JP2005274755A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 レーザの本数を数多くできる面発光レーザアレイを用いた場合であっても、実際に得られる画像においては筋状の濃度ムラの発生を十分に抑制することができ、画質の向上と画像形成速度の高速化との双方を実現可能な画像形成装置を提供すること。
【解決手段】 画像形成装置１０は、電子写真感光体１２と、この電子写真感光体１２を帯電させる帯電装置１４と、帯電した電子写真感光体１２を露光して静電潜像を形成させる露光装置１６と、静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成させる現像装置１８と、トナー像を電子写真感光体１２から被転写媒体に転写する転写装置３２、４２と、を備える。露光装置１６は、面発光レーザアレイ５０を有し、３本以上の光ビームを電子写真感光体１２上に走査させて静電潜像を形成させるマルチビーム方式の露光装置である。電子写真感光体１２は、導電性基体２及び該基体２上に設けられた感光層３を有する。感光層３は、アモルファス状の珪素含有化合物を含有する光導電層６を含んで構成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、帯電、露光、現像、転写等を含む電子写真プロセスにより画像形成を行う画像形成装置に関する。

従来、高画質で画像形成速度の高速化実現を目的として、アレイ化が可能な面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Emitting Laser）を光源として用い、且つ複数本の光ビームを電子写真感光体（以下、場合により単に「感光体」という）上に走査させるマルチビーム方式を採用した画像形成装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開平５−２９４００５号公報

しかしながら、上記従来の画像形成装置は、画像形成速度の高速化に有効であるものの、画質の点で不十分である。すなわち、面発光レーザアレイを用いると、感光体に静電潜像を形成する際に露光終了までの光ビームの走査回数（照射回数）が異なる領域が混在し、各領域間での照射回数の相違が画像上に筋状の濃度ムラとして視認されるという問題が生ずる。

図９は、スポット径５０μｍの３０本のレーザビームを感光体上に各々走査させて１回の主走査で３０本の走査線（走査線密度２６００ｄｐｉ）の走査を同時に行うと共に、主走査を１回行う毎に感光体を移動させて走査線を３０本分ずつシフトさせた場合の、感光体の移動方向（副走査方向）に沿った露光エネルギーの分布を示すグラフである。

図示の通り、各回の主走査における露光エネルギー分布は略台形状となる。各回の主走査により感光体に与えられる露光エネルギーの分布のうち、台形の頂部に相当するエネルギー分布の平坦な部分は、１回の露光で全露光エネルギーが加えられる領域（一重露光領域）であり、他方、台形の裾部に相当する部分は２回の露光により全露光エネルギーが加えられる領域（多重露光領域）である。

このような露光を行うと、多重露光領域の全露光エネルギーが一重露光領域の全露光エネルギーと等しい場合であっても、実際に得られる画像においては一重露光領域よりも多重露光領域の方が画像濃度が高くなり、筋状の濃度ムラが発生してしまう。

本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、レーザの本数を数多くできる面発光レーザアレイを用いた場合であっても、実際に得られる画像において筋状の濃度ムラの発生を十分に抑制することができ、画質の向上と画像形成速度の高速化との双方を実現可能な画像形成装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の画像形成装置は、電子写真感光体と、上記電子写真感光体を帯電させる帯電装置と、帯電した上記電子写真感光体を露光して静電潜像を形成させる露光装置と、上記静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成させる現像装置と、上記トナー像を上記電子写真感光体から被転写媒体に転写する転写装置と、を備える画像形成装置であって、上記露光装置が面発光レーザアレイを有し、３本以上の光ビームを上記電子写真感光体上に走査させて上記静電潜像を形成させるマルチビーム方式の露光装置であり、上記電子写真感光体が導電性基体及び該基体上に設けられた感光層を有し、上記感光層はアモルファス状の珪素含有化合物を含有する光導電層を含んで構成されていることを特徴とする。

本発明の画像形成装置によれば、上記構成を有するために、実際に得られる画像において筋状の濃度ムラの発生を十分に抑制することができ、画質の向上と画像形成速度の高速化との双方が実現可能になる。

本発明によりこのような効果が得られる要因は必ずしも明らかではないが、本発明者らは以下のように推察する。すなわち、本発明においては、通常電荷移動度が高いアモルファス状の珪素含有化合物を感光体の光導電層に含有させることにより、当該光導電層における電荷の再結合の確率が効果的に低減されるため、一重露光領域と多重露光領域との間に電位差が生じ難くなり、その結果、各領域に形成される画像濃度が均一化されるものと考えられる。したがって、面発光レーザアレイを用いることにより静電潜像中に光ビームの照射回数が異なる領域が生じたとしても、画像の濃度ムラの発生を十分に抑制することが可能になり、画質が向上するものと推察される。

ここで、本発明におけるアモルファス状の珪素含有化合物には、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンゲルマニウム、アモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンナイトライド等が包含される。

本発明において、水素、ハロゲン、ゲルマニウム、錫、第III族元素及び第Ｖ族元素から選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。このようにすれば、アモルファス状の珪素含有化合物の電荷の移動度をより高めることができる。

またさらに、面発光レーザアレイの発光点は、２次元的に配列していることが好ましい。これにより、感光体上に走査させる光ビームの数を容易に増加させることができ、画像形成速度をより高速化できる。

さらにまた、露光装置は、３本以上の光ビームをそれぞれ独立に電子写真感光体上に走査させるものであり、電子写真感光体上において隣接する光ビーム同士の走査間隔が０．１５ｍｍ以上であると有用である。このように光ビームの走査間隔、すなわち筋のピッチが０．１５ｍｍ以上であると視認性に優れるようになるため、本発明の効果がより顕著となる。

さらに、感光層の電荷移動度は、２０Ｖ／μｍあたり１×１０^−４ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ以上であることが好ましい。このようにすれば、電荷が短時間で移動することができるため、画像形成速度をより高速化できる。ここで、感光層の電荷移動度とは、ＸＴＯＦ（Xerographic Time of Flight）法に準拠して測定される値を意味し、感光層全体の電荷移動度を示す。

