JP2005290454A - 薄膜回路の形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 プリント配線板等の回路として、高密度化に適した極薄の極薄膜回路を極めて簡素な工程によって安価に確実に形成でき、環境に優しく省資源にも貢献できる手段を提供する。
【解決手段】 高分子基材１の表面に、回路パターンに沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、高分子の化学結合部を選択的に解離させて照射域Ｚの基材１表面部を親水性に改質し、無電解メッキによって照射域Ｚに金属薄膜３を被着させる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えばパーソナルコンピュータやその関連機器、オーデオ及びビデオ用機器、インクジェットプリンタ、携帯電話の如き電子機器類、家庭用電気製品、産業用ロポット、自動生産ラインの制御装置、各種計測装置等に使用されるプリント配線板等に好適な薄膜回路の形成方法に関する。

従来、フレキシブルプリント配線板として代表的な３層銅張り積層板は、一般的に図６（Ａ）〜（Ｆ）に示す手順で製造されている。すなわち、（Ａ）ポリイミドフィルム１１の接着剤１２を塗布した表面に、予め被着面１３ａを化学的又は物理的に粗面化した銅箔１３を貼着して積層一体化し、（Ｂ）この積層体１０の銅箔１３側の表面にフォトレジスト１４を塗布し、（Ｃ）該フォトレジスト１４を回路パターンのマスク１５を介して露光し、（Ｄ）現像して非露光部の未硬化レジストを剥離除去し、（Ｅ）銅箔１３の露呈部分をエッチングによって除去し、（Ｆ）硬化レジストの除去によって回路を構成する銅層１３ｂを露呈させる。なお、近年においては、（Ｃ）の露光工程で、マスク１５を使用する代わりに、レーザ光を回路パターンに沿って照射するレーザ露光も行われている。

しかしながら、上記従来のフレキシブルプリント配線板では、回路構成材料として用いる銅箔１３がポリイミドフィルム１１への貼着操作等の取扱いに耐える強度を確保するために数十〜百μｍの厚さを有する上、エッチング時に側面浸食を生じることから、回路の配線幅は最小でも１００μｍ程度となり、これによって回路パターンの高密度化に限界があり、今後の電子機器類の高性能化及び小型化の進展に最早対応できなくなっている。

また、前記の製造方法では、工程的に非常に煩雑であることに加え、接着剤、フォトレジスト液、現像液、レジスト剥離液、エッチング液等の薬剤を消費することから、製作コストが極めて高く付いて少量多品種生産に不向きである上、使用後の現像液、レジスト剥離液、エッチング液等が環境への負荷となって廃液処理にもコストがかかり、しかも一般的に銅箔１３として用いた銅の約８０％がエッチングによって除去されるが、その回収にはコストが嵩むために通常は廃棄されており、省資源の観点からも問題が多い。

本発明は、上述の情況に鑑み、プリント配線板等の回路の導体厚みを極薄に設定でき、もって従来に比較して回路パターンを格段に高密度化することを可能とし、しかも従来のような接着剤、フォトレジスト液、現像液、レジスト剥離液、エッチング液等を必要とせず、極めて簡素な工程によって基材に対する導体金属の被着強度が大きい高性能な薄膜回路を安価に且つ確実に形成でき、また環境に優しく省資源にも貢献できる方法を提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、本発明では、特定の高分子基材の表面にレーザ光を照射することにより、高分子の化学結合部を選択的に解離させて照射域の基材表面部を親水性に改質し、無電解メッキによって前記照射域に金属薄膜を被着させて薄膜回路を形成するようにしている。

すなわち、請求項１の発明に係る薄膜回路の形成方法は、下記式（Ｉ）；

（ｍは２以上の整数）
で示す構造のポリイミドからなる高分子基材の表面に、レーザ光を照射することにより、イミド環のＣ−Ｎ結合を選択的に解離させて照射域の基材表面部を親水性に改質し、無電解メッキによって前記照射域に金属薄膜を被着させることを特徴としている。

