JP2005274240A - 欠陥検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 電子ビームを出射して一次ビームPBとしてウェーハWに照射する電子銃を含む一次コラム2と、一次ビームPBの照射によりウェーハWから発生する二次電子等の照射を受ける受光面を有するTDIセンサ76を含みウェーハWの表面の状態を表す画像信号を出力する電子ビーム検出部と、上記二次電子等を二次ビームSBとして写像投影してTDIセンサ76の受光面に結像させる二次ビーム写像投影部と、画像処理部78と、制御部64と、ホストコンピュータ80とを備える欠陥検査装置を用い、レビュー対象となる撮像エリアAR1のサイズよりも小さなサイズでウェーハWに照射するように一次ビームPBのビーム径を調整した上で撮像エリアAR1を走査し、得られたフレーム画像FR1〜FRNを合成してレビュー像を作成する。
【選択図】 図2
Description
荷電ビームを出射して一次ビームとして試料に照射する荷電ビーム出射手段と、
上記一次ビームの照射により上記試料から発生する二次荷電粒子、反射荷電粒子および後方散乱荷電粒子の少なくともいずれかの照射を受ける受光面を有する撮像素子を含み、上記試料の表面の状態を表す信号を出力する撮像手段と、
上記二次荷電粒子、上記反射荷電粒子および上記後方散乱荷電粒子の少なくともいずれかを二次ビームとして写像投影し、上記撮像素子の上記受光面に結像させる写像投影手段と、
レビューの対象となる撮像領域のサイズよりも小さなサイズで上記試料に照射するように上記一次ビームのビーム径を調整して上記撮像領域を走査し、上記撮像手段に複数のフレーム像を撮像させる制御手段と、
得られた複数の上記フレーム画像を処理してレビュー像を作成する画像処理手段と、
上記レビュー像に基づいて上記試料の欠陥を判定する欠陥判定手段と、
を備える欠陥検査装置が提供される。
図1は、本発明にかかる欠陥検査装置の実施の一形態の概略構成を示すブロック図である。同図に示す欠陥検査装置は、一次コラム2と、ステージチャンバ4と、二次コラム6と、TDI(Time Delay Integrator)センサ76と、制御部64と、ホストコンピュータ80と、真空ポンプP1〜P3とを備える。
図2は、本実施形態による欠陥検査方法の概略手順を示すフローチャートであり、図3〜図5は、図2に示す欠陥検査方法の説明図である。
次に、本発明の第2の実施の形態について図6〜図12を参照しながら説明する。本実施形態による欠陥検査方法も、図1に示す欠陥検査装置を用いて実行することができる。
上述した欠陥検査方法の一連の手順は、プログラムに組み込み、レシピファイルとしてSEM装置のコンピュータに読込ませて実行させても良い。これにより、画像処理可能なコンピュータを含む汎用のSEM装置を用いて上述した欠陥検査方法を実現することができる。また、上述した欠陥検査方法の一連の手順をSEM装置のコンピュータに実行させるプログラムとしてフレキシブルディスクやCD−ROM等の記録媒体に収納し、SEM装置のコンピュータに読込ませて実行させても良い。
上述した欠陥検査方法を用いて半導体装置を製造することにより、高いスループットおよび歩留まりで半導体装置を製造することが可能になる。
4 ステージチャンバ
6 二次コラム
12 陰極
14 ウエーネルト電極
16 ビーム軸調整用偏向器
18 四極子レンズ
22 一次ビーム偏向器
30 ウィーンフィルタ
40 ステージ
54 対物レンズ
56 第1投影レンズ
58 第2投影レンズ
62 二次ビーム偏向器
64 制御部
72 MCP検出器
74 蛍光面
76 TDIセンサ
78 画像処理部
80 ホストコンピュータ
AP アパーチャ
AR 照明エリア
CS1 照明ビーム
FR1〜FRN フレーム
FRM1,FRM2 マスキング処理後画像
MK1,MK2,MKr1 マスク画像
Imn ノイズ像
Imrv 合成像(レビュー像)
P1〜P3 真空ポンプ
PB 一次ビーム
PB 撮像対象パターン
SB 二次ビーム
W ウェーハ
Claims (5)
- 荷電ビームを出射して一次ビームとして試料に照射する荷電ビーム出射手段と、
前記一次ビームの照射により前記試料から発生する二次荷電粒子、反射荷電粒子および後方散乱荷電粒子の少なくともいずれかの照射を受ける受光面を有する撮像素子を含み、前記試料の表面の状態を表す信号を出力する撮像手段と、
前記二次荷電粒子、前記反射荷電粒子および前記後方散乱荷電粒子の少なくともいずれかを二次ビームとして写像投影し、前記撮像素子の前記受光面に結像させる写像投影手段と、
レビューの対象となる撮像領域のサイズよりも小さなサイズで前記試料に照射するように前記一次ビームのビーム径を調整して前記撮像領域を走査し、前記撮像手段に複数のフレーム像を撮像させる制御手段と、
得られた複数の前記フレーム画像を処理してレビュー像を作成する画像処理手段と、
前記レビュー像に基づいて前記試料の欠陥を判定する欠陥判定手段と、
を備える欠陥検査装置。 - 前記画像処理手段は、各フレーム画像に応じた非マスク領域をそれぞれ有する複数のマスク画像を予め作成し、
前記レビュー像は、相互に対応する前記フレーム画像および前記マスク画像同士でそれぞれ論理積を取ることにより得られた複数の画像を合成することにより作成されることを特徴とする請求項1に記載の欠陥検査装置。 - 前記一次ビームのビーム径は、前記非マスク領域のサイズよりも大きいサイズで前記一次ビームが前記試料に照射するように調整される、ことを特徴とする請求項2に記載の欠陥検査装置。
- 前記制御手段は、前記撮像素子のフレームレートに同期して前記撮像領域が前記一次ビームで走査されるようにステップ状の走査信号を生成して前記電子ビーム出射手段に供給する、ことを特徴とする請求項2または3に記載の欠陥検査装置。
- 前記ステップ状の走査信号は、前記撮像領域が前記一次ビームにより不規則な順序で走査されるように生成されることを特徴とする請求項4に記載の欠陥検査装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004085545A JP4032036B2 (ja) | 2004-03-23 | 2004-03-23 | 欠陥検査装置 |