本発明によれば、レーザの本数を数多くできる面発光レーザアレイを用いた場合であっても、実際に得られる画像においては筋状の濃度ムラの発生を十分に抑制することができ、画質の向上と画像形成速度の高速化との双方を実現可能な画像形成装置を提供することができる。

以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。

図１は本発明の画像形成装置に係る第１実施形態を示す概略構成図である。図１に示した画像形成装置１０は電子写真感光体１２を備えるもので、電子写真感光体１２は駆動装置（図示せず）により所定の回転速度で矢印Ａの向きに回転可能となっている。詳細は後述するが、電子写真感光体１２はドラム状の導電性基体の外周面に感光層を備えるものであり、かかる感光層はアモルファス状の珪素含有化合物を含有する光導電層を含んで構成されている。

電子写真感光体１２の略上方には、電子写真感光体１２の外周面を帯電させる帯電器１４が設けられている。また、帯電器１４の略上方には露光装置（光ビーム走査装置）１６が配置されている。詳細は後述するが、露光装置１６は、面発光レーザアレイを用いた光源から射出される３本以上のレーザビームを、形成すべき画像に応じて変調すると共に、主走査方向に偏向し、帯電器１４により帯電した電子写真感光体１２の外周面上を電子写真感光体１２の軸線と平行に走査させる。

電子写真感光体１２の側方には、現像装置１８が配置されている。現像装置１８は回転可能に配置されたローラ状の収容体を備えている。この収容体の内部には４個の収容部が形成されており、各収容部には現像器１８Ｙ、１８Ｍ、１８Ｃ、１８Ｋが設けられている。現像器１８Ｙ、１８Ｍ、１８Ｃ、１８Ｋは各々現像ローラ２０を備え、内部に各々イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の各色トナーを貯留している。

また、電子写真感光体１２の略下方には、無端の中間転写ベルト２４が配設されている。中間転写ベルト２４はローラ２６、２８、３０に巻掛けられており、外周面が電子写真感光体１２の外周面に接触するように配置されている。ローラ２６〜３０はモータ（図示せず）の駆動力が伝達されて回転し、中間転写ベルト２４を矢印Ｂの向きに回転させる。

中間転写ベルト２４を挟んで電子写真感光体１２の反対側には、転写器３２が配置されている。電子写真感光体１２の外周面上に形成されたトナー像は、転写器３２によって中間転写ベルト２４の画像形成面に転写される。

中間転写ベルト２４よりも下方側にはトレイ３４が配置されており、トレイ３４内には記録材料としての用紙Ｐが多数枚積層された状態で収容されている。トレイ３４の左斜め上方には取り出しローラ３６が配置されており、取り出しローラ３６による用紙Ｐの取り出し方向下流側にはローラ対３８、ローラ４０が順に配置されている。積層状態で最も上方に位置している記録紙は、取り出しローラ３６が回転されることによりトレイ３４から取り出され、ローラ対３８、ローラ４０によって搬送される。

また、中間転写ベルト２４を挟んでローラ３０の反対側には転写器４２が配置されている。ローラ対３８、ローラ４０によって搬送された用紙Ｐは、中間転写ベルト２４と転写器４２の間に送り込まれ、中間転写ベルト２４の画像形成面に形成されたトナー像が転写器４２によって転写される。転写器４２よりも用紙Ｐの搬送方向下流側には、定着ローラ対を備えた定着器４４が配置されており、トナー像が転写された用紙Ｐは、転写されたトナー像が定着器４４によって溶融定着された後に画像形成装置１０の機体外へ排出され、図示しない排紙トレイ上に載置される。

また、電子写真感光体１２を挟んで現像装置１８の反対側には、電子写真感光体１２の外周面を除電する機能及び外周面上に残留している不要トナーを除去する機能を備えた除電・清掃器２２が配置されている。電子写真感光体１２の外周面上に形成されたトナー像が中間転写ベルト２４に転写されると、電子写真感光体１２の外周面のうち転写されたトナー像を担持していた領域は、除電・清掃器２２によって清掃される。

図１に示した画像形成装置１０では、電子写真感光体１２が４回転する回転過程においてフルカラー画像の形成が行われる。すなわち、電子写真感光体１２が４回転する間、帯電器１４は電子写真感光体１２の外周面の帯電、除電・清掃器２２は外周面の除電を継続し、露光装置１６は、形成すべきカラー画像を表すＹ、Ｍ、Ｃ、Ｋの画像データのうちの何れかに応じて変調したレーザビームを電子写真感光体１２の外周面上で走査させることを、電子写真感光体１２が１回転する毎にレーザビームの変調に用いる画像データを切替えながら繰り返す。また現像装置１８は、現像器１８Ｙ、１８Ｍ、１８Ｃ、１８Ｋの何れかの現像ローラ２０が電子写真感光体１２の外周面に対応している状態で、外周面に対応している現像器を作動させ、電子写真感光体１２の外周面に形成された静電潜像を特定の色に現像し、電子写真感光体１２の外周面上に特定色のトナー像を形成させることを、電子写真感光体１２が１回転する毎に、静電潜像の現像に用いる現像器が切り替わるように収容体を回転させながら繰り返す。

これにより、電子写真感光体１２が１回転する毎に、電子写真感光体１２の外周面上には、Ｙ、Ｍ、Ｃ、Ｋのトナー像が互いに重なるように順次形成されることになり、電子写真感光体１２が４回転した時点で電子写真感光体１２の外周面上にフルカラーのトナー像が形成されることになる。

このように、本実施形態に係る画像形成装置１０は、複数本の光ビームを電子写真感光体１２上に走査させて静電潜像を形成させるマルチビーム方式の露光装置１６を採用する。このため、画像形成装置１０は、画像形成速度の高速化が可能になる。例えば、ｎ本のレーザビームを有する画像形成装置においては、レーザビームの走査速度と走査線の密度とを単一のレーザビームを用いた場合と同様の条件に設定すると、単一のレーザビームに対してプリントスピードをｎ倍高速化することができる。

また、画像形成装置１０は、マルチビーム方式を採用することで高解像度の画像記録が可能となる。例えば、ｎ本のレーザビームを用いた画像形成装置においては、レーザビームの走査速度とプリントスピードとを単一のレーザビームを用いた場合と同様の条件に設定すると、単一のレーザビームに対して走査線の密度をｎ倍にすることができる。

