JP2005264040A - 金型離型回復樹脂組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体封止用金型離型回復樹脂組成物に関するものである。
近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体素子の高集積化が年々進み、また、半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきている。この要求に対応する様々な樹脂や添加剤が用いられた半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、連続成形時に金型汚れが発生し、金型取られ、未充填等の成形不具合が起こりやすくなり、そのため定期的に金型表面のクリーニングを行うことが通常となってきている。
従来、半導体封止用金型のクリーニング材は、アミノ系樹脂のような成形収縮率の大きい樹脂と結晶破砕シリカ、ガラス繊維等の硬度の高い充填材等からなり、このクリーニング材を用いて金型表面の汚れを削り落とすというものが主体であった。クリーニング材を使用した後は金型表面が綺麗になる反面、金型表面の離型剤も取り去られるため、クリーニングした直後に成形された半導体装置は極端に離型性が悪くなるという問題があった。そのためクリーニング材の使用後に、金型離型回復樹脂組成物を成形し、金型表面に金型離型回復樹脂組成物中の離型剤を移行させ塗布し、離型性を回復させる必要がある。
金型離型回復樹脂組成物の機能は、金型表面に離型剤を移行させ塗布し、速やかに離型性を回復させることにあるが、多量の離型剤を移行させてしまうと、その後成形した半導体装置の表面に油浮きや汚れを起こすという問題があり、十分に離型剤を移行できない場合は離型性が回復できず、離型回復樹脂組成物を多量に用いる必要があるという問題が発生する。更に離型性回復後の離型性を長く持続できない場合は、頻繁に離型回復樹脂組成物を用いる必要があり生産性が低下する。
このため、離型剤としてモンタン酸系のワックスや酸化、非酸化ポリエチレンワックスに酸化防止剤を添加することによって離型持続性を改善する手法がある(例えば、特許文献1参照。)。これらの手法により、離型持続性は改善されるが、油浮きや汚れを起こすという問題を十分に解決できなかった。
このため、離型剤としてモンタン酸系のワックスや酸化、非酸化ポリエチレンワックスに酸化防止剤を添加することによって離型持続性を改善する手法がある(例えば、特許文献1参照。)。これらの手法により、離型持続性は改善されるが、油浮きや汚れを起こすという問題を十分に解決できなかった。
本発明は、少量でも離型性を回復させ、離型性回復直後の半導体装置の表面に油浮きや汚れを生じず、離型性を長く維持できる半導体封止用金型離型回復樹脂組成物を提供するものである。
本発明は、
[1](A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)一般式(1)で表されるアルカンチオールを必須成分とし、一般式(1)で表されるアルカンチオールが全エポキシ樹脂組成物中に0.1〜10重量%含まれることを特徴とする特徴とする半導体封止用金型離型回復樹脂組成物、
[1](A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)一般式(1)で表されるアルカンチオールを必須成分とし、一般式(1)で表されるアルカンチオールが全エポキシ樹脂組成物中に0.1〜10重量%含まれることを特徴とする特徴とする半導体封止用金型離型回復樹脂組成物、
本発明の半導体封止用金型離型回復樹脂組成物は少量でも離型性を回復することが可能であり、これを用いた後に成形された半導体装置には油浮きや汚れがなく、更に離型性を長く維持することができるので、半導体装置の生産性向上に寄与することができ、産業上有用である。
本発明は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、無機充填材、特定炭素数のアルカンチオールを必須成分とことにより、少量でも離型性を回復することが可能であり、これを用いた後に成形された半導体装置には油浮きや汚れがなく、更に離型性を長く維持することができる半導体封止用金型離型回復樹脂組成物が得られるものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明で用いられるエポキシ樹脂としては、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。
本発明で用いられるフェノール樹脂としては、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェニレン及び/又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は特に限定するものではないが、エポキシ基/フェノール性水酸基の比としては、0.7〜1.5が好ましく、更に好ましくは0.95〜1.15が望ましい。この範囲から大きく外れると、金型離型回復樹脂組成物が充分に硬化せず離型性低下等の作業性の悪化が起こるおそれがある。
