JP2005294442A - 半導体受光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 保護膜や金属膜の剥がれを防止して従来のものよりも製造コストを低減することができる半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】 半導体受光素子１０は、例えばｎ型ＩｎＰからなる半導体基板１１と、半導体基板１１の上面に積層された半導体積層部１２と、半導体積層部１２の上面に形成された保護膜１３と、保護膜１３の上面に形成されたｐ電極膜１４と、ボンディングワイヤが接続されるボンディングパッド１５と、ボンディングパッド１５の範囲内に形成された窪み１６と、入射された光を受光する受光部１７と、半導体基板１１の下面に形成されたｎ電極膜１８とを備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、入力された光信号を電気信号に変換する半導体受光素子に関する。

従来の半導体受光素子は、入力された光信号を電気信号に変換して外部に出力するため、半導体と接合された電極に金属配線が設けられている。この電極は、従来、平面で形成された保護膜の上面に設けられている（例えば、特許文献１参照。）。

金属配線は、直径が２５μｍ程度のワイヤによって素子にボールボンディングされて設けられるので、素子側には、電極に接続されたボンディングパッドと呼ばれる領域が必要になる。

一般にボンディングパッドは、ＣＶＤ装置により酸化膜又は窒化膜が保護膜として半導体上に成膜された後、電子ビーム蒸着装置により電極としての金属膜が保護膜上に蒸着されることにより形成される。

したがって、従来の半導体受光素子では、半導体と保護膜との密着強度の向上を図るため、半導体と保護膜との密着強度を低下させる要因である半導体面上の有機物や粉塵等による汚染を成膜前に有機溶剤や酸又はアルカリ性溶液によって取り除いたり、半導体基板の温度を上げて保護膜を形成することにより半導体基板上の水分を取り除いたり、半導体と保護膜との反応性を高めたりする処理等が実施されている。同様に、保護膜と金属膜との密着強度の向上を図るため、半導体の上面に形成された保護膜上に金属膜を蒸着する場合も、金属膜の蒸着前に有機溶剤や酸性溶液による保護膜の洗浄が行われている（例えば、非特許文献１参照。）。
特開平８−１６２６６４号公報（第４頁、第２図） 権田 俊一監修「薄膜作製応用ハンドブック」（株）エヌ・ティー・エス、１９９５年１１月３０日発行、pp.250-253）

しかしながら、このような従来の半導体受光素子における密着強度の向上策では、密着強度を低下させる汚染を完全に取り除くことができない場合があり、しかも半導体基板の面積が大きくなるに従って半導体基板内における洗浄度合いの差が大きくなるので、密着強度を低下させる部分が生じやすくなるという問題があった。

また、従来の半導体受光素子において、半導体、保護膜及び金属膜の材質が、半導体と保護膜、又は保護膜と金属膜との組み合わせにおける反応性が高くない物質であった場合や高温にすると素子に損傷を与える場合は、前述の洗浄や半導体基板の温度を上げて成膜すること等では、半導体と保護膜、又は保護膜と金属膜との密着強度を高めることが困難であるという問題があった。

したがって、従来の半導体受光素子における半導体と保護膜、又は保護膜と金属膜との密着強度の向上策では、ボンディングパッドにワイヤをボールボンディングする際に、ワイヤの先端のボール部分をボンディングパッドに圧着するときの衝撃や、ワイヤの他端をステムにボンディングするときにワイヤに生じる引張り力等により、保護膜や金属膜の剥がれが発生するので、製造歩留が低下して製造コストが高くなるという問題があった。

本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、保護膜や金属膜の剥がれを防止して従来のものよりも製造コストを低減することができる半導体受光素子を提供するものである。

本発明の半導体受光素子は、半導体基板と、前記半導体基板の一方の面上に積層された半導体層を有する半導体積層部とを備え、前記半導体積層部は光を吸収してキャリアを生成する光吸収層を含み、前記半導体基板の前記一方の面から遠ざかる方向における前記半導体積層部の端部に保護膜及び金属膜の少なくとも一方が成膜される半導体受光素子において、前記端部に少なくとも１つの窪みを設けたことを特徴とする構成を有している。

