニオブ、酸化窒化ジルコニウム、酸化ジルコニウムの少なくとも1種類の化合物から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の光学多層膜。
- 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光学多層膜と、該光学多層膜を表面に形成する基板とを備えることを特徴とする光学素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004116684A JP2005300889A (ja) | 2004-04-12 | 2004-04-12 | 光学多層膜及び光学素子 |
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JP (1) | JP2005300889A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007144926A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | 導電性反射防止積層体およびディスプレイ |
JP2011257677A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Konica Minolta Opto Inc | 光学素子とその製造方法 |
WO2014007157A1 (ja) * | 2012-07-02 | 2014-01-09 | シャープ株式会社 | タッチパネルおよびタッチパネル付き表示装置 |
CN116332527A (zh) * | 2023-03-31 | 2023-06-27 | 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司 | 一种光伏组件用全向反射纯绿色玻璃 |
-
2004
- 2004-04-12 JP JP2004116684A patent/JP2005300889A/ja not_active Withdrawn
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