JP2005294625A5 - 成膜装置およびｔｆｔアレイ基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、パルスレーザ光をターゲットに照射して蒸発させることにより基板上に薄膜を形成する成膜装置およびこれを用いたＴＦＴアレイ基板の製造方法に関する。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡素な装置構成で、広範囲の成膜用原料を用いて安全に成膜を行うことができる成膜装置およびこれを用いたＴＦＴアレイ基板の製造方法を提供することにある。
本発明による成膜装置は、成膜用の基板を支持する載置台と、パルスレーザ光を発生する少なくとも一つの光源と、成膜用原料よりなるターゲットを支持するターゲット配設部を有し、載置台上の基板の表面に対して相対的に変位可能な局所成膜部と、ターゲット配設部に支持されたターゲットに向けてパルスレーザ光を導く第１光学系とを備えたものである。
本発明によるＴＦＴアレイ基板の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板の配線パターンの欠陥部分に修復膜を形成するものであって、成膜用の基板を載置台に支持させる一方、局所成膜部のターゲット配設部に成膜用原料よりなるターゲットを支持させたのち、局所成膜部を載置台上の基板の表面に対して相対的に変位させることにより局所成膜部を欠陥部分に対向させ、少なくとも一つの光源からパルスレーザ光を発生させ、パルスレーザ光を第１光学系によりターゲット配設部に支持されたターゲットに向けて導き、ターゲットのパルスレーザ光が照射された位置から成膜用原料を蒸発させて欠陥部分を修復膜で結線するようにしたものである。
本発明によるＴＦＴアレイ基板の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板の配線パターンの欠陥部分に修復膜を形成するものであって、成膜用の基板を載置台に支持させる一方、局所成膜部のターゲット配設部に成膜用原料よりなるターゲットを支持させたのち、局所成膜部を載置台上の基板の表面に対して相対的に変位させることにより局所成膜部を欠陥部分に対向させ、少なくとも一つの光源からパルスレーザ光を発生させ、パルスレーザ光を第１光学系によりターゲット配設部に支持されたターゲットに向けて導き、ターゲットのパルスレーザ光が照射された位置から成膜用原料を蒸発させて欠陥部分を修復膜で結線するようにしたものである。
本発明の成膜装置または本発明のＴＦＴアレイ基板の製造方法によれば、局所成膜部に、成膜用原料よりなるターゲットを支持するターゲット配設部を設け、パルスレーザ光をターゲットに照射して成膜を行うようにしたので、従来のレーザＣＶＤ法で用いられているような成膜用原料の気化装置、有毒ガスあるいは発火性ガスの除害装置、または温度管理されたガス配管などは不要となる。よって、装置構成を簡素化し、維持管理コストの削減を図ることができる。
Claims (15)
- 成膜用の基板を支持する載置台と、
パルスレーザ光を発生する少なくとも一つの光源と、
成膜用原料よりなるターゲットを支持するターゲット配設部を有し、前記載置台上の基板の表面に対して相対的に変位可能な局所成膜部と、
前記ターゲット配設部に支持されたターゲットに向けてパルスレーザ光を導く第１光学系と
を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 浮上用ガスにより前記局所成膜部を前記基板に対して浮上させる浮上機構を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。 - 前記浮上機構は、前記浮上用ガスを前記基板に向けて吹き出す通気手段と、前記浮上用ガスを吸引する吸引手段とを備えた
ことを特徴とする請求項２記載の成膜装置。 - 前記局所成膜部は、中央に成膜室を有しており、前記ターゲット配設部は前記成膜室内に設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。 - 前記局所成膜部は、前記光源からのパルスレーザ光を前記成膜室へと導く導入路を有し、前記導入路は、前記載置台上の基板に対して略平行に前記局所成膜部を貫通して前記成膜室に通じている
ことを特徴とする請求項４記載の成膜装置。 - 前記ターゲット配設部の取付面と前記導入路の成膜室側出口とは、前記成膜室内において対向する位置に配置されている
ことを特徴とする請求項５記載の成膜装置。 - 前記ターゲット配設部の取付面は、前記載置台の表面に対して傾斜しており、前記ターゲットに対してパルスレーザ光が斜めに照射される
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。 - 前記ターゲット配設部は複数の取付面を有し、前記複数の取付面のいずれか一つが、前記導入路の成膜室側出口に対向する位置に交替可能に移動する
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。 - 前記成膜室の上面に設けられた窓と、
前記光源からのパルスレーザ光を前記窓を介して前記載置台上の基板の表面に対して略垂直に入射させる第２光学系と
を備えたことを特徴とする請求項４記載の成膜装置。 - 前記光源からのパルスレーザ光の進路を、前記第１光学系と前記第２光学系との間で切り替える進路切替部を備えた
ことを特徴とする請求項９記載の成膜装置。 - 前記光源から射出されるパルスレーザ光のパルス幅は、ピコ秒またはフェムト秒オーダーである
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。 - 前記ターゲットとして、金属単体および合金，金属酸化物並びに金属窒化物のうちの少なくとも１種よりなるものを用いる
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。 - 前記ターゲットとして、アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）のうちの少なくとも１種よりなるものを用いる
ことを特徴とする請求項１記載の成膜装置。 - ＴＦＴアレイ基板の配線パターンの欠陥部分に修復膜を形成するＴＦＴアレイ基板の製造方法であって、
成膜用の基板を載置台に支持させる一方、局所成膜部のターゲット配設部に成膜用原料よりなるターゲットを支持させたのち、前記局所成膜部を前記載置台上の基板の表面に対して相対的に変位させることにより前記局所成膜部を前記欠陥部分に対向させ、少なくとも一つの光源からパルスレーザ光を発生させ、前記パルスレーザ光を第１光学系により前記ターゲット配設部に支持されたターゲットに向けて導き、前記ターゲットの前記パルスレーザ光が照射された位置から成膜用原料を蒸発させて前記欠陥部分を前記修復膜で結線する
ことを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。 - 前記欠陥部分を前記修復膜により結線したのち、前記光源によりパルスレーザ光を発生させ、前記パルスレーザ光を第２光学系により前記ＴＦＴアレイ基板の表面に対して略垂直に入射させることにより、前記修復膜の不要な部分を選択的に除去して整形する
ことを特徴とする請求項１４記載のＴＦＴアレイ基板の製造方法。
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