この構成により、本発明の半導体受光素子は、半導体積層部の端部に形成された窪みにより保護膜や金属膜が成膜される成膜面積を拡大して半導体と保護膜、又は保護膜と金属膜との密着強度を大きくすることができるので、保護膜や金属膜の剥がれを防止して従来のものよりも製造コストを低減することができる。

また、本発明の半導体受光素子は、前記窪みの開口部から前記窪みの底部に向かう方向の前記窪みの断面形状において、前記開口部の長さが前記底部の長さよりも小さいことを特徴とする構成を有している。

この構成により、本発明の半導体受光素子は、窪みの開口部の長さが底部の長さよりも小さくなるよう窪みが形成されるので、窪みにより保護膜や金属膜が成膜される成膜面積を拡大して半導体と保護膜、又は保護膜と金属膜との密着強度を大きくすることができると共に剥がれ方向の引っ掛かりを形成することができ、保護膜や金属膜の剥がれを防止して従来のものよりも製造コストを低減することができる。

さらに、本発明の半導体受光素子は、前記窪みの開口部から前記窪みの底部に向かう方向の前記窪みの断面形状において、前記開口部の長さが前記底部の長さよりも大きいことを特徴とする構成を有している。

この構成により、本発明の半導体受光素子は、窪みの開口部の長さが底部の長さよりも大きくなるよう窪みが形成されるので、窪みにより保護膜や金属膜が成膜される成膜面積を拡大して半導体と保護膜、又は保護膜と金属膜との密着強度を大きくすることができ、保護膜や金属膜の剥がれを防止して従来のものよりも製造コストを低減することができる。なお、本発明の半導体受光素子は、半導体と金属膜との密着強度も同様に大きくすることができる。

本発明は、保護膜や金属膜の剥がれを防止して従来のものよりも製造コストを低減することができるという効果を有する半導体受光素子を提供することができるものである。

以下、本発明の実施の形態について説明する。

（第１の実施の形態）
まず、本発明の第１の実施の形態の半導体受光素子の構成について図１を用いて説明する。図１（ａ）は本実施の形態の半導体受光素子の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の断面Ａ−Ａにおける窪み部拡大図、図１（ｃ）は図１（ａ）の断面Ｂ−Ｂにおける窪み部拡大図を示している。なお、本実施の形態の半導体受光素子がプレーナ型のｐｉｎ型半導体受光素子を構成する例を挙げて説明する。

図１（ａ）に示すように、本実施の形態の半導体受光素子１０は、表面の結晶方位が（１００）で例えばｎ型ＩｎＰからなる半導体基板１１と、半導体基板１１の上面に積層された半導体積層部１２と、半導体積層部１２の上面に形成された保護膜１３と、保護膜１３の上面に形成されたｐ電極膜１４と、ボンディングワイヤ（図示せず）が接続されるボンディングパッド１５と、ボンディングパッド１５の範囲内に形成された窪み１６（斜線部）と、入射された光を受光する受光部１７と、半導体基板１１の下面に形成されたｎ電極膜１８とを備えている。

なお、半導体積層部１２が半導体基板１１に積層された積層方向を上方向と定義し、上方向の側にある面を上面と定義する。

窪み１６は、それぞれ、例えば開口部が約５μｍ角で深さ０．２〜０．５μｍ程度の形状を有し、市松模様状にボンディングパッド１５の範囲内に形成されている。ボンディングパッド１５の大きさは、例えばφ８０μｍ程度である。

また、保護膜１３は、例えば窒化膜（ＳｉＮｘ）で構成され、窪み１６が形成された半導体積層部１２の上面に形成されている。さらに、ｐ電極膜１４は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕで構成され、保護膜１３の上面に形成されている。

なお、公知の技術のため図示を省略したが、ｐ電極膜１４は、ｐ型半導体上に形成されたコンタクト層に接続されている。また、半導体積層部１２は、１つ以上の半導体層で構成され、少なくとも光吸収層を含んでいる。光吸収層は例えばｉ型ＩｎＧａＡｓの薄膜で構成されている。

次に、本実施の形態の半導体受光素子１０の製造方法について図２を用いて説明する。なお、半導体基板１１や半導体積層部１２等の製造方法は公知の技術であるので詳細な説明を省略し、本発明の特徴である窪み１６に係る製造方法について説明する。

