JP2005294751A - 放射線固体検出器 - Google Patents

Abstract

【課題】 サブストライプ電極を備えた放射線固体検出器において、線状電極長手方向のクロストークを低減させる。
【解決手段】 第１導電層２１、記録用光導電層２２、電荷輸送層２３、読取用光導電層２４、多数の線状のエレメント４０からなるストライプ電極２６および多数の線状のエレメント４１からなるサブストライプ電極２７を備えた第２導電層２５を備えてなる放射線固体検出器２０において、各エレメント４０，４１の各画素領域の画素中央付近に、各画素毎に同一形状の面積肥大部４０ａ，４１ａを形成する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、照射された放射線の線量あるいは該放射線の励起により発せられる光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部を有する放射線固体検出器に関するものである。

今日、医療診断等を目的とする放射線撮影において、放射線を検出して得た電荷を潜像電荷として蓄電部に一旦蓄積し、該蓄積した潜像電荷を放射線画像情報を表す電気信号に変換して出力する放射線固体検出器（以下単に検出器ともいう）を使用する放射線画像情報記録読取装置が各種提案されている。この装置において使用される放射線固体検出器としては、種々のタイプのものが提案されているが、蓄積された電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面から、検出器に読取光（読取用の電磁波）を照射して読み出す光読出方式のものがある。

本出願人は、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立を図ることができる光読出方式の放射線固体検出器として、特許文献１、特許文献２、特許文献３において、記録用の放射線あるいは該放射線の励起により発せられる光（以下記録光という）に対して透過性を有する第１導電層、記録光を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、第１導電層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取光に対して透過性を有する第２導電層を、この順に積層して成り、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に形成される蓄電部に、画像情報を担持する潜像電荷（静電潜像）を蓄積する検出器を提案している。

そして、上記特許文献２および特許文献３においては、特に、読取光に対して透過性を有する第２導電層の電極を多数の読取光に対して透過性を有する電荷検出用線状電極からなるストライプ電極とすると共に、蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための多数の補助線状電極を、前記電荷検出用線状電極と交互にかつ互いに平行となるように、第２導電層内に設けた検出器を提案している。

このように、多数の補助線状電極からなるサブストライプ電極を第２導電層内に設けることにより、蓄電部とサブストライプ電極との間に新たなコンデンサが形成され、記録光によって蓄電部に蓄積された潜像電荷と逆極性の輸送電荷を、読取りの際の電荷再配列によってこのサブストライプ電極にも帯電させることが可能となる。これにより、読取用光導電層を介してストライプ電極と蓄電部との間で形成されるコンデンサに配分される前記輸送電荷の量を、このサブストライプ電極を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、結果として検出器から外部に取り出し得る信号電荷の量を多くして読取効率を向上させると共に、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立をも図ることができるようになっている。
特開２０００−１０５２９７号公報 特開２０００−２８４０５６号公報 特開２０００−２８４０５７号公報

ところで、上記特許文献２および特許文献３に記載されているようなストライプ電極およびサブストライプ電極を備えた検出器から静電潜像を読み取る場合、通常は線状電極の長手方向と直交する方向（主走査方向）に延びる線状の読取光で、線状電極の長手方向（副走査方向）に沿って走査を行うが、このとき線状電極の長手方向（副走査方向）において読取光が照射されている読取画素に隣接する画素の領域に読取光が入射してしまうと、この隣接する画素の信号が読取画素の信号に混入されてしまうという現象、すなわちクロストークを生じてしまい、記録された静電潜像を正確に読み取ることができなくなってしまう。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、サブストライプ電極を備えた放射線固体検出器において、線状電極長手方向のクロストークを低減させることを目的とするものである。

本発明による放射線固体検出器は、記録光に対して透過性を有する第１の導電層と、記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層と、記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部と、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層と、複数の電荷検出用線状電極と、複数の補助線状電極とを備え、電荷検出用線状電極と補助線状電極とが交互に配置された第２の導電層とをこの順に積層してなる放射線固体検出器において、少なくとも隣接する１本の電荷検出用線状電極と１本の補助線状電極とを含む領域上の、それらの長手方向に複数並んで設定された画素のそれぞれにおいて、電荷検出用線状電極および補助線状電極の少なくとも一方が、画素中央部付近の面積が大きい面積肥大部を有していることを特徴とするものである。