さらに、画像形成装置１０は、マルチビーム方式を採用することでポリゴンミラーを回転駆動するための機構を簡略化することができ、コストダウンが可能となる。例えば、ｎ本のレーザビームを用いた画像形成装置においては、プリントスピードとレーザビームの走査密度とを単一のレーザビームを用いた場合と同様の条件に設定すると、単一のレーザビームに対してレーザビームの走査速度、すなわちポリゴンミラーの回転数を１／ｎ倍にすることができる。

したがって、画像形成装置１０は、上述した露光装置１６と共に、電子写真感光体１２の感光層にアモルファス状の珪素含有化合物を含有する光導電層を含んで構成されることによって、静電潜像中に光ビームの照射回数が異なる領域があっても、筋状の濃度ムラの発生を十分に抑制することができ、画像形成プロセスの高速化と画質の向上との双方が実現可能となる。

さらに、画像形成装置１０には、電子写真感光体１２を温めることを目的としたドラムヒータを設けることも可能である。当該ドラムヒータの設置により、電子写真感光体１２表面のクリーニング性が向上し、また、感光層３の電荷移動度が更に向上することから、一層高水準の画質を得ることができるようになる。

次に、電子写真感光体１２の好ましい例について詳述する。
図２〜図５は、それぞれ電子写真感光体１２の好適な一例を示す模式的断面図である。電子写真感光体１２は、導電性基体２上に感光層３が設けられた構造を有するものである。感光層３は、光導電性を有するアモルファス状の珪素含有化合物を含有する光導電層６を有するものであれば、必要に応じて電荷注入阻止層４、表面層７又は反射防止層を備えていてもよい。この場合、電荷注入阻止層４、表面層７及び反射防止層は、光導電性を有するアモルファス状の珪素含有化合物を含有して構成されていることが好ましい。アモルファス状の珪素含有化合物としては、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンゲルマニウム、アモルファスシリコンカーバイド、アモルファスシリコンナイトライドが挙げられ、水素、ハロゲン、ゲルマニウム、錫、第III族元素及び第Ｖ族元素から選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。

図２に示す電子写真感光体１２は、導電性基体２上に光導電層６が設けられている。この電子写真感光体１２は、感光層３が光導電層６からなる単層構造を有している。

図３に示す電子写真感光体１２は、導電性基体２上に、電荷注入阻止層４と光導電層６とが順次積層された構造を有するものである。感光層３は、電荷注入阻止層４及び光導電層６から構成されている。

図４に示す電子写真感光体１２は、導電性基体１上に、電荷注入阻止層４と光導電層６と表面層７が順次積層された構造を有している。感光層３は、電荷注入阻止層４、光導電層６及び表面層７から構成されている。なお、表面層７の代わりに、反射防止層を形成してもよい。

図５に示す電子写真感光体１２は、導電性基体１上に、電荷注入阻止層４と光導電層６と表面層７が順次積層された構造を有している。表面層７は、第１の表面層７ａと第２の表面層７ｂとの２層構造を有するものである。なお、第１の表面層７ａの代わりに、反射防止層を形成してもよい。

以下、電子写真感光体１２の各構成要素について説明する。
先ず、導電性基体２について説明する。導電性基体２としては、アルミニウム、銅、鉄、亜鉛、ニッケルなどの金属ドラム；シート、紙、プラスチック又はガラス等の基体上にアルミニウム、銅、金、銀、白金、パラジウム、チタン、ニッケル−クロム、ステンレス鋼、銅−インジウム等の金属を蒸着したもの；上記基体上に酸化インジウム、酸化錫などの導電性金属化合物を蒸着したもの；上記基体上に金属箔をラミネートしたもの；カーボンブラック、酸化インジウム、酸化錫−酸化アンチモン粉、金属粉、沃化銅等を結着樹脂に分散し、上記基体上に塗布することによって導電処理したものなどが挙げられる。導電性基体２の形状としては、ドラム状の他、シート状、プレート状などのいずれであってもよい。

導電性基体２として金属パイプ基材を用いる場合、当該基材の表面は、素管のままであってもよく、また、予め鏡面切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、ウエットホーニング、着色処理などの処理を施してもよい。基材表面を粗面化することにより可干渉光源を用いた場合に発生し得る感光体内での干渉光による木目状の濃度斑を防止することができる。

次に、電荷注入阻止層４について説明する。本発明においては、導電性基体２上に必要に応じて電荷注入阻止層４を設けることができる。電荷注入阻止層４は、導電性基体２又は光導電層６との接着性を向上させるとともに、導電性基体２から光導電層６への電荷の注入を阻止する機能を有する。かかる機能を向上させるために、電荷注入阻止層４は、水素、ハロゲン、ゲルマニウム、錫、第III族元素及び第Ｖ族元素から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するアモルファス状の珪素含有化合物を含有するものが好ましい。第III族元素及び第Ｖ族元素のうちいずれかをアモルファス状の珪素含有化合物に添加するかは、電子写真感光体１２の帯電極性によって決められる。電荷注入阻止層４の膜厚は、０．０１〜１０μｍの範囲が適当であり、好ましくは０．１〜１０μｍである。

本発明においては、電荷注入阻止層４と導電性基体２との間に、更に接着層等の補助層を設けてもよい。この補助層は、例えば、炭素、窒素、酸素等のうち少なくとも１種を含有するアモルファスシリコンからなる。アモルファスシリコンが炭素、窒素、酸素を含有し、ａ−ＳｉＣx、ａ−ＳｉＮy、ａ−ＳｉＯzを主体として構成される場合には、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．０１＜ｘ＜０．５、０．０１＜ｙ＜０．３、０．０１＜ｚ＜０．５の範囲が好ましい。補助層の膜厚は０．１〜３μｍの範囲が好ましい。