また、請求項２の発明に係る薄膜回路の形成方法は、下記式（II）；

（ｘ及びｙは２以上の整数）
で示す構造の耐熱性液晶ポリマーからなる高分子基材の表面に、レーザ光を照射することにより、エステル結合のＣ−Ｏ結合部を選択的に解離させて照射域の基材表面部を親水性に改質し、無電解メッキによって前記照射域に金属薄膜を被着させることを特徴としている。

上記のようにレーザ光の照射パターンを回路パターンに設定するには、請求項３の発明のようにレーザ光によって高分子基材の表面に回路パターンを描画する方法か、もしくは請求項４の発明のように回路パターンに対応した光透過パターンを有するマスクを介してレーザ光を照射する方法を採用すればよい。

請求項５の発明は、上記請求項１〜４の薄膜回路の形成方法において、高分子基材の表面に、その高分子基材よりもアブレーションしきい値が高い材料の微粒子を散布したのち、回路パターンに沿って前記レーザ光を照射することにより、前記化学結合部の選択的解離と同時に照射域に微細凹凸を形成する構成としている。

また、請求項６の発明は、上記請求項５の薄膜回路の形成方法において、高分子基材の表面に前処理としてレーザ光を照射し、この照射時のアブレーションにて飛散したカーボン微粒子を該高分子基材の表面に自然落下させることにより、前記前記微粒子の散布を行う構成としている。

更に、請求項７の発明では金属薄膜が銅又は銅合金からなる構成を、請求項８の発明ではレーザ光が紫外光である構成を、請求項９の発明では前記無電解メッキにおいて、浴液に振動を与える構成を、それぞれ採用している。

請求項１及び請求項２に係る薄膜回路の形成方法によれば、本来が疎水性である特定の高分子基材の表面にレーザ光を照射することにより、照射域の基材表面部を親水性に改質し、次の無電解メッキによって該照射域に金属が析出付着して金属薄膜を生成するから、該高分子基材の表面に対するレーザ光の照射パターンを回路パターンに設定することにより、高分子基材の表面に配線幅が数μｍから数十μｍで極薄の導体金属からなる回路パターンを直接に形成でき、従来に比較して回路パターンを飛躍的に高密度化することが可能となり、しかもレーザ光の照射と無電解メッキのみで薄膜回路を形成できるため、プリント配線板等を極めて能率よく低コストで製作でき、少量多品種生産に適する上、導体金属を回路形成に必要な量だけ消費するため、無駄がなく省資源に貢献でき、しかも廃液処理の負担が従来に比して著しく軽減され、プロセス全体を通して環境への負荷が極めて僅少となる。

請求項３の発明によれば、上記の薄膜回路の形成方法において、高分子基材の表面にレーザ光で直接に配線パターンを描画することにより、無電解メッキ経て該パターン通りに金属薄膜が被着するから、複雑で精緻な薄膜回路でも極めて容易に形成できる。

請求項４の発明によれば、上記の薄膜回路の形成方法において、回路パターンに対応した光透過パターンを有するマスクを介してレーザ光を照射することから、必要とする回路パターンの一部又は全部を一括して表面改質でき、それだけ表面改質操作を能率よく行える。

請求項５の発明によれば、上記の薄膜回路の形成方法において、高分子基材の表面に、その高分子基材よりもアブレーションしきい値が高い材料の微粒子を散布したのち、レーザ光を照射することから、前記微粒子の蒸発を抑えて且つ高分子基材の表面部の蒸発を生じるように、レーザ光のエネルギ密度を調整することにより、その照射域の高分子基材表面に、各微粒子にてレーザ光が遮られる部分を凸部、遮られない部分を蒸発による凹部とする微細凹凸が形成され、この微細凹凸によって次の無電解メッキで形成される薄膜回路の導体金属層にアンカー効果がもたらされ、高分子基材に対する導体金属の被着強度及び密着性が向上する。

請求項６の発明によれば、上記の表面改質と同時に微細凹凸の形成を行うに当たり、高分子基材の表面に前処理としてレーザ光を照射することにより、飛散したカーボン微粒子を該高分子基材の表面に自然落下させることから、散布用の微粒子を別途に用意する必要がなく、その散布のための各別な装置も不要であり、もって材料コスト及び設備コストが低減されると共に、表面改質工程においてレーザ光の照射を複数回行うだけで済むという利点がある。

