JP2005284296A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 引回し配線間の短絡や信頼性の低下等の問題を生じることなく、狭額縁化による小型化を達成する。
【解決手段】 第１電極１０に対向して配置された第２電極１１と、第１電極１０と第２電極１１との間に配置される液晶とを有する液晶装置１、すなわち電気光学装置である。この液晶装置１は、さらに、第１電極１０が形成された第１基板２と、第１基板２に形成されていて導通位置４ａにおいて第２電極１１と導通する配線１４とを有する。配線１４は導通位置４ａよりも内側で引き回されるので、シール材４よりも外側の額縁領域を狭くできる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶装置、ＥＬ（Electro Luminescence）装置、電気泳動装置等といった電気光学装置及びその電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。

近年、ノートパソコン、携帯電話機、腕時計等といった電子機器において、各種の情報を表示する手段として液晶装置が広く使用されている。また、今後、ＥＬ装置も用いられると考えられる。電子機器のうち、特に、ノートパソコン、携帯電話機、腕時計等といった携帯型の電子機器においては、筐体内部の限られた空間に液晶装置等を収容する。しかも、液晶装置等によって表示し得る情報量を多くしたいという要求から、液晶装置等の表示領域を極力広くし、しかも表示領域外の領域、すなわち非表示領域を狭くするという構成が望まれている。なお、上記の非表示領域は額縁領域と呼ばれることがある。

上記の液晶装置には、表示領域を構成する各表示ドットにスイッチング素子を付設する構造のアクティブマトリクス方式の液晶装置と、そのようなスイッチング素子を用いない構造のパッシブマトリクス（すなわち、単純マトリクス）方式の液晶装置があることが知られている。

ここで、パッシブマトリクス方式の液晶装置を考えれば、この液晶装置は、一般に、２枚の基板間に液晶が封入され、各基板の対向面に互いに直交するストライプ状の電極が形成される。この液晶装置では、２枚の基板上の電極が互いに交差する部分が表示ドットとなり、液晶は表示ドット毎に外部から駆動される。

このように液晶を外部から駆動するためには、例えば、各基板の非表示領域を対向する相手側基板の外側に張り出させ、それらの張出し領域の上に個々に駆動用ＩＣを実装し、各駆動用ＩＣの出力端子と各基板上の各電極とを引回し配線を用いて電気的に接続し、そして、各駆動用ＩＣからの出力信号を引回し配線を通して各基板上の電極へ供給する。

しかしながら、この構成では、駆動用ＩＣを実装する領域が各基板のそれぞれに必要となるため、液晶装置における非表示領域すなわち額縁領域が大きくなってしまうという問題があった。

また、液晶装置の左側若しくは右側のいずれか一方、又は上側若しくは下側のいずれか一方、が片側に大きく張り出した形状、すなわち非対称の形状となるため、例えば、この液晶装置を携帯用電子機器の筐体内に収容する場合に、電子機器の筐体の外枠部分を大きくしなければ、その液晶装置を収容できなかったり、さらには、筐体の外枠部分が非対称になるために、液晶表示部を電子機器の中央に配置できなくなったりする等といった問題があった。

そこで、液晶装置の狭額縁化、額縁領域の対称化、さらには、駆動用ＩＣの使用数の削減等を目的として、特に携帯電話機用等といった画素数がそれ程多くない小規模の液晶装置に対して次のような構成が提案されている。すなわち、２枚の基板上に形成された全ての電極を一方の基板上の非表示領域に設けた多数の引回し配線の一端に接続し、これらの引回し配線の他端を１個の駆動用ＩＣの出力端子に接続し、その１つの駆動用ＩＣによって各基板上の電極を駆動する方法が提案されている。

図１３は、そのような構成の液晶装置の従来例の１つを示している。この従来の液晶装置１５０においては、下基板１００と上基板１０１とが矩形で環状のシール材１４１によって貼り合わされている。また、シール材１４１の内側には全周にわたって遮光領域１８０が設けられている。また、下基板１００における図の下側の一辺が上基板１０１の外側に張り出し、これにより、張出し領域１００ａが形成されている。そして、この張出し領域１００ａに１個の駆動用ＩＣ１０２が実装されている。

下基板１００の上基板１０１に対向する面には多数のセグメント電極１１０が図中の縦方向に延在して、全体としてストライプ状に形成されている。これらのセグメント電極１１０は、引回し配線１１５を介して駆動用ＩＣ１０２の端子に接続されている。一方、上基板１０１の下基板１００に対向する面には、多数のコモン電極１１１がセグメント電極１１０と直交する方向、すなわち図中の横方向に延在して、全体としてストライプ状に形成されている。

これらのコモン電極１１１の一端には、それぞれ、引回し配線１４０が接続されている。これらの引回し配線１４０はコモン電極１１１の延在方向に沿って遮光領域１８０及びシール材１４１の外側へ引き出された後、屈曲して上基板１０１の左右の辺に沿って図中の縦方向に延在し、さらに、下基板１００の下辺の両側部に集められている。

上基板１０１に形成された引回し配線１４０が集められた個所には、例えば異方性導電膜や、導電ペーストや、導電性粒子を含む導電材等から成る上下導通部１４２が設けられている。この上下導通部１４２の働きにより、上基板１０１上の引回し配線１４０は下基板１００上に形成された引回し配線１４３に電気的に接続される。そして、その下基板１００上の引回し配線１４３が駆動用ＩＣ１０２の各端子に接続されている。

以上により、全ての引回し配線１４３と全ての引回し配線１１５が下基板１００上の駆動用ＩＣ１０２に接続され、この駆動用ＩＣ１０２から全てのセグメント電極１１０及びコモン電極１１１に対して画像信号及び走査信号を供給することができる。

しかしながら、上記構成の従来の液晶装置１５０には以下のような問題点があった。すなわち、セグメント電極１１０用の引回し配線１１５が上基板１０１の下辺の中央部に対応して配置されるため、コモン電極１１１用の上基板１０１側の引回し配線１４０をコモン電極１１１用の下基板１００側の引回し配線１４３に電気的に接続させるための上下導通部１４２が上基板１０１の下辺の左右両側部に設けられることになる。

このように、上下導通部１４２を設けるために上基板１０１の下辺の左右両側部の限られたスペースしか使えないので、多数の引回し配線１４０，１４３を配置する場合、引回し配線１４０，１４３のピッチ（すなわち、配線幅＋配線間の間隔）を狭くせざるを得ず、それ故、互いに隣接する配線間で短絡が発生したり、配線の信頼性が劣ったりするといった問題があった。また、これらの問題が生じない程度に引回し配線１４０，１４３のピッチを広くすると、上下導通部１４２の占有面積が大きくなり、結果として額縁領域が広くなるという問題が発生した。

そこで、図１３のようにシール材１４１と別個に上下導通部１４２を設ける構成に代えて、図１４に示すように、シール材１４１の中に導電粒子１４５を混入し、シール材１４１自身を上下導通部として機能させる構成の液晶装置１５１が提案された。

具体的には、コモン電極１１１用の上基板１０１側の引回し配線１４０とコモン電極１１１用の下基板１００側の引回し配線１４３を共にシール材１４１の形成領域まで延在させ、これらの引回し配線１４０，１４３同士をシール材１４１を介して電気的に接続する。導電粒子１４５を用いた場合、ある程度の間隔を開けさえすれば、隣接する引回し配線１４０間又は引回し配線１４３間が短絡することはない。

この構成を採った場合、基板１００，１０１の左右の辺に沿って延在するシール材１４１の長い領域を上下導通部とすることができるので、引回し配線１４０，１４３間のピッチを広くとることができ、上下導通部の位置における引回し配線１４０，１４３の短絡の問題を回避することができる。なお、図１４において図１３と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

しかしながら、図１４に示す液晶装置１５１の場合、上下導通部は広く取ることができたとしても、図１３の場合と同様、引回し配線１４０，１４３を配置する領域は、あくまでもシール材１４１の外側に設ける必要がある。上述したように、近年の液晶装置においては、表示容量（すなわち、画素数）がますます増加する傾向にある。このように表示容量が増加すると、それに対応して引回し配線の本数が増加する。上記のように引回し配線１４０，１４３をシール材１４１の外側に設けるようにすると、引回し配線の本数が増えたときには、引回し配線の形成領域が広くなってしまい、このことが液晶装置における狭額縁化の障害となる。

液晶装置の表示容量を増やしても引回し配線の形成領域が広くならないようにするためには、引回し配線のピッチを小さくすること、すなわち、配線幅を小さくすること及び／又は配線間の間隔を小さくすることも考えられるが、その場合には、引回し配線の抵抗の増大を招き、液晶装置の表示品質に悪影響を与えるおそれがある。例えば、１００本の引回し配線を５０μｍピッチで形成する場合には、５ｍｍ程度の引回し配線の形成領域が必要になる。従来の配線材料においてはこの時の引回し抵抗は数ｋΩ〜数ＭΩにまで達し、信号波形なまり等といった問題が生じる場合がある。

さらに、図１４の従来の液晶装置１５１では、コモン電極１１１用の下基板１００側の引回し配線１４３がシール材１４１の外側に配置されており、外気に触れることになるため、外気中の水分の影響等により引回し配線１４３に腐食が生じるおそれもあった。

本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであって、引回し配線間の短絡や信頼性の低下等といった問題を生じることなく、狭額縁化による小型化を達成することを目的とする。

（１） 上記の目的を達成するために、本発明の電気光学装置は、第１電極と、該第１電極に対向して配置された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される電気光学物質とを有する電気光学装置において、 前記第１電極が形成された第１基板と、該第１基板に形成されていて、導通位置において前記第２電極と導通する配線とを有し、前記配線は、一本毎に前記第１基板の相対向する辺側で前記第２電極と導通し、前記導通位置よりも前記第１基板の中央側に引き回されることを特徴とする。

この構成によれば、第１基板上に形成される配線が基板間を導通させる導通部の位置よりも内側、すなわち基板の中央寄りを経由するように配置されているので、配線が導通位置よりも基板の外側に配置されていた従来の液晶装置に比べて、非表示領域すなわち額縁領域を狭めることができる。
また配線を1本毎左右に振り分けることにより、隣接する上下の配線の引回し抵抗に差が発生しないため、境目による表示品位の違いが見え難いという格別の効果を得ることができる。

また、さらに、１ライン毎にコモン電極に印加する駆動電圧を正極性、負極性、正極性、…というように反転させるライン反転駆動を行う際、左右にまとめられて引回された引回し配線が同極性となるので、耐電食の点において格別の効果を得ることができる。

（２）上記構成の電気光学装置は、前記電気光学物質を囲むシール材をさらに有することができ、さらに、前記導通位置は該シール材の中に設定することができる。このように、シール材によって導通位置を形成すれば、導通位置は基板の周縁部の任意の箇所に、比較的広い面積で設けることができるので、配線のピッチを広くとることができ、それ故、配線の短絡や抵抗増大といった問題が生じることを防止できる。

（３）また前記第２電極が形成される第２基板を有し、前記第２電極が前記導通位置に相対向する辺側に位置する前記シール材の形成領域に延在していることが望ましい。
このような構成にすれば、前記延在している第２電極をダミーとして用いることができ、基板間のギャップの均一性が良好になる。

（４）シール材の中に導通位置を形成する構造の上記電気光学装置に関しては、前記シール材の中に導通材を含ませることができ、前記配線と前記第２電極とは該導通材を通して互いに接続することができる。

シール材を基板間導通部として用いる場合には、その基板間導通部の面積を十分に確保することができるので、配線間のピッチを十分にとることができる。また、シール材を基板間導通部として用いる場合には、シール材と別に基板間導通部を設ける必要がなくなると共に、シール材の外側にはシール材を基板上に印刷するときの必要寸法、すなわちマージン程度のスペースさえあれば良いので、シール材を基板の外周面に近い位置に配置でき、この結果、電気光学装置の額縁領域を最小限にすることができる。

