TWI646398B - 微影裝置 - Google Patents

微影裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI646398B
TWI646398B TW102136851A TW102136851A TWI646398B TW I646398 B TWI646398 B TW I646398B TW 102136851 A TW102136851 A TW 102136851A TW 102136851 A TW102136851 A TW 102136851A TW I646398 B TWI646398 B TW I646398B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
radiation
laser
lasers
group
individual
Prior art date
Application number
TW102136851A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201416807A (zh
Inventor
安得列 倪祺佩洛
凡丁 葉弗真葉米希 白尼
安卓 米克哈洛維奇 亞庫寧
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201416807A publication Critical patent/TW201416807A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI646398B publication Critical patent/TWI646398B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G02B17/0657—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08—Catadioptric systems
    • G02B17/0804—Catadioptric systems using two curved mirrors
    • G02B17/0808—Catadioptric systems using two curved mirrors on-axis systems with at least one of the mirrors having a central aperture
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

一種用於一微影裝置之輻射源，其使用複數個光纖雷射以在一點火部位處點火一燃料小滴以產生EUV輻射。可提供該等光纖雷射以平行於一光軸進行發射，且提供一伸縮式光學系統以將該等雷射聚焦於該點火部位處，或可運用用以縮減光束腰部之一最終聚焦透鏡將該等雷射引導朝向該光軸。該等雷射可提供於兩個或兩個以上群組中以允許獨立地控制該等雷射，且該等雷射中之一些可聚焦於一不同部位處以提供一預脈衝。亦可使用雙向色鏡面來組合來自光纖雷射之輻射。

Description

微影裝置
本發明係關於一種微影裝置，且尤其係關於一種供微影裝置中使用之輻射源。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性因素。
圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則而給出，如方程式(1)所展示：
其中λ為所使用之輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之 數值孔徑，k1為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長之電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10奈米(例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長之EUV輻射。此輻射被稱為極紫外線輻射或軟x射線輻射。舉例而言，可能之源包括雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射系統可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之輻射源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適燃料材料(例如，錫，其當前被視為最有前途且因此很可能為用於EUV輻射源之燃料之選擇)之粒子(亦即，小滴)，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來創製電漿。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為接收輻射且將輻射聚焦成光束之鏡像式正入射輻射收集器(有時被稱作近正入射輻射收集器)。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境以支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱為雷射產生電漿(LPP)源。
通常，LPP源使用CO2雷射以產生電漿。習知CO2雷射可具有高達40kW之輸出功率，其在LPP源中足以產生250W之帶內EUV輻射。然而，為了增加EUV微影裝置之產出率，將需要產生約1kW之帶內EUV輻射。此情形就習知CO2雷射設計而言不實務，此係因為該等習 知CO2雷射設計由於裝置之總大小及成本而不能按比例增加超出40kW。
需要預防或減輕先前技術之至少一問題(無論在本文中抑或在別處予以識別)，或需要提供現有裝置或方法之替代例。
根據本發明之一第一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包括一輻射源，該輻射源包含一個別雷射陣列及一光束壓縮系統，其中該等雷射經組態成聚焦於一共同焦點處，在使用時，一燃料目標可供應至該共同焦點。較佳地，該等雷射為光纖雷射。
在本發明之一些實施例中，該輻射源包括一光軸，且該複數個個別光纖雷射經配置成使得其發射平行於該光軸之輻射。該等光纖雷射較佳地圍繞該光軸對稱地配置。較佳地，一光學系統自該複數個個別光纖雷射收集輻射且將該輻射聚焦於該共同焦點處。該光學系統較佳地為一伸縮式光學系統(telescopic optical system)。該光學系統可包括用於收集由該複數個個別雷射發射之輻射之一第一鏡面、自該第一鏡面接收輻射且將該輻射引導至一最終聚焦透鏡之一第二鏡面。
較佳地，用於回散射輻射(back-scattered radiation)且具有一孔口之一阻擋元件可提供於該第一鏡面與該第二鏡面之間。
