JP2005286231A - 温度調節システム及び温度調節方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ウェハに供給される現像液を高精度に温度調節する。
【解決手段】 現像液供給源１２１と吐出ノズル５３を接続する管路１２２に，直接温度調節器１２３を設ける。直接温度調節器１２３から吐出ノズル５３までの区間の管路１２２の周りは，間接温度調節器１４０の間接温調配管１４１により覆われ，当該間接温調配管１４１内に温調水を通流させることによって管路１２２内の現像液を間接的に温度調節できる。そして，現像液供給源１２１から吐出ノズル５３に供給される現像液は，直接温度調節器１２３において熱媒体との直接的な接触により高精度に温度調節され，その後間接温度調節器１４０によりその温度が維持される。
【選択図】 図６

Description

本発明は，基板に供給される液体の温度調節システム及び温度調節方法に関する。

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，半導体ウェハ（以下「ウェハ」という）上にレジスト液が塗布され，レジスト膜が形成されるレジスト塗布処理や，ウェハに所定のパターンが露光される露光処理，露光後のウェハに現像液が供給され，ウェハが現像される現像処理等が行われて，ウェハ上にレジスト膜のパターンが形成される。

例えば上述の現像処理やレジスト塗布処理のように，ウェハ上に所定の液体が供給される液処理では，その供給される液体の作用によって処理が行われる。このため，液処理の状態は，液体の状態，特に液体の温度に大きく左右される。

例えば現像処理においては，現像液の温度が適正でないと，現像の速度などが変わり，最終的にウェハ上に適正な線幅のパターンが形成されない。

従来，ウェハに供給される液体の温度を調節するために，例えば液体の吐出ノズルに液体を供給する管路の吐出ノズルに近い部分を２重管路にし，内側に処理のための液体を流し，外側に温調水を流すことによって，ウェハに供給される液体の温度を調節していた（例えば，特許文献１参照。）。

特開平４−１１５５２０号公報

しかしながら，上述の２重管路の温度調節では，実際±０．１℃程度の精度しか得られておらず，ウェハに供給され処理状態を左右する液体の温度調節としては十分ではなかった。特に，最近では，パターンの微細化がさらに進んでおり，
線幅を安定して形成するために，ウェハに供給される液体を高精度で温度調節することが要求されている。

本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，ウェハなどの基板に供給される現像液などの液体をより高精度に温度調節できる温度調節システム及び温度調節方法を提供することをその目的とする。

上記目的を達成するために，本発明は，基板に供給される液体を温度調節する温度調節システムであって，基板に液体を供給する液体供給部に通じる管路を備え，前記管路には，前記管路内の液体を熱伝達部材との直接的な接触により温度調節する直接温度調節器が設けられ，さらに，前記管路には，前記直接温度調節器で温度調節された液体を，前記液体供給部までの間温調水との間接的な接触により温度調節して保温する間接温度調節器が設けられていることを特徴とする。

本発明によれば，基板に液体を供給する液体供給部に通じる管路内において，液体を直接温度調節器により温度調節し，その後当該液体を，液体供給部までの間，間接温度調節器によりさらに温度調節して保温することができる。直接温度調節器では，液体と熱伝達部材が直接接触するので，液体を例えば±０．０１℃程度の高精度に温度調節することができる。そして，その高精度に温度調節された液体の温度を，間接温度調節器により液体供給部まで維持することができる。したがって，基板には，高精度に温度調節された所望の温度の液体を供給できる。この結果，基板の液処理が適正に安定的に行われ，基板処理の質が向上される。

前記間接温度調節器における前記熱媒体は，所定温度の温調水であり，前記間接温度調節器は，前記温調水を循環させる温調循環路を有し，前記温調循環路は，その一部が前記直接温度調節器から液体供給部までの所定区間の管路の周りを覆うように形成され，この温調循環路内に温調水を流通させることによって前記所定区間の管路内の液体を温度調節できてもよい。