（５）上記構成の電気光学装置において、前記配線の一端は外部回路に接続することができる。ここで、外部回路とは、駆動用ＩＣそれ自体や、駆動用ＩＣを搭載したＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板や、外部に置かれた駆動用ＩＣと当該電気光学装置を接続するＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等が考えられる。

（６） 次に、本発明に係る電気光学装置は、前記配線のうちの少なくとも１つの配線は、該１つの配線に接続しない前記第２電極と空間的に交差し、該交差位置には遮光膜が設けられることを特徴とする。
複数の電極と複数の配線とがそれぞれに導通される場合、配線の引き回し方によっては、ある1つの配線が当該配線には接続されない電極と空間的に交差する場合、すなわち互いに空間が空いた状態で平面的に見れば互いに重なり合う場合が発生する。また、その重なり部分に液晶等が存在する場合もある。そして、これらの場合には、液晶等を間に挟んで配線と電極とが対向する状態になる。

本来、配線が引き回される領域は表示領域の周辺に設定されていて、この領域は点灯しない領域である。しかしながら、上記のように液晶等を間に挟んで配線と電極とが対向する領域が存在する場合に、例えば、複数の配線を通じて電極に走査信号を順次に供給するときを考えれば、液晶等を挟んで対向する配線と電極との間に電圧が印加される個所が発生し、この部分の液晶が駆動されて、本来は非点灯であるべき周辺領域が点灯して白く光ってしまうことがある。こうなると、電気光学装置の表示を外部から見たときに、表示品質が非常に悪くなる。

これに対し、上記のように、配線と電極とが空間的に交差する領域に遮光膜を設ければ、仮に該領域が点灯してもその光は遮光膜によって外部へ出射することを遮られ、これにより、基板周辺の非表示領域が白く光ることを防止でき、表示の視認性を高めることができる。

（７） 遮光膜を設ける構造の上記の電気光学装置においては、少なくとも異なる２色を含む
着色層と、前記２色を区画する部材とをさらに設けることができ、その場合、該区画する部材は、前記遮光層と実質的に同じ材料を含むことができる。これにより、電気光学装置の製造工程が複雑になることを防止できる。

（８） 上記構成の電気光学装置において、前記配線は、前記第１電極よりも低抵抗の導電膜を
有することを特徴とする。この構成によれば、配線抵抗を下げることにより、表示品質を高めることができる。

（９） 配線として低抵抗の導電膜を用いる構造の上記電気光学装置において、前記配線は、前記第１電極と同一層である導電膜と、前記第１電極よりも低抵抗の導電膜との積層膜を有することができる。

（１０） 配線として低抵抗の導電膜を用いる構造の上記電気光学装置においては、前記第１基板上に駆動用ＩＣを実装することができ、さらに、この駆動用ＩＣは前記配線を介して前記第２電極を駆動することができる。

（１１） 配線として低抵抗の導電膜を用いる構造の上記電気光学装置においては、前記配線のうち前記シール材の外側領域にある部分には前記低抵抗の導電膜は含まれないようにすることができる。こうすれば、導電膜と外気との接触を確実に防止できるので、その導電膜の腐食すなわち配線の腐食をより一層確実に防止できる。

（１２） 次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構造の電気光学装置を有することを特徴とする。この構成によれば、狭額縁化による小型の電気光学装置を備えたことによって、装置全体が小型であるに拘わらず、表示領域が広く、携帯性に優れた電子機器を実現できる。

（電気光学装置の第１実施形態）
以下、パッシブマトリクス方式であって、半透過反射型であって、カラー表示を行う液晶装置に本発明を適用した場合の実施形態を説明する。図１は本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶装置の平面構造を示している。また、図２は図１の液晶装置における画素部分を拡大して示している。また、図３は図２のＡ−Ａ'線に従って液晶装置の断面構造を示している。また、図４は図１において矢印Ｄで示す上下導通部を拡大して示している。また、図５は図４のＢ−Ｂ'線に従ってシール部分の断面構造を示している。なお、以下の全ての図面においては、液晶装置の構造を分かり易く示すために、各構成要素の膜厚や寸法の比率は適宜異ならせてある。

図１において、液晶装置１は、平面的に見て長方形状の下基板２と、同じく平面的に見て長方形状の上基板３とを有する。これらの基板２，３は、矩形で環状のシール材４によって貼り合わされて互いに対向して配置されている。シール材４は、各基板２，３における図の上側の一辺で開口して液晶注入口５となっており、この液晶注入口５を通して、双方の基板２，３とシール材４とによって囲まれた空間内に液晶が注入される。液晶の注入の完了後、液晶注入口５は封止材６によって封止される。

シール材４はその全体が、連続する環状に形成されているが、その右辺及び左辺（すなわち、対向した２つの長辺）に沿った部分は導通シール材４ａとして機能し、その上辺及び下辺（すなわち、対向した２つの短辺）に沿った部分は非導通シール材４ｂとして機能する。導通シール材４ａの中には導電粒子３０等といった上下導通材が混入されていて、液晶封止の機能を奏すると共に上下導通部としても機能する。一方、非導通シール材４ｂの中には導電粒子３０は含まれておらず、よって、非導通シール材４ｂは専ら液晶封止の機能を奏する。

下基板２は、上基板３よりも外形寸法が大きくなっている。具体的には、上基板３と下基板２の上辺、右辺、左辺の３辺においては、それらの基板の縁、すなわち基板の端面が揃っているが、図１の下辺においては、下基板２の周縁部が上基板３の外側へ張り出して、張出し領域９を形成している。

また、下基板２の下辺側の端部には駆動用半導体素子７が電子部品として実装され、この半導体素子７の働きにより、上基板３及び下基板２の双方に形成した電極を駆動する。シール材４の内側には、矩形で環状の遮光層８が設けられている。この遮光層８の内縁よりも内側の領域が、実際の画像表示に寄与する表示領域Ｖとなる。

図１において、下基板２の液晶側の表面上には、図中の縦方向に延在する複数のセグメント電極１０が横方向に平行に並べられて、全体としてストライプ状に形成されている。一方、上基板３の液晶側の表面上には、セグメント電極１０と直交するように図中の横方向に延在する複数のコモン電極１１が縦方向に平行に並べられて、全体としてストライプ状に形成されている。

なお、図１において、セグメント電極１０は模式的に８本が図示され、コモン電極１１は模式的に１０本が図示されているが、実際には、それらの電極は各基板上に多数本形成される。

図３において、上基板３の液晶側表面上には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色素層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂを含むカラーフィルタ１３が設けられる。このカラーフィルタ１３は、図２に示すように、各セグメント電極１０の延在方向（すなわち、図２の上下方向）に対応して配置されている。また、各色素層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの配列パターンは、本実施形態の場合は縦ストライプに設定されている。すなわち、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれは、縦方向に同色が設けられ、横方向に異なる色が順々に循環的に並べられている。なお、図２に示す横方向に並んだＲ、Ｇ、Ｂの３個の表示ドットによって画面上の1個の画素が構成される。

図３において、セグメント電極１０は、Ｗ２の幅で形成されたＡＰＣ膜１８と、これを覆うＷ１の幅で形成された透明導電膜１９とから成る積層構造を有している。ＡＰＣ膜１８は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）を所定の割合で含有した合金によって形成された膜である。また、透明導電膜１９は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）によって形成される。

ＡＰＣ膜１８には、表示ドットごとに２個ずつの光透過用の窓部１２が形成され、これらの窓部１２が光透過領域として機能する。これらの窓部１２は、図２に示すように、千鳥状に配置されている。なお、ここで言う「表示ドット」とは、図２において、セグメント電極１０とコモン電極１１とが平面的に見て重なり合った領域のことである。

図１に示すように、各コモン電極１１はその両端が導通シール材４ａに接触し、さらに導通シール材４ａの外側にまで延在している。複数のコモン電極１１のうち、図１の上側半分（図１では５本）のコモン電極１１については、それらのコモン電極１１の右端が、導通シール材４ａ中に混入させた導電粒子３０を介して下基板２上のコモン電極用引回し配線１４に電気的に接続されている。

そして、これらの引回し配線１４は、導通シール材４ａを出て基板中央部、すなわちシール材４で囲まれた領域内に向けて延びた後、屈曲して下基板２の右辺に沿って縦方向に延び、図の下側の非導通シール材４ｂを横断して張出し領域９へ延び出て、駆動用半導体素子７の出力端子に接続されている。

同様に、図１の下側半分（図１では５本）のコモン電極１１については、それらのコモン電極１１の左端が、導通シール材４ａ中に混入させた導電粒子３０を介して下基板２上の引回し配線１４に電気的に接続されている。

そして、これらの引回し配線１４は、導通シール材４ａを出て基板中央部、すなわちシール材４で囲まれた領域内に向けて延びた後、屈曲して下基板２の左辺に沿って縦方向に延び、図の下側の非導通シール材４ｂを横断して張出し領域９へ延び出て、駆動用半導体素子７の出力端子に接続されている。

全ての引回し配線１４は、導通シール材４ａよりも内側の領域であって、且つ遮光層８の内縁よりも外側の範囲内に配置されている。つまり、引回し配線１４は、導通シール材４ａの幅内、導通シール材４ａと遮光層８との間の領域、及び遮光層８の幅内を延在するように形成され、さらに短辺側に配置された非導通シール材４ｂを通過して張出し領域９上に取り出され、その張出し領域９上に実装された駆動用半導体素子７の出力端子に接続されている。

一方、セグメント電極１０については、セグメント電極用引回し配線１５がセグメント電極１０の下端から非導通シール材４ｂに向けて引き出され、そのまま駆動用半導体素子７の出力端子に接続されている。以上のように、多数の引回し配線１４，１５は各基板２，３の下辺側の非導通シール材４ｂを横断するが、非導通シール材４ｂは導電性を持たないため、引回し配線１４，１５が狭ピッチで配置されていてもそれらの引回し配線１４，１５が非導通シール材４ｂにおいて短絡するおそれはない。

本実施形態の場合、これら引回し配線１４，１５もセグメント電極１０と同様に、図３で示すように、ＡＰＣ膜１８とＩＴＯ膜１９との積層膜で構成されている。また、図１において、下基板２の張出し領域９の辺端に、入力用配線としての外部入力端子１６が形成され、駆動用半導体素子７の入力端子がこれらの外部入力端子１６の一端に接続している。外部接続端子１６の他端には図示しない配線基板が接続され、この配線基板を通して半導体素子７に各種の信号が供給される。

表示ドット部分、すなわち画素部分の断面構造を見ると、図３に示すように、ＡＰＣ膜１８上にＩＴＯ膜１９が積層された２層構造のセグメント電極１０が、ガラス、プラスチック等といった透明基板から成る下基板２上に形成されている。これらのセグメント電極１０は、紙面垂直方向に延在し、矢印Ｕ方向から見てストライプ状に形成されている。

セグメント電極１０の上には、ポリイミド等から成る配向膜２０が形成されている。そして、この配向膜２０の表面には配向処理、例えばラビング処理が施されている。ＩＴＯ膜１９は、ＡＰＣ膜１８の上面のみに積層されるだけではなく、ＡＰＣ膜の側面も覆うように形成されている。つまり、ＩＴＯ膜１９の幅Ｗ１は、ＡＰＣ膜１８の幅Ｗ２よりも大きく設定されている。

一方、ガラス、プラスチック等といった透明基板から成る上基板３の表面上には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色素層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂから成るカラーフィルタ１３が形成される。そして、このカラーフィルタ１３上には、各色素層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂ間の段差を平坦化すると同時に各色素層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの表面を保護するためのオーバーコート膜２１が形成されている。このオーバーコート膜２１はアクリル、ポリイミド等といった樹脂膜でもよいし、シリコン酸化膜等といった無機膜でもよい。