US11/086,212 US7148479B2 (en) | 2004-03-23 | 2005-03-23 | Defect inspection apparatus, program, and manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004085545A JP4032036B2 (ja) | 2004-03-23 | 2004-03-23 | 欠陥検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005274240A true JP2005274240A (ja) | 2005-10-06 |
JP4032036B2 JP4032036B2 (ja) | 2008-01-16 |
Family
ID=35095349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004085545A Expired - Fee Related JP4032036B2 (ja) | 2004-03-23 | 2004-03-23 | 欠陥検査装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7148479B2 (ja) |
JP (1) | JP4032036B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103219258A (zh) * | 2013-04-03 | 2013-07-24 | 无锡华润上华科技有限公司 | 晶圆缺陷抽样检测系统及其方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7587080B1 (en) | 2004-11-04 | 2009-09-08 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Image retention user interface |
JP4791840B2 (ja) * | 2006-02-06 | 2011-10-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、走査電子顕微鏡、および試料検査方法 |
JP5153212B2 (ja) * | 2007-06-07 | 2013-02-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
CN103247548B (zh) * | 2012-02-09 | 2016-01-20 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种晶圆缺陷检测装置及方法 |
US8995746B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-03-31 | KLA—Tencor Corporation | Image synchronization of scanning wafer inspection system |
JP6330388B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-05-30 | オムロン株式会社 | 画像処理方法、画像処理装置、並びに、当該方法を実行するプログラム、及び、当該プログラムを記録する記録媒体 |
CN104122278B (zh) * | 2014-07-09 | 2017-02-01 | 中国计量科学研究院 | X射线出射装置 |
US20160093465A1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Defect inspection apparatus and defect inspection method |
CN107064185A (zh) * | 2017-04-12 | 2017-08-18 | 北京君和信达科技有限公司 | 辐射图像显示方法和系统 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2810797B2 (ja) | 1991-01-11 | 1998-10-15 | 日本電子株式会社 | 反射電子顕微鏡 |
JP3409909B2 (ja) | 1994-03-11 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置 |
JPH11132975A (ja) | 1997-10-31 | 1999-05-21 | Toshiba Corp | 電子ビームを用いた検査方法及びその装置 |
EP1339100A1 (en) * | 2000-12-01 | 2003-08-27 | Ebara Corporation | Inspection method and apparatus using electron beam, and device production method using it |
-
2004
- 2004-03-23 JP JP2004085545A patent/JP4032036B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-23 US US11/086,212 patent/US7148479B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103219258A (zh) * | 2013-04-03 | 2013-07-24 | 无锡华润上华科技有限公司 | 晶圆缺陷抽样检测系统及其方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050230618A1 (en) | 2005-10-20 |
US7148479B2 (en) | 2006-12-12 |
JP4032036B2 (ja) | 2008-01-16 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060726 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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