前記所定区間の管路には，液体内の不純物を除去するフィルタが設けられており，前記温調循環路は，その一部が前記フィルタの周りを覆うように形成され，前記フィルタを通過する液体を温度調節して保温できてもよい。かかる場合，液体が基板に供給される前に液体から不純物を除去することができる。また，フィルタ内における液体温度の変動が抑止され，直接温度調節器で高精度に調節された液体の温度を維持することができる。

前記温度調節システムは，前記所定区間の管路から分岐し，当該所定区間の管路内の液体を前記直接温度調節器よりも上流側の管路内に戻す還路をさらに備え，前記還路と前記所定区間の管路との分岐位置には，前記液体供給部側への液体の流れと前記還路側への液体の流れとを切り換える切換弁が設けられていてもよい。かかる場合，例えば液体供給部から基板への液体の供給を一時的に停止した際に，前記所定区間の管路において保温されている液体を還路を通じて直接温度調節器よりも上流側の管路内に戻して，液体を循環させることができる。こうすることによって，液体の供給の停止時に，管内における液体が流動して均等に温度調節される。この結果，液体の供給を再開した時に，所望の温度に調節され温度斑のない液体が基板に供給される。

前記温調循環路は，その一部が前記切換弁の周りを覆うように形成され，前記切換弁を通過する液体を温度調節して保温できてもよい。かかる場合，切換弁を通過する際に液体の温度が変動することを防止できる。

前記還路と前記管路との前記直接温度調節器の上流側の接続位置には，液体を貯留する液体貯留室が設けられていてもよい。液体を戻した位置に液体貯留室を設けることによって，例えば液体の合流部において液体の供給圧を安定させることができ，基板への液体の供給を安定して行うことができる。

前記還路と前記管路との前記直接温度調節器の上流側の接続位置と，前記直接温度調節器との間には，管路内の液体を圧送するポンプが設けられていてもよい。また，前記管路における前記直接温度調節器の直前には，管路内の液体から気泡を除去する脱気装置が設けられていてもよい。

前記直接温度調節器において液体と熱伝達部材とが直接的に接触する接触面には，フッ素樹脂が被覆されていてもよい。かかる場合，接触面から液体内に不純物が溶出することがなくなり，基板上に清浄な液体が供給される。

前記管路における前記直接温度調節器の上流側には，直接温度調節器で温度調節される前の液体を事前に温度調節する事前温度調節器が設けられていてもよい。かかる場合，例えば周辺の環境により直接温度調節器に入る前の液体が目標温度と大きく異なっている場合に，事前に温度を調節し，目標温度との差を縮めておくことができる。こうすることによって，直接温度調節器における温度調節の精度をさらに向上させることができる。

本発明は，管路を通じて基板に供給される液体を温度調節する方法であって，前記管路において，前記液体を熱伝達部材との直接的な接触により温度調節し，その後当該液体が前記基板に供給されるまでの間，当該液体を熱媒体との間接的な接触により保温することを特徴とする，温度調節方法。

本発明によれば，管内の液体を熱伝達部材との直接的な接触により温度調節できるので，液体を例えば±０．０１℃程度の高精度に温度調節することができる。そして，その高精度に温度調節された液体の温度を，液体供給部まで維持できるので，基板には，高精度に温度調節された所望の温度の液体を供給できる。この結果，基板の液処理が適正に安定的に行われ，基板処理の質を向上できる。

基板への液体の供給が停止しているときには，前記管路において前記直接的な接触による温度調節の後の前記間接的な接触による保温が行われている液体を，還路を通じて前記直接接触による温度調節が行われる前の管路に戻して前記液体を循環させてもよい。かかる場合，液体の供給の停止時に，管内における液体が流動して均等に温度調節されるので，液体の供給を再開した時に，所望の温度に調節され温度斑のない液体を基板に供給できる。