さらに、オーバーコート膜２１の上にＩＴＯの単層膜から成る複数のコモン電極１１が形成される。これらのコモン電極１１は紙面左右方向に延在し、矢印Ｕ方向から見てストライプ状に形成されている。これらのコモン電極１１の上にはポリイミド等から成る配向膜２２が形成され、さらに、この配向膜２０の表面には配向処理、例えばラビング処理が施されている。上基板３と下基板２との間にはＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶等から成る液晶２３が挟持されている。また、下基板２の下面側に、照明装置２９がバックライトとして配置されている。

上基板３上には、ブラックストライプ２５が形成されている。このブラックストライプ２５は、例えば樹脂ブラックや比較的反射率の低いクロム等といった金属などから成り、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色素層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの間を区画するように設けられている。ブラックストライプ２５の幅Ｗは、互いに隣接する一対の表示ドット内のＩＴＯ膜１９同士の間隔Ｐ１、すなわちセグメント電極間の間隔、よりも大きく、さらにＡＰＣ膜１８同士の間隔Ｐ２にほぼ一致している。

このことを図２で見ると、セグメント電極１０の輪郭を示す外側の線がＩＴＯ膜１９の縁を示し、その内側の線がＡＰＣ膜１８の縁を示しているが、ブラックストライプ２５の輪郭を示す線はＡＰＣ膜１８の縁を示す線に重なっている。つまり、各色素層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの境界に設けられたブラックストライプ２５の幅Ｗは、互いに隣接するセグメント電極１０のＩＴＯ膜１９同士の間隔Ｐ１より広く、且つＡＰＣ膜１８同士の間隔Ｐ２とほぼ同じになるように形成されている。

図４において、上側３本のコモン電極１１はその右端で、導通シール材４ａ内の導電粒子３０によって引回し配線１４と電気的に接続されている。一方、下側２本のコモン電極１１は図１を参照すれば理解できるように、その左端で引回し配線１４と電気的に接続されている。図４のＢ−Ｂ´線に従った断面図である図５において、上基板３に形成されたコモン電極１１の端部は導通シール材４ａの外側に張り出している。一方、下基板２の引回し配線１４の端部は導通シール材４ａの中に位置している。導通シール材４ａの中には、例えば直径が１０μｍ程度の導電粒子３０が混入されており、これら導電粒子３０が上基板３のコモン電極１１と下基板２の引回し配線１４とに接触することにより、それらのコモン電極１１と引回し配線１４とが電気的に接続される。

引回し配線１４は、セグメント電極１０と同様、ＡＰＣ膜１８上にＩＴＯ膜１９が積層された２層構造となっており、ＡＰＣ膜１８の側面もＩＴＯ膜１９で覆われている。引回し配線１４と左端で接続されたコモン電極１１、すなわち図４の下側２本のコモン電極１１に対しては、それらのコモン電極１１の右端に対応して位置する導通シール材４ａの中にダミーパターン３１が形成されている。これらのダミーパターン３１も引回し配線１４と同様、ＡＰＣ膜１８上にＩＴＯ膜１９が積層された２層構造となっている。

引回し配線１４と右端で接続されたコモン電極１１（図４の上側３本のコモン電極）に対しても、これらのコモン電極１１の左端と交差する部分の導通シール材４の形成領域内にダミーパターン３１が形成されている。なお、図４において、実際には引回し配線１４及びダミーパターン３１を構成するＡＰＣ膜の周囲にはＩＴＯ膜の輪郭が見えるはずであるが、ここでは図面を見易くするため、図示を省略した。

本実施形態に係る液晶装置は、半透過反射型の液晶装置であり、透過表示を行う場合は、図３において、下基板２の背面側に配置した照明装置２９からの光をＡＰＣ膜１８に形成した窓部１２を通して液晶２３の層に供給する。他方、反射表示を行う場合は、太陽光、室内光等といった外部光を上基板３側から取り入れて、一旦、液晶２３の層を通過させた後、下基板２上のＡＰＣ膜１８で反射させて、再度、液晶２３の層へ供給する。

透過表示時又は反射表示時に上記のようにして液晶２３の層へ光が供給される間、表示領域Ｖ内においては、走査信号及びデータ信号によって適宜の表示ドットが選択されてその表示ドットを構成する液晶に閾値を越える電圧が印加され、これにより、液晶の配向が制御される。こうして表示ドットごとに液晶の配向が制御されると、液晶を通過する光が表示ドットごとに変調されたり、あるいは変調されなかったりする状態で偏光板へ供給される。偏光板は、光が変調されたか否かによって通過させる光を選択し、これにより、外部に文字、数字、図形等といった像を表示する。

本実施形態の液晶装置においては、図１に示すように、コモン電極１１と引回し配線１４とを電気的に接続する上下導通部として機能する導通シール材４が基板２，３の周縁部に設けられ、下基板２上に形成された多数の引回し配線１４がシール材４よりも基板中央寄りを経由するように、すなわち導通位置よりも内側に、引き回されているので、引回し配線１４がシール材４の外側に配置されていた従来の液晶装置に比べて額縁領域を狭めることができる。

この結果、シール材４の外側に存在する基板２，３の縁の部分は、シール材４の印刷時のマージン、すなわち必要寸法、例えば０．３μｍ程度を残すだけでよく、ほとんどスペースが要らなくなる。また、引回し配線１４の材料に比抵抗が小さいＡＰＣを用いたため、引回し配線１４の狭ピッチ化を達成でき、額縁領域をより一層小さくすることができる。

さらに本実施形態の場合、導通シール材４ａを用いてセグメント電極１０の駆動とコモン電極１１の駆動とを下基板２上の１個の駆動用半導体素子７で担うようにした。これにより、額縁領域を全体として狭くできるので、小型の携帯用電子機器等に好適な液晶装置を形成できる。

また、図１に示すように、駆動用半導体素子７を１個にして下基板２の下端側に配置したことに加えて、多数の引回し配線１４を半分ずつ左右に振り分けて配置したことにより、図１に示すように額縁領域の形状が左右対称となり、この液晶装置１を電子機器に組み込んだ際に液晶表示部が機器の中央に配置できたり、電子機器内における筐体の額縁領域を小型化できたりする等といった利点が得られる。

また、シール材４そのものが上下導通部として機能するので、上下導通部として広い面積を確保することができ、それ故、引回し配線１４のピッチを広くとることができる。そのため、引回し配線１４の短絡や抵抗の増大等といった問題が生じることがない。

本実施形態の液晶装置１はカラー表示を行うので、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの表示ドットで１画素が形成される関係から、１つの表示ドットが図２に示すように縦長である。すなわち、セグメント電極１０よりもコモン電極１１の方が幅広である。本実施の形態の場合、図４に示すように、コモン電極１１側を上下導通する構成としたことで接続個所の面積を広くとることができる。例えば、導通シール材４ａの幅を０．５ｍｍ、コモン電極１１の幅を２００μｍ（すなわち、０．２ｍｍ）とすると、接続面積はほぼ１ｍｍ²となる。このように接続面積を広くできれば、上下導通の信頼性を向上させることができる。

また、図４及び図５に示すように、引回し配線１４をシール材４の内側に配置しているため、引回し配線１４が外気に触れることがなく、引回し配線１４の腐食を防止して配線の信頼性を向上させることができる。さらに、ＡＰＣ膜１８それ自体は、使用時にエレクトロマイグレーションが起こり易いという性質を持っているが、本実施形態では、セグメント電極１０や引回し配線１４，１５を構成するＩＴＯ膜１９がＡＰＣ膜１８の上面だけでなく、その側面も覆っているため、製造工程中の水分の付着による腐食の問題や膜表面の汚染に起因するエレクトロマイグレーションの問題を回避することができる。

図５に示すように、引回し配線１４はＡＰＣ膜１８とＩＴＯ膜１９との積層構造である。今、引回し配線１４の全体の層厚、すなわちＡＰＣ膜１８とＩＴＯ膜１９との合計膜厚が、例えば０．３μｍ程度であるとすると、シール材４の中で引回し配線１４のある場所と、引回し配線１４のない場所とで、０．３μｍの段差ができる。このような段差がそのまま残されると、セルギャップがばらついて表示不良となるおそれがある。

この点に関し、本実施形態では、図４に示すように、引回し配線１４が存在しないコモン電極１１の端部に、引回し配線１４と同じ構成、すなわち同じ層厚、のダミーパターン３１を配置した。これにより、セルギャップが場所によらず一定になり、表示不良を防止できるようになった。なお、引回し配線１４とダミーパターン３１は同一の工程で同一の層によって形成されているので、ダミーパターン３１を形成するにあたっては、マスクパターンにおけるパターンの追加のみで済み、製造プロセスが複雑になることはない。

また、図３に示すように、上基板３上に形成したブラックストライプ２５は、互いに隣接するセグメント電極１０内のＡＰＣ膜１８同士の間隙Ｐ２を完全に覆うように設けられるため、光漏れがなくなり、混色を防止することができる。その上、反射率に優れたＡＰＣ膜１８を用いたことで、反射型の表示時における表示の明るさが向上し、同時に、透過型の表示時における色の彩度が向上し、その結果、反射型及び透過型のいずれの表示時においてもカラーの各色を鮮やかに表示できるようになった。

なお、本実施形態においては、図１に示したように、シール材４が導通シール材４ａと非導通シール材４ｂとで構成されているが、シール材４は導通シール材４ａのみによって構成されていても構わない。

また、本実施形態では張出し領域９に駆動用半導体素子７を搭載したが、これに代えて、駆動用半導体素子７を張出し領域９上に搭載することなく、液晶装置１の外部に配置しておくこともできる。この場合には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等といった配線基板を外部入力端子１６に接続し、外部に置いた半導体素子７の出力信号をそのＦＰＣを通して引回し配線１４及び引回し配線１５へ伝送する。

さらに、本実施形態ではパッシブマトリクス方式の半透過反射型カラー液晶装置の例を示したが、ＴＦＤ等といった２端子型のスイッチング素子又はＴＦＴ等といった３端子型のスイッチング素子を有するアクティブマトリクス方式の半透過反射型カラー液晶装置に対しても本発明を適用できる。

（電気光学装置の第２実施形態）
図６及び図７は、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態であって、電気光学装置の一例である液晶装置に本発明を適用した場合の実施形態の主要部を示している。この実施形態において、液晶装置の全体構成は図１に示した先の実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。本実施形態が図４及び図５に示した先の実施形態と異なる点は上下導通部に関する構成のみであり、この部分について図６及び図７を用いて説明する。なお、図６及び図７において図４及び図５と共通の構成要素には同一の符号を付す。

図４に示した実施形態では、矩形で環状のシール材４のうち、各基板２，３の右辺及び左辺に沿う部分が導通シール材４ａとして構成され、各基板２，３の上辺及び下辺に沿う部分が非導通シール材４ｂとして構成されていた。図６に示す本実施形態の場合も、各基板２，３の上辺及び下辺、すなわち対向した２つの短辺に沿った部分は非導通シール材４ｂであり、図４等に示す先の実施形態と変わらない。しかしながら、本実施形態では、各基板２，３の右辺及び左辺、すなわち対向した２つの長辺に沿った部分は、導通シール材４ａと非導通シール材４ｂから成る２重構造となっている。

すなわち、図６に示すように、シール材４は幅方向、すなわち図６の左右方向に隣接配置された導通シール材４aと非導通シール材４bとの２重構造を有する。導通シール材４ａは基板の周縁部側に設けられ、非導通シール材４ｂは基板中央側、すなわち液晶側に設けられている。導通シール材４ａの内部には導電粒子３０等といった導電材が混入され、これにより、導通シール材４aは液晶封止と共に上下導通部として機能する。

また、非導通シール材４ｂの内部には導電材は混入されておらず、代わって、セルギャップを確保するためのギャップ材３２が混入されている。これにより、非導通シール材４ｂは専ら液晶封止の機能を担う。そして、非導通シール材４ｂの形成領域内に引回し配線１４が配置されている。引回し配線１４の構成、ダミーパターン３１を設けた点等は図４の実施形態の場合と同様である。

