JP2005285981A - 熱電モジュールの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 作業性をより一層向上することができる熱電モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】
凹部8が形成された板状部材6の該凹部8にペースト状半田7を充填する。次に、凹部8に充填されているペースト状半田7を加熱溶融する。凹部8内の加熱溶融されたペースト状半田7内にリード線4を挿入する。次に、凹部8からリード線4を引き抜きリード線4の一方端側にペースト状半田7を結合させる。最後に、熱電回路の端子部10とリード線4の一方端側を接合する。
【選択図】 図3

Description

本発明は、ペルチェモジュールあるいはゼーベックモジュール等の熱電モジュールの製造方法に関する。
ゼーベック効果やペルチェ効果等の熱電効果を利用した熱電モジュールが知られている。熱電モジュールのうちペルチェモジュールは、ペルチェ効果を利用したものであり、例えば、p型半導体とn型半導体とを電気的には直列に、熱的には並列に接続することで熱電素子を構成し、この熱電素子に電流を流すことで、モジュールの一方端から他端に熱を移動させるものである。一方、ゼーベックモジュールは、上記熱電素子の一方端と他端との間に温度差を生じさせることにより、起電力を発生させるものである。
上記のような熱電モジュールにおいて、熱電素子に電流を通電させたり、熱電素子から電流を取り出したりするために、熱電モジュールの端子部にリード線を半田付けすることが行われている。しかしながら、半田量が多すぎると、図8に示すように熱電素子30の一方面側に設けられている放熱基板31にリード線32を接合している半田部33が熱電素子30の他方面側に設けられている吸熱基板34に接触する場合があった。半田部33が吸熱基板34に接触すると、吸熱基板34から放熱基板31に移動した熱が半田部33を介して吸熱基板34に戻るため冷却効率が低下する問題点があった。ゼーベックモジュールの場合は、高温側から低温側へ熱が移動し、両側の温度差が小さくなるため発電効率が低下する問題点があった。一方、半田量が少なすぎると、図9に示すように、リード線32が半田部36より露出した状態となり、必要な接合強度が得られない問題点があった。
上記のような問題を解決する方法として、特開2003―258325号公報(特許文献1)に開示されているような方法がある。特許文献1に開示されている方法は、リード線の一方端に所定量の半田を予め結合させておき、当該リード線の半田が結合された一方端側を熱電素子の端子部に配置して、リード線の一方端側に結合された半田を再溶融させることにより、リード線と熱電素子とを接合するようにしたものである。このような方法によれば、予めリード線の一方端側に所定量の半田を結合させているので、半田付けをする際に、使用される半田の量が予定より多くなりすぎたり、あるいは少なくなりすぎたりすることが起こりにくい。そのため、必要な接合強度を確保することができるとともに、熱電モジュールの両側の基板に半田が接触する事態を避けることができ、高効率で信頼性の高い熱電モジュールを製造することができる。
特開2003−258325号公報
上記のような方法においてリード線の一方端に半田を結合する場合、予め球状あるいはシート状に形成された半田を加熱溶融して、当該半田とリード線の一方端とを接触させることによりリード線の一方端に半田を結合するようにしている。しかしながら、このような方法を採用すると、所定形状の半田とリード線の一方端とを確実に結合するために、該半田とリード線との間の接合部に別途フラックスを供給する必要があった。また、リード線の一方端に結合される半田の量を変更したい場合、体積の異なる球状あるいはシート状の半田を個別に用意する必要があった。このように、特許文献1に開示されている技術のみでは、リード線の一方端に半田を結合する際に、余分な工程が別途必要であり、作業性が十分とはいえない。
本発明は、上記のような現状を鑑みてなされたものであって、作業性をより一層向上することができる熱電モジュールの製造方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するために、本発明の熱電モジュールの製造方法は、p型熱電素子とn型熱電素子とを含む熱電回路と、該熱電回路の端子部に接合されたリード線とを有する熱電モジュールの製造方法において、ペースト状半田を用いてリード線の一方端側に半田を結合させる半田結合工程と、前記熱電回路の端子部と前記リード線の前記半田が結合された一方端側とを接合するリード線接合工程とを有することを特徴とする。ここでペースト状半田とは、半田粉末とフラックスとを含む混合物である。