本発明によれば，基板に供給される液体を高精度に温度調節することができるので，液体による基板の処理が適正に安定して行われ，歩留まりが向上する。

以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本発明にかかる温度調節システムが適用される塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。

塗布現像処理システム１は，図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置４との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２では，カセット載置台６上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。カセットステーション２には，搬送路７上をＸ方向に向かって移動可能なウェハ搬送体８が設けられている。ウェハ搬送体８は，カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり，Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできる。

ウェハ搬送体８は，Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり，後述する処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属する温調装置６０やトランジション装置６１に対してもアクセスできる。

カセットステーション２に隣接する処理ステーション３は，複数の処理装置が多段に配置された，例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には，カセットステーション２側から第１の処理装置群Ｇ１，第２の処理装置群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション３のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には，カセットステーション２側から第３の処理装置群Ｇ３，第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４の間には，第１の搬送装置１０が設けられている。第１の搬送装置１０は，第１の処理装置群Ｇ１，第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４に対して選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５の間には，第２の搬送装置１１が設けられている。第２の搬送装置１１は，第２の処理装置群Ｇ２，第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５に対して選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。

図２に示すように第１の処理装置群Ｇ１には，ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置，例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置２０，２１，２２，露光処理時の光の反射を防止する下地膜としての反射防止膜を形成するボトムコーティング装置２３，２４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２には，液処理装置，例えばウェハＷに現像液を供給して現像する現像処理装置３０〜３４が下から順に５段に重ねられている。また，第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には，各処理装置群Ｇ１及びＧ２内の前記液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室４０，４１がそれぞれ設けられている。

例えば，現像処理装置３０は，図４に示すようにケーシング３０ａを有し，当該ケーシング３０ａ内の中央部には，ウェハＷを水平に保持するスピンチャック５０が設けられている。スピンチャック５０の周囲には，ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め，回収するためのカップ５１が設けられている。カップ５１は，例えば底面５１ａが閉鎖された略筒状に形成されている。底面５１ａには，例えば工場の排液部に連通した排出管５２が接続されており，カップ５１で回収した液体は，排出管５２を通じて排出される。ケーシング３０ａ内には，スピンチャック５０に保持されたウェハＷ上に現像液を吐出する液体供給部としての吐出ノズル５３が設けられている。吐出ノズル５３は，ウェハＷの表面に沿って移動可能である。吐出ノズル５３には，後述する現像液供給源１２０に通じる管路１２２が接続されており，管路１２２を通じて供給された現像液をウェハＷ上に吐出できる。吐出ノズル５３は，現像液を吐出しながらウェハＷの表面上を移動し，ウェハＷの表面の全面に現像液を供給できる。ケーシング３０ａ内には，リンス液吐出ノズル５４が設けられており，リンス液吐出ノズル５４は，例えば回転したウェハＷの中心部上方まで移動しリンス液を吐出してウェハＷを洗浄できる。

例えば図３に示すように第３の処理装置群Ｇ３には，温調装置６０，ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置６１，精度の高い温度管理下でウェハＷを加熱処理する高精度温調装置６２〜６４及びウェハＷを高温で加熱処理する高温度熱処理装置６５〜６８が下から順に９段に重ねられている。

第４の処理装置群Ｇ４では，例えば高精度温調装置７０，レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキング装置７１〜７４及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキング装置７５〜７９が下から順に１０段に重ねられている。

第５の処理装置群Ｇ５では，ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置，例えば高精度温調装置８０〜８３，露光後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキング装置８４〜８９が下から順に１０段に重ねられている。

図１に示すように第１の搬送装置１０のＸ方向正方向側には，複数の処理装置が配置されており，例えば図３に示すようにウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョン装置９０，９１，ウェハＷを加熱する加熱装置９２，９３が下から順に４段に重ねられている。図１に示すように第２の搬送装置１１のＸ方向正方向側には，例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置９４が配置されている。