まず、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法により、半導体積層部１２の上面にエッチングマスクとしての酸化膜１９を成膜する（ステップＳ１）。酸化膜１９は、例えばＳｉＯ_２で構成される。

次いで、フォトリソグラフィ法により、レジスト２０を酸化膜１９上に形成し、レジスト２０と酸化膜１９の露出部分とが約５μｍ角の市松模様状になるようパターニングする（ステップＳ２）。

引き続き、ドライエッチングにより、市松模様状のパターンを酸化膜１９に転写する（ステップＳ３）。そして、レジスト２０を除去する（ステップＳ４）。

さらに、ドライエッチングにより、市松模様状のパターンを半導体積層部１２の上面に転写し、深さ０．２〜０．５μｍ程度の窪み１６を製作する（ステップＳ５）。そして、酸化膜１９を除去する（ステップＳ６）。

次いで、ＣＶＤ法により、保護膜１３を成膜する（ステップＳ７）。保護膜１３は、例えば膜厚が１００〜３００ｎｍの窒化膜（ＳｉＮｘ）で構成される。

そして、電子ビーム蒸着法により、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ（膜厚約２０ｎｍ／５０ｎｍ／３００ｎｍ）で構成されたｐ電極膜１４が保護膜１３上に形成される（ステップＳ８）。このとき、窪み１６の内壁にもｐ電極膜１４が形成されるよう半導体受光素子１０を水平方向に回転しながら成膜する。

なお、前述した製造方法において示した材質、寸法、手法等は一例であり、これらに限定されるものではない。例えば、図２に示されたステップＳ３及びステップＳ５におけるドライエッチングに代えてウェットエッチングで形成してもよい。

以上のように、本実施の形態の半導体受光素子１０によれば、窪み１６をボンディングパッド１５の範囲内に形成して保護膜１３及びｐ電極膜１４を成膜する構成としたので、保護膜１３及びｐ電極膜１４の成膜面積を従来のものよりも拡大して半導体積層部１２と保護膜１３、又は保護膜１３とｐ電極膜１４との密着強度を大きくすることができ、保護膜１３及びｐ電極膜１４の剥がれを防止して従来のものよりも製造コストを低減することができる。

なお、本実施の形態において、窪み１６を市松模様状に形成する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ボンディングパッド１５の範囲内に１つの窪み１６を備える構成でもよいし、ボンディングパッド１５の範囲内に複数の窪み１６を離散的に配置する構成でもよい。また、窪み１６の形状についても任意の形状で構成してもかまわない。

また、本実施の形態の半導体受光素子１０がプレーナ型のｐｉｎ型半導体受光素子を構成する例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばプレーナ型のアバランシェフォトダイオードに適用する構成としてもよい。

（第２の実施の形態）
まず、本発明の第２の実施の形態の半導体受光素子の構成について図３を用いて説明する。図３（ａ）は本実施の形態の半導体受光素子の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の断面Ｃ−Ｃにおける窪み部拡大図、図３（ｃ）は図３（ａ）の断面Ｄ−Ｄにおける窪み部拡大図を示している。なお、本発明の第１の実施の形態の半導体受光素子１０と同様な構成については同じ符号を付して詳細な説明を省略する。

図３（ａ）に示すように、本実施の形態の半導体受光素子３０は、窪み３１（斜線部）がボンディングパッド１５の範囲内に市松模様状に形成されている。

窪み３１は、図３（ｂ）に示された断面Ｃ−Ｃにおいて、開口部の長さａが底部の長さｂよりも小さくなるよう形成されている。図３（ｂ）において、窪み３１は、それぞれ、例えば開口部が約５μｍ角で内壁面が角度θｃで傾斜し、深さが０．２〜０．５μｍ程度の形状を有している。

また、窪み３１は、図３（ｃ）に示された断面Ｄ−Ｄにおいて、開口部の長さｃが底部の長さｄよりも大きくなるよう形成され、内壁面が角度θｄで傾斜している。

なお、複数の窪み３１の全ての内壁面が角度θｃ及び角度θｄで傾斜している必要はない。例えば、少なくとも１つの窪み３１の内壁面が角度θｃ又は角度θｄで傾斜する構成でもよい。