さらに、前記半田結合工程は、表面に凹部が形成された板状部材の該凹部に前記ペースト状半田を充填する半田充填工程と、前記ペースト状半田を加熱溶融する加熱溶融工程と、前記凹部内の前記ペースト状半田が溶融した溶融半田にリード線を挿入するリード線挿入工程と、前記溶融半田を固化させる半田固化工程とを有するのがよい。
また、前記ペースト状半田に含まれる半田粉末は、融点が180℃以上のPbフリー半田粉末とすることができる。特に、融点が183℃よりも高い半田粉末を使用することができる。さらに、融点が199℃(Sn−9%Znの融点)以上、240℃(Sn−5%Sbの融点)以上、280℃(Au−20%Snの融点)以上の半田粉末を使用することができる。特に、前記半田粉末は、Au−Sn系合金、Sn−Sb系合金、Sn−Zn系合金の少なくともいずれかにより構成されているものとすることができる。Au−Sn系合金のうちでも、Au−20%Sn合金を採用することができる。さらに、Sn−Sb系合金のうちでも、Sn−5%Sb合金を採用することができる。またSn−Zn系合金においては、Sn−9%Zn合金を採用することができる。なお、本明細書中にて、Au−20%Sn等と記載した場合、Auを主成分として、20wt%のSnを含有するものをいう。ここで、「主成分」とは、組織内において最も重量比の大きい成分をいうものとする。
さらに、前記リード線は、Sn及びAgのすくなくとも1種を所定量含有する銅合金あるいは純銅により構成されているものとすることができる。これらのうちでもSnを所定量含有する銅合金あるいはAgを所定量含有する銅合金を採用することができる。さらに、SnあるいはAgを含有する銅合金を採用する場合、SnあるいはAgの含有量は0.05wt%〜10wt%とすることができる。
さらに、前記リード線は、Ni、Au、Ag及びSnから選ばれる少なくとも1種を主成分として含有する金属皮膜により表面が覆われているものとすることができる。
上記のような本発明の熱電モジュールの製造方法においては、リード線の一方端側に結合させる半田としてペースト状半田を使用しているので、半田とリード線の一方側とを結合する際に、別途フラックスを接合部に供給する必要がない。そのため、フラックスを接合部に供給するという面倒な工程を行う必要がなく、より一層作業性を向上させることができる。また、ペースト状の半田であれば、リード線の一方端に結合させる半田の量を変更したい場合に、体積の異なる球状あるいはシート状の半田をわざわざ作製する必要がなく、容易に半田の量を変更することができる。
半田結合工程において、所定量のペースト状半田をリード線の一方端側に供給する具体的な方法としては、前述の半田充填工程を設けるようにする。このような工程を採用すれば、板状部材の凹部に供給するペースト状半田の量を適宜変更することで、リード線の一方端側に結合されるペースト状半田の量を変更することができる。板状部材の凹部に所定量のペースト状半田を供給する方法としては、例えば、スクリーン印刷でペースト状半田を凹部に充填する方法、スキージでペースト状半田を凹部に充填する方法、及びディスペンサーあるいはシリンジでペースト状半田を凹部に充填する方法等を例示することができる。このように、充填工程で板状部材の凹部にペースト状半田を充填し、その後、加熱溶融工程と、リード線挿入工程と、半田固化工程とをこの順で行うことにより、リード線の一方端側に半田を結合することができる。
また、近年の半田におけるPbフリー化に対応するため、ペースト状半田に含まれる半田粉末として、Pbフリー半田粉末を採用することができる。ここで、本明細書中においてPbフリー半田粉末とは、Pbを積極的に添加しないものであり、Pbが全く含有されていないもののみではなく、Pbが不可避的に含有されているものも含むものである。このようなPbフリー半田粉末のうちで、融点が180℃以上の半田は、球状あるいはシート状に成形するのが困難である。例えば球状の場合、溶融された半田合金を噴霧することで球状に成形するが、融点が高いほど球状に成形しにくいという問題がある。