インターフェイス部５には，例えば図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路１００上を移動するウェハ搬送体１０１と，バッファカセット１０２が設けられている。ウェハ搬送体１０１は，Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり，インターフェイス部５に隣接した露光装置４と，バッファカセット１０２及び第５の処理装置群Ｇ５に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。

露光装置４は，例えば図５に示すように中央部にＸ−Ｙステージ１１０を備えている。Ｘ−Ｙステージ１１０上には，例えばウェハＷを収容して保持する収容容器１１１が設けられている。収容容器１１１の上方には，ウェハＷを露光する光照射部１１２が配置されている。光照射部１１２の近傍には，光照射部１１２とウェハＷとの間の隙間に液体，例えば純水を供給する純水吐出ノズル１１３が配置されている。また，光照射部１１２の近傍には，ウェハＷ上に供給された純水を吸引除去する吸引ノズル１１３が設けられている。露光装置４は，収容容器１１１内のウェハＷと光照射部１１２との間を吐出ノズル１１３から供給される純水で満たし，その状態で光照射部１１２から光を照射することによってウェハＷの表面を露光できる。

ここで，現像処理装置３０の吐出ノズル５３に供給される現像液を温度調節する温度調節システム１２０について説明する。図６は，温度調節システム１２０の構成の概略を模式的に示す説明図である。

現像処理装置３０の吐出ノズル５３と現像液供給源１２１は，管路１２２によって接続されている。管路１２２には，現像液を±０．０１℃程度の高精度に温度調節する直接温度調節器１２３が設けられている。直接温度調節器１２３は，例えば図７に示すように内部にヒータ１２４が内蔵され，そのヒータ１２４内に現像液が通過する通路１２５が形成されている。この直接温度調節器１２３は，ヒータ１２４内の熱伝達部材となる通路１２５に現像液を通過させ，現像液と熱伝達部材とを直接的に接触させることによって現像液を高精度に温度調節できる。また，通路１２５の表面は，例えばテフロン（デュポン社の登録商標）などのフッ素樹脂Ｆで被覆されており，通路１２５の表面から現像液内に不純物が溶出することを抑制できる。

図６に示すように直接温度調節器１２３の上流側，つまり直接温度調節器１２３と現像液供給源１２１との間には，上流側から順にポンプ１３０と脱気装置１３１が設けられている。このポンプ１３０によって現像液供給源１２１の現像液を吐出ノズル５３に適正な圧力で圧送することができる。脱気装置１３１によって，ポンプ１３０を通過し直接温度調節器１２３に入る直前の現像液から気泡を除去することができる。

例えば直接温度調節器１２３から吐出ノズル５３までの区間を流れる現像液は，間接温調器１４０によって温度調節されている。間接温度調節器１４０は，例えば直接温度調節器１２３から吐出ノズル５５までの所定区間の管路１２２（以下，「間接温調部１２２ａ」という）の周りを覆って２重管路を形成する間接温調配管１４１を備えている。間接温調配管１４１の内壁と間接温調部１２２ａの外壁との間には，温調水を通流できる。

間接温度調節器１４０は，温調水の温度を調節する温調水調節部１４２を備えている。間接温度調節器１４０は，例えば間接温調部１２２ａの両端部と温調水調節部１４２とを接続する第１及び第２の温調配管１４３，１４４を備えている。これにより，例えば温調水を温調水調節部１４２から第１の温調配管１４３を通じて間接温調配管１４１に供給し，間接温調配管１４１を通過した温調水を第２の温調配管１４４を通じて温調水調節部１４２に戻す温調循環路が形成されている。間接温度調節器１４０は，間接温調配管１４１内に所定の温度の温調水を流通させ，当該温調水と間接温調部１２２ａ内の現像液とを間接的に接触させることによって，現像液の温度を保温することができる。