次に、光導電層６について説明する。光導電層６は、アモルファス状の珪素含有化合物を含有するものである。この光導電層６は、水素、ハロゲン、ゲルマニウム、錫、第III族元素及び第Ｖ族元素から選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。また、この光導電層６は、水素及びハロゲンのうちの少なくとも１種を含有するアモルファスシリコンに、不純物元素としてホウ素等の第III族元素又はリン等の第Ｖ族元素を含有させて、電荷保持性を高めることがより好ましい。さらに、光導電層６が水素及び/又はハロゲンを含有すると、暗減衰を低下させるのに効果的である。なお、水素及び／又はハロゲンの合計含有量は、アモルファスシリコンを基準として３〜４０原子％の範囲が適当である。また、第III族元素又は第Ｖ族元素の含有量は、感光体の帯電極性、必要な分光感度によって決定され、通常、０．０１〜１０００質量ｐｐｍの範囲が適当である。光導電層６を構成するアモルファス状の珪素含有化合物には、帯電性の向上、暗減衰の低減、感度の向上等を目的として、更に窒素、炭素及び酸素から選ばれる少なくとも１種を含有させることができる。さらに、ゲルマニウム及び錫の少なくとも１種を含有させてもよい。光導電層６の膜厚は、１〜１００μｍの範囲が好ましい。

また、光導電層６は、アモルファスシリコン層と、水素、ハロゲン、第III族元素および第Ｖ族元素の少なくとも１種を含有するアモルファスシリコンゲルマニウム層（以下、単に「アモルファスシリコンゲルマニウム層」という）との２層からなる積層構造を有するものであってもよい。アモルファスシリコン層は可視光領域に高い光感度を有しており、アモルファスシリコンゲルマニウム層は特に７５０〜８００ｎｍの長波長領域に高い光感度を有するという特徴を有する。したがって、アモルファスシリコン層とアモルファスシリコンゲルマニウム層とを組み合わせることによって、可視光から８００ｎｍまでの長波長領域にわたって高い光感度を有することができる。上記の積層構造の場合、通常、アモルファスシリコン層の上にアモルファスシリコンゲルマニウム層を積層させるが、積層順序はその逆であってもよい。また、アモルファスシリコンゲルマニウム層が二つのアモルファスシリコン層の間に配置された構造を有していてもよい。

アモルファスシリコンゲルマニウム層中のゲルマニウムの含有量は、ケイ素原子に対するゲルマニウム原子の質量比（Ｇｅ／Ｓｉ）は、０．０１〜１の範囲が好ましく、より好ましくは０．０１〜０．２５、特に好ましくは０．０５〜０．２の範囲である。アモルファスシリコンゲルマニウム層には、光導電性を改善するために、水素及び／又はハロゲンを含有させてもよい。水素及び／又はハロゲンの合計含有量は、シリコンを基準として１〜５０原子％である。ハロゲンとしては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ等が挙げられ、特にＦが好ましい。また、アモルファスシリコンゲルマニウム層は、暗減衰、残留電位及び光疲労を低減させるために、ホウ素等の第III族元素又はリン等の第Ｖ族元素を含有することが好ましい。これらの元素の添加量はケイ素とゲルマニウムとの帯電極性により決定されるが、ホウ素等の第III族元素の場合、０．０１〜１０００質量ｐｐｍ、好ましくは０．１〜１００質量ｐｐｍであり、正帯電用の場合は、０．１〜１０００質量ｐｐｍである。一方、リン等の第Ｖ族元素の場合は、０．０１〜１００質量ｐｐｍである。アモルファスシリコンゲルマニウム層には、更に窒素、酸素及び炭素から選ばれる少なくとも１種を含有させてもよい。アモルファスシリコンゲルマニウム層の膜厚は、好ましくは０．１〜５０μｍ、より好ましくは０．５〜２０μｍである。

次に、反射防止層について説明する。本発明においては、必要に応じて光導電層６よりも表面側（外側）に反射防止層を設けることができる。反射防止層は、反射スペクトルの極小値を使用する光源の波長に合わせるように膜厚と屈折率を調整すればよい。反射防止層の膜厚は、屈折率をｎとすると、λ（２ｍ＋１）／４ｎ（ここで、λは光源の波長、ｍは整数、をそれぞれ示す）で表される関係を満たすようにすればよく、屈折率ｎは光導電層６の屈折率ｎ１の平方根（ｎ１^１／２）に近似させればよい。この屈折率は、アモルファス状の珪素含有化合物に含まれるシリコンに対する炭素、窒素、酸素の含有比率を調整することにより、約４から２まで変化させることができる。反射防止層は、電荷注入阻止層４の機能を有していてもよいし、保護層の機能を兼ねてもよい。反射防止層の膜厚は、０．０１〜５μｍの範囲が適当であり、好ましくは０．１〜２μｍである。膜厚が、０．０１μｍより薄い場合には、反射スペクトルの極小値を十分得ることができず、一方、５μｍより厚い場合には、反射スペクトルのピーク幅が狭くなり、感光体の作製が膜厚分布等の点から難しくなる傾向にある。

次に、表面層７について説明する。表面層７は、必要に応じて電子写真感光体１２の最外層に設けることができる。表面層７は、水素、ハロゲン、第III族元素、第Ｖ族元素、炭素、窒素及び酸素のうち少なくとも１種を含有するアモルファスシリコンからなるか、水素、ハロゲン、第III族元素及び第Ｖ族元素のうち少なくとも１種を含有するアモルファスシリコンカーバイドからなることが好ましい。第III族元素又は第Ｖ族元素を含有すると、電荷保持性能が向上し、また残留電位が低下することから、第III族元素及び第Ｖ族元素のうちいずれかを含有させるかは帯電極性に応じて選択することができる。さらに、光透過率や電荷保持性能を向上させるために、アモルファス状の珪素含有化合物に炭素、窒素、酸素を含有させることができる。また、コロトロンへの付着物を阻止する目的で、アモルファス状の珪素含有化合物にフッ素等のハロゲンを添加してもよい。

表面層７を構成するアモルファスシリコン層及び／又はアモルファスシリコンカーバイド層は、複数層が積層された構造を有していてもよい。図４に示す電子写真感光体１２をはその１例である。表面層７が水素及び／又はハロゲンを含有するアモルファスシリコンカーバイドから構成される場合、かかる層中に含まれる多量の水素又はハロゲンに起因して鎖状の−ＣＨ_２−結合、−Ｃ（ハロゲン）_２−結合又は分岐状の−ＣＨ_３結合を増加させる結果、表面層７の硬度が損なわれることがあるため、層中の水素及び／又はハロゲンの合計量を５０原子％以下とすることが望ましい。