請求項７の発明によれば、上記の薄膜回路の形成方法において、金属薄膜が銅又は銅合金からなるため、無電解メッキによって特に導電性に優れた薄膜回路を容易に形成できる。

請求項８の発明によれば、上記の薄膜回路の形成方法において、レーザ光が紫外光であることから、上記の優れた薄膜回路をより確実に形成できるという利点がある。

請求項９の発明によれば、上記の薄膜回路の形成方法において、無電解メッキ時に浴液に振動を与えることから、金属薄膜の形成効率が向上するという利点がある。

以下、本発明に係る薄膜回路の形成方法の実施形態について、図面を参照して具体的に説明する。

図１に示す薄膜回路の形成方法では、同図（Ａ）に示す高分子基材１の表面に、まず同図（Ｂ）の如く、該高分子基材１よりもアブレーションしきい値の高い材料からなる微粒子２…を散布する。しかる後、同図（Ｃ）の如く、この微粒子２…を散布した高分子基材１の表面に、例えば集束レンズＳにて集束させたレーザ光Ｌを、スキャンニングヘッドＨを介して所定の回路パターンに沿って照射する。次に、このレーザ照射後の高分子基材１を無電解メッキ処理に供することにより、高分子基材１の表面における前記レーザ光Ｌの照射域のみに金属薄膜３が被着し、もって薄膜回路３０が形成される。

なお、レーザ光の走査は、スキャンニングヘッドを用いる代わりに、高分子基材を載せたＸＹテーブルを移動させる方法で行ってもよいし、スキャンニングヘッドによる光軸方向の移動とＸＹテーブルの移動とを組み合わせる方法で行うこともできる。

また、本発明の薄膜回路の形成方法では、上記のようにレーザ光の走査によって回路パターンを描画する方法に代えて、回路パターンに対応した光透過パターンを有するマスクを用い、このマスクを介して高分子基材の表面にレーザ光を一括照射する方法を採用してもよい。すなわち、このマスクを用いる方法では、必要とする回路パターンの一部又は全部を一括して表面改質できる。

ここで、前記の無電解メッキ処理により、高分子基材１の表面における前記レーザ光Ｌの照射域のみに金属薄膜３が被着するのは、高分子基材１の表面が本来的に疎水性（撥水性）であってメッキ液を弾くが、レーザ光Ｌの照射域では当該基材の高分子の化学結合部がレーザ光Ｌのエネルギによって選択的に解離し、親水性に改質されてメッキ液に対する親和性を示すため、メッキ浴の還元作用によって金属が該照射域に選択的に析出被着することによる。

従って、高分子基材１は、ポリマー構造中に親水基を含まず、疎水性（撥水性）の表面を有することが必要であるが、これに加えてレーザ光照射による表面改質を行う上で高い耐熱性と、プリント配線板等の薄膜回路用基材としての適合性も要求される。しかして、本発明においては、これらの要求を満足できる高分子基材１として、下記の式（Ｉ）で示す化学構造を有するポリイミド、もしくは下記の式（II）で示す化学構造を有する耐熱性液晶ポリマーからなるものを使用する。

（ｍは２以上の整数）

（ｘ及びｙは２以上の整数）

すなわち、適切な強度のレーザ光を照射することにより、上記式（Ｉ）のポリイミドではイミド環のＣ−Ｎ結合が選択的に解離し、また上記式（II）の耐熱性液晶ポリマーではエステル結合のＣ−Ｏ結合部が選択的に解離するから、これら解離部に例えばＯＨ基の如き親水基を付加させることにより、強い親水性を発揮させることができる。なお、このように親水基を付加させるには、特に各別な処理を行う必要はなく、大気中でのレーザ光照射では照射を行った段階で空気中の水分に由来してＯＨ基が自然に前記解離部に付加することになる。また、不活性ガス等の人工的雰囲気中でのレーザ光照射では、その雰囲気中に水蒸気等の親水基を生成し得るガス成分を混入しておけばよい。

