JP5612347B2 - 化合物半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施の形態を、図1に基づいて説明する。
図1は、メサ部50を有する化合物半導体素子100の構成例を示す。
以下、化合物半導体素子100の具体的な構成例について説明する。
次に、本発明の第2の実施の形態を、図2〜図5に基づいて説明する。なお、前述した第1の例と同一部分については、その説明を省略し、同一符号を付す。
メサ部50を有する化合物半導体素子100の製造方法の具体例について説明する。
ここで、エッチング法について説明する。
ここで、サイドエッチング方向(X方向)のエッチング速度と、例えば塩酸/過酸化水素をエッチング液として用いた場合の濃度との関係を、図3を用いて説明する。
ここで、メサ角度θについて説明する。
ここで、マスクパターン70とメサパターンとの関係について説明する。
2 n型半導体層
3 i型半導体層
4 p型半導体層
5 絶縁性保護膜
6 電極配線
10 フォトダイオード
15 オリエンテーションフラットネス
30 半導体基板
40 化合物半導体薄膜層
41 n+−InSb層
42 i−InSb光吸収層
43 p−AlInSbバリア層
44 p+−InSb層
50 メサ部
51 上面
52 下面
53 斜面
60 フォトレジスト
70 マスクパターン
80 辺
Claims (9)
- PIN構造のメサ部を有する化合物半導体素子の製造方法であって、
(100)面の半導体基板上に、InSb系の化合物半導体薄膜を形成する第1の工程と、
複数の辺を有する多角形のマスクパターンを、前記化合物半導体薄膜上に配置する第2の工程であって、前記マスクパターンは、前記化合物半導体薄膜に対するサイドエッチング方向のエッチング速度が等価となる所定の結晶軸方向と平行になる辺の和が最大長となる複数の辺を含み、前記所定の結晶軸方向は、前記化合物半導体薄膜に対し<00−1>、<010>、<001>、<0−10>方向であり、前記マスクパターンは、面積が500μm 2 以下である、第2の工程と、
前記所定の結晶軸方向に平行な方向に、前記マスクパターンの最大長となる複数の辺を配置させた状態において、該マスクパターンの下方に位置する前記化合物半導体薄膜に対して、ウェットエッチング法によりエッチングを行うことによって、前記マスクパターンの多角形の形状に対応した多角形を構成する上面と下面とを有するメサパターンからなるメサ部を形成する第3の工程であって、前記<00−1>、<010>、<001>、<0−10>方向に平行な方向に配置された前記マスクパターンの辺の下方に位置する前記化合物半導体薄膜に対するエッチング速度が等価なサイドエッチングのエッチング量と、前記化合物半導体薄膜に対する深さ方向のエッチング量とが制御され、前記メサ部の前記上面と前記下面との間の距離が2μm以上である、第3の工程と
を備えたことを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。 - 前記多角形を構成する上面の第1の辺と該辺に対向する前記多角形を構成する下面の第1の辺とを結ぶ第1の斜面と基板面とのなす第1の角度が、当該第1の辺以外の上面の第2の辺と該辺に対向する下面の第2の辺とを結ぶ第2の斜面と基板面とのなす第2の角度と等しく設定されたことを特徴とする請求項1記載の化合物半導体素子の製造方法。
- 前記メサ部は、前記多角形を構成する前記上面の辺の数と、前記多角形を構成する前記下面の辺の数とが等しく設定されたことを特徴とする請求項1又は2記載の化合物半導体素子の製造方法。
- 前記メサ部は、前記多角形を構成する前記上面の角の数と、前記多角形を構成する前記下面の角の数とが等しく設定されたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
- 前記多角形は、四角形、五角形、六角形、七角形、又は八角形のいずれかであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
- 前記化合物半導体薄膜は、エピタキシャル薄膜であることを特徴とする前記請求項1ないし5のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
- 前記InSb系の化合物半導体薄膜は、InSbをベースとしたInAsxSb1-x(0≦x<1)、In1-yGaySb(0≦y<1)、In1-zAlzSb(0≦z<1)であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
- 前記InSb系の化合物半導体薄膜は、積層構造となっていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
- 前記InSb系の化合物半導体薄膜は、pn接合をベースとしたダイオードであることを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の化合物半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010082544A JP5612347B2 (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | 化合物半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011216625A JP2011216625A (ja) | 2011-10-27 |
JP5612347B2 true JP5612347B2 (ja) | 2014-10-22 |
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ID=44946080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010082544A Expired - Fee Related JP5612347B2 (ja) | 2010-03-31 | 2010-03-31 | 化合物半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5612347B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5859357B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2016-02-10 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 光センサ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3162463B2 (ja) * | 1992-03-17 | 2001-04-25 | 光計測技術開発株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2004200546A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102004037191B4 (de) * | 2004-07-30 | 2008-04-03 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Halbleiterbautelement mit einer Passivierungsschicht und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2008066584A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 光センサ |
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2010
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Publication number | Publication date |
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JP2011216625A (ja) | 2011-10-27 |
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A621 | Written request for application examination |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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