本発明で用いられる硬化促進剤としては、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒となり得るものを指し、例えば、トリブチルアミン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、2−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの硬化促進剤は単独でも混合して用いてもよい。
本発明に用いる一般式(1)で表されるアルカンチオールは、離型性を向上させる機能を有しているため、これを用いた金型離型回復樹脂組成物は、クリーニング材使用後の優れた金型離型回復性を示す。一般式(1)で表されるアルカンチオール中のnは平均値で、6〜12の正数である。nの値が下限値を下回ると分子量が低く、成形時の熱により金型表面になじんだアルカンチオールが揮発してしまうため、金型への塗布量が不足してしまい、離型回復材として十分な性能を発現しないため好ましくない。また、nの値が上限値を超えると、金型表面に過度に染み出すことにより、金型離型回復性の効果の点では優れているが、離型性回復直後に成形した半導体装置に油浮きや汚れが生じるという欠点があるため好ましくない。
一般式(1)で表されるアルカンチオールの配合量は、全エポキシ樹脂組成物中0.1〜10重量%である。下限値を下回ると金型表面に離型剤が充分に移行せず、期待されるような金型離型回復性が得られないおそれがある。上限値を超えると金型に過度に染み出し、離型回復直後の半導体装置に油浮きが生じるという問題がある。
本発明の半導体封止用金型離型回復樹脂組成物には、(A)〜(E)成分の他に、必要に応じてカルナバワックス、ステアリン酸、モンタン酸ワックスといった離型剤や、カップリング剤、酸化防止剤、カーボンブラック等の着色剤等の添加剤を用いてもよい。
本発明の半導体封止用金型離型回復樹脂組成物は、ミキサー等を用いて原料を充分に均一に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明の半導体封止用金型離型回復樹脂組成物は、ミキサー等を用いて原料を充分に均一に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割合は重量部とする。
実施例、比較例で用いたアルカンチオールについて、下記にまとめて示す。
実施例、比較例で用いたアルカンチオールについて、下記にまとめて示す。
実施例1
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(軟化点65℃、エポキシ当量209)
20.2重量部
フェノールノボラック樹脂(軟化点90℃、水酸基当量104) 10.0重量部
1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという)
0.2重量部
溶融球状シリカ(平均粒径28μm) 67.0重量部
n−ドデカンチオール(式2) 2.0重量部
カルナバワックス 0.3重量部
カーボンブラック 0.3重量部
をミキサーを用いて各成分を混合した後、表面温度が95℃と25℃の2軸ロールを用いて20回混練して得られた混練物シートを冷却後粉砕した4メッシュ以下の粉砕物をタブレット化した。得られた樹脂組成物の特性を以下の方法で評価した。評価結果を表1に示す。
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(軟化点65℃、エポキシ当量209)
20.2重量部
フェノールノボラック樹脂(軟化点90℃、水酸基当量104) 10.0重量部
1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという)
0.2重量部
溶融球状シリカ(平均粒径28μm) 67.0重量部
n−ドデカンチオール(式2) 2.0重量部
カルナバワックス 0.3重量部
カーボンブラック 0.3重量部
をミキサーを用いて各成分を混合した後、表面温度が95℃と25℃の2軸ロールを用いて20回混練して得られた混練物シートを冷却後粉砕した4メッシュ以下の粉砕物をタブレット化した。得られた樹脂組成物の特性を以下の方法で評価した。評価結果を表1に示す。
評価方法
離型回復性:金型表面をクリーニングするためのメラミン樹脂系クリーニング材を用いて、離型時荷重評価用金型で成形品を3回成形し、前記金型の表面の離型剤成分を取り除いた後、金型離型回復樹脂組成物を3回成形した後、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間2分の条件で評価用材料をトランスファー成形し、製品抜き出し時の離型荷重を測定した。単位はMPa。判定基準は30MPa以上を不合格、30MPa以下を合格とした。