液晶の封止に必要なシール材４の幅はある程度決まっており、今、これを例えば０．５ｍｍとする。このことを図４に示した実施形態で言えば、同図において導通シール材４ａの幅Ｓが０．５ｍｍとなる。図４の実施形態では、シール材４は全て導通シール材４ａで構成されているので、上下導通面積を大きくとることができるという利点が得られ、ピッチが広いコモン電極１１間が短絡することもない。

しかしながら、引回し配線１４間はピッチが狭く、引回し配線１４を導通シール材４ａの形成領域内に配置すると引回し配線１４間が短絡するおそれがある。このため、引回し配線１４は導通シール材４ａよりも内側に配置しなければならない。具体的には、基板２，３の縁、すなわち端面から導通シール材４ａまでの寸法Ｅを例えば０．３ｍｍとすると、基板の縁から寸法Ｅと導通シール材４の幅Ｓの合計である０．８ｍｍの範囲には引回し配線１４を配置できず、それよりも基板中央寄りに引回し配線１４を配置しなければならない。このため、図４の実施形態では、狭額縁化が制約を受けることになる。

これに対して、図６に示す本実施形態の場合、導通シール材４ａ、非導通シール材４ｂは共に液晶封止のために機能するので、液晶の封止に必要なシール材幅の０．５ｍｍをこれら２種類のシール材で分け合うことにした。上下導通の信頼性も確保した上で、図６に示すように、例えば導通シール材４ａの幅Ｓ１を０．２ｍｍ、非導通シール材４ｂの幅Ｓ２を０．３ｍｍとする。

この場合でも、シール材４の全体の幅Ｓはあくまでも０．５ｍｍであるから、図４の実施形態の場合と同様に、液晶を確実に封止することができる。ここで、図４の実施形態と異なるのは、非導通シール材４ｂはそもそも導電性を持たないため、導通シール材４ａの形成領域を避ければ、非導通シール材４ｂの形成領域内には引回し配線１４を配置することができる点である。

具体的には、図６において、基板２，３の縁から導通シール材４ａまでの寸法Ｅを０．３ｍｍとすると、基板の縁からの寸法Ｅと導通シール材４ａの幅Ｓ１の合計である０．５ｍｍの範囲には引回し配線１４を配置できないが、それよりも基板中央寄りには引回し配線１４を配置できることになる。すなわち、図４の実施形態と比べると片側で０．３ｍｍ、従って両側で０．６ｍｍの狭額縁化を達成できる。このように、本実施形態の２重構造のシール材４を採用したことにより、図４の実施形態に比べて更なる狭額縁化を達成できる。

なお、２重構造のシール材４を形成する場合、導通シール材４ａと非導通シール材４ｂとの間に気泡等が入ると液晶封止の信頼性が低下する。気泡が入らないように２重構造のシール材４を形成するためには、例えば図８に示すような方法を採ることができる。すなわち、上基板３上に導通シール材４ａとなる樹脂材料を印刷し、下基板２上に非導通シール材４ｂとなる樹脂材料を印刷し、両シール材４ａ及び４ｂがつながるように両基板２及び３を貼り合わせる。

なお、基板２，３を貼り合わせる際には、図８に示すように、導通シール材４ａの内周部の寸法Ｘの部分と、非導通シール材４ｂの外周部の寸法Ｘの部分とが互いに重なり合うようにすること、すなわち寸法的にオーバーラップさせることが望ましい。こうずれば、導通シール材４aの内周面と非導通シール材４bの外周面とを環状の全周にわたって隙間無く密着させて、気泡の発生をほぼ完全に防止できる。

（電気光学装置の第３実施形態）
図９は、本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態であって、電気光学装置の一例である液晶装置に本発明を適用した場合のさらに他の実施形態を示している。ここに示す液晶装置４１の基本構成は図１に示した実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。図９に示す液晶装置４１が図１に示す液晶装置１と異なる点は、主に、引回し配線の振り分け方であり、この部分について図９を用いて説明する。

図１に示した液晶装置１では、複数のコモン電極１１のうち、上半分のコモン電極１１については、それらのコモン電極１１の右端から引回し配線１４が引き回され、一方、下半分のコモン電極１１については、それらのコモン電極１１の左端から引回し配線１４が引き回されていた。これに対して、図９に示す液晶装置４１の場合は、最も上の位置にあるコモン電極１１は右端から引回し配線１４が引き回すれ、上から２番目のコモン電極１１は左端から引回し配線１４が引き回されるというように、引回し配線１４が１本毎に右、左、右、左、…と交互に振り分けられている。その他の構成は図１の実施形態の場合と同じである。

本実施形態の液晶装置４１においても、図１に示した液晶装置１の場合と同様に、額縁領域を小さくでき、平面的な形状を左右対称とすることができ、上下導通の信頼性を向上でき、さらに、引回し配線の信頼性を向上できる等といった効果を得ることができる。

さらに、それに加えて、本実施形態の液晶装置４１においては、特にアクティブマトリクス方式の駆動において、１本毎左右に振り分けることにより、隣接する上下の配線の引回し抵抗に差が発生しないため、境目による表示品位の違いが見え難いという格別の効果を得ることができる。

また、さらに、１ライン毎にコモン電極１１に印加する駆動電圧を正極性、負極性、正極性、…というように反転させるライン反転駆動を行う際、左右にまとめられて引回された引回し配線１４が同極性となるので、耐電食の点において格別の効果を得ることができる。

（電子機器の実施形態）
図１０は、本発明に係る電子機器の一実施形態であって、電子機器の一例である携帯電話機に本発明を適用した場合の実施形態を示している。ここに示す携帯電話機１０００は本体１００１を有し、液晶装置を用いた液晶表示部１００２がその本体１００１に設けられている。

図１１は、本発明に係る電子機器の他の実施形態であって、電子機器の一例である腕時計型電子機器に本発明を適用した場合の実施形態を示している。ここに示す腕時計型電子機器１１００は時計本体１１０１を有し、液晶装置を用いた液晶表示部１１０２がその本体１１０１に設けられている。

図１２は、本発明に係る電子機器のさらに他の実施形態であって、電子機器の一例である携帯型情報処理装置、例えば、ワープロ、パソコン等に本発明を適用した場合の実施形態を示している。ここに示す携帯型情報処理装置１２００は、装置本体１２０４に、キーボード等といった入力部１２０２や、液晶表示部１２０６等を設けることによって形成されている。この液晶表示部１２０６は本発明に係る液晶装置を用いて構成できる。

図１０、図１１、及び図１２に示す電子機器は、本発明に係る液晶装置を用いた液晶表示部を備えているので、狭額縁化による小型の液晶装置を備えたことにより、装置全体が小型であって携帯性に優れており、それにも拘わらず表示領域が広い。

なお、本発明の技術範囲は以上に記載した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態では基板の左右に設けたシール材が導通シール材として用いられているので、上下導通及び液晶封止のための構成が簡略化され、狭額縁化に好適であるが、ここまでの効果を求めないならば、シール材とは別にシール材の外側に異方性導電フィルムやその他の導電材を配置し、そこから内側に向けて引回し配線を配置する構成を採用してもよい。

また、上下導通部の位置や数、各上下導通部への引回し配線の振り分け方等については、上記実施形態に対してさらに適宜の変更を加えることができる。また、図１では、セグメント電極１０を形成した基盤２上に駆動用半導体素子７を実装したが、これに代えて、コモン電極１１を形成した基板３上に駆動用半導体素７を実装し、セグメント電極１０側を上下導通材３０により引回し配線１４に接続する構成としても良い。

また、セグメント電極及び引回し配線の材料としては、ＡＰＣ膜に限られず、銀・パラジウム合金（ＡＰ）膜や、その他の銀合金膜を用いてもよい。また、上記実施形態では、本発明をパッシブマトリクス方式の半透過反射型カラー液晶装置に適用したが、ＴＦＤ等をスイッチング素子に用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置にも適用可能である。その場合、素子基板と対向配置されていて、ストライプ状電極を有する対向基板を図１における上基板と考えれば、図１の実施形態と同様の構成を採用することができる。その他、白黒の液晶装置、反射型液晶装置、透過型液晶装置を問わず、本発明が適用可能である。

（電気光学装置の第４実施形態）
図１５は、本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態であって、電気光学装置の一例である液晶装置に本発明を適用した場合のさらに他の実施形態を示している。図１５に示す液晶装置５１が図１に示した液晶装置１と異なる点は、主に、基板２，３の周辺の広い領域に遮光膜を設けたことであり、その他の構成は図１の液晶装置１と同じとすることができる。従って、図１５において図１と同一の構成要素は同一の符号を付して示すことにして、それらについての詳細な説明は省略する。

図１５において、基板２，３の周辺部分には遮光像５８が設けられている。この遮光層５８は、図１６に示すように、上基板３の液晶側表面の外周端面から内側へ向かって広い範囲で形成されている。つまり、遮光層５８は、その内周縁５８ａから基板の外周端面にわたって全域にまんべんなく形成されている。この遮光層５８は、下基板２に設けることもできる。

遮光層５８の内周縁５８ａは、図１５に示すように、セグメント電極１０とコモン電極１１との交差によって構成される表示ドット群を取り囲んでいる。表示ドット群によって形成される領域は画像表示に寄与する表示領域Ｖであるので、遮光層５８の内周縁５８ａは表示領域Ｖを取り囲むことになる。

遮光層５８は、例えば、図３のブラックストライプ２５と同じ工程で同じ材料によって形成できる。つまり、遮光層５８は、樹脂ブラックや比較的反射率のクロム等といった金属等によって形成できる。

図１３に示したような従来の液晶装置１５０では、引回し配線１４０がコモン電極１１１の外側を回って基板の周縁部に延在しており、引回し配線１４０とコモン電極１１１とが平面的に重なること、すなわち空間的に交差することがないので、引回し配線１４０の所で点灯が生じることを考慮する必要はなかった。

ところが、図１５に示す本実施形態の場合は、図４に示したように、引回し配線１４が導通シール材４ａの内側に配置されているため、下基板２上に形成した引回し配線１４と上基板３上に形成したコモン電極１１とが平面的に重なることになる。また、引回し配線１４とコモン電極１１が平面的に重なっている所は、シール材４で囲まれた領域内、すなわち導通シール材４ａよりも内側の領域であって、ここには液晶が存在している。そのため、液晶を間に挟んで引回し配線１４とコモン電極１１とが対向する。

このような構造の液晶装置に走査信号及びデータ信号を供給して液晶を駆動する場合、図４において、引回し配線１４を通じてコモン電極１１に１本ずつ走査信号を上から順に供給するとき、例えば最上段のコモン電極１１に走査信号を印加したとき、２段目のコモン電極１１には未だ走査信号が印加されていないが、最上段のコモン電極１１に接続された引回し配線１４と２段目のコモン電極１１とが交差する個所、すなわち図４に符号Ｆで示す個所、の液晶に電圧が印加されるため、この部分の液晶が駆動されて、本来は非点灯であるべき額縁領域が点灯するという不都合、いわゆるクロスライン点灯を生じるおそれがある。

この点に関し、本実施形態では、図１５及び図１７に示すように、下基板２に形成された全ての引回し配線１４の形成領域を覆うように、上基板３上に遮光層５８を設けたので、上記のように表示領域Ｖ以外の領域でクロスライン点灯があっても、その光は遮光層５８によって遮られて外部へ出射することを阻止される。これにより、表示に不要な基板周辺の点灯を覆い隠すことができる。

また、本実施形態では、クロスライン点灯部以外の引回し配線の形成部やシール材の形成部に対応した領域も、遮光層５８で覆うようにしている。こうすれば、引回し配線１４の形成に起因して発生するセル厚の不均一、すなわちセルギャップの不均一、すなわち液晶層の厚みの不均一、を解消できる。このため、セル厚の不均一によって生じると考えられる、表示ムラや不要な着色といったシール材４で囲まれた領域内で生じる表示の不具合を解消できる。

