JP2005285618A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- 陽極と共通陰極との間に、少なくとも発光層を含む機能層が狭持されてなる有機ＥＬ装置において、
前記機能層は、各々が高分子有機材料で形成されたＲ，Ｇ，Ｂ発光層と、前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層毎に設けられ、かつ、有機材料で形成されたＲ，Ｇ，Ｂ用電子注入／輸送層と、を有し、
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層と前記Ｒ，Ｇ，Ｂ用電子注入／輸送層とのＬＵＭＯレベルの差は、それぞれ０．２ｅＶ以下であることを特徴とする有機ＥＬ装置。 - 陽極と共通陰極との間に、少なくとも発光層を含む機能層が狭持されてなる有機ＥＬ装置において、
前記機能層は、各々が高分子有機材料で形成されたＲ，Ｇ，Ｂ発光層と、前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層毎に設けられ、かつ、有機材料で形成されたＲ，Ｇ，Ｂ用電子注入／輸送層と、を有し、
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ用電子注入／輸送層のＨＯＭＯレベルは、前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層のＨＯＭＯレベルよりそれぞれ０．３ｅＶ以上高いことを特徴とする有機ＥＬ装置。 - 陽極と共通陰極との間に、少なくとも発光層を含む機能層が狭持されてなる有機ＥＬ装置において、
前記機能層は、各々が高分子有機材料で形成されたＲ，Ｇ，Ｂ発光層と、前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層毎に設けられ、かつ、有機材料で形成されたＲ，Ｇ，Ｂ用電子注入／輸送層と、を有し、
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層と前記Ｒ，Ｇ，Ｂ用電子注入／輸送層とのＬＵＭＯレベルの差は、それぞれ０．２ｅＶ以下であり、
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ用電子注入／輸送層のＨＯＭＯレベルは、前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層のＨＯＭＯレベルよりそれぞれ０．３ｅＶ以上高いことを特徴とする有機ＥＬ装置。 - 前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層はインクジェット法で形成されことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
- 前記Ｒ，Ｇ，Ｂ用電子注入／輸送層は、前記Ｒ，Ｇ，Ｂ発光層上にそれぞれインクジェット法で形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置。
- 前記共通陰極は、前記Ｒ，Ｇ，Ｂ用電子注入／輸送層上に蒸着法で形成されることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置。
- 請求項１〜請求項６のいずれか１つに記載の有機ＥＬ装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
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| JP2004099221A JP2005285618A (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | 有機ｅｌ装置および電子機器 |
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| JP2004099221A JP2005285618A (ja) | 2004-03-30 | 2004-03-30 | 有機ｅｌ装置および電子機器 |
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| JP2005285618A JP2005285618A (ja) | 2005-10-13 |
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