また、球状及びシート状のいずれの場合においても、融点が180℃以上のPbフリー半田粉末では材料が硬くなりやすいめ加工性が悪く球状あるいはシート状に成形しにくい。そのため、球状あるいはシート状の半田の体積を変えて半田の量を変更しにくい。しかし、リード線の一方端に半田を結合する際に使用される半田としてペースト状半田を採用すれば、融点が180℃以上のPbフリー半田であっても、リード線の一方端側に結合する半田の量を容易に変更することができる。より具体的には、前記ペースト状半田は、Au−Sn系合金、Sn−Sb系合金、Sn−Zn系合金の少なくともいずれかにより構成されているものである。特に、Au−Sn系合金はこれらのうちでも融点(280℃)が高く硬いため、本発明の効果がより顕著に現れる。
なお、半導体レーザモジュール等の半導体モジュールに本実施形態の熱電モジュールを取り付ける場合、半導体モジュール内に熱電モジュールを半田により接合する方法を採用する場合がある。この際、半導体モジュールと熱電モジュールとを接合する半田の融点よりも、熱電モジュール内で使用される半田の融点は高くしておく必要がある。このようなことを考慮しても、熱電モジュールに使用される半田は、前述のAu−Sn系合金、Sn−Sb系合金及びSn−Zn系合金の少なくともいずれかを採用するのが望ましい。
また、本発明においては、SnあるいはAgを所定量含有する銅合金あるいは純銅により構成されるリード線を採用しているので、リード線の展性を向上させることができ、熱電回路の端子部とリード線とを接合させる際にリード線が複数回折り曲げられても、リード線が破断しにくい。そのため、リード線が複数回折り曲げられるような、比較的狭い箇所であっても、リード線と端子部との接合を行うことができる。特に、上記材質により構成されたリード線に対して焼鈍処理を行うことでリード線の展性を向上することができる。
また、前記リード線として、Ni、Au、Ag及びSnから選ばれる少なくとも1種を主成分として含有する金属皮膜が表面に形成されたものを採用することができる。このような金属皮膜をリード線の表面に形成することで、リード線の一方端側と半田との濡れ性が向上し、これらの間の接合部における接合強度を向上させることができる。したがって、本発明の方法のように、リード線の一方端側に予めペースト状半田を結合するような特殊な方法であっても、リード線と半田との結合強度を十分に維持することができる。なお、ペースト状半田として、Au−Sn系合金により構成される半田粉末が含有されているものを使用する場合、リード線として、Ni、Au及びAgから選ばれる少なくとも1種により構成される金属皮膜が表面に形成されたものを採用することができる。80%Au−20%Sn合金の場合は融点が約280℃であるため、リード線に形成する金属皮膜としても比較的融点の高いものを採用することで、リード線と半田との間の濡れ性をより一層向上させることができる。そのため、半田結合工程において、リード線と半田との結合をより強固にすることができる。
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。図1は本発明の方法により製造されるペルチェモジュールの斜視図である。吸熱側絶縁基板3の一部を省略している。放熱側絶縁基板2、吸熱側絶縁基板3にはそれぞれ電極2a、3aが設けられ、熱電素子1はp型熱電素子またはn型熱電素子であり、良く知られているようにp型熱電素子とn型熱電素子が交互に電気的に直列に接続され、熱電回路100が構成されている。ペルチェモジュールは、熱電回路100を放熱側絶縁基板2と吸熱側絶縁基板3で挟持し、熱電素子1と放熱側絶縁基板2の電極2aおよび熱電素子1と吸熱側絶縁基板3の電極3aを図示しない半田で接合して形成されている。放熱側絶縁基板2には熱電回路100の両端に設けられた端子部10にリード線4の一方端が半田部5により接続されている。本実施形態において、半田部5は半田粉末とフラックスとを含むペースト状半田が溶融・固化したものである。より具体的には、半田部5は、融点が180℃以上のPbフリー半田粉末とフラックスとの混合物が溶融・固化したものである。本実施形態において、Pbフリー半田粉末は、具体的には、Au−Sn系合金、Sn−Sb系合金、Sn−Zn系合金の少なくともいずれかにより構成されているものである。またペースト状半田に含まれるフラックスは、使用する半田粉末の材質により適宜最適なものを使用することができる。