さらに、本実施形態のように基板の周辺の広い領域を遮光層５８で覆うようにすれば、表示領域Ｖの外側におけるＡＰＣ膜１８での反射光の漏れや、背面からの照明装置２９からの光漏れや、基板周辺の額縁領域が部分的に白く光って見えること、等を遮光膜５８によって同時に防止することができる。以上のように、基板の周辺に広い範囲にわたって遮光層５８を設けることにより、液晶装置による表示の視認性を高めることができる。

（電気光学装置の第５実施形態）
図１８は、本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態であって、電気光学装置の一例である液晶装置に本発明を適用した場合のさらに他の実施形態を示している。図７に示した先の実施形態では、シール材４を導通シール材４ａと非導通シール材４ｂとから成る２重構造によって構成した。また、図１５に示した先の実施形態では、基板２，３の周辺の広い範囲に遮光層５８を設けた。図１８に示す本実施形態は、図７に示したような２重構造のシール材４を有する液晶装置に対して、図１５に示すような広い範囲の遮光層５８を設けたものである。

図７に示した実施形態の場合には、非導通シール材４ｂの形成領域内に引回し配線１４を配置しているため、非導通シール材４ｂの形成領域内に限ってはコモン電極１１と引回し配線１４とが空間的に交差していてもクロスライン点灯の問題は生じない。しかしながら、シール材４の形成幅の制御や、シール材４の形成位置の制御や、さらには上基板３と下基板２との組立精度、すなわちシール材４による貼り合わせ精度等の問題から、シール材４の形成領域よりも内側、すなわち液晶側に引回し配線１４が配置されることもあり得る。

全ての引回し配線１４が非導通シール材４ｂの形成領域内に収まれば問題はないが、一部の引回し配線１４であっても非導通シール材４ｂの形成領域より内側に位置するものがある場合には、やはりクロスライン点灯の問題が発生する。従って、図７に示したような２重構造のシール材を用いる構造の液晶装置に対しても、図１８に示すように、基板２，３の外周端面から基板の内側方向へ広い範囲で遮光層５８を設けることが望ましい。このように遮光層５８を設けることで、クロスライン点灯による光を確実に遮光することができ、表示の視認性を高めることができる。

（電気光学装置の第６実施形態）
以下、本発明を単純マトリクス方式でＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶装置に適用した場合を例に挙げて説明する。図１９は、その液晶装置の一実施形態、すなわち電気光学装置の一実施形態を示している。ここに示す液晶装置２０１は、図面の奥側に配置された第１基板２０２ａと、図面の手前側に配置された第２基板２０２ｂとを環状のシール材２０３によって互いに接合、すなわち貼り合せることによって形成される。

シール材２０３、第１基板２０２ａ及び第２基板２０２ｂによって囲まれる領域は高さが一定の間隙、いわゆるセルギャップを構成する。さらに、シール材２０３の一部には液晶注入口２０３ａが形成される。上記のセルギャップ内には、上記液晶注入口２０３ａを通して液晶Ｌが注入され、その注入の完了後、液晶注入口２０３ａが樹脂等によって封止される。

第１基板２０２ａは第２基板２０２ｂの外側へ張り出す張出し領域２０２ｃを有し、その張出し領域２０２ｃ上に駆動用ＩＣ２０４が導電接着要素、例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）２０６によって実装されている。図１９におけるＩＩ−ＩＩ線に従った断面図である図２０に示すように、第１基板２０２ａの裏側（図２０に示す構造の下側）には、発光源２０７及び導光体２０８を有する照明装置２０９がバックライトとして設けられている。

図２０において、第１基板２０２ａは基材２０９ａを有し、その基材２０９ａの内側表面、すなわち液晶Ｌ側の表面には半透過反射膜２１１が形成され、その上にカラーフィルタ２１２が形成され、その上に平坦化膜２１３が形成され、その上に第１電極２１４ａが形成され、さらにその上に配向膜２１６ａが形成される。また、基材２０９ａの外側表面には、位相差板２１７ａが形成され、さらにその上に偏光板２１８ａが形成される。

第１電極２１４ａは、図１９に示すように、多数の直線状の電極を互いに平行に並べることによりストライプ状に形成されている。なお、図では、電極パターンをわかり易く示すために、第１電極２１４ａの間隔を大きく広げて模式的に描いてあるが、実際には、第１電極２１４ａの間隔は非常に狭く形成されている。図２０において、第２基板２０２ｂは基材２０９ｂを有し、その基材２０９ｂの内側表面、すなわち液晶Ｌ側の表面には第２電極２１４ｂが形成され、さらにその上に配向膜２１６ｂが形成される。また、基材２０９ｂの外側表面には位相差板２１７ｂが形成され、さらにその上に偏光板２１８ｂが形成されている。

第２電極２１４ｂは、図１に示すように、多数の直線状の電極を第１電極２１４ａと交差する方向へ互いに平行に並べることによりストライプ状に形成されている。なお、図では、電極パターンをわかり易く示すために、第２電極２１４ｂの間隔を大きく広げて模式的に描いてあるが、実際には、第２電極２１４ｂの間隔は非常に狭く形成されている。

図１９において、第１電極２１４ａと第２電極２１４ｂとが交差する点は、ドットマトリクス状に配列しており、これらの交差点の個々がそれぞれ１つの表示ドットを構成し、図２０のカラーフィルタ２１２の個々の色パターンがその１つの表示ドットに対応する。カラーフィルタ２１２は、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色が１つのユニットとなって１つの画素を構成する。つまり、３つの表示ドットが１つのユニットになって１つの画素を構成している。

基材２０９ａ及び２０９ｂは、例えばガラス、プラスチック等によって形成される。また、半透過反射膜２１１は光反射性の材料、例えば、Ａｌ（アルミニウム）によって形成される。但し、光反射性材料は半透過反射の機能を達成するために、その厚さが光を透過可能な程度に薄く形成したり、あるいは、半透過反射膜２１１の適所に光を通過させる開口（図示せず）を適宜の面積割合で形成したりする。

カラーフィルタ２１２は、周知の色絵素形成手法、例えば、インクジェット法、顔料分散法等を用いて顔料を、モザイク配列、ストライプ配列、デルタ配列等といった適宜のパターンに塗布することによって形成される。また、平坦化膜２１３は、適宜の透光性樹脂材料を、例えばスピンコート法、ロールコート法等によって均一に塗布することによって形成される。

電極２１４ａ及び２１４ｂは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を周知の膜付け法、例えば、スパッタ法、真空蒸着法を用いて膜付けし、さらにフォトエッチング法によって希望のパターンに形成される。配向膜２１６ａ及び２１６ｂは、例えば、ポリイミド溶液を塗布した後に焼成する方法や、オフセット印刷法等によって形成される。

図１９において、第１基板２０２ａの張出し領域２０２ｃ上には、第１電極２１４ａからそのまま延びる配線２１９ａと、シール材２０３の中に分散された導通材２２１（図２参照）を介して第２基板２０２ｂ上の第２電極２１４ｂに接続される配線２１９ｂとが形成される。また、張出し領域２０２ｃの辺端部には端子２２２が形成される。これらの配線及び端子は、ＡＣＦ２０６内の導電粒子を介して駆動用ＩＣ２０４のバンプ（図示せず）に導電接続する。

図２０においては、液晶装置２０１の全体的な構成を分かり易く示すために、導通材２２１を断面楕円状に模式化して示してあるが、実際は、導通材２２１は球状又は円筒状に形成され、その大きさはシール材２０３の線幅に対して非常に小さいものである。よって、導通材２２１はシール材２０３の線幅方向に複数個存在することができる。

本実施形態に係る液晶装置２０１は以上のように構成されているので、反射型表示及び透過型表示の２通りの表示方法を選択的に実施できる。反射型表示では、図２０に矢印Ｒ１で示すように、第２基板２０２ｂ側の外部から取り込んだ光を半透過反射膜２１１によって反射させて液晶Ｌの層へ供給する。この状態で、液晶Ｌに印加する電圧を表示ドットごとに制御して液晶の配向を表示ドットごとに制御することにより、液晶Ｌの層へ供給された光を表示ドットごとに変調し、その変調した光を偏光板２１８ｂへ供給する。これにより、第２基板２０２ｂの外側へ文字等といった像を表示する。

他方、液晶装置２０１によって透過型表示を行う場合には、照明装置２０９の発光源２０７を発光させる。発光源２０７からの光Ｒ２は光入射面２０８ａを通して導光体２０８の内部へ導入され、その導光体２０８の内部を平面的に広がって伝播しながら光出射面２０８ｂを通して外部へ出射される。これにより、面状の光が液晶Ｌの層へ供給される。この光を液晶Ｌによって変調することにより表示を行うことは反射型表示の場合と同じである。

図１９において、第１基板２０２ａ上に設けられると共に、導通材２２１を介して第２基板２０２ｂ上の第２電極２１４ｂに接続される配線２１９ｂは、本実施形態の場合、張出し領域２０２ｃ上からシール材２０３を通ってそのシール材２０３によって囲まれる領域、すなわち液晶Ｌが封入された領域の中に入って延在した状態で、シール材２０３の中に分散された導通材２２１によって第２電極２１４ｂとの導通がとられている。

また、図１９におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線に従った断面図である図２１及び図１９にいて矢印ＩＶで示す部分の拡大図である図２２に示すように、配線２１９ｂは、導電膜２２０を第１層とし、導電膜２２３を第２層とする積層構造によって形成されている。導電膜２２０は、例えば、Ａｇを主成分としてＰｄ及びＣｕが添加されて成るＡＰＣ合金によって構成される。また、導電膜２２３は、第１電極２１４ａをパターニングする際に同時に、すなわち同一層として形成される。この結果、導電膜２２３は第１電極２１４ａと同じＩＴＯによって形成されている。

本実施形態の配線２１９ｂは、上記のように、ＩＴＯに比べて低抵抗であるＡＰＣ合金を含んで構成されているので、配線２１９ｂの配線抵抗がＩＴＯ単体の場合に比べて低くなっている。このため、配線２１９ｂを通って流れる信号に波形の鈍化が発生することも無くなり、それ故、液晶装置２０１の表示領域に表示品質の高い像を表示できる。

ところで、ＡＰＣ合金は上記のような優れた低抵抗特性を有している反面、腐食し易いという欠点をも併せて有している。配線２１９ｂにそのような腐食が発生すると、液晶Ｌに印加する電圧を正常に制御できなくなるおそれがあるので、表示品質を高く維持することができなくなるおそれがある。

このことに関して、本実施形態では、ＡＰＣ合金から成る導電膜２２０をシール材２０３によって囲まれる領域、すなわち液晶Ｌが封入された領域内に配置して、シール材２０３の外部には出ないように設定してある。この結果、導電膜２２０が外気に触れることを防止して、その膜２２０に腐食が発生することを防止している。

なお、図２２では、配線２１９ｂとシール材２０３との関係を分かり易く示すために、シール材２０３の線幅に対する配線２１９ｂの線幅を実際よりも広く描いてあるが、実際には、配線２１９ｂの線幅はシール材２０３の線幅よりも狭いことが多く、その場合には、配線２１９ｂをシール材２０３の線幅領域内に配置することもできる。つまり、配線２１９ｂはシール材２０３が形成された領域に重ねて配置することもできる。

また、図２１及び図２２の場合は、導電膜２２０の全部がシール材２０３によって囲まれる領域内に収められているが、これに代えて、導電膜２２０を導電膜２２３の内部領域においてシール材２０３を通過させて延ばすことにより、導電膜２２０の一部がシール材２０３によって囲まれる領域内に配置され、他の一部がシール材２０３の外側に位置するという構成を採用することもできる。