在本發明之一些實施例中，該第一鏡面經形成有位於該光軸上之一開口。在此等實施例中，該裝置可進一步包含用於將用於點火之燃料目標遞送於該共同焦點處之一燃料遞送系統，及用於收集藉由該等燃料目標之點火而產生之輻射的一收集器，其中該收集器提供於該共同焦點與該第一鏡面之間。在此等實施例中，該收集器可具有一開口，且該燃料遞送系統可延伸通過該第一鏡面中之該開口及該收集器中之該開口。該開口可提供於該光軸上。
在一些實施例中，該收集器具有位於該光軸上之一開口，且一 氣流導引件延伸通過該第一鏡面中之該開口及該收集器中之該開口以用於將一氣體遞送至該收集器之表面。
在其他實施例中，該複數個個別光纖雷射圍繞一光軸而配置，使得由該等雷射發射之輻射經引導朝向該光軸。較佳地，提供一最終聚焦透鏡以用於將該輻射聚焦於該共同焦點上。此情形具有縮減光束腰部(beam waist)之優點。
在其他實施例中，由該複數個個別雷射發射之該輻射係由複數個雙向色鏡面組合成一單一輻射光束。
該等個別光纖雷射安裝於一安裝板上。
每一個別光纖雷射可具備一準直器。
在本發明之較佳實施例中，該複數個個別光纖雷射經配置成一個以上群組，藉以每一群組可受到個別地控制。一個此類群組中之該等光纖雷射可在與另一此類群組中之該等雷射不同的一時間被點燃。來自一個群組中之該等雷射之該輻射可聚焦於與另一群組中之該等雷射不同的一部位處。個別雷射或雷射群組可按順序被點燃以依據時間而塑形一功率脈衝。
在本發明之一些實施例中，一或若干選定雷射群組可經組態以提供一預脈衝(pre-pulse)。提供該預脈衝之此或此等雷射群組可聚焦於與該等剩餘雷射不同的一部位處。提供該預脈衝之該或該等雷射群組可在與該等剩餘雷射不同的一波長下操作。
在本發明之實施例中，該等個別光纖雷射發射處於自1微米至5微米之一波長之輻射。較佳地，每一個別雷射在大於1W之一功率下發射。
在本發明之一些實施例中，該等光纖雷射中至少一些可具備藉由加熱該等光纖雷射之一區段或藉由使該等光纖雷射經受機械應力而進行的相位控制。
較佳地，每一該光纖雷射具備一準直器。每一此類準直器可位於一各別光纖雷射之一末端處，且每一此類準直器及每一此類光纖雷射末端浸潤於一液體中。
根據本發明之另一態樣，提供一種產生供一微影裝置中使用之輻射之方法，該方法包含：將一燃料目標供應至一點火部位；及運用雷射輻射來點火該等燃料目標以產生一電漿，其中該雷射輻射係自複數個個別雷射發射，該複數個個別雷射經組態以由一光束壓縮系統聚焦於一共同焦點處。
根據本發明之另一態樣，提供一種用於一微影裝置之輻射源，其中該輻射源包含：複數個個別光纖雷射，其經配置成使得其發射大體上平行於一光軸之輻射；及一光學系統，其自該複數個個別光纖雷射收集輻射且將該輻射聚焦於一共同焦點處，在使用時，一燃料目標可供應至該共同焦點。
根據本發明之另一態樣，提供一種用於一微影裝置之輻射源，其中該輻射源包含：複數個個別光纖雷射，其經配置成使得其發射經引導朝向一光軸之輻射；及一透鏡，其自該複數個個別光纖雷射收集輻射且將該輻射聚焦於一共同焦點處，在使用時，一燃料目標可供應至該共同焦點。
根據本發明之另一態樣，提供一種用於一微影裝置之輻射源，其中該輻射源包含：複數個個別光纖雷射，其經配置成使得由該複數個個別雷射發射之輻射係由複數個雙向色鏡面組合成一單一輻射光束。
在對於熟習此項技術者適當的情況下，本發明之一或多個態樣可與本文所描述之任一或多個其他態樣進行組合，及/或與本文所描述之任一或多個特徵進行組合。
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡面器件
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
100‧‧‧微影裝置
101‧‧‧成像透鏡/最終聚焦透鏡
102‧‧‧部位
102'‧‧‧部位
103‧‧‧第一鏡面
103a‧‧‧孔隙
103b‧‧‧凹形反射表面
104‧‧‧第二鏡面
104a‧‧‧凸形反射表面
105‧‧‧光纖雷射
105a‧‧‧預脈衝雷射
105b‧‧‧主脈衝雷射
106‧‧‧安裝板
107‧‧‧阻擋元件
107a‧‧‧中心孔口
108‧‧‧準直光學件/遞送導管/準直器
200‧‧‧燃料串流產生器/流體串流產生器
205‧‧‧雷射光束
210‧‧‧高度離子化電漿/輻射發射電漿
211‧‧‧電漿形成部位
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
305a‧‧‧光纖雷射
305b‧‧‧補償透鏡
306a‧‧‧光纖雷射
306b‧‧‧補償透鏡
307a‧‧‧雙向色鏡面
307b‧‧‧雙向色鏡面
A‧‧‧輻射光束
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧近正入射輻射收集器
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器
LA‧‧‧雷射
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
X-X‧‧‧光軸
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2為圖1之裝置的更詳細視圖，其包括LPP源收集器模組；圖3示意性地描繪根據本發明之一實施例之輻射源；圖4示意性地描繪根據本發明之另一實施例之輻射源；圖5示意性地描繪根據本發明之另一實施例之輻射源；圖6示意性地描繪根據本發明之另一實施例之輻射源；圖7示意性地描繪根據本發明之另一實施例之輻射源；圖8(a)及圖8(b)示意性地描繪根據本發明之另一實施例之輻射源；及圖9示意性地描繪根據本發明之另一實施例之輻射源。
本發明之特徵及優點將自下文在結合圖式時闡述之【實施方式】變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。一元件第一次出現時之圖式係在對應元件符號中由最左側數位指示。
本說明書揭示併入本發明之特徵之實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由附加於此處之申請專利範圍界定。
所描述實施例及在本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」、「一些實施例」等等之參考指示所描述實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必指代同一實施例。另外，當結合一實施例來描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確地描 述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置100。該裝置包含：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人 所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係因為氣體可吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由運用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為EUV輻射系統之部件，其包括用於產生燃料串流之燃料串流產生件，及/或用於提供雷射光束以用於激發燃料之雷射(該兩者皆在圖1中未繪示)。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及/或燃料串流產生器及收集器模組(常常被稱作源收集器模組)可為分離實體。