リード線4としては、Sn及びAgの少なくとも1種を含む銅合金あるいは純銅により構成されるものを例示することができる。これらのうちでもSnを所定量含有する銅合金あるいはAgを所定量含有する銅合金を例示することができる。より具体的には、Snを0.05〜10wt%含有し、残部が銅及び不可避不純物により構成されるSn含有銅を例示することができる。またAgを0.05〜10wt%含有し、残部が銅及び不可避不純物により構成されるAg含有銅を例示することができる。また、リード線4にSn及びAgの少なくとも1種を含有する銅合金を採用する場合、当該銅合金に対して焼鈍処理を行ったものを使用する。焼鈍処理は、例えば約300℃〜約900℃の温度で行うことができ、好ましくは約550〜約650℃、特に約600℃で行うのが好ましい。また、焼鈍処理は、該銅合金をリード線4の形状に成形したのちに行えば、焼鈍処理にかかる時間を短縮することができる。このように、Sn及びAgの少なくとも1種を含有する銅合金を焼鈍処理したものによりリード線4を構成することで、リード線4の展性を向上させることができる。そのため、複数回リード線を折り曲げても破断しにくいので、例えば小型の半導体モジュール等に熱電モジュールを配置するのが一層容易となる。
また、本実施形態において、リード線4の表面は、Ni、Au、Ag及びSnから選ばれる少なくとも1種を含む金属皮膜により覆われている。これらの金属皮膜のうちでも、特に、Ni、Au及びAgから選ばれる少なくとも1種により構成される金属皮膜を使用することができる。このような金属皮膜はメッキ処理により形成することができる。
次に、本実施形態の熱電モジュールの製造方法について説明する。本実施形態の熱電モジュールの製造方法は、リード線の一方端にペースト状半田を結合する半田結合工程と、リード線のペースト状半田が結合された一方端側と熱電回路の端子部とを接合するリード線接合工程とを有する。
まず、半田結合工程について図2を用いて説明する。図2に示すように、半田結合工程は、凹部8が形成された板状部材6の該凹部8にペースト状半田7を充填する半田充填工程と、凹部8に充填されたペースト状半田7を加熱溶融して溶融半田7’とする加熱溶融工程と、ペースト状半田7が加熱溶融された凹部8内の溶融半田にリード線4の一方端側を挿入するリード線挿入工程と、溶融状態の溶融半田7’を固化させることによりリード線の一方端側に半田を結合する半田固化工程とを有するものである。
図3は半田結合工程において使用される板状部材の概要を示すものである。左図は板状部材6の概要を示す斜視図であり、右図は左図のA−A断面図である。板状部材6は、表面6aに凹部8が形成されたものである。図3においては表面6aに複数の凹部8が形成されているがこれに限られるものではない。このような板状部材6の凹部8は、ドリル等による切削加工により形成することができる。このように板状部材6の表面に形成される凹部の大きさ(例えば直径や深さ)は、リード線の一方端側に結合させるべきペースト状半田の適正量に応じて適宜設定することができる。
半田充填工程は、図3に示す板状部材6の凹部に、所定量のペースト状半田を充填することにより行う。半田充填工程としては、例えば、図4に示すような方法を例示することができる。図4はスクリーン印刷により半田充填工程を行う例である。板状部材6の凹部8が形成されている表面6a上にスクリーン11を配置し、スクリーン11に形成されている開口部11aを介して板状部材6の凹部8にペースト状半田7を供給する。具体的には、スクリーン11の開口部11aは板状部材6に形成されている凹部8と対応する位置に形成されており、スクリーン11を板状部材6の表面6a上に載置する際に、スクリーン11の開口部11aと板状部材6の凹部8とが互いに重なるように配置する。そして、スクリーン11の表面にペースト状半田7を所定量配置し、該ペースト状半田7をスキージ12によりスクリーン11表面上に分散させる。これにより、スクリーン11の開口部11aからペースト状半田7が凹部8に充填されることになる。
上記のような半田充填工程においては、スクリーン11に形成されている開口部11aの大きさ(直径等)を変更することにより、凹部8に充填されるペースト状半田7の量を変更することができる。例えば、異なる大きさの開口部11が形成されているスクリーンを複数用意しておき、求めるペースト状半田7の充填量に応じて、使用するスクリーン11を変更する方法を例示することができる。また、複数の凹部8が形成されている板状部材6を使用する場合、スクリーン11にも凹部8と対応する位置に複数の開口部11aを形成しておき、この複数の開口部11aの大きさをそれぞれ異なる大きさに設定しておく方法を例示することもできる。