また、表面層７の膜厚は、０．０１〜１０μｍの範囲が適当であり、好ましくは０．１〜５μｍの範囲である。表面層７は、表面層７の表面に純水を滴下したときの接触角が６０°以上であることが好ましく、特に８０°以上であることが好ましい。また、表面硬度がビッカース硬度で５００ｋｇ／ｍｍ^２以上であることが好ましく、１０００ｋｇ／ｍｍ^２以上であることがより好ましい。

次に、導電性基体２上に、アモルファス状の珪素含有化合物を含有する感光層３を形成するための成膜方法について説明する。導電性基体２上に形成される感光層３は、いずれもプラズマＣＶＤ法によるグロー放電分解法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等の手段によって形成することができるが、グロー放電分解法が特に好ましい。光導電層６、必要に応じて形成される電荷注入阻止層４、補助層及び反射防止層の成膜に使用する原料ガスとしては、ケイ素原子を含む主原料ガスを用いる。また、表面層７を形成する場合に使用する原料ガスとしては、ケイ素原子を含む主原料ガス、又は炭化水素若しくはそのハロゲン置換体を含む主原料ガスを用いる。

以下、グロー放電分解法を例にとって、感光層３を形成するための成膜方法を具体的に説明する。原料ガスとしては、上記主原料ガスを用い、それに必要な添加物元素を含む原料ガスを加えて混合ガスとする。その場合、必要に応じて、ヘリウム、アルゴン、ネオン等の不活性ガス又は水素をキャリアガスとして併用することができる。グロー放電分解は、直流及び交流放電のいずれの方式を採用してもよい。成膜条件は、周波数５ＧＨｚ以下（ただし、アモルファスシリコンカーバイド層を形成する場合は、０．１〜２．４５ＧＨｚ、好適には５〜２０ＭＨｚ）、反応器内圧１０^−５〜１０Ｔｏｒｒ（０．００１〜１３３３Ｐａ）〔ただし、アモルファスシリコンカーバイド層を形成する場合は、０．１〜５Ｔｏｒｒ（１３．３〜６６７Ｐａ）〕、放電電力１０〜３０００Ｗである。また、基体温度は３０〜３００℃（ただし、アモルファスシリコンカーバイド層を形成する場合は、３０〜４００℃）の範囲で適宜設定することができる。なお、上記成膜方法により得られる膜の膜厚は、放電時間の調整により適宜設定することができる。

アモルファスシリコン層を形成する場合、ケイ素原子を含む主原料ガスとしては、シラン類、特にＳｉＨ_４及び／又はＳｉ_２Ｈ_６が使用される。また、ケイ素を含む主原料ガスと混合される原料ガスとしては、水素、ハロゲン、炭素、窒素、酸素、第III族元素、第Ｖ族元素等の元素を含むガスが使用される。

水素を含む原料ガスとしては、通常水素ガスが使用されるが、主原料ガス及び／又は混合ガス中に水素が含まれていれば、特に添加しなくてもよい。ハロゲンを含む原料ガスとしては、ＳｉＦ_４、ＳｉＣｌ_４、ＳｉＨＣｌ_３、ＳｉＨＦ_３、ＳｉＨ_２Ｆ_２、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２等を使用することができる。また、窒素、酸素及び炭素を含有させるための原料ガスとしては、例えば次のものが使用できる。すなわち、窒素を含む原料ガスとしては、Ｎ_２単体ガス、ＮＨ_３、Ｎ_２Ｈ_４、ＨＮ_３等の水素化窒素化合物のガスを用いることができる。また、炭素を含む原料ガスとしては、メタン、エタン、プロパン、アセチレンのような炭化水素、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６のようなハロゲン化炭化水素を用いることができる。さらに、酸素を含む原料ガスとしては、Ｏ_２、Ｎ_２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ_２等を用いることができる。第III族元素を含む原料ガスとしては、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等を含むガスを使用することができ、典型的なものとしてはジボラン（Ｂ_２Ｈ_６）が挙げられる。また、第Ｖ族元素を含む原料ガスとしては、上記窒素を含むガスの他に、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等を含むガスを使用することができ、典型的なものとしてはホスフィン（ＰＨ_３）又はアンモニア（ＮＨ_３）が挙げられる。

また、アモルファスシリコンゲルマニウム層を形成する場合の原料ガスとしては、四水素化ゲルマニウム（ＧｅＨ_４等のゲルマン又は四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ_４）等のハロゲン化ゲルマニウム含有ガスを使用することができる。

アモルファスシリコンカーバイド層を形成する場合の主原料としては、例えば、次のものが使用される。すなわち、主体となる炭素の原料としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン等の一般式Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋２で示されるパラフィン系炭化水素、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンテン等の一般式Ｃ_ｎＨ_２ｎで示されるオレフィン系炭化水素、アセチレン、アリレン、ブチン等の一般式Ｃ_ｎＨ_２ｎ−２で示されるアセチレン系炭化水素等の脂肪族炭化水素、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタリン、アントラセン等の芳香族炭化水素、或いはそれらの置換体があげられる。また、アモルファスシリコンカーバイド層にハロゲンを含有させる場合には、例えば、四塩化炭素、クロロホルム、四フッ化炭素、トリフルオロメタン、クロロトリフルオロメタン、ジクロロジフルオロメタン、ブロモトリフルオロメタン、パーフルオロエタン、パーフルオロプロパン等のハロゲン化炭化水素を用いることができる。

これらの炭素原料は、常温でガス状、固体状又は液状のいずれの形態であってもよく、固体状又は液状である場合には、気化して用いられる。さらに、炭化水素又はそのハロゲン置換体を含む主原料ガスと必要に応じて混合される原料ガスとしては、上記した窒素、酸素、第III 族元素、第Ｖ族元素等を含む原料ガスが挙げられる。