（電気光学装置の第７実施形態）
図２３は、ＴＦＤをスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式であってＣＯＧ方式の液晶装置に本発明を適用した場合の実施形態を示している。ここに示す液晶装置２３１は、図面の手前側に配置された第１基板２０２ａと、図面の奥側に配置された第２基板２０２ｂとを環状のシール材２０３によって互いに接合、すなわち貼り合せることによって形成される。

シール材２０３、第１基板２０２ａ及び第２基板２０２ｂによって囲まれる領域によってセルギャップが構成され、そのセルギャップ内に液晶Ｌが封入されることは図１９の液晶装置２０１の場合と同じである。図２４は図２３におけるＶＩ−ＶＩ線に従って液晶装置２３１の表示領域に対応する部分の断面構造を示している。この図２４に示すように、第２基板２０２ｂの裏側に、発光源２０７及び導光体２０８を有する照明装置２０９がバックライトとして設けられている。
図２３において、第１基板２０２ａは第２基板２０２ｂの外側へ張り出す張出し領域２０２ｃを有し、その張出し領域２０２ｃ上に３つの駆動用ＩＣ２０４ａ，２０４ｂ，２０４ｃが導電接着要素、例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）２０６によって実装されている。本実施形態において、図１９に示した実施形態と異なって３つの駆動用ＩＣを用いるのは、第１基板２０２ａ側と第２基板２０２ｂ側とで、換言すれば、走査線駆動系と信号線駆動系との間で使用する電圧値が異なっているため、それらを１つのＩＣチップで賄うことができないからである。

図２４において、第１基板２０２ａは基材２０９ａを有し、その基材２０９ａの内側表面、すなわち液晶Ｌ側の表面には、ライン配線２３２と、そのライン配線２３２に導通するＴＦＤ２３３と、そのＴＦＤ２３３を介してライン配線２３２に導通する画素電極２３４とが形成されている。また、画素電極２３４、ＴＦＤ２３３及びライン配線２３２の上に配向膜２１６ａが形成される。また、基材２０９ａの外側表面には位相差板２１７ａが形成され、さらにその上に偏光板２１８ａが形成されている。

ライン配線２３２は、図２３に示すように、互いに平行に間隔を置いてストライプ状に形成され、画素電極２３４はそれらのライン配線２３２間にドットマトリクス状に配列され、ＴＦＤ２３３は一方でライン配線２３２に導通し他方で画素電極２３４に導通するように各画素電極２３４に個々に設けられている。

図２３及び図２４において矢印ＶＩＩで示す１個のＴＦＤの近傍の構造を示すと、例えば図２５の通りである。図２５に示すのは、いわゆるBuck-to-Buck（バック・ツー・バック）構造のＴＦＤを用いたものである。図２５において、ライン配線２３２は、例えばＴａＷ（タンタル・タングステン）によって形成された第１層２３２ａと、例えば陽極酸化膜であるＴａ_２Ｏ_５（酸化タンタル）によって形成された第２層２３２ｂと、例えばＣｒによって形成された第３層２３２ｃとから成る３層構造に形成されている。

また、ＴＦＤ２３３は、第１ＴＦＤ部２３３ａと第２ＴＦＤ部２３３ｂとを直列に接続することによって構成されている。第１ＴＦＤ部２３３ａ及び第２ＴＦＤ部２３３ｂは、ＴａＷによって形成された第１金属層２３６と、陽極酸化によって形成されたＴａ_２Ｏ_５の絶縁層２３７と、ライン配線２３２の第３層３２ｃと同一層であるＣｒの第２金属層２３８との３層積層構造によって構成されている。

第１ＴＦＤ部２３３ａをライン配線２３２側から見ると、第２金属層２３８／絶縁層２３７／第１金属層２３６の積層構造が構成され、他方、第２ＴＦＤ部２３３ｂをライン配線２３２側から見ると、第１金属層２３６／絶縁層２３７／第２金属層２３８の積層構造が構成される。このように、一対のＴＦＤ部２３３ａ及び２３３ｂを電気的に逆向きに直列接続してバック・ツー・バック構造のＴＦＤを構成することにより、ＴＦＤのスイッチング特性の安定化が達成されている。画素電極２３４は、第２ＴＦＤ部２３３ｂの第２金属層２３８に導通するように、例えばＩＴＯによって形成される。

図２４において、第２基板２０２ｂは基材２０９ｂを有し、その基材２０９ｂの内側表面、すなわち液晶Ｌ側の表面には半透過反射膜２１１が形成され、その上にカラーフィルタ２１２が形成され、その上に平坦化膜２１３が形成され、その上に第２電極２３５が形成され、さらにその上に配向膜２１６ｂが形成される。また、基材２０９ｂの外側表面には、位相差板２１７ｂが形成され、さらにその上に偏光板２１８ｂが形成される。

第２電極２３５は、図２３に示すように、多数の直線状のライン配線２３２と交差するように互いに平行に並べることによりストライプ状に形成されている。なお、図では、電極パターンをわかり易く示すために、第２電極２３５の間隔を大きく広げて模式的に描いてあるが、実際には、第２電極２３５の間隔は画素電極２３４のドットピッチに合わせて非常に狭く形成されている。

画素電極２３４と第２電極２３５との交差点はドットマトリクス状に配列しており、これらの交差点の個々がそれぞれ１つの表示ドットを構成し、図２４のカラーフィルタ２１２の個々の色パターンがその１つの表示ドットに対応する。カラーフィルタ２１２は、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色が１つのユニットとなって１画素を構成する。つまり、３表示ドットが１つのユニットになって１つの画素を構成している。

基材２０９ａ，２０９ｂ、半透過反射膜２１１、カラーフィルタ２１２、そして配向膜２１６ａ，２１６ｂは、図１９の実施形態の場合と同様の材料及び形成方法によって形成できる。また、画素電極２３４及び第２電極２３５は、図１９の実施形態における電極２１４ａ及び２１４ｂと同様に形成できる。

図２３において、第１基板２０２ａの張出し領域２０２ｃ上には、ライン配線２３２からそのまま延びる配線２１９ａと、シール材２０３の中に分散された導通材２２１（図２４参照）を介して第２基板２０２ｂ上の第２電極２３５に接続される配線２１９ｂとが形成される。また、張出し領域２０２ｃの辺端部には端子２２２が形成される。

図２４においては、液晶装置２３１の全体的な構成を分かり易く示すために、導通材２２１を断面楕円状に模式化して示してあるが、実際は、導通材２２１は球状又は円筒状に形成され、その大きさはシール材２０３の線幅に対して非常に小さいものである。よって、導通材２２１はシール材２０３の線幅方向に複数個存在することができる。

本実施形態に係る液晶装置２３１は以上のように構成されているので、図１９液晶装置２０１の場合と同様にして反射型表示及び透過型表示の２通りの表示方法を選択的に実施できる。これらの各表示形態における光の進行状況は図１９の場合と同様であるので、詳しい説明は省略する。なお、光の変調制御方法に関しては，図１９に示した単純マトリクス方式の場合は、第１電極２１４ａと第２電極２１４ｂとの間に印加する電圧を制御することによって行うが、図２４に示す本実施形態の場合は、ＴＦＤ２３３のスイッチング動作に基づいて液晶分子の配向を制御して液晶層を通る光の変調を制御する。

図２３において、第１基板２０２ａ上に設けられると共に、導通材２２１を介して第２基板２０２ｂ上の第２電極２３５に接続される配線２１９ｂは、本実施形態の場合、張出し領域２０２ｃ上からシール材２０３を通ってそのシール材２０３によって囲まれる領域、すなわち液晶Ｌが封入された領域の中に入って延在した状態で、シール材２０３の中に分散された導通材２２１によって第２電極２３５との導通がとられている。

また、図２６及び図２７に示すように、配線２１９ｂは、ＴａＷを第１層２３９とし、導電膜２２０を第２層として、導電膜２２３を第３層とする積層構造によって形成されている。導電膜２２０は、例えば、同じ第１基板２０２ａ上のＴＦＤ２３３内の第２金属層２３８と同一層として形成でき、その場合には、導電膜２２０はＣｒによって構成される。また、導電膜２２３は、同じ第１基板２０２ａ上の画素電極２３４をパターニングする際に同時に、すなわち同一層として形成される。この結果、導電膜２２３は画素電極２３４と同じＩＴＯによって形成されている。

本実施形態の配線２１９ｂは、上記のように、ＩＴＯに比べて低抵抗であるＣｒを含んで構成されているので、配線２１９ｂの配線抵抗はＩＴＯ単体の場合に比べて低くなっている。このため、配線２１９ｂを通って流れる信号に波形の鈍化が発生することも無くなり、それ故、液晶装置２３１の表示領域に表示品質の高い像を表示できる。

ところで、Ｃｒは上記のような優れた低抵抗特性を有している反面、腐食し易いという欠点をも併せて有している。配線２１９ｂにそのような腐食が発生すると、液晶Ｌに印加する電圧を正常に制御できなくなるおそれがあるので、表示品質を高く維持することができなくなるおそれがある。

このことに関して、本実施形態では、Ｃｒから成る導電膜２２０をシール材２０３によって囲まれる領域、すなわち液晶Ｌが封入された領域内に配置して、シール材２０３の外部には出ないように設定してある。この結果、導電膜２２０が外気に触れることを防止して、その膜２２に腐食が発生することを防止している。

なお、図２７では、配線２１９ｂとシール材２０３との関係を分かり易く示すために、シール材２０３の線幅に対する配線２１９ｂの線幅を実際よりも広く描いてあるが、実際には、配線２１９ｂの線幅はシール材２０３の線幅よりも狭いことが多く、その場合には、配線２１９ｂをシール材２０３の線幅領域内に配置することもできる。つまり、配線２１９ｂはシール材２０３が形成された領域に重ねて配置することもできる。

また、図２６及び図２７の場合は、導電膜２２０の全部がシール材２０３によって囲まれる領域内に収められているが、これに代えて、導電膜２２０を導電膜２２３の内部領域においてシール材２０３を通過させて延ばすことにより、導電膜２２０の一部がシール材２０３によって囲まれる領域内に配置され、他の一部がシール材２０３の外側に位置するという構成を採用することもできる。

（電気光学装置の第８実施形態）
図２８は、電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス方式のＥＬ（Electro Luminescence）装置３１０に本発明を適用した場合の実施形態を示している。また、図２９は、図２８におけるＹ−Ｙ´線に従ってＥＬ装置３１０の断面構造を示している。

これらの図において、基板３００上には、複数の画素が形成される領域、すなわち表示領域Ｖが形成される。また、ゲート側駆動用ＩＣ３０２と、ソース側駆動用ＩＣ３０３とがＡＣＦ３２０によって基板３００上に実装されている。また、基板３００の辺端にＦＰＣ３２１がＡＣＦ３２０によって接続されている。ＦＰＣ３２１の出力端子と駆動用ＩＣ３０２，３０３の入力端子は、基板３００上に形成した外部接続端子３１７によって接続される。

なお、上記の各駆動用ＩＣ３０２，３０３内には、例えば、シフトレジスタ、バッファ、レベルシフタ、サンプリング回路等が含まれる。また、デジタル駆動を行う場合には、Ｄ／Ａコンバータ等といった信号変換回路を含めることもできる。また、各駆動用ＩＣ３０２，３０３に相当する回路は、表示領域Ｖ内に半導体素子等を形成する際に、同時に、基板３００上に作り込むこともできる。またその際には、表示領域Ｖ及び駆動用ＩＣ３０２，３０３に相当する回路等といった回路構成以外に、信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ回路、オペアンプ回路、γ補正回路等といった論理回路を基板３００上に直接に形成することもできる。さらには、メモリ部やマイクロプロセッサ等を基板３００上に直接に形成することもできる。