また、半田充填工程は、図5に示すような方法により行うこともできる。図5は、板状部材6の凹部8にスキージのみでペースト状半田7を充填する方法である。凹部8が形成されている板状部材6の表面6a上にペースト状半田7を配置し、このペースト状半田7を板状部材6の表面6a上全体に分散させることで、凹部8にペースト状半田7を充填することができる。
上記の方法を採用する場合、板状部材6に形成されている凹部8の大きさ(体積、直径、深さ等)を変更することで、凹部8に充填されるペースト状半田7の量を変更することができる。例えば、異なる大きさの凹部8が形成された板状部材6を複数用意しておき、求めるペースト状半田7の充填量に応じて、使用する板状部材6を変更する方法を例示することができる。また、複数の凹部8が形成されている板状部材6を使用する場合、この複数の凹部8の大きさをそれぞれ異なる大きさに設定しておく方法を例示することもできる。
また、半田充填工程は、図6に示すような方法を採用することもできる。図6に示す方法は、板状部材6に形成されている凹部8にディスペンサ14あるいはシリンジ14によりペースト状半田7を充填する方法である。ディスペンサ14あるいはシリンジ14の容器14a内にペースト状半田7を収納しておき、ディスペンサ14あるいはシリンジ14により凹部8に向かってペースト状半田7を押出すことにより、凹部8にペースト状半田7を供給することができる。
上記のような方法を採用する場合、凹部8に充填されるペースト状半田7の量を変更するためには、単にディスペンサ14あるいはシリンジ14からペースト状半田7を押し出す際の押出し量を変更すればよい。
上記のような半田充填工程において、板状部材6の凹部8にペースト状半田7を充填した後、図2に示すように、板状部材6の下部に設けられた図示しないヒータにより該板状部材6を加熱することによりペースト状半田7を加熱溶融して溶融半田7’とする(加熱溶融工程)。この加熱溶融工程により、凹部8に充填されたペースト状半田7は、自身の表面張力により凹部8内で略球状となる。次に、リード線4を凹部8内の溶融している溶融半田7’に挿入する(リード線挿入工程)。この際、ペースト状半田7自身にフラックスが含まれているため、リード線の一方端側にフラックスを塗布させるなど、半田とリード線4との間の接合部に別途フラックスを供給する工程を行う必要がない。したがって、余分な工程を行う必要がなく作業性を向上することができる。
その後、板状部材6からリード線4を引き抜くことで、リード線4の一方端側に接着しているペースト状半田7が加熱溶融された溶融半田7’を固化させることにより、リード線4の一方端側に半田7’’を結合させる(半田固化工程)。リード線4を板状部材6から引き抜けば、リード線4の一方端側に接着している溶融半田7’も一緒に板状部材6の凹部8から引き抜かれる。そのため溶融している溶融半田7’が冷却され、加熱溶融された溶融半田7’が固化することになる。なお、半田固化工程においては、板状部材6近傍に配置される図示しないヒータを該板状部材6から遠ざけることにより、溶融半田7’を冷却して溶融半田7’を固化するようにしてもよい。さらに、板状部材6からヒータを遠ざけたのち、リード線4を凹部8から引き抜くようにしてもよい。このような半田固化工程を終えれば、一方端に所定量の溶融半田7’が結合されたリード線4を得ることができる。
上記のような半田結合工程に使用されるペースト状半田7は、融点が180℃以上のPbフリー半田粉末を有するものである。具体的には、Au−Sn系合金、Sn−Sb系合金、Sn−Zn系合金の少なくともいずれかにより構成されているPbフリー半田粉末を含むものである。またペースト状半田7に含まれるフラックスは、通常のフラックスを使用することができる。本実施形態においては、ペースト状半田7を採用することにより、球状あるいはシート状に半田を成形する必要がないため、上記のような比較的加工性の悪い半田材料を使用することができる。
また、本実施形態において、リード線4の表面は、Ni、Au、Ag及びSnから選ばれる少なくとも1種を含む金属皮膜により覆われている。このような金属皮膜はメッキ処理により形成することができる。このような金属皮膜によりリード線4の表面を覆うことで、半田結合工程においてリード線4の一方端側にペースト状半田7を結合する際の濡れ性を向上させることができる。したがって、リード線4の一方端側にペースト状半田7を強固に結合させることができ、ひいては、リード線4と端子部10との接合も十分強固にすることができる。