ここで、「記録光」としては、画像情報を担持する電磁波であって、固体検出器に照射することにより該固体検出器に画像情報を潜像電荷（静電潜像）として記録させ得るものであればどのようなものを用いてもよく、例えば光や放射線等を用い得る。

また、「読取光」としては、画像検出器に照射することにより該画像検出器に記録されている潜像電荷（静電潜像）に応じた電流を発生させ得る電磁波であればどのようなものを用いてもよく、例えば光や放射線等を用い得る。

また、「電荷検出用線状電極」とは、読取用光導電層内で発生した電荷対を検出するための電極であり、読取用光導電層内へ読取光を入射させるべく、読取光に対して透過性を有することが望ましいが、線状電極間から入射する読取光により読取用光導電層内に十分な電荷対が発生可能な場合は、電荷検出用線状電極は必ずしも透過性を有する必要はない。

また、「補助線状電極」とは、蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための電極であり、読取光に対して遮光性を有することが望ましいが、補助線状電極と読取光照射手段との間に遮光性を有する遮光膜等を設ける場合は、補助線状電極は必ずしも遮光性を有する必要はない。ここで、「遮光性」とは、読取光を完全に遮断して全く電荷対を発生させないものに限らず、その読取光に対する多少の透過性は有していてもそれにより発生する電荷対が実質的に問題とならない程度のものも含むものとする。従って、読取用光導電層に発生する電荷対は全て電荷検出用線状電極を透過した読取光や、線状電極間から入射した読取光によるものとは限らず、補助線状電極を僅かに透過した読取光によっても読取用光導電層において電荷対が発生しうるものとする。

また、「画素中央部付近」とは、電荷検出用線状電極および補助線状電極の長手方向における各画素領域において、少なくとも両端部から画素全長の１０％をそれぞれ除く領域を意味する。

なお、本発明による固体検出器を使用して放射線画像の記録や読取りを行うに際しては、例えば、上記特許文献２に記載されたような、本発明を適用しない従来の固体検出器を用いた記録方法および読取方法並びにその装置を変更することなく、そのまま利用することができる。

本発明による放射線固体検出器において、面積肥大部は、画素毎に同一形状とすることが好ましい。

また、電荷検出用線状電極と補助線状電極とは、積層の方向において全く重ならないように構成することが好ましい。

本発明による放射線固体検出器によれば、記録光に対して透過性を有する第１の導電層と、記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層と、記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部と、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層と、複数の電荷検出用線状電極と、複数の補助線状電極とを備え、電荷検出用線状電極と補助線状電極とが交互に配置された第２の導電層とをこの順に積層してなる放射線固体検出器において、少なくとも隣接する１本の電荷検出用線状電極と１本の補助線状電極とを含む領域上の、それらの長手方向に複数並んで設定された画素のそれぞれにおいて、電荷検出用線状電極および補助線状電極の少なくとも一方に、画素中央部付近の面積が大きい面積肥大部を設けて、各画素毎に画素中央部付近に潜像電荷を集中して記録させて、各画素の境界付近に潜像電荷を記録させないようにしたことにより、読取光が照射されている読取画素に隣接する画素の領域に読取光が入射した場合でも、各画素の境界付近には潜像電荷が僅かしか存在せず読取画素の信号に混入される隣接画素の信号が少なくなるため、画素間の信号のクロストークを低減させることができる。