本実施の形態において、半導体基板１１の結晶面方位は、図３（ｂ）及び（ｃ）に示すようになっている。すなわち、半導体基板１１の表面の結晶面方位は（１００）であり、半導体積層部１２は、エピタキシャル成長法によって、半導体基板１１の表面から［１００］方向に堆積されて構成されている。

また、半導体積層部１２の結晶方位を図３（ｂ）及び（ｃ）に示された方向に合わせることによって、ウェットエッチングのエッチャントに応じて角度θｃ及びθｄが決定されるようになっている。

次に、本実施の形態の半導体受光素子３０の製造方法について説明する。なお、本実施の形態の半導体受光素子３０は、第１の実施の形態の半導体受光素子１０と比較すると、半導体積層部１２の結晶面方位が指定されていることと、窪み３１の内壁面が傾斜していることとが異なっているだけなので、半導体受光素子１０の製造方法と異なる工程について説明する。

本実施の形態の半導体受光素子３０は、半導体積層部１２の結晶方位を図３（ｂ）及び（ｃ）に示された方向に予め合わせておき、図２に示されたステップＳ５において、所定のエッチャントによるウェットエッチングによって、市松模様状のパターンが半導体積層部１２の上面に転写され、図３（ｂ）及び（ｃ）に示すような角度θｃ及びθｄの内壁面を有する深さ０．２〜０．５μｍ程度の窪み３１が形成される。

角度θｃについては、例えば、塩酸・リン酸系のエッチャントによるウェットエッチングの場合の角度θｃは約８０度、Ｂｒ・メタノール系のエッチャントによるウェットエッチングの場合の角度θｃは５０〜６０度となる。

一方、角度θｄについては、例えば、塩酸・リン酸系のエッチャントによるウェットエッチングの場合の角度θｄは１４０〜１５０度、Ｂｒ・メタノール系のエッチャントによるウェットエッチングの場合の角度θｄは１２０〜１３０度となる。

なお、窪み３１の製造方法は、ウェットエッチングに限定されるものではなく、例えばドライエッチングで形成してもよい。

以上のように、本実施の形態の半導体受光素子３０によれば、断面Ｃ−Ｃにおいては窪み３１の開口部の長さａが底部の長さｂよりも小さい形状とし、断面Ｄ−Ｄにおいては窪み３１の開口部の長さｃが底部の長さｄよりも大きい形状とし、窪み３１をボンディングパッド１５の範囲内に形成して保護膜１３及びｐ電極膜１４を成膜する構成としたので、保護膜１３及びｐ電極膜１４の成膜面積を従来のものよりも拡大して半導体積層部１２と保護膜１３、又は保護膜１３とｐ電極膜１４との密着強度を大きくすることができると共に、断面Ｃ−Ｃにおいては剥がれ方向に対する引っ掛かりを形成することができ、保護膜１３及びｐ電極膜１４の剥がれを防止して従来のものよりも製造コストを低減することができる。

なお、本実施の形態において、窪み３１を市松模様状に形成する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ボンディングパッド１５の範囲内に１つの窪み３１を備える構成でもよいし、ボンディングパッド１５の範囲内に複数の窪み３１を離散的に配置する構成でもよい。また、窪み３１の形状についても任意の形状で構成してもかまわない。

また、本実施の形態の半導体受光素子３０がプレーナ型のｐｉｎ型半導体受光素子で構成された例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばプレーナ型のアバランシェフォトダイオードに適用する構成としてもよい。

（第３の実施の形態）
まず、本発明の第３の実施の形態の半導体受光素子の構成について図４を用いて説明する。図４（ａ）は本実施の形態の半導体受光素子の平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）の断面Ｅ−Ｅにおける窪み部拡大図、図４（ｃ）は図４（ａ）の断面Ｆ−Ｆにおける窪み部拡大図を示している。なお、本発明の第１の実施の形態の半導体受光素子１０と同様な構成については同じ符号を付して詳細な説明を省略する。

図４（ａ）に示すように、本実施の形態の半導体受光素子４０は、窪み４１（斜線部）がボンディングパッド１５の範囲内に市松模様状に形成されている。

窪み４１は、図４（ｂ）に示された断面Ｅ−Ｅにおいて、開口部の長さｅが底部の長さｆよりも小さくなるよう形成されている。図４（ｂ）において、窪み４１は、それぞれ、例えば開口部が約５μｍ角で内壁面が角度θｅで傾斜し、深さが０．２〜０．５μｍ程度の形状を有している。