一方、レーザ光Ｌの照射を行う前に、前記のように高分子基材１の表面に予め微粒子２…を散布しておくことにより、無電解メッキにおいて析出被着する金属薄膜３の当該基材１表面に対する被着強度及び密着性が向上する。これを図２によって説明すると、同図（Ａ）の如く高分子基材１の表面に微粒子２…が散布された状態でレーザ光Ｌを照射する際、そのエネルギ密度を微粒子２…の蒸発を抑えて且つ高分子基材１の表面部の蒸発を生じるように調整することにより、レーザ光Ｌの照射域Ｌでは、該基材１表面における微粒子２…の各粒子の影になる部分はレーザ光が遮られるために蒸発が進まないのに対し、微粒子２…の存在しない部分の蒸発が進行する結果、照射後の表面には同図（Ｂ）の如く微粒子２の影になる部分が凸部、他の部分が凹部となった微細凹凸Ｇを生じる。しかして、この微細凹凸Ｇを有する照射域Ｚは前記のように親水性に転化しており、次の無電解メッキによって同図（Ｃ）の如く該微細凹凸Ｇを有する部分に金属薄膜３が析出被着することになるから、該金属薄膜３は微細凹凸Ｇによるアンカー効果によって基材１表面に対して優れた被着強度及び密着性を発揮する。

高分子基材１の表面に上記微粒子２…を散布する手段としては、レーザ照射時のアブレーションによって生成・飛散するカーボン粒子を自然落下させる方法、アーク放電での電極からのカーボンナノ粒子の飛翔のような放電による飛翔散布、機械的な散布、ノズルからの噴霧、スパッタリング等、種々の方法を採用できる。なお、レーザ照射による方法は、既述した基材１表面を改質するためのレーザ光照射とは別に、前処理として該基材１表面に１回又は複数回のレーザ光照射を行うことにより、該該基材１の高分子のアブレーションによって生じたカーボン粒子が飛翔後、当該基材１表面に重力で自然に落下するのを利用するものであり、そのためのレーザ光は改質用のレーザ光照射と同じ所（パターン）に照射すればよい。

なお、微粒子２としては、前記カーボン粒子を始めとして、高分子基材１よりもアブレーションしきい値の高いものであれば特に制約なく使用できるが、機械的な散布やノズルからの噴霧による散布では、残留した当該微粒子による回路短絡を回避する上でセラミック、ガラス、岩石、鉱滓等の無機質の不導体材料の微粉末が好適である。ただし、無電解メッキの前に表面洗浄等で付着微粒子を確実に除去できる場合は、導体材料の微粉末も使用可能である。

高分子基材の表面改質に使用するレーザ光の照射源としては、高分子の選択的解離させるべき化学的結合の種類に対応した光子エネルギ強度を有するものを使用すればよいが、とりわけ紫外光（波長４００μｍ以下）レーザが好適である。また、そのレーザ光の強度は、そのパワー密度を高分子基材のシブレーションしきい値以上に設定すべきである。しかして、レーザ光照射時の雰囲気は、特に制約はなく、大気中及び不活性ガス中のいずれでもよい。

因みに、図３は、レーザ波長と光子エネルギとの関係を曲線Ｐにて表すと共に、この曲線Ｐ上に高分子の主な化学結合（Ｃ−Ｎ、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ≡Ｃ、Ｃ≡Ｎ）の結合エネルギを示している。なお、Ｃ−Ｃ結合はベンゼン環のような芳香族環の構成部を除くものである。この図より、特定の化学結合を選択的解離させるには、その結合エネルギよりも高い光子エネルギを有する波長のレーザが必要であり、例えばポリイミドからなる高分子基材の前記表面改質ではＣ−Ｎ結合の選択的解離を行う上で紫外光レーザが有用であることが判る。ただし、可視光レーザであっても、近年開発されたフェムト（１０^-15 ）秒レーザによれば、１光子のエネルギーが化学結合エネルギより小さくとも、多光子解離（２個以上の光子による解離）によって同様に表面改質を行うことができる。