直接温度調節器１２３の下流側の間接温調部１２２ａには，フィルタ１５０が設けられている。このフィルタ１５０によって，吐出ノズル５３から吐出される直前の現像液から不純物を除去できる。フィルタ１５０の周りも間接温調配管１４１に覆われており，フィルタ１５０を通過する現像液の温度も保温できる。

間接温調部１２２ａのフィルタ１５０のさらに下流側には，開閉弁１５１が設けられており，開閉弁１５１により，吐出ノズル５３への現像液の供給の動停止が行われる。例えば開閉弁１５１の周りも間接温調配管１４１に覆われており，開閉弁１５１を通過する現像液も保温できる。

次に，以上のように構成された温度調節システム１２０の作用について説明する。例えば間接温度調節器１４０では常時，温度調節の目標温度に調節された温調水が循環しており，間接温調配管１４１内には，所定温度の温調水が流れている。

現像処理装置３０にウェハＷが搬入されて，吐出ノズル５３からウェハＷに現像液が吐出される際には，開閉弁１５１が開放され，現像液供給源１２１の現像液が吐出ノズル５３に供給される。この際現像液供給源１２１から流出した現像液は，例えばポンプ１３０を通過した後，脱気装置１３１を通過する。この脱気装置１３１では，例えばポンプ１３０通過時の圧力変動により現像液内に発生した気泡が除去される。

脱気装置１３１を通過した現像液は，直接温度調節器１２３内に流入する。直接温度調節器１２３では，現像液が通路１２５を通過することによってヒータ１２４の熱が現像液に直接伝導し，現像液が目標温度の±０．０１℃以内に調節される。直接温度調節器１２３で温度調節を終えた現像液は，間接温調部１２２ａ内に流入する。間接温調部１２２ａ内を通過する現像液は，間接温調配管１４１を流れる温調水によって保温される。こうして，直接温度調節器１２３における現像液の温度は，現像液が吐出ノズル５３から吐出されるまで維持される。間接温調部１２２ａ内を通過する現像液は，途中でフィルタ１５０を通過し，不純物が除去される。不純物が除去された現像液は，さらに開閉弁１５１を通過して吐出ノズル５３から吐出される。

以上の実施の形態によれば，現像液供給源１２１から吐出ノズル５３に通じる管路１２２内において，現像液は，先ず直接温度調節器１２３において±０．０１℃程度の高精度に温度調節され，その後に間接温度調節器１４０により吐出ノズル５３まで保温される。それ故，現像処理装置３０において，ウェハＷ上には，目標温度から±０．０１℃以内の温度の現像液が塗布される。この結果，現像処理装置３０における現像処理が理想的な温度で行われ，微細なレジスト膜のパターニングが適正に行われる。

本実施の形態では，直接温度調節器１２３内の通路１２５の表面にフッ素樹脂Ｆを被覆したので，直接温度調節器１２３を通過する現像液中に通路１２５の表面から不純物が溶出することを防止できる。また，間接温調部１２２ａにフィルタ１５０を設けたので，現像液中に混入されている不純物を吐出ノズル５３から吐出される前に除去することができる。また，フィルタ１５０は，間接温調管１４１に覆われているので，現像液の温度がフィルタ１５０を通過中に変動することが防止できる。

以上の実施の形態で記載した温度調節システム１２０において，図８に示すよう管路１２２の間接温調部１２２ａに，開閉弁１５１に代えて三方弁１７０を設け，間接温調部１２２ａ内の現像液を直接温度調節器１２３の上流側に戻す還路１７１を形成してもよい。かかる場合，例えば還路１７１は，ポンプ１３０と現像液供給源１２１との間に接続され，当該接続部には，現像液を一旦貯留できる液体貯留部としてのバッファタンク１７２が設けられる。このバッファタンク１７２によって，例えば吐出ノズル５３に送られる現像液の供給圧を安定させることができる。