基板３００上には、接着剤３０５によってハウジング３０４が固着されている。このハウジング３０４は、少なくとも表示領域Ｖを囲むように設けられる。このハウジング３０４は、その内側の高さ寸法が表示領域Ｖの高さよりも大きい凹部を有する形状又はそのような凹部を持たないシート形状である。接着剤３０５によって固着されたハウジング３０４は、基板３００と協働して表示領域Ｖの周りに密閉空間を形成する。このとき、表示領域Ｖ内に形成される複数のＥＬ素子は上記の密閉空間に完全に封入された状態となり、外気から完全に遮断される。
ハウジング３０４の材質は、ガラス、ポリマー等といった絶縁性物質が好ましい。例えば、硼硅酸塩ガラス、石英等といった非晶質ガラス、結晶化ガラス、セラミックスガラス、有機系樹脂（例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂等）、シリコーン系樹脂等とすることができる。また、接着剤３０５が絶縁性物質であるならば、ステンレス合金等といった金属材料を用いることもできる。

接着剤３０５としては、エポキシ系樹脂、アクリレート系樹脂等といった接着剤を用いることができる。また、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を接着剤として用いることもできる。但し、可能な限り酸素、水分を透過しない材質であることが必要である。

図２９において、ハウジング３０４と基板３００との間の空隙３０６には、アルゴン、ヘリウム、窒素等といった不活性ガスを充填しておくことが望ましい。また、ガスに限らず不活性液体、例えばパーフルオロアルカンに代表される液状フッ素化炭素等を用いることもできる。また、空隙３０６内に乾燥剤を入れておくことも有効であり，そのような乾燥剤としては、例えば、酸化バリウムが考えられる。

図２８に示すように、表示領域Ｖには個々に独立した複数の表示ドット５０がマトリクス状に配列されている。図３０は、図２８における矢印Ｄに従って、互いに隣り合う２つの表示ドット５０を示している。また、図３１はそれらの表示ドット内の電気的な回路構成を等価回路図として示している。

図３０及び図３１に示すように、個々の表示ドット５０は、スイッチング用素子として機能するスイッチング用ＴＦＴ４０１と、ＥＬ素子へ流す電流量を制御する電流制御用素子として機能する電流制御用ＴＦＴ４０２とを有する。スイッチング用ＴＦＴ４０１のソースはソース配線４２１に接続され、そのゲートはゲート配線４１１に接続され、そして、そのドレインは電流制御用ＴＦＴ４０２のゲートに接続される。

また、電流制御用ＴＦＴ４０２のソースは電流供給線４１２に接続され、そのドレインはＥＬ素子４０３に接続される。なお、ＥＬ素子４０３は、発光層を含むＥＬ層を陽極と陰極とによって挟んだ構造の発光素子である。図３０では、画素電極４４６が略方形状の陽極として示され、発光層を含むＥＬ層４４７がその画素電極４４６の上に積層され、その上に各表示ドット５０に共通する共通電極としての陰極（図３０では図示せず）が積層され、この積層構造によってＥＬ素子４０３が形成される。

ソース配線４２１は、図２８において、紙面上下方向（すなわち、Ｘ方向）へ延びて図２８の上部において接着剤３０５の中、すなわちその下層へ入り、その接着剤３０５の中において配線３１２に接続、すなわち導通する。配線３１２は、接着剤３０５によって囲まれる領域、すなわち導通位置よりも内側領域、を紙面横方向（すなわち、Ｙ方向）へ延び、接着剤３０５の左辺を横切ってハウジング３０４の外部へ張り出してソース用駆動用ＩＣ３０３の出力端子に接続する。
ゲート配線４１１は、図２８のＹ方向へ延び、接着剤３０５の左辺の近傍において配線３１３に接続する。配線３１３は、接着剤３０５の左辺を横切ってハウジング３０４の外部へ張り出して、ゲート用駆動用ＩＣ３０２の出力端子に接続する。

電流供給線４１２は、図２８のＹ方向へ延びて図２８の下部において接着剤３０５の中、すなわちその下層へ入り、その接着剤３０５の中において配線３１４に接続、すなわち導通する。配線３１４は、接着剤３０５によって囲まれる領域、すなわち導通位置よりも内側領域、をＹ方向へ延び、接着剤３０５の左辺を横切ってハウジング３０４の外部へ張り出して、外部接続端子３１７を介してＦＰＣ３２１の出力端子に接続する。

図３２は、図３０におけるＭ−Ｍ´線に従って、ＥＬ素子を駆動するためのアクティブ素子部分の断面構造を示している。図３２において、基板３００の上に下地となる絶縁膜４０６が形成される。基板３００は、例えば、ガラス基板、ガラスセラミックス基板、石英基板、シリコン基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板又はプラスチックフィルム等によって形成される。

下地膜４０６は、特に可動イオンを含む基板や導電性を有する基板を用いる場合に有効であるが、基板３００として石英基板を用いる場合には下地膜４０６は設けなくても構わない。下地膜４０６としては、例えば、珪素（すなわち、シリコン）を含む絶縁膜を用いれば良い。また、下地膜４０６には、ＴＦＴに発生する熱を発散させるための放熱機能を持たせることが望ましい。

本実施形態では、１つの表示ドット内に２つのＴＦＴ、具体的にはスイッチング用素子として機能するスイッチング用ＴＦＴ４０１と、ＥＬ素子へ流す電流量を制御する電流制御用素子として機能する電流制御用ＴＦＴ４０２とが設けられる。これらのＴＦＴは、本実施形態では、どちらもｎチャネル型ＴＦＴとして形成したが、両方又はどちらかをｐチャネル型ＴＦＴとすることもできる。

スイッチング用ＴＦＴ４０１は、ソース領域４１３、ドレイン領域４１４、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域４１５ａ，４１５ｂ，４１５ｃ，４１５ｄ、高濃度不純物領域４１６及びチャネル形成領域４１７ａ，４１７ｂの５種類の要素を含む活性層を有する。また、スイッチング用ＴＦＴ４０１は、ゲート絶縁膜４１８と、ゲート電極４１９ａ，４１９ｂと、第１層間絶縁膜２２０と、ソース配線４２１と、ドレイン配線４２２とを有する。

図３０に示すように、ゲート電極４１９ａ，４１９ｂは、当該ゲート電極４１９ａ，４１９ｂよりも低抵抗である別の材料によって形成されたゲート配線４１１によって電気的に接続されたダブルゲート構造となっている。もちろん、ダブルゲート構造だけでなく、トリプルゲート構造等といった、いわゆるマルチゲート構造、すなわち、直列に接続された２つ以上のチャネル形成領域を有する活性層を含む構造、であっても良い。

活性層は、結晶構造を含む半導体膜、すなわち、単結晶半導体膜や多結晶半導体膜や微結晶半導体膜等によって形成される。また、ゲート電極４１９ａ，４１９ｂ、ソース配線４２１、ドレイン配線４２２は、あらゆる種類の導電膜を用いることができる。さらに、スイッチング用ＴＦＴ４０１においては、ＬＤＤ領域４１５ａ〜４１５ｄは、ゲート絶縁膜４１８を介して且つゲート電極４１９ａ，４１９ｂとは重ならないように設けられる。このような構造は、オフ電流値を低減する上で非常に効果的である。

次に、図３２において、電流制御用ＴＦＴ４０２は、ソース領域４３１、ドレイン領域４３２、ＬＤＤ領域４３３及びチャネル形成領域４３４の４種類の要素を含む活性層と、ゲート絶縁膜４１８と、ゲート電極４３５と、第１層間絶縁膜４２０と、ソース配線４３６と、ドレイン配線４３７とを有する。なお、ゲート電極４３５はシングルゲート構造となっているが、これに代えて、マルチゲート構造とすることもできる。

図３２において、スイッチング用ＴＦＴ４０１のドレインは電流制御用ＴＦＴのゲートに接続されている。具体的には、電流制御用ＴＦＴ４０２のゲート電極４３５は、スイッチング用ＴＦＴ４０１のドレイン領域４１４とドレイン配線４２２を介して電気的に接続されている。また、ソース配線４３６は、電流供給線４１２に接続される。

電流制御用ＴＦＴ４０２は、ＥＬ素子４０３を発光させるための電流を供給すると同時に、その供給量を制御して階調表示を可能とする。そのため、電流を流しても劣化しないようにホットキャリア注入による劣化対策を講じておく必要がある。また、黒色を表示する際は、電流制御用ＴＦＴ４０２をオフ状態にしておくが、その際，オフ電流値が高いときれいな黒色表示ができなくなり、コントラストの低下を招く。従って、オフ電流値も抑えることが望ましい。

図３２において、第１層間絶縁膜４２０の上に第１パシベーション膜４４１が形成される。この第１パシベーション膜４４１は、例えば、珪素を含む絶縁膜によって形成される。この第１パシベーション膜４４１は、形成されたＴＦＴをアルカリ金属や水分から保護する機能を有する。最終的にＴＦＴの上方に設けられるＥＬ層にはナトリウム等といったアルカリ金属が含まれている。すなわち、第１パシベーション膜４４１は、これらのアルカリ金属をＴＦＴ側に侵入させない保護層として機能する。

また、第１パシベーション膜４４１に放熱機能を持たせれば、ＥＬ層の熱劣化を防ぐこともできる。また、図３２の構造では基板３００に光が放射されるため、第１パシベーション膜４４１は透光性を有することが必要である。また、ＥＬ層として有機材料を用いる場合、そのＥＬ層は酸素との結合によって劣化するので、酸素を放出し易い絶縁膜は用いないことが望ましい。

第１パシベーション膜４４１の上には、各ＴＦＴを覆うような形で第２層間絶縁膜４４４が形成される。この第２層間絶縁膜４４４は、ＴＦＴによって形成される段差を平坦化する機能を有する。この第２層間絶縁膜４４４としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル等といった有機樹脂膜を用いることができる。もちろん、十分な平坦化が可能であれば、無機膜を用いることもできる。
ＥＬ層は非常に薄いため、それを形成する面に段差が存在すると発光不良を起こす場合がある。従って、第２層間絶縁膜４４４によってＴＦＴによる段差を平坦化することは、後にその上に形成されるＥＬ層を正常に機能させることに関して重要である。

第２層間絶縁膜４４４の上には、第２パシベーション膜４４５が形成される。この第２パシベーション膜４４５は、ＥＬ素子から拡散するアルカリ金属の透過を防ぐという機能を奏する。この第２パシベーション膜４４５は第１パシベーション膜４４１と同じ材料によって形成できる。また、第２パシベーション膜４４５はＥＬ素子で発生した熱を逃がす放熱層としても機能することが望ましく、この放熱機能により、ＥＬ素子に熱が蓄積することを防止できる。

第２パシベーション膜４４５の上に画素電極４４６が形成される。この画素電極４４６は、例えば透明導電膜によって形成されて、ＥＬ素子の陽極として機能する。この画素電極４４６は、第２パシベーション膜４４５、第２層間絶縁膜４４４及び第１パシベーション膜４４１にコンタクトホール、すなわち開口を開けた後、形成されたそのコンタクトホールにおいて電流制御用ＴＦＴ４０２のドレイン配線４３７に接続するように形成される。

次に、画素電極４４６の上にＥＬ層４４７が形成される。このＥＬ層４４７は単層構造又は多層構造で形成されるが、一般には、多層構造の場合が多い。このＥＬ層４４７において、画素電極４４６に直接に接触する層としては、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層がある。

今、正孔輸送層及び発光層の２層構造を採用するものとすれば、正孔輸送層は、例えばポリフェニレンビニレンによって形成できる。そして、発光層としては、赤色発光層にはシアノポリフェニレンビニレン、緑色発光層にはポリフェニレンビニレン、青色発光層にはポリフェニレンビニレン又はポリアルキルフェニレンを、それぞれ、用いることができる。

次に、以上のようにして形成されたＥＬ層４４７の上に陰極４４８が形成され、さらにその上に保護電極４４９が形成される。これらの陰極４４８及び保護電極４４９は、例えば、真空蒸着法によって形成される。なお、陰極４４８と保護電極４４９とを大気解放しないで連続的に形成すれば、ＥＬ層４４７の劣化を抑えることができる。画素電極４４６、ＥＬ層４４７及び陰極４４８によって形成される発光素子がＥＬ素子４０３である。