無電解メッキは、プラスチックへの導電金属のメッキに利用される一般的な手法に準じ、金属イオンを供給する金属塩、還元剤、金属キレートを形成するためのキレート剤、ＮａＯＨ等のＰＨ調整剤、安定剤を始めとする任意の助剤成分等を含むメッキ液を調製し、そのメッキ浴に前記の回路パターンに沿うレーザ照射を経た高分子基材１を所要時間浸漬すればよく、浴中の金属イオンが還元反応によって金属として高分子基材１の前記レーザ光の照射域Ｚのみに選択的に析出し、薄膜回路が形成されることになる。

薄膜回路を形成する金属としては、無電解メッキが可能で且つ導電性の高いものであればよく、通常は銅又は銅合金が採用される。そして、銅又は銅合金を採用する場合、メッキ厚を１μｍ以下とする薄付け用としては、例えば、金属塩に硫酸銅、還元剤にホルムアルデヒド、キレート剤にロッシェル塩がそれぞれ一般的に使用される。また、メッキ厚１０μｍ以下までの厚付け用としては、例えば、金属塩に硫酸銅、還元剤にホルムアルデヒド、キレート剤にＥＤＴＡがそれぞれ一般的に使用される。

本発明における無電解メッキ工程は、各別な条件設定を行う必要がなく、通常の無電解メッキプロセスに準じて処理すればよいから、一般的に汎用されている無電解メッキ装置により、メッキ金属の種類に応じた市販の無電解メッキ浴を用いて行える。例えば、無電解銅メッキでは、薄付け用又は厚付け用の無電解銅メッキ浴として市販されるものを支障なく使用できる。

なお、無電解メッキにおいては、超音波等によって浴液に振動を与えるようにすれば、高分子基材の表面改質部に対する液の接触確率が高まることから、金属薄膜の形成効率が向上するという利点がある。

このような薄膜回路の形成方法によれば、微粒子の散布、レーザ光の照射、無電解メッキという僅か３工程で導体回路を形成できるため、プリント配線板等を極めて能率よく低コストで製作でき、多品種少量生産に適する。しかも、回路パターンは、レーザ光の照射域がそのまま金属薄膜の被着部になることから、配線幅を数μｍから数十μｍに設定可能であり、且つ無電解メッキによって被着する金属層の厚さを配線幅に対応した極薄に設定できるから、従来に比較して飛躍的に高密度化することが可能である。また、本方法では、導体金属を回路形成に必要な量だけ消費するため、従来のエッチングによる回路形成のような無駄がなく、省資源に貢献でき、しかも無電解メッキのメッキ浴は消費成分を補充して繰り返し使用できるから、廃液処理の負担が従来に比して著しく軽減され、プロセス全体を通して環境への負荷は極めて僅少となる。

なお、上述した実施形態では、無電解メッキで形成する金属薄膜の高分子基材に対する被着強度及び密着性を高めるために、レーザ光の照射前に基材の表面に微粒子を散布して微細凹凸を形成するようにしているが、本発明方法にあっては、金属薄膜の膜厚や回路パターンの形態等により、特に微細凹凸によるアンカー効果がなくとも充分な被着強度及び密着性が得られる場合は、微粒子の散布を省略してもよい。従って、この場合には、薄膜回路の形成をレーザ光の照射と無電解メッキの２工程で行え、プリント配線板等の更なる製造能率の向上と低コスト化を図ることができる。

短パルスＦＧＨ（第四高調波）レーザ（ＭＨＩ社製Ｍｅｉｓｔｅｒ１０００ＤＦ、パルス幅３．５×１０^-9秒、波長２６６μｍ）を用い、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム〔宇部興産社製ユーピレックスフィルム…前記式（Ｉ）で示す構造のポリイミド〕からなる基材の表面（上面）に、前処理として、照射面でのパワー密度をポリイミドのアブレーションしきい値以上に設定したレーザ光を照射スポット径２０μｍで直線状に走査させて照射し、アブレーションによって発生・飛散したカーボン粒子を自然落下によって当該基材表面に散布した。次いで、このカーボン粒子を散布した基材表面に、同レーザによってレーザ光を再び同条件で直線状に走査させて照射し、照射域を親水性に改質すると共に微細凹凸を形成した。なお、本実施例では、薄膜回路とする金属薄膜の形成状態を調べるために、模擬配線パターンとして直線パターンを採用した。