また、面積肥大部を、画素毎に同一形状とすることにより、各画素の記録条件を均一にすることができるため、アーティファクトの発生を防止することができる。

さらに、電荷検出用線状電極と補助線状電極とを、積層の方向において全く重ならないように構成することにより、電荷検出用線状電極と補助線状電極とが互いに接触しない常態で両者を同一平面に形成することができるため、放射線固体検出器の製作を容易にすることができる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の放射線固体検出器の第１の実施の形態の概略構成を示す図であり、図１（Ａ）は放射線固体検出器２０の斜視図、図１（Ｂ）は放射線固体検出器２０のＱ矢指部のＸＺ断面図、図１（Ｃ）は放射線固体検出器２０のＰ矢指部のＸＹ断面図である。また、図２は、導電部材（マイクロプレート）の配置を説明するための上面図である。

この放射線固体検出器２０は、被写体を透過したＸ線等の放射線の画像情報を担持する記録光（放射線もしくは放射線の励起により発生した光）に対して透過性を有する第１導電層２１、この第１導電層２１を透過した記録光の照射を受けることにより電荷対を発生し導電性を呈する記録用光導電層２２、前記電荷対の内の潜像極性電荷（例えば負電荷）に対しては略絶縁体として作用し、かつ該潜像極性電荷と逆極性の輸送極性電荷（上述の例においては正電荷）に対しては略導電体として作用する電荷輸送層２３、読取光の照射を受けることにより電荷対を発生して導電性を呈する読取用光導電層２４、ストライプ電極２６およびサブストライプ電極２７を備えた第２導電層２５、読取光に対して透過性を有する支持体１８をこの順に配してなるものである。記録用光導電層２２と電荷輸送層２３との界面には、記録用光導電層２２内で発生した画像情報を担持する潜像極性電荷を蓄積する２次元状に分布した蓄電部２９が形成される。

支持体１８としては、読取光に対して透明なガラス基板等を用いることができる。また、読取光に対して透明であることに加えて、その熱膨張率が読取用光導電層２４の物質の熱膨張率と比較的近い物質を使用するとより望ましい。例えば、読取用光導電層２４としてａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を使用する場合であれば、Ｓｅの熱膨張率が３．６８×１０^−５／Ｋ＠４０℃ であることを考慮して、熱膨張率が１．０〜１０．０×１０^−５／Ｋ＠４０℃、より好ましくは、４．０〜８．０×１０^−５／Ｋ＠４０℃である物質を使用する。熱膨張率がこの範囲の物質としては、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の有機ポリマー材料を使用することができる。これによって、基板としての支持体１８と読取用光導電層２４（Ｓｅ膜）との熱膨張のマッチングがとれ、特別な環境下、例えば寒冷気候条件下での船舶輸送中等において、大きな温度サイクルを受けても、支持体１８と読取用光導電層２４との界面で熱ストレスが生じ、両者が物理的に剥離する、読取用光導電層２４が破れる、あるいは支持体１８が割れる等、熱膨張差による破壊の問題が生じることがない。さらに、ガラス基板に比べて有機ポリマー材料は衝撃に強いというメリットがある。

記録用光導電層２２の物質としては、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）、ＰｂＯ、ＰｂＩ_２ 等の酸化鉛（II）やヨウ化鉛（II）、Ｂｉ_１２（Ｇｅ，Ｓｉ）Ｏ_２０、Ｂｉ_２Ｉ_３／有機ポリマーナノコンポジット等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が適当である。

電荷輸送層２３の物質としては、例えば第１導電層２１に帯電される負電荷の移動度と、その逆極性となる正電荷の移動度の差が大きい程良く（例えば１０^２以上、望ましくは１０^３以上）ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶等の有機系化合物、あるいはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＵＫ）分散物、Ｃｌを１０〜２００ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅ等の半導体物質が適当である。特に、有機系化合物（ＰＶＫ，ＴＰＤ、ディスコティック液晶等）は光不感性を有するため好ましく、また、誘電率が一般に小さいため電荷輸送層２３と読取用光導電層２４の容量が小さくなり読取時の信号取り出し効率を大きくすることができる。なお、「光不感性を有する」とは、記録光や読取光の照射を受けても殆ど導電性を呈するものでないことを意味する。