陰極４４８としては、仕事関数の小さいマグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）又はカルシウム（Ｃａ）を含む材料を用いることができる。保護電極４４９は陰極４４８を外部の水分等から保護するために設けられるものであり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）を含む材料を用いることができる。この保護電極４４９には放熱効果もある。

図３２に示す構造は、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に対応した１種類のＥＬ素子４０３を個々の表示ドット５０に対応させて形成する単色発光方式の構造である。しかしながら、発光方式としては、そのような単色発光方式の他に、白色発光のＥＬ素子とカラーフィルタを組み合わせた方式や，青色又は青緑発光のＥＬ素子と蛍光体とを組み合わせた発光方式や、あるいは、陰極に透明電極を使用してＲ，Ｇ，Ｂに対応したＥＬ素子を重ねる方式等といった各種の方式を用いてカラー表示を行うこともできる。もちろん、白色発光のＥＬ層を単層で形成して白黒表示を行うこともできる。

保護電極４４９の上には、第３パシベーション膜４５０が形成される。この第３パシベーション膜４５０は、ＥＬ層４４７を水分から保護するように機能すると共に、必要に応じて、第２パシベーション膜４４５と同様に放熱機能を奏するようにしても良い。なお、ＥＬ層として有機材料を用いる場合には、その有機材料は酸素との結合によって劣化する可能性があるので、酸素を放出し易い絶縁膜は第３パシベーション膜４５０として用いないことが望ましい。

本実施形態に係るＥＬ装置３１０は以上のように構成されているので、図２８において、ゲート側駆動回路３０２によってゲート配線４１１へ走査信号又データ信号の一方が供給され、ソース側駆動回路３０３によってソース配線４２１へ走査信号又はデータ信号の他方が供給される。一方、電流供給線４１２によって各表示ドット５０内の電流制御用ＴＦＴ４０２へＥＬ素子を発光させるための電流が供給される。

表示領域Ｖ内にマトリクス状に配列された複数の表示ドット５０のうちの適宜のものがデータ信号に基づいて個々に選択され、その選択期間においてスイッチング用ＴＦＴ４０１がオン状態になってデータ電圧の書き込みが行われ、非選択期間ではＴＦＴ４０１がオフ状態になることで電圧が保持される。このようなスイッチング及び記憶動作により、複数の表示ドット５０のうち適宜のものが選択的に発光し、この発光点の集まりにより、図２８の紙面奥側、すなわち図２９に矢印Ｑで示す方向に、文字、数字、図形等といった像が表示される。

図２８において、ソース配線４２１には配線３１２を通して信号が送られる。また、ゲート配線４１１には配線３１３を通して信号が供給される。また、電流供給線４１２には配線３１４を通して電流が供給される。本実施形態では、ＥＬ装置３１０の内部を外部から密閉状態に遮蔽するハウジング３０４のうち配線３１２，１１３，１１４が外部へ引き出される個所に相当する辺の近傍に配線境界１０ｂが設定される。

上記の配線３１２，１１３，１１４は、例えば図２１における配線２１９ｂと同様に、配線境界１０ｂの内側と外側とで層構成を異ならせることができる。具体的には、配線境界１０ｂから見て表示領域Ｖ側（すなわち、図２８の右側）に存在する部分は、その断面構造を第１金属膜２２０及び第２金属膜２２３と同様な２層構造とし、一方、配線境界１０ｂから見て配線引出し側（すなわち、図２８の左側）に存在する部分は、その断面構造を第２金属膜２２３と同様な単層とすることができる。なお、第１金属膜及び第２金属膜のそれぞれの材質は、図２８の場合と図２１の場合とで、それぞれの場合に適合した材質が選択される。

例えば、配線境界１０ｂの内側（すなわち、表示領域Ｖ側）にだけ存在する第１金属膜を低抵抗で腐食し易い材料によって形成する場合を考えると、そのような第１金属膜を配線の中に含ませることにより、配線抵抗値を低く抑えることができるようになり、それ故、ＥＬ装置３１０によって安定した像表示を行うことが可能となる。

しかも、そのように腐食し易い材料を用いて第１金属膜を形成する場合であっても、その第１金属膜を設ける領域は、ハウジング３０４によって外部から遮蔽された領域に限られているので、腐食し易い第１金属膜は外気に触れることがなく、それ故、第１金属膜従って配線全体に腐食が発生して表示不良が発生することは確実に防止される。

また、本実施形態では、配線３１２及び配線３１４を接着剤３０５の内側、すなわち導通位置よりも内側に引回すようにしたので、ハウジング３０４の外側に張り出す基板３００の部分、すなわち額縁領域を非常に狭くすることができる。さらに、本実施形態では、配線３１２及び配線３１４のうちＹ方向に延在する部分をハウジング３０４の中に収容したので、それらの配線が外気に晒されることを確実に防止でき、それ故、外気に晒されることに起因して発生すると考えられる問題、例えば、腐食や短絡等を確実に防止できる。

また、本実施形態にあっては、ＥＬ装置及び液晶装置のみ記載したが、本発明はこれらの他にも例えば、基板間に分散媒及び電気泳動粒子を封入した電気泳動装置等にも応用できる。
（発明の効果）

以上、詳細に説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、引回し配線を導通位置よりも基板中央寄り、すなわち内側、に配置したことにより、従来に比べて額縁領域を小さくできる。また、額縁領域を左右対称な形状にすることもできる。これらにより、本発明に係る電気光学装置を電子機器へ適用するのに際しての設計、製造等が非常に簡単になった。

また、このような狭額縁による小型の電気光学装置を備えたことにより、装置全体が小型であって携帯性に優れているにも拘らず、表示領域が広い電子機器を実現できる。

本発明に係る電気光学装置の一実施形態であって、電気光学装置の一例である液晶装置に本発明を適用した場合の実施形態を一部破断して示す平面図である。 図１の液晶装置における表示ドット部分を拡大して示す平面図である。 図２のＡ−Ａ'線に従って液晶装置の断面構造の一部を示す断面図である。 図１の液晶装置における矢印Ｄで示す上下導通部を拡大して示す平面図である。 図４のＢ−Ｂ'線に従って上下導通部の断面構造を示す断面図である。 本発明に係る電気光学装置の他の実施形態であって、電気光学装置の一例である液晶装置に本発明を適用した場合の他の実施形態の主要部を示す平面図である。 図６のＣ−Ｃ'線に従って上下導通部の断面構造を示す断面図である。 図７に示す上下導通構造を形成するための方法の一例を示す断面図である。 本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態であって、電気光学装置の一例である液晶装置に本発明を適用した場合のさらに他の実施形態を示す平面図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器のさらに他の実施形態を示す斜視図である。 従来の液晶装置の一例を示す平面図である。 従来の液晶装置の他の例を示す平面図である。 本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態であって、電気光学装置の一例である液晶装置に本発明を適用した場合のさらに他の実施形態を示す平面図である。 図１５に示す液晶装置で用いる基板を示す平面図である。 図１５に示す液晶装置の上下導通部を示す断面図である。 本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態であって、電気光学装置の一例である液晶装置に本発明を適用した場合のさらに他の実施形態の主要部を示す断面図である。 本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態であって、その電気光学装置の一例である液晶装置に本発明を適用した場合のさらに他の実施形態を一部破断して示す平面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に従って液晶装置の表示領域の断面構造を示す断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に従って液晶装置の上下導通部の断面構造を示す断面図である。 図１において矢印ＩＶで示す配線部分を拡大して示す平面図である。 本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態であって、その電気光学装置の一例である液晶装置に本発明を適用した場合のさらに他の実施形態を一部破断して示す平面図である。 図５のＶＩ−ＶＩ線に従って液晶装置の表示領域の断面構造を示す断面図である。 図２３及び図２４の矢印ＶＩＩで示すスイッチング素子部分を拡大して示す斜視図である。 図２３のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に従って液晶装置の上下導通部の断面構造を示す断面図である。 図２３において矢印ＩＸで示す配線部分を拡大して示す平面図である。 本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態であって、その電気光学装置の一例であるＥＬ装置に本発明を適用した場合のさらに他の実施形態を一部破断して示す平面図である。 図２８におけるＹ−Ｙ´線に従ってＥＬ装置の断面構造を示す断面図である。 図２８において矢印Ｄで示す表示ドット部分を拡大して示す平面図である。 図３０の構造に対応する電気的な等価回路図である。 図３０におけるＭ−Ｍ´線に従ってＴＦＴの断面構造を示す断面図である。

符号の説明

１，４１，５１ 液晶装置（電気光学装置）
２ 下基板（第１基板）
３ 上基板（第２基板）
４ シール材
４ａ 導通シール材（導通位置）
４ｂ 非導通シール材
９ 張出し領域
１０ セグメント電極（第１電極）
１１ コモン電極（第２電極）
１２ 窓部）
１３ カラーフィルタ
１３ｒ，１３ｇ，１３ｂ 色素層
１４，１５ 引回し配線
１８ ＡＰＣ膜
１９ ＩＴＯ膜
２３ 液晶
３０ 導電粒子
３１ ダミーパターン
５０ 表示ドット
５８ 遮光層
２０１、２３１ 液晶装置（電気光学装置）
２０２ａ，２０２ｂ 基板
２０３ シール材
２１９ａ，２１９ｂ 配線
２２０ 導電膜
２２１ 導通材
２２３ 導電膜
２３２ ライン配線
２３３ ＴＦＤ
２３４ 画素電極
２３５ 第２電極
３００ 基板
３１０ ＥＬ装置（電気光学装置）
３０４ ハウジング
３０５ 接着剤
３１２，３１３，３１４ 配線
４０１ スイッチング用ＴＦＴ
４０２ 電流制御用ＴＦＴ

Claims (12)

1. 第１電極と、該第１電極に対向して配置された第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に配置される電気光学物質とを有する電気光学装置において、
   前記第１電極が形成された第１基板と、
   該第１基板に形成されていて、導通位置において前記第２電極と導通する配線とを有し、
   前記配線は、一本毎に前記第１基板の相対向する辺側で前記第２電極と導通し、前記導通位置よりも前記第１基板の中央側に引き回されることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１において、前記電気光学物質を囲むシール材をさらに有し、前記導通位置は前記シール材の中に設定されることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項２において、前記第２電極が形成される第２基板を有し、前記第２電極が前記導通位置に相対向する辺側に位置する前記シール材の形成領域に延在していることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項２又は３に記載の電気光学装置において、
   前記シール材の中に含まれる導通材をさらに有し、前記配線と前記第２電極とは前記導通材を通して互いに接続することを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１から請求項４の少なくともいずれか１つにおいて、
   前記配線の一端は外部回路に接続されることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電気光学装置において、
   前記配線のうちの少なくとも１つの配線は、該１つの配線に接続しない前記第２電極と空間的に交差し、該交差位置には遮光膜が設けられることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６において、
   少なくとも異なる２色を含む着色層と、
   前記２色を区画する部材と、をさらに有し、
   該部材は、前記遮光層と実質的に同じ材料を含む
   ことを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１から請求項７の少なくともいずれか１つにおいて、
   前記配線は、前記第１電極よりも低抵抗の導電膜を有することを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項８において、
   前記配線は、前記第１電極と同一層である導電膜と、前記第１電極よりも低抵抗の導電膜との積層膜を有することを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項８又は請求項９において、
    前記第１基板上に実装される駆動用ＩＣを有し、該駆動用ＩＣは前記配線を介して前記第２電極を駆動することを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項８乃至請求項１０のいずれか１項に記載の電気光学装置において、
    前記配線のうち前記シール材の外側領域にある部分には前記低抵抗の導電膜は含まれないことを特徴とする電気光学装置。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
    
    
    
    
    

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