次に、露光装置１６の好ましい例について詳述する。
図６は、露光装置の一例を示す概略構成図である。露光装置１６はｍ本（ｍは少なくとも３本以上）のレーザビームを射出する面発光レーザアレイ５０を備えている。なお、図６では、簡略化のためにレーザビームを３本のみ示しているが、面発光レーザをアレイ化してなる面発光レーザアレイ５０は、数十本のレーザビームを射出するように構成することができる。また、面発光レーザの配列（面発光レーザアレイ５０から射出されるレーザビームの配列）についても、１列に配列する以外に、２次元的に（例えばマトリクス状に）配列することも可能である。

図７は、発光点が２次元的に配列されたレーザアレイ５０を示す平面図である。図示の通り、レーザアレイ５０には、所定の間隔で、主走査方向に４個、副走査方向に４個の系１６個の発光点５１が２次元的に配置されている。また、主走査方向に並んだ発光点５１は、副走査方向に隣り合う発光点５１との距離を４等分した距離を１ステップとし、副走査方向に１ステップずつ段階的にずれるように配置されている。すなわち、副走査方向に限ってみれば、１ステップ毎に発光点５１が配置されていることになる。このように副走査方向に段階的にずらして発光点５１を配置することにより、全ての発光点５１が異なる走査線を走査することができるようになっている。これにより、レーザアレイ５０は１６本の走査線を同時に走査する。

図６に戻り、面発光レーザアレイ５０のレーザビーム射出側には、コリメートレンズ５２、ハーフミラー５４が順に配置されている。面発光レーザアレイ５０から射出されたレーザビームは、コリメートレンズ５２によって略平行光束とされた後にハーフミラー５４に入射され、ハーフミラー５４によって一部が分離・反射される。ハーフミラー５４のレーザビーム反射側にはレンズ５６、光量センサ５８が順に配置されており、ハーフミラー５４によって主レーザビーム（露光に用いるレーザビーム）から分離・反射された一部のレーザビームは、レンズ５６を透過して光量センサ５８へ入射され、光量センサ５８によって光量が検出される。

なお、面発光レーザは、露光に用いるレーザビームが射出される側と反対側からはレーザビームが射出されない（端面発光レーザでは両側から射出される）ため、レーザビームの光量を検出・制御するためには、上記のように露光に用いるレーザビームの一部を分離して光量検出に供することが必要になる。

ハーフミラー５４の主レーザビーム射出側にはアパーチャ６０、副走査方向にのみパワーを有するシリンダレンズ６２、折り返しミラー６４が順に配置されており、ハーフミラー５４から射出された主レーザビームは、アパーチャ６０によって整形された後に、回転多面鏡６６の反射面近傍で主走査方向に長い線状に結像するようにシリンダレンズ６２によって屈折され、折り返しミラー６４によって回転多面鏡６６側へ反射される。なお、アパーチャ６０は複数本のレーザビームを均等に整形するために、コリメートレンズ５２の焦点位置近傍に配置することが望ましい。

回転多面鏡６６は、図示しないモータの駆動力が伝達されて図６中の矢印Ｃ方向に回転され、折り返しミラー６４によって反射されて入射されたレーザビームを主走査方向に沿って偏向・反射する。回転多面鏡６６のレーザビーム射出側には主走査方向にのみパワーを有するＦθレンズ６８、７０が配置されており、回転多面鏡６６によって偏向・反射されたレーザビームは、電子写真感光体１２の外周面上を略等速で移動し、且つ主走査方向の結像位置が電子写真感光体１２の外周面上に一致するようにＦθレンズ６８、７０によって屈折される。

Ｆθレンズ６８、７０のレーザビーム射出側には、副走査方向にのみパワーを有するシリンダミラー７２、７４が順に配置されており、Ｆθレンズ６８、７０を透過したレーザビームは、副走査方向の結像位置が電子写真感光体１２の外周面に一致するようにシリンダミラー７２，７４によって反射され、感光体ドラム１２の外周面上に照射される。なお、シリンダミラー７２、７４は回転多面鏡６６と電子写真感光体１２の外周面を副走査方向において共役にする面倒れ補正機能も有している。

また、シリンダミラー７２のレーザビーム射出側には、レーザビームの走査範囲のうち走査開始側の端部（ＳＯＳ：Start Of Scan）に相当する位置にピックアップミラー７６が配置されており、ピックアップミラー７６のレーザビーム射出側にはビーム位置検出センサ７８が配置されている。面発光レーザアレイ５０から射出されたレーザビームは、回転多面鏡６６の各反射面のうちのレーザビームを反射している面が、入射ビームをＳＯＳに相当する方向へ反射する向きとなったときに、ピックアップミラー７６で反射されてビーム位置検出センサ７８に入射される（図６の想像線も参照）。

ビーム位置検出センサ７８から出力された信号は、回転多面鏡６６の回転に伴って電子写真感光体１２の外周面上を走査されるレーザビームを変調して静電潜像を形成するにあたり、各回の主走査における変調開始タイミングの同期をとるために用いられる。

また、本実施形態に係る露光装置１６では、コリメートレンズ５２とシリンダレンズ６２、２枚のシリンダミラー７２、７４が各々副走査方向においてアフォーカルになる様に配置されている。これは、複数本のレーザビームの走査線湾曲（ＢＯＷ）の差と複数本のレーザビームによる走査線間隔の変動を抑制するためである。

続いて、画像形成装置１０の制御装置のうち、露光装置１６の面発光レーザアレイ５０からのレーザビームの射出を制御する部分（以下、この部分を制御部８０と称する）の構成について、図８を参照して説明する。制御装置は、画像形成装置１０によって形成すべき画像を表す画像データを記憶するための記憶部８２を内蔵しており、記憶部８２に記憶された画像データは、画像形成装置１０によって画像が形成される際に制御部８０の変調信号生成手段８４に入力される。
図示は省略するが、変調信号生成手段８４にはビーム位置検出センサ７８が接続されている。変調信号生成手段８４は、記憶部８２から入力された画像データを、面発光レーザアレイ５０から射出されるｍ本のレーザビームの何れかに各々対応するｍ個の画像データに分解し、分解したｍ個の画像データに基づき、ビーム位置検出センサ７８から入力された信号によって検知されるＳＯＳのタイミングを基準として、面発光レーザアレイ５０から射出されるｍ本のレーザビームの各々をオンオフさせるタイミングを規定するｍ個の変調信号を生成し、レーザ駆動回路（ＬＤＤ）８６に出力する。