読取用光導電層２４の物質としては、ａ−Ｓｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ，無金属フタロシアニン，金属フタロシアニン，ＭｇＰｃ（Magnesium phtalocyanine），ＶｏＰｃ（phaseII of Vanadyl phthalocyanine），ＣｕＰｃ（Cupper phtalocyanine）等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適である。

記録用光導電層２２の厚さは、記録光を十分に吸収できるようにするには、５０μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましい。

また電荷輸送層２３と読取用光導電層２４との厚さの合計は記録用光導電層２２の厚さの１／２以下であることが望ましく、また薄ければ薄いほど読取時の応答性が向上するので、例えば１／１０以下、さらには１／１００以下等にするのが好ましい。本実施の形態では読取用光導電層２４の厚さを１０μｍとした。

なお、上記各層の材料は、第１導電層２１に負電荷を、第２導電層２５に正電荷を帯電させて、記録用光導電層２２と電荷輸送層２３との界面に形成される蓄電部２９に潜像極性電荷としての負電荷を蓄積せしめるとともに、電荷輸送層２３を、潜像極性電荷としての負電荷の移動度よりも、その逆極性となる輸送極性電荷としての正電荷の移動度の方が大きい、いわゆる正孔輸送層として機能させるものとして好適なものの一例であるが、これらは、それぞれが逆極性の電荷であっても良く、このように極性を逆転させる際には、正孔輸送層として機能する電荷輸送層を電子輸送層として機能する電荷輸送層に変更する等の若干の変更を行なうだけでよい。

例えば、記録用光導電層２２として上述のアモルファスセレンａ−Ｓｅ、酸化鉛（II）、ヨウ化鉛（II）等の光導電性物質が同様に使用でき、電荷輸送層２３としてＮ−トリニトロフルオレニリデン・アニリン（TNFA）誘電体、トリニトロフルオレノン（ TNF）／ポリエステル分散系、非対称ジフェノキノン誘導体が適当であり、読取用光導電層２４として上述の無金属フタロシアニン、金属フタロシアニンが同様に使用できる。

第１導電層２１としては、記録光に対して透過性を有するものであればよく、例えば可視光に対して透過性を持たせる場合には、光透過性金属薄膜として周知のネサ皮膜（ＳｎＯ_２ ）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、あるいはエッチングのし易いアモルファス状光透過性酸化金属であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））等の酸化金属を５０〜２００ｎｍ厚程度、好ましくは１００ｎｍ以上にして用いることができる。また、アルミニウムＡｌ、金Ａｕ、モリブデンＭｏ、クロムＣｒ等の純金属を、例えば２０ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ程度）の厚さにすることによって可視光に対して透過性を持たせることもできる。なお、記録光としてＸ線を使用し、第１導電層２１側から該Ｘ線を照射して画像を記録する場合には、第１導電層２１としては可視光に対する透過性が不要であるから、該第１導電層２１は、例えば１００ｎｍ厚のＡｌやＡｕ等の純金属を用いることもできる。

第２導電層２５は、多数の読取光透過性のエレメント（電荷検出用線状電極）４０をストライプ状に配列して成るストライプ電極２６と多数の読取光遮光性のエレメント（補助線状電極）４１をストライプ状に配列してなるサブストライプ電極２７とを備えている。各エレメント４０，４１は、エレメント４０とエレメント４１とが交互にかつ互いに平行に配置されるように配列されている。なお、ストライプ電極２６とサブストライプ電極２７とは電気的に絶縁されている。サブストライプ電極２７は、記録用光導電層２２と電荷輸送層２３との略界面に形成される蓄電部２９に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための導電部材である。

ここで、ストライプ電極２６の各エレメント４０を形成する電極材の材質としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））、アルミニウムまたはモリブデン等を用いることができる。また、サブストライプ電極２７の各エレメント４１を形成する電極材の材質としては、アルミニウム、モリブデンまたはクロム等を用いることができる。

図２に示すようにエレメント４０およびエレメント４１の幅は１０μｍで、互いに４０μｍの間隔を設けて形成されている。また、主走査方向（エレメント長手方向と直交する方向）、副走査方向（エレメント長手方向）ともに、画素ピッチは１００μｍであり、１画素分の電極を１ペアのエレメントにより構成している。