そして，現像処理装置３０において吐出ノズル５３からウェハＷに現像液が吐出される際には，上述した実施の形態と同様に，現像液供給源１２１の現像液は管路１２２を通じて吐出ノズル５３に供給される。この際，現像液は，直接温度調節器１２３で高精度に温度調節され，その後間接温度調節器１４０により保温される。

そして，現像処理装置３０において，ウェハＷに対する現像液の吐出を終了するときには，三方弁１７０が切り換えられ，吐出ノズル５３側への現像液の供給が停止すると共に，間接温調部１２２ａ内の現像液は，還路１７１を通じてバッファタンク１７２に戻される。バッファタンク１７２の現像液は，ポンプ１３０により，脱気装置１３１，直接温度調節器１２３，フィルタ１５０を通って三方弁１７０に送られ，再び還路１７１によってバッファタンク１７２に戻される。こうして現像液は，直接温度調節器１２３を含む循環路内で循環される。そして，現像処理装置３０において次のウェハＷに現像液が吐出される際には，再び三方弁１７０が切り換えられ，循環していた現像液は吐出ノズル５３からウェハＷ上に供給される。

かかる場合，吐出ノズル５３から現像液が吐出されていないときに，直接温度調節器１２３を含む循環路内で現像液が循環し続け，管路１２２内の現像液が滞留しないので，管路１２２内の現像液が斑なく所望の温度に維持される。それ故，吐出ノズル５３から断続的に現像液が吐出される場合であっても，ウェハＷに所望の温度の現像液を安定して供給することができる。

上記実施の形態で記載した直接温度調節器１２３の上流側であって，例えば現像液供給源１２１付近には，図９に示すように直接温度調節器１２３で温度調節される前の現像液を事前に温度調節する事前温度調節器１８０を配置してもよい。かかる場合，例えば現像液供給源１２１における現像液の温度が，周辺雰囲気の影響により現像液の目標温度と大きく離れている場合に，先ず事前温度調節器１８０において現像液の温度を目標温度の例えば±２℃程度にまで調節し，その後直接温度調節器１２３において±０．０１℃程度にまで調節する。こうすることによって，いかなる環境下であっても，吐出ノズル５３に供給される現像液を高精度に温度調節することができる。

なお，以上の実施の形態で記載した管路１２２のポンプ１３０は，必ずしも必要ではなく，例えば現像液供給源１２１側にある工場用力を利用して現像液を圧送してもよい。

以上の実施の形態では，温度調節システム１２０は現像処理装置３０に供給される現像液の温度調節に適用されていたが，温度調節システム１２０は，現像処理装置３０で用いられるリンス液，レジスト塗布装置２０で用いられるレジスト液，露光装置４でウェハＷと光照射部１１２との間に供給される純水等の他の液体の温度調節に適用されてもよい。温度調節システム１２０が露光装置４で用いられる純水に適用された場合，純水の温度制御により光の屈折率が一定になり，細かいパターンであってもより正確にパターニングできる。なお，温度調節される液体が，例えば安価な純水などの場合には，例えば三方弁１７０に排出管を接続し，吐出ノズルから純水が吐出されていない時に，純水を排出管から排出させて，管路１２２内の液体を流動させてもよい。

以上の実施の形態は，本発明の一例を示すものであり，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。上記実施の形態は，本発明は，塗布現像処理システム１で用いられる液体の温度調節に適用されていたが，本発明は，基板に液体を供給する液処理が行われる他の基板処理装置にも適用できる。また，以上の実施の形態は，ウェハＷに供給される液体の温度調節であったが，本発明は，ウェハ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ），フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板に供給される液体の温度調節にも適用できる。

本発明は，基板に供給される液体を高精度に温度調節する際に適用できる。

本実施の形態における塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。 図１の塗布現像処理システムの正面図である。 図１の塗布現像処理システムの背面図である。 現像処理装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。 露光装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。 温度調節システムの構成を模式的に示す説明図である。 直接温度調節器内の構成を示す説明図である。 還路を有する温度調節システムの構成を模式的に示す説明図である。 事前温度調節器を有する温度調節システムの構成を模式的に示す説明図である。