ＬＤＤ８６には駆動量制御手段８８（詳細は後述）が接続されており、面発光レーザアレイ５０から射出されるｍ本のレーザビームを、変調信号生成手段８４から入力された変調信号に応じたタイミングでオンオフすると共に、オン時のレーザビームの光量を、駆動量制御手段８８から入力される駆動量設定信号に対応する光量にするためのｍ個の駆動電流を生成し、面発光レーザアレイ５０のｍ個の面発光レーザに各々供給する。

これにより、面発光レーザアレイ５０からは、変調信号に応じたタイミングでオンオフされると共に、オン時の光量が駆動量設定信号に対応する光量とされたｍ本のレーザビームが射出され、このｍ本のレーザビームが電子写真感光体１２の外周面上を各々走査・露光されることで、電子写真感光体１２の外周面上に静電潜像が形成される。この静電潜像が現像装置１８によりトナー像として現像され、このトナー像が転写器３２、４２による転写を経て用紙Ｐに転写され、定着器４４によって用紙Ｐに溶融定着されることで、用紙Ｐに画像が記録されることになる。

一方、画像形成装置１０は、電子写真感光体１２の外周面上に形成されたトナー像、中間転写ベルト２４の外周面上に転写されたトナー像、及び用紙Ｐに記録された画像の何れかの濃度を検出する濃度センサ（図示省略）を備えており、この濃度センサは制御部８０に接続されている。なお、本実施形態のように多数本（ｍ本）のレーザビームを電子写真感光体１２の外周面上で同時に走査・露光して画像（詳しくは静電潜像）を形成する場合、各回の主走査におけるｍ本のレーザビームによる走査領域の境界付近ではレーザビームが２回照射（露光）される。

なお、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではない。例えば、図１には帯電装置としてスコロトロンを用いた例を示したが、帯電ローラや帯電ブラシを備える接触帯電方式の帯電装置を用いてもよい。

また、本発明の画像形成装置で用いられる現像剤は、一成分系、二成分系のいずれであってもよく、また、正規現像剤、反転現像剤のいずれであってもよい。また、本発明の画像形成装置は、電子写真感光体上のトナー像を中間転写体に転写した後、さらに被転写媒体に転写する中間転写方式のものであってもよい。また、本発明の画像形成装置は、図１に示したものの他、白黒画像用の画像形成装置やタンデム式のカラー画像形成装置としてもよい

以下、実施例及び比較例に基づき本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。

（実施例１）
円筒状アルミニウム基体の表面を、界面活性剤水溶液を用いて表面処理し水洗後、乾燥した。続いて、容量結合型プラズマＣＶＤ装置を用い、シラン（ＳｉＨ_４）ガス、水素（Ｈ_２）ガス、及びシボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガスの混合ガスをグロー放電分解することにより、円筒状アルミニウム基体上に約３μｍの膜厚を有する電荷注入阻止層を形成した。なお、成膜条件は、以下の通りである。
１００％シランガス流量：３００ｃｍ^３／ｍｉｎ、
１００％水素ガス流量：１５０ｃｍ^３／ｍｉｎ、
２００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１５０ｃｍ^３／ｍｉｎ、
反応器内圧：１３３．３Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ）、
放電電力：２８０Ｗ、
放電周波数：１３．５６ＭＨｚ、
基体温度：２５０℃。

電荷注入阻止層の形成後、反応器内を十分に排気し、シラン、水素及びジボランの混合ガスを導入してグロー放電分解することにより、電荷注入阻止層上に膜厚２０μｍの光導電層を形成した。なお、成膜条件は、以下の通りである。
１００％シランガス流量：２５０ｃｍ^３／ｍｉｎ、
１００％水素ガス流量：２３０ｃｍ^３／ｍｉｎ、
２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１０ｃｍ^３／ｍｉｎ、
反応器内圧：１３３．３Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ）、
放電電力：３００Ｗ。

光導電層の形成後、反応器内を十分に排気し、シラン、水素およびアンモニアの混合ガスを導入してグロー放電分解することにより、光導電層上に膜厚０．１５μｍの第１の表面層を形成した。なお、成膜条件は、以下の通りである。
１００％シランガス流量：３０ｃｍ^３／ｍｉｎ、
１００％水素ガス流量：２００ｃｍ^３／ｍｉｎ、
１００％アンモニアガス流量：４５ｃｍ^３／ｍｉｎ、
反応器内圧：６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、
放電電力：７０Ｗ、

第１の表面層の形成後、反応器内を十分に排気し、シラン、水素およびアンモニアの混合ガスを導入してグロー放電分解することにより、第１の表面層上に膜厚０．１μｍの第２の表面層を形成した。なお、成膜条件は、以下の通りである。
１００％シランガス流量：２０ｃｍ^３／ｍｉｎ、
１００％水素ガス流量：２００ｃｍ^３／ｍｉｎ、
１００％アンモニアガス流量：６０ｃｍ^３／ｍｉｎ、
反応器内圧：６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、
放電電力：７０Ｗ。

このようにして得られた電子写真感光体を用いて、図１に示す構成を有する画像形成装置を作製した。なお、露光装置としては、面発光レーザアレイの発光点が６×６に２次元配列され、レーザビーム数ｍが３２本、走査間隔が０．１７ｍｍ、光レーザの波長が７８０ｎｍ、走査線数が２４００ｄｐｉのものを用いた。

（実施例２）
実施例１と同様の容量結合型プラズマＣＶＤ装置を用い、シラン（ＳｉＨ_４）ガス、水素（Ｈ_２）ガス、及びシボラン（Ｂ_２Ｈ_６）ガスの混合ガスをグロー放電分解することにより、円筒状アルミニウム基体上に約１．５μｍの膜厚を有する電荷注入阻止層を形成した。なお、成膜条件は、以下の通りである。
１００％シランガス流量：１００ｃｍ^３／ｍｉｎ、
１００％水素ガス流量：１８０ｃｍ^３／ｍｉｎ、
１００％アンモニアガス流量：１００ｃｍ^３／ｍｉｎ、
反応器内圧：１３３．３Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ）、
放電電力：２４０Ｗ。