各エレメント４０，４１の各画素領域の画素中央付近には、各画素毎に同一形状の面積肥大部４０ａ，４１ａが形成されている。面積肥大部４０ａ，４１ａの形状は互いに線対称の三角形であり、それぞれエレメント長手方向において画素の両端２５μｍを除く領域に、互いに１５μｍの間隔を設けて形成されている。

この検出器２０においては、記録用光導電層２２を挟んで第１導電層２１と蓄電部２９との間にコンデンサＣ＊ａが形成され、電荷輸送層２３および読取用光導電層２４を挟んで蓄電部２９とストライプ電極２６（エレメント４０）との間にコンデンサＣ＊ｂが形成され、読取用光導電層２４および電荷輸送層２３を介して蓄電部２９とサブストライプ電極２７（エレメント４１）との間にコンデンサＣ＊ｃが形成される。読取時における電荷再配列の際に、各コンデンサＣ＊ａ、Ｃ＊ｂ、Ｃ＊ｃに配分される正電荷の量Ｑ＋ａ、Ｑ＋ｂ、Ｑ＋ｃは、総計Ｑ＋が潜像極性電荷の量Ｑ−と同じで、各コンデンサの容量Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃに比例した量となる。これを式で示すと下記のように表すことができる。

Ｑ− ＝Ｑ＋ ＝Ｑ＋ａ＋Ｑ＋ｂ＋Ｑ＋ｃ
Ｑ＋ａ＝Ｑ＋ ×Ｃａ ／（Ｃａ ＋Ｃｂ ＋Ｃｃ ）
Ｑ＋ｂ＝Ｑ＋ ×Ｃｂ ／（Ｃａ ＋Ｃｂ ＋Ｃｃ ）
Ｑ＋ｃ＝Ｑ＋ ×Ｃｃ ／（Ｃａ ＋Ｃｂ ＋Ｃｃ ）
そして、検出器２０から取り出し得る信号電荷量はコンデンサＣ＊ａ、Ｃ＊ｃに配分された正電荷の量Ｑ＋ａ、Ｑ＋ｃの合計（Ｑ＋ａ＋Ｑ＋ｃ）と同じくなり、コンデンサＣ＊ｂに配分された正電荷は信号電荷として取り出せない（詳細は特許文献２参照）。

ここで、ストライプ電極２６およびサブストライプ電極２７によるコンデンサＣ＊ｂ、Ｃ＊ｃの容量について考えてみると、容量比Ｃｂ：Ｃｃは、各エレメント４０、４１の幅の比Ｗｂ：Ｗｃとなる。一方、コンデンサＣ＊ａの容量ＣａとコンデンサＣ＊ｂの容量Ｃｂは、サブストライプ電極２７を設けても実質的に大きな影響は現れない。

この結果、読取時における電荷再配列の際に、コンデンサＣ＊ｂに配分される正電荷の量Ｑ＋ｂをサブストライプ電極２７を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、その分だけ、サブストライプ電極２７を介して検出器２０から取り出し得る信号電荷量をサブストライプ電極２７を設けない場合よりも相対的に大きくすることができる。

本実施の形態による放射線固体検出器においては、各エレメント４０，４１の各画素領域の画素中央付近に、各画素毎に同一形状の面積肥大部４０ａ，４１ａを形成しているため、各画素毎に画素中央部付近に潜像電荷が集中して記録され、各画素の境界付近には潜像電荷が僅かしか記録されず、読取光が照射されている読取画素に隣接する画素の領域に読取光が入射した場合でも、各画素の境界付近には潜像電荷が僅かしか存在せず読取画素の信号に混入される隣接画素の信号が少なくなるため、画素間の信号のクロストークを低減させることができる。