在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱作DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角度強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示微影裝置100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於該源收集器模組之圍封結構220中。
雷射LA經配置以經由雷射光束205而將雷射能量沈積至自燃料串流產生器200提供之燃料(諸如，氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li))中。液體(亦即，熔融)錫(最有可能呈小滴之形式)或呈液體形式之另一金屬當前被視為最有前途，且因此很可能為用於UEV輻射源之燃料之選擇。雷射能量至燃料中之沈積會在電漿形成部位211處創製具有數十電子伏特(eV)之電子溫度的高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿210發射、由近正入射輻射收集器CO(有時更一般化地被稱作正入射輻射收集器)收集及聚焦。收集器CO可具有多層結構，例如，經調諧以使特定波長之輻射(例如，特定 EUV波長之輻射)反射、更易於反射或優先地反射的多層結構。收集器CO可具有橢圓形組態，該橢圓形組態具有兩個天然橢圓焦點。一個焦點將處於電漿形成部位211，且另一焦點將處於下文所論述之中間焦點。
雷射LA及/或流體串流產生器200及/或收集器CO可一起被認為包含輻射源，尤其是EUV輻射源。EUV輻射源可被稱作雷射產生電漿(LPP)輻射源。圍封結構220中之收集器CO可形成收集器模組，該收集器模組形成輻射源之部件(在此實例中)。
可提供第二雷射(圖中未繪示)，該第二雷射經組態以提供預脈衝以在雷射光束205入射於燃料上之前預塑形該燃料。使用此途徑之LPP源可被稱作雙雷射脈動(dual laser pulsing,DLP)源。
儘管圖中未繪示，但燃料串流產生器將包含經組態以沿著朝向電漿形成部位211之軌跡引導(例如)燃料小滴串流的噴嘴，或與經組態以沿著朝向電漿形成部位211之軌跡引導(例如)燃料小滴串流的噴嘴連接。應理解，燃料可採取任何其他合適形式，諸如，一或多個串流、一或多個射流，且可為固體、液體或氣體形式。術語燃料目標將在本文中用以涵蓋此等可能性。
由輻射收集器CO反射之輻射B聚焦於虛擬源點IF處。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射B橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束21之所要角度分佈，以及在圖案化器件MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處輻射光束之反射後，隨即形成經圖 案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由晶圓固持之基板W上。
通常，比所展示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所展示之鏡面多的鏡面，舉例而言，在投影系統PS中可存在比圖2所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
如上文所論述，通常，雷射LA將為單一CO2雷射，但此情形可不足以滿足針對增加之帶內EUV功率之進一步要求。在本發明之實施例中，源包含複數個光纖雷射。舉例而言，光纖雷射可為在介於1微米至5微米之間的波長下發射之二極體泵浦光纖雷射(diode pumped fiber laser)。舉例而言，合適的二極體泵浦光纖雷射可為基於釓之二極體泵浦光纖雷射。每光纖雷射之功率可大於10W且可潛在地高達100W。最佳地，在本發明之實施例中，可存在自100至1000個個別光纖雷射，從而給出大約100kW之總功率輸出。
圖3展示本發明之第一實施例。複數個個別光纖雷射105以二維陣列而安裝於安裝板106上。雷射105較佳地具有M2<2之光束品質(其中波長介於1微米至5微米之間)，且在其輸出處具備準直光學件108以產生平行輸出光束。準直光學件108可包含提供於每一光纖雷射之末端處之準直器，且出於冷卻目的且為了防止光纖雷射之末端處之雷射電花崩潰(其中雷射功率通量最高)，可將準直器及光纖雷射之末端浸潤於液體中。安裝板106經安置成垂直於光軸X-X，使得每一個別光纖雷射105發射平行於該光軸之輻射。雷射105較佳地以軸向對稱方式而安裝，使得其發射之輻射軸向地對稱。舉例而言，雷射可以環形陣列而安裝。因為顯著百分比之輸出雷射輻射將直接地回反射(多達10%)，所以可提供冷卻構件作為安裝板106之部件。安裝板106亦可具備用於調整雷射(既集體地又個別地)以確保雷射105之正確定向 之構件。
圖3之實施例亦包括充當光束壓縮系統且能夠組合個別光纖雷射105之輸出且將該等輸出聚焦於單一部位(例如，其中遞送燃料小滴以用於EUV產生)處的光學系統。在圖3之實施例中，此光學系統包括位於光軸X-X上且具有光軸X-X傳遞通過之孔隙103a的第一鏡面103。第一鏡面103經形成有面對光纖雷射105之凹形反射表面103b。第一鏡面103自雷射105接收輻射，且表面103b將輻射反射至第二鏡面104，第二鏡面104安置於光軸X-X上且具有凸形反射表面104a。自表面104a傳播之輻射經引導成平行於光軸且通過孔隙103a而到達透鏡101，透鏡101將該輻射聚焦於所要部位102處。在必要時，可冷卻鏡面103及104。出於說明方便起見，在圖3中，A指示自相對於光軸之最外部光纖雷射105發射之輻射光束，且B指示自相對於光軸之最內部光纖雷射105發射之輻射光束。上文所描述之光學系統具有在大小方面極緊密之伸縮式性質，其高度地有益。
圖4展示本發明之另一實施例，其中光束壓縮系統呈伸縮套筒組態，其具有中間焦點及孔口以阻擋由目標材料及由目標材料形成之電漿回散射的輻射。在此實施例中，第二鏡面104較佳地位於安裝板106之中心，且具有面對第一鏡面103之反射表面103b之凹形反射表面104a。第二鏡面104自第一鏡面103接收輻射且將輻射重新引導成平行於光軸X-X且通過孔隙103a而到達透鏡101，透鏡101將輻射聚焦於所要部位102處，如在第一實施例中。此實施例之差異為：自第一鏡面103反射至第二鏡面104之輻射傳遞通過一中間焦點，具有中心孔口107a之阻擋元件107位於該中間焦點處。阻擋元件107用來阻擋自目標材料及由目標材料形成之電漿回散射之輻射，否則，該輻射可損害雷射105。