符号の説明

１ 塗布現像処理装置
３０ 現像処理装置
５３ 吐出ノズル
１２０ 温度調節システム
１２１ 現像液供給源
１２２ 管路
１２３ 直接温度調節器
１４０ 間接温度調節器
１４１ 間接温調配管
Ｗ ウェハ

Claims (12)

1. 基板に供給される液体を温度調節する温度調節システムであって，
   基板に液体を供給する液体供給部に通じる管路を備え，
   前記管路には，前記管路内の液体を熱伝達部材との直接的な接触により温度調節する直接温度調節器が設けられ，
   さらに，前記管路には，前記直接温度調節器で温度調節され前記液体供給部に到達するまでの液体を，熱媒体との間接的な接触により温度調節して保温する間接温度調節器が設けられていることを特徴とする，温度調節システム。
2. 前記間接温度調節器における前記熱媒体は，所定温度の温調水であり，
   前記間接温度調節器は，前記温調水を循環させる温調循環路を有し，
   前記温調循環路は，その一部が前記直接温度調節器から液体供給部までの所定区間の管路の周りを覆うように形成され，この温調循環路内に前記温調水を流通させることによって前記所定区間の管路内の液体を温度調節できることを特徴とする，請求項１に記載の温度調節システム。
3. 前記所定区間の管路には，液体内の不純物を除去するフィルタが設けられており，
   前記温調循環路は，その一部が前記フィルタの周りを覆うように形成され，前記フィルタを通過する液体を温度調節して保温できることを特徴とする，請求項２に記載の温度調節システム。
4. 前記所定区間の管路から分岐し，当該所定区間の管路内の液体を前記直接温度調節器よりも上流側の管路内に戻す還路をさらに備え，
   前記還路と前記所定区間の管路との分岐位置には，前記液体供給部側への液体の流れと前記還路側への液体の流れとを切り換える切換弁が設けられていることを特徴とする，請求項２又は３のいずれかに記載の温度調節システム。
5. 前記温調循環路は，その一部が前記切換弁の周りを覆うように形成され，前記切換弁を通過する液体を温度調節して保温できることを特徴とする，請求項４に記載の温度調節システム。
6. 前記還路と前記管路との前記直接温度調節器の上流側の接続位置には，液体を貯留する液体貯留室が設けられていることを特徴とする，請求項４又は５のいずれかに記載の温度調節システム。
7. 前記還路と前記管路との前記直接温度調節器の上流側の接続位置と，前記直接温度調節器との間には，管路内の液体を圧送するポンプが設けられていることを特徴とする，請求項４，５又は６のいずれかに記載の温度調節システム。
8. 前記管路における前記直接温度調節器の直前には，前記管路内の液体から気泡を除去する脱気装置が設けられていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６又は７のいずれかに記載の温度調節システム。
9. 前記直接温度調節器において液体と熱伝達部材とが直接的に接触する接触面には，フッ素樹脂が被覆されていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７又は８のいずれかに記載の温度調節システム。
10. 前記管路における前記直接温度調節器の上流側には，直接温度調節器で温度調節される前の液体を事前に温度調節する事前温度調節器が設けられていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８又は９のいずれかに記載の温度調節システム。
11. 管路を通じて基板に供給される液体を温度調節する方法であって，
    前記管路において，前記液体を熱伝達部材との直接的な接触により温度調節し，その後当該液体が前記基板に供給されるまでの間，当該液体を熱媒体との間接的な接触により保温することを特徴とする，温度調節方法。
12. 基板への液体の供給が停止しているときには，前記管路において前記直接的な接触による温度調節の後の前記間接的な接触による保温が行われている液体を，還路を通じて前記直接接触による温度調節が行われる前の管路に戻して前記液体を循環させることを特徴とする，請求項１１に記載の温度調節方法。

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