また、面積肥大部４０ａ，４１ａを、画素毎に同一形状としているため、各画素の記録条件を均一にすることができ、アーティファクトの発生を防止することができる。

さらに、ストライプ電極２６とサブストライプ電極２７とを、積層の方向において全く重ならないように構成しているため、ストライプ電極２６とサブストライプ電極２７とが互いに接触しない常態で両者を同一平面に形成することができるため、放射線固体検出器２０の製作を容易にすることができる。

以上、本発明による放射線固体検出器の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限りにおいて、種々変更することが可能である。

例えば、各エレメントに形成する面積肥大部の態様については、上記以外にも、図３（ａ）に示すように、面積肥大部４２ａ，４３ａの形状を互いに線対称の四角形としてもよいし、図３（ｂ）に示すように、エレメント４４のみ面積肥大部４４ａを形成してもよいし、図３（ｃ）に示すように、エレメント４６の面積肥大部４６ａの中心付近に孔を形成し、この孔内にエレメント４７の面積肥大部４７ａを形成してもよい。なお、図３（ｂ）、（ｃ）に示す態様については、両エレメントの形状を互いに換えてもよい。

また、上記実施の形態による検出器は、記録用光導電層が、記録用の放射線の照射によって導電性を呈するものであるが、本発明による検出器の記録用光導電層は必ずしもこれに限定されるものではなく、記録用光導電層は、記録用の放射線の励起により発せられる光の照射によって導電性を呈するものとしてもよい（特許文献１参照）。この場合、第１導電層の表面に記録用の放射線を、例えば青色光等、他の波長領域の光に波長変換するいわゆるＸ線シンチレータといわれる波長変換層を積層したものとするとよい。この波長変換層としては、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）等を用いるのが好適である。また、第１導電層は、記録用の放射線の励起により波長変換層で発せられた光に対して透過性を有するものとする。

さらに、上記実施の形態による検出器は、記録用光導電層と読取用光導電層との間に電荷輸送層を設け、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に蓄電部を形成するようにしたものであるが、電荷輸送層をトラップ層に置き換えたものとしてもよい。トラップ層とした場合には、潜像電荷は、該トラップ層に捕捉され、該トラップ層内またはトラップ層と記録用光導電層の界面に潜像電荷が蓄積される。また、このトラップ層と記録用光導電層の界面に、画素毎に、格別に、マイクロプレートを設けるようにしてもよい。

本発明の第１の実施の形態による放射線固体検出器の斜視図（Ａ）、Ｑ矢指部のＸＺ断面図（Ｂ）、Ｐ矢指部のＸＹ断面図（Ｃ） 上記放射線固体検出器の各エレメントの配置を説明する上面図 放射線固体検出器の各エレメントの配置の他の態様を説明する上面図

符号の説明

２０ 放射線固体検出器
２１ 第１導電層
２２ 記録用光導電層
２３ 電荷輸送層
２４ 読取用光導電層
２５ 第２導電層
２６ ストライプ電極
２７ サブストライプ電極
２９ 蓄電部
４０、４２、４４、４６ エレメント（電荷検出用線状電極）
４１、４３、４５、４７ エレメント（補助線状電極）

Claims (3)

1. 記録光に対して透過性を有する第１の導電層と、
   前記記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層と、
   前記記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部と、
   読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層と、
   複数の電荷検出用線状電極と、複数の補助線状電極とを備え、前記電荷検出用線状電極と前記補助線状電極とが交互に配置された第２の導電層とをこの順に積層してなる放射線固体検出器において、
   少なくとも隣接する１本の前記電荷検出用線状電極と１本の前記補助線状電極とを含む領域上の、それらの長手方向に複数並んで設定された画素のそれぞれにおいて、
   前記電荷検出用線状電極および前記補助線状電極の少なくとも一方が、画素中央部付近の面積が大きい面積肥大部を有していることを特徴とする放射線固体検出器。
2. 前記面積肥大部が、前記画素毎に同一形状であることを特徴とする請求項１記載の放射線固体検出器。
3. 前記電荷検出用線状電極と前記補助線状電極とが、前記積層の方向において全く重ならないように構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の放射線固体検出器。

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