圖5展示本發明之另一實施例。圖5之實施例相似於圖4之實施 例，惟第二鏡面104係由成像透鏡101替換除外，成像透鏡101較佳地在中心(但未必)位於安裝板106中且將輻射聚焦於所要部位102處，在此實施例中，所要部位102位於該安裝板後方。如在圖4之實施例中，來自雷射105之輻射係由第一鏡面103接收，第一鏡面103經由一中間焦點而將該輻射重新引導至透鏡101，具有中心孔口107a之阻擋元件107位於該中間焦點處。阻擋元件用來阻擋回反射輻射。
在上文所描述之實施例中，來自多個雷射105之輻射環繞光軸，而非處於光軸上。此意謂光軸可用於燃料小滴遞送系統及/或氣流遞送系統。圖6中說明此情形，除了圖4之實施例之第一鏡面103及第二鏡面104以外，圖6亦另外展示遞送導管108，遞送導管108沿著光軸延伸通過第一鏡面103中之孔隙103a及透鏡101中之中心孔隙。圖6亦展示圍繞透鏡101而定位之收集器CO。舉例而言，遞送導管108可為用於將目標(例如，燃料小滴)遞送至焦點102之導管，或可為遞送用以防止污染物沈積於收集器CO之表面上之保護性氣體的導管。
圖7展示本發明之另外實施例，其中在圖7之實施例中，將雷射105配置成經引導朝向光軸上之部位102'，而非以使得雷射輸出配置成平行於光軸之陣列之形式來配置雷射105。部位102'可為所要部位，但更佳地，雷射105之輸出光束聚焦於最終聚焦透鏡101後方之所要部位102上。最終聚焦透鏡101增加光束會聚度且壓縮光束腰部。藉由調整雷射105之集合內之功率分佈，有可能達成至透鏡101上之熱負荷，其不會造成足以影響焦距的透鏡101之膨脹。舉例而言，最遠離於光軸之雷射105可攜載更多功率，以便使透鏡101內之溫度場平等。每一雷射105可具備一準直器108。
在LPP源中，目標燃料小滴可經受兩個分離雷射脈衝。第一脈衝為將燃料小滴調節成用於後續主雷射脈衝之最佳條件(例如，盤餅形狀)以創製EUV產生電漿的預脈衝。因為目標燃料小滴正在移動且預 脈衝施加於主脈衝之前，所以提供預脈衝之光纖雷射應聚焦於與提供主脈衝之光纖雷射不同的部位處。圖8(a)及圖8(b)說明此情形可如何被達成的本發明之實施例。圖8(a)說明可如何分別使用來自兩個群組之雷射以用於提供預脈衝及主脈衝。在圖8(a)中，A指示來自第一群組中具有發散度a且經提供成與光軸相隔距離v之光纖雷射的輻射光束，而B指示來自第二群組中具有發散度b且與光軸相隔距離u之光纖雷射的輻射光束。自圖8(a)可看出，具有會聚度/發散度a的來自第一群組之光纖將在線D-C上聚焦於與來自第二群組之光纖雷射不同的部位(其表示燃料小滴之軌跡)處，來自第二群組之光纖雷射經設計成提供主脈衝及具有會聚度b且可平行於光軸之輻射。圖8(b)展示攜載雷射105之環形陣列之安裝件106的正視圖。雷射105經劃分成兩個群組：光纖雷射105a之第一群組產生發散光束且用於目標塑形，而光纖雷射105b之第二群組產生平行光束且用以提供主雷射脈衝。相比於主脈衝雷射105b，預脈衝雷射105a可提供較短脈衝。用於預脈衝雷射105a之合適光纖雷射可具有小於70ps之脈衝持續時間、小於1mJ(通常為0.1mJ)之雷射閃光能量，及大於100kHz之重複頻率。此情形具有如下優點：每一個別預脈衝可具有小於習知預脈衝之能量，且因此，目標上之壓力較少且所得片段較大。預脈衝雷射105a可在叢發模式中運行以自N(例如，2至10)個個別光纖提供每塑形事件N個脈衝，以便遵循小滴質量中心。以此方式，所得小滴薄霧具有更有限之大小分佈且因此具有目標燒穿(target burn-off)之縮減風險。因為預脈衝在其到達電漿被創製之點之前施加至目標燃料小滴，所以雷射105a聚焦至與雷射105b不同的光點。兩種類型之雷射之波長可不同，使得總組合式光束具有一腰部，由於最終透鏡之折射差，該腰部提供於與用於預脈衝之部位不同的用於主脈衝之部位處。
本發明之實施例之優點為：其實現總雷射功率之按比例增加。 此情形可藉由同時地點燃所有雷射抑或藉由將雷射劃分成交替地點火之群組而達成。在後者狀況下，該等群組應較佳地對稱，以便確保良好照明均一性。
若所有雷射以稍微不同波長(其可被配置)為特徵，則在光束之間不存在干涉，且所得光束腰部僅僅為個別重疊光束腰部之總和。若雷射確實具有相同波長及相位(此情形在接種雷射被使用且每一光纖之光學路徑係(例如)藉由區段加熱而控制的情況下係可能的)，則所得光束腰部經受干涉。
圖9展示用於由多個雷射形成一雷射光束之另一方法。可(例如)藉由選擇光纖之組合物而容易地調整中IR光纖雷射之波長。因此，可使用雙向色鏡面來合併具有不同波長之多個光束。參看圖9，展示兩個光纖雷射305a、306a，及兩個關聯雙向色鏡面307a、307b。為了考量最終透鏡(圖9中未繪示)之可能色度，每一雷射305a、306a可具備安裝於每一個別雷射之輸出處的一補償透鏡305b、306b。
亦應理解，可組合以上幾何學。舉例而言，可使用雙向色鏡面來組合由多個光纖雷射產生之雷射光束以形成單放大光束，該等單放大光束接著可作為輸入而提供至圖3至圖8之實施例之光學件。
本發明之實施例提供數個顯著優點。舉例而言，相比於用於給定功率(例如，100kW)之單一CO2雷射，本發明之實施例提供較不昂貴、較小且較輕之源。本發明之實施例實現直接功率可按比例調整性，其中輸出功率係與所使用之光纖雷射之數目成比例。
本發明之實施例提供高穩定性，其中脈衝具有均勻功率及照明均一性。同時，本發明之實施例規定提供脈衝之間的功率之精細控制及調整(若需要彼情形)的可能性。舉例而言，可藉由選擇用於給定叢發中之光纖雷射之數目而控制功率。藉由控制用於叢發中之個別雷射之數目及每一個別雷射之功率，亦可有可能控制光束腰部且尤其有可 能提供(例如)用於較長目標電漿封鎖及延期燒穿之非經典光束腰部。可藉由加熱雷射之區段或藉由使雷射經受機械應力而將相位控制施加至每一光纖雷射來提供另外控制。
每一個別光纖雷射之功率中等(大約100W)，因此最小化冷卻及維護要求。每一光纖雷射之中等功率意謂實際上不存在光學件之降級且不存在熱誘發性像差。此外，雷射源之分散式性質允許控制光學系統中之熱負荷。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、LED、太陽能電池，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
當描述微影裝置時，術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性而非限制性的。詳言之，根據以下條項之主題被認為處於本發明之範疇內。
i.一種微影裝置，其包括一輻射源，該輻射源包含一個別雷射陣列及一光束壓縮系統，其中該等雷射經組態成聚焦於一共同焦點處，在使用時，一燃料目標可供應至該共同焦點。
ii.如條項i之裝置，其中該等雷射為光纖雷射。
iii.如條項i或ii之裝置，其中該輻射源包括一光軸，且其中該複數個個別雷射經配置成使得其發射平行於該光軸之輻射。
iv.如條項iii之裝置，其中該等雷射圍繞該光軸對稱地配置。
v.如條項i至iv中任一項之裝置，其中一光學系統自該個別雷射陣列收集輻射且將該輻射聚焦於該共同焦點處。
vi.如條項v之裝置，其中該光學系統為一伸縮式光學系統。