次に、上記のレーザ光の照射によって表面改質及び微細凹凸形成を行ったポリイミドフィルムについて、超音波洗浄槽を用い、薄付け用無電解銅メッキ浴（奥野製薬社製…以下の薬剤商品名も同様）により、常法に準じ、以下の手順による無電解銅メッキを行い、前記表面改質部に銅薄膜を被着させた。なお、以下において、ポリイミドフィルムの浴液には超音波による振動を与えるようにした。

超音波洗浄槽において、上記のポリイミドフィルムを、まず液温６５℃の脱脂用薬液（エースクリーンＡ２２０）中に５分間浸漬して脱脂を行い、スプレー水洗後にキャタリスト処理として３５％ＨＣｌ溶液とパラジウム触媒溶液（キャタリストＣ）との３：１混合液中に常温で４分間浸漬し、スプレー水洗後にアクセレータ処理として液温４０℃の９８％Ｈ₂ ＳＯ₄ 溶液中に４分間浸漬し、更に水洗後に無電解メッキ浴剤（溶液ＯＰＣ−７００ＡとＯＰＣ−７００Ｂとの１：１混合液）中に常温下で２０分間浸漬して銅メッキを行った。

高分子基材として、厚さ５０μｍの耐熱性液晶ポリマーフィルム〔クラレ社製ベクスターフィルム…前記式（II）で示す構造の液晶ポリマー〕を用いた以外は、実施例１と同様にして、前処理のレーザ光照射によるカーボン粒子の散布、本処理のレーザ光照射による親水性への改質と微細凹凸の形成、薄付け用無電解銅メッキ浴による無電解銅メッキ、を順次行って表面改質部に銅薄膜を形成した。

上記実施例１及び２の無電解銅メッキを施したフィルムについて、前記表面改質部を含む表面を顕微鏡で拡大（１００倍）して調べたところ、両フィルム共に、銅薄膜の被着部が光源からの光を反射する白い直線として、レーザ光の照射幅に一致する２０μｍの幅でレーザ光が走査した全長にわたって連続していることが確認された。また、両フィルムについて、低真空ＳＥＭ−ＥＤＸ（エネルギ分散型Ｘ線分光器）による同定パターンを調べたところ、両フィルム共に、フィルム表面における銅の存在は幅２０μｍのレーザ光照射域のみであり、無電解銅メッキによって該照射域に選択的に銅が被着していることが確認された。

なお、レーザ光の照射域が親水性に改質されたことは前記無電解メッキによる該照射域への選択的な銅薄膜形成によって実証されるが、これを更に確認するため、前記実施例１及び実施例２におけるレーザ光の照射前後のフィルムについて、Ｘ線光電子分光装置（ＸＰＳ）によるＣｉｓスペクトル分布計測を行った。図４（Ａ）は実施例１のポリイミドフィルムのレーザ光照射前、図４（Ｂ）は同レーザ光照射後、図５（Ａ）は実施例２の耐熱性液晶ポリマーフィルムのレーザ光照射前、図５（Ｂ）は同レーザ光照射後、のそれぞれＣｉｓスペクトル分布図を示す。

図４（Ａ）（Ｂ）より、レーザ光照射前の前記式（Ｉ）で示すポリイミドの分子構造中のイミド環（Ｏ＝Ｃ−Ｎ−Ｃ＝Ｏ）のピーク（約２８８．２ｅＶ）がレーザ光照射後には低下しており、レーザ光の照射によって選択的にイミド環が開裂し、この解離部にＯＨ基が付加したことが判る。また、図５（Ａ）（Ｂ）より、レーザ光照射前の前記式（II）で示す液晶ポリマーにおけるエステル結合（Ｏ−Ｃ＝Ｏ）のピークがレーザ光照射後には認められず、且つＣ−Ｏ結合のピークがレーザ光照射後には低下しており、レーザ光の照射によってエステル結合におけるＣ−Ｏ結合部が選択的に解離し、この解離部にＯＨ基が付加したことが判る。