次に、リード線接合工程について説明する。図7に示すように、ペースト状半田7により半田7’’が結合されているリード線4の端部を熱電回路100の端子部10に当接させ、半田ゴテにて半田7’’を溶融、再固化して半田部5を形成し、リード線4を端子部10に接合する(リード線接合工程)。
このように、本実施形態にかかる熱電モジュールの製造方法においては、所定量のペースト状半田7を用いてリード線4の一方端側に半田’’結合した後、熱電回路100の端子部10にリード線4を接合しているので、接合に最適な半田量を容易に管理でき、半田が多すぎたり少なすぎたりする結果生ずる問題点を解決することができる。さらに、ペースト状半田7を用いてリード線4の一方端に半田7’’結合するようにしているので、リード線4と半田とを結合する際に、別途フラックスを供給しなくてもよく、作業性を向上させることができる。また、半田結合工程において、ペースト状半田7を板状部材6に形成されている凹部8に充填するようにしているので、リード線4の一方端側に結合すべき半田の量を容易に変更することができる。
本発明の方法により製造される熱電モジュールの概要を示す図。 本発明の方法に使用される板状部材の概要を示す図。 本発明の熱電モジュールの製造方法を説明する図。 半田充填工程の一例を説明する図。 半田充填工程の一例を説明する図。 半田充填工程の一例を説明する図。 リード線接合工程について説明する図。 半田量が多すぎる場合の問題点を説明する図。 半田量が少なすぎる場合の問題点を説明する図。
符号の説明
1 熱電素子
4 リード線
5 半田部
6 板状部材
7 ペースト状半田
8 凹部
10 端子部
100 熱電回路

Claims (6)

  1. p型熱電素子とn型熱電素子とを含む熱電回路の端子部に、リード線を半田付けする熱電モジュールの製造方法において、
    ペースト状半田を用いてリード線の一方端側に半田を結合させる半田結合工程と、
    前記熱電回路の端子部と前記リード線の前記半田が結合された一方端側とを接合するリード線接合工程とを有することを特徴とする熱電モジュールの製造方法。
  2. 前記半田結合工程は、表面に凹部が形成された板状部材の該凹部に前記ペースト状半田を充填する半田充填工程と、前記ペースト状半田を加熱溶融する加熱溶融工程と、前記凹部内の前記ペースト状半田が溶融した溶融半田にリード線を挿入するリード線挿入工程と、前記溶融半田を固化させる半田固化工程とを有することを特徴とする請求項1に記載の熱電モジュールの製造方法。
  3. 前記ペースト状半田に含まれる半田粉末は、融点が180℃以上のPbフリー半田粉末であることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱電モジュールの製造方法。
  4. 前記半田粉末は、Au−Sn系合金、Sn−Sb系合金、Sn−Zn系合金の少なくともいずれかにより構成されていることを特徴とする請求項3に記載の熱電モジュールの製造方法。
  5. 前記リード線は、Sn及びAgの少なくとも1種を所定量含有する銅合金あるいは純銅により構成されているものであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の熱電モジュールの製造方法。
  6. 前記リード線は、Ni、Au、Ag及びSnから選ばれる少なくとも1種を主成分として含有する金属皮膜により表面が覆われているものであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の熱電モジュールの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20220054564A (ko) * 2021-02-01 2022-05-03 엘지이노텍 주식회사 열전소자

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20220054564A (ko) * 2021-02-01 2022-05-03 엘지이노텍 주식회사 열전소자
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