vii.如條項vi之裝置，其中該光學系統包括用於收集由該複數個個別雷射發射之輻射之一第一鏡面、自該第一鏡面接收輻射且將該輻射引導至一最終聚焦透鏡之一第二鏡面。
viii.如條項vii之裝置，其中一孔口提供於該第一鏡面與該第二鏡面之間。
ix.如條項vii或viii中任一項之裝置，其中該第一鏡面經形成有位於該光軸上之一開口。
x.如條項ix之裝置，其中該裝置進一步包含用於將用於點火之燃料目標遞送於該共同焦點處之一燃料遞送系統，及用於收集藉由該等燃料目標之點火而產生之輻射的一收集器，其中該收集器提供於該共同焦點與該第一鏡面之間。
xi.如條項x之裝置，其中該收集器具有一開口，且其中該燃料遞送系統延伸通過該第一鏡面中之該開口及該收集器中之該開口。
xii.如條項xi之裝置，其中該開口提供於該光軸上。
xiii.如條項x之裝置，其中該收集器具有位於該光軸上之一開口，且其中一氣流導引件延伸通過該第一鏡面中之該開口及該收集器中之該開口以用於將一氣體遞送至該收集器之表面。
xiv.如條項i或ii之裝置，其中該個別雷射陣列圍繞一光軸而配置，使得由該等雷射發射之輻射經引導朝向該光軸。
xv.如條項xiv之裝置，其中該光束壓縮系統包含經提供用於將該輻射聚焦於該共同焦點上之一最終聚焦透鏡。
xvi.如前述條項中任一項之裝置，其中由複數個個別雷射發射之輻射係由複數個雙向色鏡面組合成一單一輻射光束。
xvii.如前述條項中任一項之裝置，其中該等個別雷射安裝於一安裝板上。
xviii.如前述條項中任一項之裝置，其中每一個別雷射具備一準直器。
xix.如前述條項中任一項之裝置，其中該個別雷射陣列經配置成一個以上群組，藉以每一該群組可受到個別地控制。
xx.如條項xix之裝置，其中一個該群組中之該等雷射可在與另一該群組中之該等雷射不同的一時間被點燃。
xxi.如條項xix或xx之裝置，其中來自一個群組中之該等雷射之輻射可聚焦於與另一群組中之該等雷射不同的一部位處。
xxii.如條項xix之裝置，其中個別雷射或雷射群組可按順序被點燃以依據時間而塑形一功率脈衝。
xxiii.如條項xix之裝置，其中一或若干選定雷射群組可經組態以提供一預脈衝。
xxiv.如條項xxiii之裝置，其中提供該預脈衝之一或若干雷射群組聚焦於與該等剩餘雷射不同的一部位處。
xxv.如條項xxiii或xxiv之裝置，其中提供該預脈衝之該或該等雷射群組係在與該等剩餘雷射不同的一波長下操作。
xxvi.如前述條項中任一項之裝置，其中該等個別雷射發射處於自1微米至5微米之一波長之輻射。
xxvii.如前述條項中任一項之裝置，其中每一該個別雷射在大於1W之一功率下發射。
xxviii.如前述條項中任一項之裝置，其中該等光纖雷射中至少一些可具備藉由加熱該等光纖雷射之一區段或藉由使該等光纖雷射經受機械應力而進行的相位控制。
xxix.如前述條項中任一項之裝置，其中每一該光纖雷射具備一準直器。
xxx.如條項xxix之裝置，其中該準直器位於一各別光纖雷射之一末端處，且每一該準直器及每一該光纖雷射末端浸潤於一液體中。
xxxi.如前述條項中任一項之裝置，其中該等個別雷射可受到控制以將一受控制熱負荷提供於一光學系統中。
xxxii.一種產生供一微影裝置中使用之輻射之方法，其包含：將一燃料目標供應至一點火部位；及運用雷射輻射來點火該等燃料目標以產生一電漿，其中該雷射輻射係自一個別雷射陣列發射，該等個別雷射經組態以由一光束壓縮系統聚焦於一共同焦點處。
xxxiii.如條項xxxii之方法，其中該等雷射為光纖雷射。
xxxiv.如條項xxxii或xxxiii之方法，其中該輻射源包括一光軸，且其中該複數個個別雷射經配置成使得其發射平行於該光軸之輻射。
xxxv.如條項xxxiv之方法，其包含圍繞該光軸對稱地提供該等光纖雷射。
xxxvi.如前述條項中任一項之方法，其包含提供經組態以自該複數個個別雷射收集輻射且將該輻射聚焦於該共同焦點處之一光學系統。
xxxvii.如條項xxxvi之方法，其中該光學系統為一伸縮式光學系統。
xxxviii.如條項xxxvii之方法，其中該光學系統包括用於收集由該複數個個別雷射發射之輻射之一第一鏡面、自該第一鏡面接收輻射且將該輻射引導至一最終聚焦透鏡之一第二鏡面。
xxxix.如條項xxxviii之方法，其包含在該第一鏡面與該第二鏡面之間提供經調適以阻擋回散射輻射之一阻擋元件。
xl.如條項xxxviii或xxxix之方法，其包含使該第一鏡面形成有位於該光軸上之一開口。
xli.如條項xl之方法，其進一步包含將用於點火之燃料目標遞送於該共同焦點處，及運用一收集器來收集藉由該等燃料目標之點火而產生之輻射。
xlii.如條項xli之方法，其中該方法包含將一燃料遞送系統延伸通過該第一鏡面中之一開口及該收集器中之一開口。
xliii.如條項xlii之方法，其包含將該等開口提供於該光軸上。
xliv.如條項xli之方法，其中該方法包含通過一氣流導引件而將一氣體遞送至該收集器之表面，該氣流導引件延伸通過該第一鏡面中之一開口及該收集器中之一開口。
xlv.如條項xxxii之方法，其包含使該複數個個別雷射圍繞一光軸而配置，使得由該等雷射發射之輻射經引導朝向該光軸。
xlvi.如條項xlv之方法，其包含運用一最終聚焦透鏡將該輻射聚焦於該共同焦點上。
xlvii.如條項xxxii之方法，其中該方法包含使用複數個雙向色 鏡面以將由複數個個別雷射發射之輻射組合成一單一輻射光束。
xlviii.如條項xxxii至xlvii中任一項之方法，其包含將該等個別雷射安裝於一安裝板上。
xlix.如條項xxxii至xlviii中任一項之方法，其中準直每一個別雷射之輸出。
l.如前述條項中任一項之方法，其包含將該個別雷射陣列配置成一個以上群組，藉以每一該群組可受到個別地控制。
li.如條項l之方法，其中一個該群組中之該等雷射可在與另一該群組中之該等雷射不同的一時間被點燃。
lii.如條項l或li之方法，其中來自一個群組中之該等雷射之輻射可聚焦於與另一群組中之該等雷射不同的一部位處。
liii.如條項l之方法，其中個別雷射或雷射群組可按順序被點燃以依據時間而塑形一功率脈衝。
liv.如條項l之方法，其中一或若干選定雷射群組可經組態以提供一預脈衝。
lv.如條項liv之方法，其中提供該預脈衝之一或若干雷射群組聚焦於與該等剩餘雷射不同的一部位處。
lvi.如條項liv或lv之方法，其中提供該預脈衝之該或該等雷射群組係在與該等剩餘雷射不同的一波長下操作。
lvii.如條項xxxii至lvi中任一項之方法，其中該等個別雷射發射處於自1微米至5微米之一波長之輻射。
lviii.如條項xxxii至lvii中任一項之方法，其中每一該個別雷射在大於1W之一功率下發射輻射。
lix.如條項xxxii至lviii中任一項之方法，其中該等光纖雷射中至少一些可具備藉由加熱該等光纖雷射之一區段或藉由使該等光纖雷射經受機械應力而進行的相位控制。
lx.如條項xxxii至lix中任一項之方法，其中每一該光纖雷射具備一準直器。
lxi.如條項lx之方法，其包含將該準直器定位於一各別光纖雷射之一末端處，及將每一該準直器及每一該光纖雷射末端浸潤於一液體中。
lxii.如條項xxxii至lxi中任一項之方法，其進一步包含控制該等個別雷射以將一受控制熱負荷提供於一光學系統中。