本発明の一実施形態に係る薄膜回路の形成方法を工程順に示す模式断面図であり、（Ａ）は高分子基材、（Ｂ）は表面に微粒子を散布した高分子基材、（Ｃ）は該基材表面に対するレーザ光の照射状態、（Ｄ）は該基材表面に薄膜回路を形成した状態をそれぞれ示す。 同薄膜回路の形成における散布微粒子の作用を説明する模式断面図であり、（Ａ）は微粒子を散布した高分子基材表面に対するレーザ光の照射状態、（Ｂ）はレーザ光照射後の高分子基材、（Ｃ）は該基材表面に導体金属層を形成した状態をそれぞれ示す。 レーザ波長と光子エネルギとの相関図に、種々のレーザの波長と化学的結合の結合エネルギとを付記した説明図である。 実施例２におけるレーザ光照射前後のポリイミドフィルムのＸ線光電子分光装置によるＣｉｓスペクトル分布を示し、（Ａ）はレーザ光照射前のＣｉｓスペクトル分布図、（Ｂ）はレーザ光照射後のＣｉｓスペクトル分布図である。 実施例１におけるレーザ光照射前後の耐熱性液晶ポリマーフィルムのＸ線光電子分光装置によるＣｉｓスペクトル分布を示し、（Ａ）はレーザ光照射前のＣｉｓスペクトル分布図、（Ｂ）はレーザ光照射後のＣｉｓスペクトル分布図である。 従来における３層銅張りプリント配線板の製造方法を工程順に示す模式断面図であり、（Ａ）はポリイミドフィルムと銅箔との貼着状態、（Ｂ）は貼着後の銅箔表面にフォトレジストを塗布した状態、（Ｃ）は露光状態、（Ｄ）は未効果レジストを除去した状態、（Ｅ）はエッチング後の状態、（Ｅ）は回路形成後の状態をそれぞれ示す。

符号の説明

１ 高分子基材
２ 微粒子
３ 金属薄膜
３０ 薄膜回路
Ｌ レーザ光
Ｚ 照射域
Ｇ 微細凹凸

Claims (9)

1. 下記式（Ｉ）；
   

   

   （ｍは２以上の整数）
   で示す構造のポリイミドからなる高分子基材の表面に、レーザ光を照射することにより、イミド環のＣ−Ｎ結合を選択的に解離させて照射域の基材表面部を親水性に改質し、無電解メッキによって前記照射域に金属薄膜を被着させることを特徴とする薄膜回路の形成方法。
2. 下記式（II）；
   

   

   （ｘ及びｙは２以上の整数）
   で示す構造の耐熱性液晶ポリマーからなる高分子基材の表面に、レーザ光を照射することにより、エステル結合のＣ−Ｏ結合部を選択的に解離させて照射域の基材表面部を親水性に改質し、無電解メッキによって前記照射域に金属薄膜を被着させることを特徴とする薄膜回路の形成方法。
3. 前記レーザ光によって高分子基材の表面に回路パターンを描画することを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜回路の形成方法。
4. 高分子基材の表面に、回路パターンに対応した光透過パターンを有するマスクを介して前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜回路の形成方法。
5. 高分子基材の表面に、その高分子基材よりもアブレーションしきい値が高い材料の微粒子を散布したのち、前記レーザ光を照射することにより、前記化学結合部の選択的解離と同時に照射域に微細凹凸を形成する請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜回路の形成方法。
6. 高分子基材の表面に前処理としてレーザ光を照射し、この照射時のアブレーションにて飛散したカーボン微粒子を該高分子基材の表面に自然落下させることにより、前記微粒子の散布を行う請求項５記載の薄膜回路の形成方法。
7. 金属薄膜が銅又は銅合金からなる請求項１〜６のいずれかに記載の薄膜回路の形成方法。
8. レーザ光が紫外光である請求項１〜７のいずれかに記載の薄膜回路の形成方法。
9. 前記無電解メッキにおいて、浴液に振動を与えることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の薄膜回路の形成方法。
   

Images