また、窪み４１は、図４（ｃ）に示された断面Ｆ−Ｆにおいても、開口部の長さｇが底部の長さｈよりも小さくなるよう形成され、内壁面が角度θｆで傾斜している。

次に、本実施の形態の半導体受光素子４０の製造方法について説明する。なお、本実施の形態の半導体受光素子４０は、第１の実施の形態の半導体受光素子１０と比較すると、窪み４１の内壁面が傾斜していることが異なっているだけなので、半導体受光素子１０の製造方法と異なる工程について説明する。

本実施の形態の半導体受光素子４０は、図２に示されたステップＳ５において、ドライエッチングによって窪み４１が形成される。このドライエッチングの際、半導体基板１１を所定の角度に傾けて回転させながら、θｅ及びθｆが、それぞれ、例えば５０〜６０度となるよう形成される。

次に、本実施の形態の他の態様の半導体受光素子の構成について図５を用いて説明する。図５（ａ）は本実施の形態の他の態様の半導体受光素子の平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の断面Ｇ−Ｇにおける窪み部拡大図、図５（ｃ）は図５（ａ）の断面Ｈ−Ｈにおける窪み部拡大図を示している。なお、本発明の第１の実施の形態の半導体受光素子１０と同様な構成については同じ符号を付して詳細な説明を省略する。

図５（ａ）に示すように、本実施の形態の他の態様の半導体受光素子５０は、窪み５１（斜線部）がボンディングパッド１５の範囲内に市松模様状に形成されている。

窪み５１は、図５（ｂ）に示された断面Ｇ−Ｇにおいて、開口部の長さｉが底部の長さｊよりも大きくなるよう形成されている。図５（ｂ）において、窪み５１は、それぞれ、例えば開口部が約５μｍ角で内壁面が角度θｇで傾斜し、深さが０．２〜０．５μｍ程度の形状を有している。

また、窪み５１は、図５（ｃ）に示された断面Ｈ−Ｈにおいても、開口部の長さｋが底部の長さｍよりも大きくなるよう形成され、内壁面が角度θｈで傾斜している。

窪み５１の製造方法は、前述の窪み４１と同様にドライエッチングによって形成することができるが、角度θｇ及び角度θｈで傾いた内壁を形成するに当たり、半導体積層部１２の上面にエッチングマスクとして形成する酸化膜を断面Ｇ−Ｇ及び断面Ｈ−Ｈにおいて、図６に示すような形状にすることが好ましい。なお、図６は断面Ｇ−Ｇにおける形状を示したものである。

図６に示されたステップＳ４０において、例えばＳｉＯ_２で構成された酸化膜５２がテーパ状に形成されている。なお、このステップＳ４０は、図２に示されたステップＳ４に相当する工程である。酸化膜５２をテーパ状に形成することにより、酸化膜５２の厚みがマスク端になるほど薄くなり半導体積層部１２の上面がエッチングされやすくなるので、内壁が傾斜した窪みを容易に形成することができる。

半導体基板１１を回転させながらドライエッチングを行うことにより、図６に示されたステップＳ４１、Ｓ４２、Ｓ４３に示すように半導体積層部１２の上面のエッチングが進行し、ステップＳ５０において例えば１４０〜１５０度の角度θｇを有する窪み５１が形成される。なお、断面Ｈ−Ｈにおいても同様にドライエッチングによって窪み５１の角度θｈが得られる。

以上のように、本実施の形態の半導体受光素子４０によれば、断面Ｅ−Ｅ及び断面Ｆ−Ｆにおいて、窪み４１の開口部の長さｅ及びｇが、それぞれ、底部の長さｆ及びｈよりも小さい形状とし、窪み４１をボンディングパッド１５の範囲内に形成して保護膜１３及びｐ電極膜１４を成膜する構成としたので、保護膜１３及びｐ電極膜１４の成膜面積を従来のものよりも拡大して半導体積層部１２と保護膜１３、又は保護膜１３とｐ電極膜１４との密着強度を大きくすることができると共に、剥がれ方向に対する引っ掛かりを形成することができ、保護膜１３及びｐ電極膜１４の剥がれを防止して従来のものよりも製造コストを低減することができる。