lxiii.一種微影裝置，其包含：一輻射源，其包含一個別雷射陣列及一光束壓縮系統，其中該等雷射經組態成聚焦於一共同焦點處，一燃料目標供應於該共同焦點處。
lxiv.如條項lxiii之裝置，其中該等雷射為光纖雷射。
lxv.如條項lxiii之裝置，其中該輻射源包括一光軸，且其中該複數個個別雷射經配置成使得其發射平行於該光軸之輻射。
lxvi.如條項lxv之裝置，其中該等雷射圍繞該光軸對稱地配置。
lxvii.如條項lxiii之裝置，其中一光學系統自該個別雷射陣列收集輻射且將該輻射聚焦於該共同焦點處。
lxviii.如條項lxvii之裝置，其中該光學系統為一伸縮式光學系統。
lxix.如條項lxviii之裝置，其中該光學系統包括用於收集由該複數個個別雷射發射之輻射之一第一鏡面、自該第一鏡面接收輻射且將該輻射引導至一最終聚焦透鏡之一第二鏡面。
lxx.如條項lxix之裝置，其中一孔口提供於該第一鏡面與該第二鏡面之間。
lxxi.如條項lxx之裝置，其中該第一鏡面經形成有位於該光軸上之一開口。
lxxii.如條項lxxi之裝置，其中該裝置進一步包含用於將用於點火之燃料目標遞送於該共同焦點處之一燃料遞送系統，及用於收集藉由該等燃料目標之點火而產生之輻射的一收集器，其中該收集器提供於該共同焦點與該第一鏡面之間。
lxxiii.如條項lxxii之裝置，其中該收集器具有一開口，且其中該燃料遞送系統延伸通過該第一鏡面中之該開口及該收集器中之該開口。
lxxiv.如條項lxxiii之裝置，其中該開口提供於該光軸上。
lxxv.如條項lxxii之裝置，其中該收集器具有位於該光軸上之一開口，且其中一氣流導引件延伸通過該第一鏡面中之該開口及該收集器中之該開口以用於將一氣體遞送至該收集器之表面。
lxxvi.如條項lxiii之裝置，其中該個別雷射陣列圍繞一光軸而配置，使得由該等雷射發射之輻射經引導朝向該光軸。
lxxvii.如條項lxxvi之裝置，其中該光束壓縮系統包含提供用於將該輻射聚焦於該共同焦點上之一最終聚焦透鏡。
lxxviii.如條項lxiii之裝置，其中由複數個個別雷射發射之輻射係由複數個雙向色鏡面組合成一單一輻射光束。
lxxix.如條項lxiii之裝置，其中該等個別雷射安裝於一安裝板上。
lxxx.如條項lxiii之裝置，其中每一個別雷射具備一準直器。
lxxxi.如條項lxiii之裝置，其中該個別雷射陣列經配置成一個以上群組，藉以每一該群組可受到個別地控制。
lxxxii.如條項lxxxi之裝置，其中一個該群組中之該等雷射可在與另一該群組中之該等雷射不同的一時間被點燃。
lxxxiii.如條項lxxxii之裝置，其中來自一個群組中之該等雷射之輻射可聚焦於與另一群組中之該等雷射不同的一部位處。
lxxxiv.如條項lxxxi之裝置，其中個別雷射或雷射群組可按順序被點燃以依據時間而塑形一功率脈衝。
lxxxv.如條項lxxxi之裝置，其中一或若干選定雷射群組可經組態以提供一預脈衝。
lxxxvi.如條項lxxxv之裝置，其中提供該預脈衝之一或若干雷射群組聚焦於與該等剩餘雷射不同的一部位處。
lxxxvii.如條項lxxxvi之裝置，其中提供該預脈衝之該或該等雷射群組係在與該等剩餘雷射不同的一波長下操作。
lxxxviii.如條項lxiii之裝置，其中該等個別雷射發射處於自1微米至5微米之一波長之輻射。
lxxxix.如條項lxiii之裝置，其中每一該個別雷射在大於1W之一功率下發射。
xc.如條項lxiii之裝置，其中該等光纖雷射中至少一些可具備藉由加熱該等光纖雷射之一區段或藉由使該等光纖雷射經受機械應力而進行的相位控制。
xci.如條項lxiii之裝置，其中每一該光纖雷射具備一準直器。
xcii.如條項xci之裝置，其中該準直器位於一各別光纖雷射之一末端處，且每一該準直器及每一該光纖雷射末端浸潤於一液體中。
xciii.如條項lxiii之裝置，其中該等個別雷射可受到控制以將一受控制熱負荷提供於一光學系統中。
xciv.一種產生供一微影裝置中使用之輻射之方法，該方法包含：將一燃料目標供應至一點火部位；及運用雷射輻射來點火該等燃料目標以產生一電漿，其中該雷射輻射係自一個別雷射陣列發射，該等個別雷射經組 態以由一光束壓縮系統聚焦於一共同焦點處。
xcv.如條項xciv之方法，其中該等雷射為光纖雷射。
xcvi.如條項xciv之方法，其中該輻射源包括一光軸，且其中該複數個個別雷射經配置成使得其發射平行於該光軸之輻射。
xcvii.如條項xcvi之方法，其進一步包含圍繞該光軸對稱地提供該等光纖雷射。
xcviii.如條項xciv之方法，其進一步包含提供經組態以自該複數個個別雷射收集輻射且將該輻射聚焦於該共同焦點處之一光學系統。
xcix.如條項xcviii之方法，其中該光學系統為一伸縮式光學系統。
c.如條項xcix之方法，其中該光學系統包括用於收集由該複數個個別雷射發射之輻射之一第一鏡面、自該第一鏡面接收輻射且將該輻射引導至一最終聚焦透鏡之一第二鏡面。
ci.如條項c之方法，其進一步包含在該第一鏡面與該第二鏡面之間提供經調適以阻擋回散射輻射之一阻擋元件。
cii.如條項c之方法，其進一步包含使該第一鏡面形成有位於該光軸上之一開口。
ciii.如條項cii之方法，其進一步包含將用於點火之燃料目標遞送於該共同焦點處，及藉由一收集器來收集藉由該等燃料目標之點火而產生之輻射。
civ.如條項ciii之方法，其進一步包含將一燃料遞送系統延伸通過該第一鏡面中之一開口及該收集器中之一開口。
cv.如條項civ之方法，其進一步包含將該等開口提供於該光軸上。
cvi.如條項ciii之方法，其進一步包含通過一氣流導引件而將 一氣體遞送至該收集器之表面，該氣流導引件延伸通過該第一鏡面中之一開口及該收集器中之一開口。
cvii.如條項xciv之方法，其進一步包含使該複數個個別雷射圍繞一光軸而配置，使得由該等雷射發射之輻射經引導朝向該光軸。
cviii.如條項cvii之方法，其進一步包含運用一最終聚焦透鏡將該輻射聚焦於該共同焦點上。
cix.如條項xciv之方法，其進一步包含使用複數個雙向色鏡面以將由複數個個別雷射發射之輻射組合成一單一輻射光束。
cx.如條項xciv之方法，其進一步包含將該等個別雷射安裝於一安裝板上。
cxi.如條項xciv之方法，其中準直每一個別雷射之輸出。
cxii.如條項xciv之方法，其進一步包含將該個別雷射陣列配置成一個以上群組，藉以每一該群組可受到個別地控制。
cxiii.如條項cxii之方法，其中一個該群組中之該等雷射可在與另一該群組中之該等雷射不同的一時間被點燃。
cxiv.如條項cxiii之方法，其中來自一個群組中之該等雷射之輻射可聚焦於與另一群組中之該等雷射不同的一部位處。
cxv.如條項cxii之方法，其中個別雷射或雷射群組可按順序被點燃以依據時間而塑形一功率脈衝。
cxvi.如條項cxii之方法，其中一或若干選定雷射群組可經組態以提供一預脈衝。
cxvii.如條項cxvi之方法，其中提供該預脈衝之一或若干雷射群組聚焦於與該等剩餘雷射不同的一部位處。
cxviii.如條項cxvii之方法，其中提供該預脈衝之該或該等雷射群組係在與該等剩餘雷射不同的一波長下操作。