電荷注入阻止層の形成後、シランに対してジボランの濃度を０．１質量ｐｐｍの割合で混合ガスを導入した以外は、実施例１と同様の方法により光導電層を形成した。次いで、下記の成膜条件で光導電層上に膜厚０．６μｍのアモルファス炭化シリコンからなる表面層を形成した。
１００％シランガス流量：７０ｃｍ^３／ｍｉｎ、
１００％水素ガス流量：７０ｃｍ^３／ｍｉｎ、
２００ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：１４０ｃｍ^３／ｍｉｎ、
反応器内圧：１３３．３Ｐａ（１．０Ｔｏｒｒ）、
放電電力：１１０Ｗ。

以上のようにして作製された電子写真感光体を用いて、実施例１と同様の画像形成装置を作成した。

（比較例１）
ＥＤ管アルミニウム基体の外周面をＤ５０が３０μｍの球状のアルミナ微粉末を用いて液体ホーニング処理し、中心線平均粗さＲａが０．１８μｍに粗面化された３０ｍｍφの導電性基体を得た。

次いで、ポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）４質量部を溶解したｎ−ブチルアルコール１７０質量部に、有機ジルコニウム化合物（アセチルアセトンジルコニウムブチレート）３０質量部及び有機シラン化合物（γ−アミノプロピルトリメトキシシラン）３質量部を添加、混合攪拌して下引層形成用の塗布液を得た。得られた塗布液を浸漬塗布装置を用いて上記基体の外周面に塗布し、室温で５分間風乾を行った後、基体を１０分間で５０℃に昇温し、５０℃、８５％ＲＨ（露点４７℃）の恒温恒湿槽中に入れて、２０分間加湿し硬化促進処理を行った。次いで、熱風乾燥機に入れて１７０℃で１０分間乾燥を行い膜厚１．０μｍの下引層を得た。

次いで、ｘ型無金属フタロシアニン４質量部、バインダー樹脂（塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１質量部、ｎ−酢酸ブチル１２０質量部からなる混合物をサンドミルにて４時間分散処理し、電荷発生層用塗布液を得た。得られた塗布液を上記下引層上に浸漬塗布し乾燥させて、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。

次いで、電荷輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン５質量部、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量４０，０００）５質量部、テトラヒドロフラン８０質量部、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール０．２質量部を混合して電荷輸送層形成用塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に塗布して、１２０℃で４０分乾燥し膜厚２８μｍの電荷輸送層を形成した。さらに、実施例１と同様の方法により画像形成装置を作成した。

（電荷移動度の測定）
感光層のホールの移動度をＴＸＯＦ法により測定した。実施例１及び２で得られた感光層の２０Ｖ／μｍの電界における電荷移動度は４．５０×１０^−３ｃｍ^２／Ｖ・secであり、比較例１で得られた感光層の２０Ｖ／μｍの電界における電荷移動度は１．０４×１０^−５ｃｍ^２／Ｖ・secであった。

（画質の評価）
実施例１〜２及び比較例１で得られた各画像形成装置について、２２℃、５０％ＲＨの条件でプリント試験を行い、筋状濃度ムラの発生の有無を調べた。その結果、実施例１及び２では筋状濃度ムラの発生が全く発生しなかったのに対し、比較例１では筋状濃度ムラが顕著に発生した。

本発明の画像形成装置の好適な一実施形態を示す概略構成図である。 本発明にかかる電子写真感光体の一例を示す模式断面図である。 本発明にかかる電子写真感光体の一例を示す模式断面図である。 本発明にかかる電子写真感光体の一例を示す模式断面図である。 本発明にかかる電子写真感光体の一例を示す模式断面図である。 本発明にかかる露光装置（光走査装置）の一例を示す概略構成図である。 発光点が２次元的に配列されたレーザアレイを示す平面図である。 本発明にかかる制御装置の一例を示す概略構成図である。 電子写真感光体の移動方向（副走査方向）に沿った露光エネルギー分布を示すグラフである．

符号の説明

２…導電性基体、３…感光層、４…電荷注入阻止層、６…光導電層、７…表面層、１０…画像形成装置、１２…電子写真感光体（感光体ドラム）、１４…帯電器、１６…露光装置、１８…現像装置、２４…中間転写ベルト、３２、４２…転写器、４４…定着器、５０…面発光レーザアレイ、５１…発光点、５２…コリメートレンズ、５４…ハーフミラー、５６…レンズ、５８…光量センサ、６０…アパーチャ、６２…シリンダレンズ、６４…折り返しミラー、６６…回転多面鏡、６８、７０…Ｆθレンズ、７２、７４…シリンダミラー、７６…ピックアップミラー、７８…ビーム位置検出センサ、８０…制御部、８２…記憶部、８４…変調信号生成手段、８８…駆動量制御手段。

Claims (5)

1. 電子写真感光体と、前記電子写真感光体を帯電させる帯電装置と、帯電した前記電子写真感光体を露光して静電潜像を形成させる露光装置と、前記静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成させる現像装置と、前記トナー像を前記電子写真感光体から被転写媒体に転写する転写装置と、を備える画像形成装置であって、
   前記露光装置が面発光レーザアレイを有し、３本以上の光ビームを前記電子写真感光体上に走査させて前記静電潜像を形成させるマルチビーム方式の露光装置であり、
   前記電子写真感光体が導電性基体及び該基体上に設けられた感光層を有し、前記感光層はアモルファス状の珪素含有化合物を含有する光導電層を含んで構成されている
   ことを特徴とする画像形成装置。
2. 前記光導電層が水素、ハロゲン、ゲルマニウム、錫、第III族元素及び第Ｖ族元素から選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
3. 前記面発光レーザアレイの発光点が２次元的に配列していることを特徴とする請求項１又は２記載の画像形成装置
4. 前記露光装置が３本以上の光ビームをそれぞれ独立に前記電子写真感光体上に走査させるものであり、前記電子写真感光体上において隣接する前記光ビーム同士の走査間隔が０．１５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の画像形成装置。
5. 前記感光層の電荷移動度が２０Ｖ／μｍあたり１×１０^−４ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ以上であることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の画像形成装置。

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