また、本実施の形態の他の態様の半導体受光素子５０によれば、断面Ｇ−Ｇ及び断面Ｈ−Ｈにおいて、窪み５１の開口部の長さｉ及びｋが、それぞれ、底部の長さｊ及びｍよりも大きい形状とし、窪み５１をボンディングパッド１５の範囲内に形成して保護膜１３及びｐ電極膜１４を成膜する構成としたので、保護膜１３及びｐ電極膜１４の成膜面積を従来のものよりも拡大して半導体積層部１２と保護膜１３、又は保護膜１３とｐ電極膜１４との密着強度を大きくすることができ、保護膜１３及びｐ電極膜１４の剥がれを防止して従来のものよりも製造コストを低減することができる。

なお、本実施の形態において、窪み４１及び５１を市松模様状に形成する例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ボンディングパッド１５の範囲内に１つの窪み４１又は５１を備える構成でもよいし、ボンディングパッド１５の範囲内に複数の窪み４１又は５１を離散的に配置する構成でもよい。また、窪み４１及び５１の形状についても任意の形状で構成してもかまわない。

また、本実施の形態の半導体受光素子４０がプレーナ型のｐｉｎ型半導体受光素子で構成された例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばプレーナ型のアバランシェフォトダイオードに適用する構成としてもよい。

以上のように、本発明にかかる半導体受光素子は、保護膜や金属膜の剥がれを防止して従来のものよりも製造コストを低減することができるという効果を有し、入力された光信号を電気信号に変換する半導体受光素子等として有用である。

（ａ）本発明の第１の実施の形態の半導体受光素子の外観斜視図 （ｂ）本発明の第１の実施の形態の半導体受光素子のＡ−Ａ断面図 （ｃ）本発明の第１の実施の形態の半導体受光素子のＢ−Ｂ断面図 本発明の窪みの製造方法の一例を示す図 （ａ）本発明の第２の実施の形態の半導体受光素子の外観斜視図 （ｂ）本発明の第２の実施の形態の半導体受光素子のＣ−Ｃ断面図 （ｃ）本発明の第２の実施の形態の半導体受光素子のＤ−Ｄ断面図 （ａ）本発明の第３の実施の形態の半導体受光素子の外観斜視図 （ｂ）本発明の第３の実施の形態の半導体受光素子のＥ−Ｅ断面図 （ｃ）本発明の第３の実施の形態の半導体受光素子のＦ−Ｆ断面図 （ａ）本発明の第３の実施の形態の他の態様の半導体受光素子の外観斜視図 （ｂ）本発明の第３の実施の形態の他の態様の半導体受光素子のＧ−Ｇ断面図 （ｃ）本発明の第３の実施の形態の他の態様の半導体受光素子のＨ−Ｈ断面図 本発明の第３の実施の形態の他の態様の窪みを形成するステップを示す図

符号の説明

１０、３０、４０、５０ 半導体受光素子
１１ 半導体基板
１２ 半導体積層部
１３ 保護膜
１４ ｐ電極膜（金属膜）
１５ ボンディングパッド
１６、３１、４１、５１ 窪み
１７ 受光部
１８ ｎ電極膜
１９、５２ 酸化膜
２０ レジスト

Claims (3)

1. 半導体基板（１１）と、前記半導体基板の一方の面上に積層された半導体層を有する半導体積層部（１２）とを備え、前記半導体積層部は光を吸収してキャリアを生成する光吸収層を含み、前記半導体基板の前記一方の面から遠ざかる方向における前記半導体積層部の端部に保護膜（１３）及び金属膜（１４）の少なくとも一方が成膜される半導体受光素子において、
   前記端部に少なくとも１つの窪み（１６）を設けたことを特徴とする半導体受光素子。
2. 前記窪みの開口部から前記窪みの底部に向かう方向の前記窪みの断面形状において、前記開口部の長さが前記底部の長さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体受光素子。
3. 前記窪みの開口部から前記窪みの底部に向かう方向の前記窪みの断面形状において、前記開口部の長さが前記底部の長さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体受光素子。

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