cxix.如條項xciv之方法，其中該等個別雷射發射處於自1微米 至5微米之一波長之輻射。
cxx.如條項xciv之方法，其中每一該個別雷射在大於1W之一功率下發射輻射。
cxxi.如條項xciv之方法，其中該等光纖雷射中至少一些可具備藉由加熱該等光纖雷射之一區段或藉由使該等光纖雷射經受機械應力而進行的相位控制。
cxxii.如條項xciv之方法，其中每一該光纖雷射具備一準直器。
cxxiii.如條項cxxii之方法，其進一步包含將該準直器定位於一各別光纖雷射之一末端處，及將每一該準直器及每一該光纖雷射末端浸潤於一液體中。
cxxiv.如條項xciv之方法，其進一步包含控制該等個別雷射以將一受控制熱負荷提供於一光學系統中。
此外，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離以下申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

Claims (23)

  1. 一種經組態以用於一微影裝置之輻射源，該輻射源包含：一個別雷射陣列(array of individual lasers)；及一光束壓縮系統，其經組態以將自該個別雷射陣列之至少兩雷射同時發射之輻射光束聚焦於該至少兩雷射之一共同焦點處，其中該等輻射光束一起與一燃料目標相互作用，以執行調節該燃料目標或自一經調節燃料目標產生一電漿中之一者。
  2. 如請求項1之輻射源，其進一步包含一光學系統，該光學系統經組態以自該個別雷射陣列之該至少兩雷射收集該等輻射光束且將該等輻射聚焦於該共同焦點處。
  3. 如請求項2之輻射源，其中該光學系統為一伸縮式(telescopic)光學系統，且其中該光學系統包括用於收集由該複數個個別雷射之該至少兩雷射發射之該等輻射光束之一第一鏡面、自該第一鏡面接收輻射且將該輻射引導至一最終聚焦透鏡之一第二鏡面。
  4. 如請求項3之輻射源，其中該第一鏡面經形成有位於一光軸上之一開口。
  5. 如請求項4之輻射源，其進一步包含：用於將用於點火(ignition)之燃料目標遞送於該共同焦點處之一燃料遞送系統；及用於收集藉由該等燃料目標之點火而產生之輻射的一收集器，其中該收集器提供於該共同焦點與該第一鏡面之間。
  6. 如請求項5之輻射源，其中該收集器具有一開口且該燃料遞送系統延伸通過該第一鏡面中之該開口及該收集器中之該開口。
  7. 如請求項5之輻射源，其中該收集器具有位於該光軸上之一開 口，且其中一氣流導引件(gas flow guide)延伸通過該第一鏡面中之該開口及該收集器中之該開口以用於將一氣體遞送至該收集器之一表面。
  8. 如請求項1之輻射源，其中該個別雷射陣列經配置成一第一雷射群組及一第二雷射群組，其中該第一群組及該第二群組係受到個別地控制。
  9. 如請求項8之輻射源，其中該第一雷射群組係在與該第二雷射群組不同的一時間被點燃。
  10. 如請求項8之輻射源，其中來自該第一雷射群組之輻射係聚焦於與來自該第二雷射群組之輻射不同的一部位處。
  11. 如請求項8之輻射源，其中該第一雷射群組與該第二雷射群組係按順序被點燃以依據時間而塑形一功率脈衝。
  12. 如請求項8之輻射源，其中該第一雷射群組係經組態以提供一預脈衝(pre-pulse)。
  13. 如請求項12之輻射源，其中提供該預脈衝之該第一雷射群組聚焦於與該第二雷射群組不同的一部位處。
  14. 如請求項12之輻射源，其中提供該預脈衝之該第一雷射群組係在與該第二雷射群組不同的一波長下操作。
  15. 如請求項12之輻射源，其中該第二雷射群組係經組態以提供一主脈衝。
  16. 一種產生供一微影裝置使用之輻射之方法，其包含：將一燃料目標供應至一點火部位；及運用雷射輻射來點火(igniting)該燃料目標以執行調節該燃料目標或自一經調節燃料目標產生一電漿中之一者，其中一個別雷射陣列之至少兩雷射經組態以同時發射輻射光束，且該等經發射輻射光束係藉由一光束壓縮系統聚焦於該至少兩雷射之一共 同焦點處以產生該雷射輻射。
  17. 如請求項16之方法，其中該個別雷射陣列經配置成一第一雷射群組及一第二雷射群組，且該方法進一步包含個別地控制該第一群組及該第二群組。
  18. 如請求項17之方法，其進一步包含：在與該第二雷射群組不同的一時間點燃該第一雷射群組。
  19. 如請求項17之方法，其進一步包含：將來自該第一雷射群組之輻射聚焦於與來自該第二雷射群組之輻射不同的一部位處。
  20. 如請求項17之方法，其進一步包含：按順序被點燃該第一雷射群組與該第二雷射群組以依據時間而塑形一功率脈衝。
  21. 如請求項17之方法，其中該第一雷射群組係經點燃以提供一預脈衝。
  22. 如請求項21之方法，其中該第二雷射群組係經組態以提供一主脈衝。
  23. 一種種經組態以用於一微影裝置之輻射源，該輻射源包含：一預脈衝雷射，其包含一第一個別雷射陣列；一主脈衝雷射，其包含一第二個別雷射陣列；及一光束壓縮系統，其經組態以：將自該第一個別雷射陣列之至少兩雷射同時發射之輻射光束聚焦於該第一個別雷射陣列之該至少兩雷射之一第一共同焦點處，及將自該第二個別雷射陣列之至少兩雷射同時發射之輻射光束聚焦於該第二個別雷射陣列之該至少兩雷射之一第二共同焦點處， 其中來自該第一個別雷射陣列之該至少兩雷射之該等輻射光束係與來自該第二個別雷射陣列之該至少兩雷射之該等輻射光束於不同時間發射。
TW102136851A 2012-10-26 2013-10-11 微影裝置 TWI646398B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261718908P 2012-10-26 2012-10-26
US61/718,908 2012-10-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201416807A TW201416807A (zh) 2014-05-01
TWI646398B true TWI646398B (zh) 2019-01-01

Family

ID=49253281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102136851A TWI646398B (zh) 2012-10-26 2013-10-11 微影裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10031422B2 (zh)
JP (1) JP6410723B2 (zh)
NL (1) NL2011484A (zh)
TW (1) TWI646398B (zh)
WO (1) WO2014063878A2 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2011580A (en) * 2012-11-07 2014-05-08 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for generating radiation.
US9232623B2 (en) * 2014-01-22 2016-01-05 Asml Netherlands B.V. Extreme ultraviolet light source
US11025025B2 (en) * 2018-11-27 2021-06-01 Lawrence Livermore National Security, Llc Integrated optics for high energy laser applications
CN113625458B (zh) * 2021-09-13 2022-04-22 北京理工大学 双共焦反射式变倍扩束镜

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100181503A1 (en) * 2008-12-16 2010-07-22 Tatsuya Yanagida Extreme ultraviolet light source apparatus

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3723246A (en) 1971-05-27 1973-03-27 Atomic Energy Commission Plasma production apparatus having droplet production means and laserpre-pulse means
US4058486A (en) * 1972-12-29 1977-11-15 Battelle Memorial Institute Producing X-rays
US7897947B2 (en) 2007-07-13 2011-03-01 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source having a droplet stream produced using a modulated disturbance wave
US7671349B2 (en) * 2003-04-08 2010-03-02 Cymer, Inc. Laser produced plasma EUV light source
US8654438B2 (en) * 2010-06-24 2014-02-18 Cymer, Llc Master oscillator-power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source
US20040057475A1 (en) 2002-09-24 2004-03-25 Robert Frankel High-power pulsed laser device
DE10319463A1 (de) 2003-04-29 2004-11-18 Basf Ag Automobilstoßdämpfersysteme
WO2005093487A1 (en) 2004-02-26 2005-10-06 Boling, Richard C. Light-collection device
DE102004063832B4 (de) 2004-12-29 2010-02-11 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung zur Erzeugung eines gepulsten Laserstrahls hoher Durchschnittsleistung
DE102005014433B3 (de) 2005-03-24 2006-10-05 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Anordnung zur effizienten Erzeugung von kurzwelliger Strahlung auf Basis eines lasererzeugten Plasmas
US7236297B1 (en) 2005-09-15 2007-06-26 Sandia Corporation Gregorian optical system with non-linear optical technology for protection against intense optical transients
NL1035846A1 (nl) 2007-08-23 2009-02-24 Asml Netherlands Bv Radiation source.
US7763871B2 (en) 2008-04-02 2010-07-27 Asml Netherlands B.V. Radiation source
WO2009100113A1 (en) 2008-02-07 2009-08-13 Imra America, Inc. High power parallel fiber arrays
JP2010103499A (ja) * 2008-09-29 2010-05-06 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置および極端紫外光生成方法
JP5314433B2 (ja) * 2009-01-06 2013-10-16 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
US8107167B2 (en) 2009-05-04 2012-01-31 The Regents Of The University Of Michigan Spatial-dispersion-free spectral combining of pulsed high peak power fiber laser beams
JP5802410B2 (ja) * 2010-03-29 2015-10-28 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置
US9072152B2 (en) 2010-03-29 2015-06-30 Gigaphoton Inc. Extreme ultraviolet light generation system utilizing a variation value formula for the intensity
US9066412B2 (en) 2010-04-15 2015-06-23 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for cooling an optic
US9013679B2 (en) 2010-04-22 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Collector mirror assembly and method for producing extreme ultraviolet radiation

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100181503A1 (en) * 2008-12-16 2010-07-22 Tatsuya Yanagida Extreme ultraviolet light source apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20150286145A1 (en) 2015-10-08
WO2014063878A3 (en) 2014-10-09
JP6410723B2 (ja) 2018-10-24
JP2016502132A (ja) 2016-01-21
WO2014063878A2 (en) 2014-05-01
NL2011484A (en) 2014-04-29
TW201416807A (zh) 2014-05-01
US10031422B2 (en) 2018-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI468874B (zh) 輻射源、微影裝置及元件製造方法
JP5191541B2 (ja) 極端紫外線を生成するモジュールおよび方法、並びにリソグラフィ投影装置
JP5027192B2 (ja) 放射源および極端紫外線放射を発生させる方法
SG183434A1 (en) Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2170021B1 (en) Source module, radiation source and lithographic apparatus
JP5659015B2 (ja) 放射源
JP6209217B2 (ja) 放射を発生させるための方法及び装置
TW201117675A (en) EUV radiation system and lithographic apparatus
CN104641298B (zh) 光刻方法和设备
TWI646398B (zh) 微影裝置
CN104798445B (zh) 用于光刻的辐射源和方法
US11960210B2 (en) Laser interference fringe control for higher EUV light source and EUV throughput
TW201403255A (zh) 微影裝置
JP2006140470A (ja) 放射システム、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び、それらにより製造されたデバイス
US11740565B2 (en) Collector flow ring
KR20160047553A (ko) 방사선 소스 및 리소그래피 장치
TW202333539A (zh) 光學系統及用於輻射源之方法
CN116830042A (zh) 用于投影光学器件加热的多通道光源
NL2004969A (en) Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2011514A (en) Beam delivery system for an euv radiation source, euv radiation source and method of generating euv radiation.