離型時荷重評価用金型は、上型・中型・下型とからなり、成形後に中型に付着した14mmΦで1.5mm厚の円形の成形品に、中型の上部の穴からプッシュプルゲージを当て、成形品を突き出した際にかかる荷重を測定した。クリーニング材には住友ベークライト(株)製・EMEC3を用い、評価用材料には住友ベークライト(株)製・半導体封止用エポキシ樹脂成形材料EME−7351を用いた。
離型回復性:金型表面をクリーニングするためのメラミン樹脂系クリーニング材を用いて、離型時荷重評価用金型で成形品を3回成形し、前記金型の表面の離型剤成分を取り除いた後、金型離型回復樹脂組成物を3回成形した後、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間2分の条件で評価用材料をトランスファー成形し、製品抜き出し時の離型荷重を測定した。単位はMPa。判定基準は30MPa以上を不合格、30MPa以下を合格とした。
離型時荷重評価用金型は、上型・中型・下型とからなり、成形後に中型に付着した14mmΦで1.5mm厚の円形の成形品に、中型の上部の穴からプッシュプルゲージを当て、成形品を突き出した際にかかる荷重を測定した。クリーニング材には住友ベークライト(株)製・EMEC3を用い、評価用材料には住友ベークライト(株)製・半導体封止用エポキシ樹脂成形材料EME−7351を用いた。
離型持続性:金型表面をクリーニングするためのメラミン樹脂系クリーニング材を用いて、離型時荷重評価用金型で成形品を3回成形し、前記金型の表面の離型剤成分を取り除いた後、金型離型回復樹脂組成物を3回成形した後、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間2分で評価用材料をトランスファー成形し、製品抜き出し時の離型荷重を測定した。離型荷重は、上型・中型・下型とからなる離型時荷重評価用金型を用いて成形し、成形後に中型に付着した14.5mmΦで1.5mm厚の円形の成形品に、中型の上部の穴からプッシュブルゲージを当て、成形品を突き出した際にかかる荷重とした。続けて評価用材料を200ショット成形し、離型荷重のショットごとの変化を測定した。このとき初期の離型荷重に対して30%以上離型荷重が増大したショット数で表現した。200<は、200ショット以上で初期の離型荷重に対して30%以下の離型荷重であることを表現したものである。判定基準は150ショット未満を不合格、150ショット以上を合格とした。
成形品汚れ:金型離型回復樹脂組成物の使用直後に、成形した評価用材料の成形品表面の油浮きとを確認した。顕微鏡により観察し、製品表面に汚れが発生したものは×、汚れがないものは○と表現した。
実施例2〜6、比較例1〜6
表1、の配合に従い、実施例1と同様に樹脂組成物を作製し、実施例1と同様にして評価した結果を表1に示す。
実施例2で用いたビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX−4000)は、融点105℃、エポキシ当量195である。
実施例2で用いたフェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)製、XL−225)は、軟化点79℃、水酸基当量174である。
表1、の配合に従い、実施例1と同様に樹脂組成物を作製し、実施例1と同様にして評価した結果を表1に示す。
実施例2で用いたビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX−4000)は、融点105℃、エポキシ当量195である。
実施例2で用いたフェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)製、XL−225)は、軟化点79℃、水酸基当量174である。
本発明の半導体封止用金型離型回復樹脂組成物は少量でも離型性を回復することが可能であり、これを用いた後に成形された半導体装置には油浮きや汚れがなく、更に離型性を長く維持することができるので、半導体装置の生産性向上に寄与することができ、産業上有用である。
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004080346A JP2005264040A (ja) | 2004-03-19 | 2004-03-19 | 金型離型回復樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004080346A JP2005264040A (ja) | 2004-03-19 | 2004-03-19 | 金型離型回復樹脂組成物 |
Publications (1)
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JP2005264040A true JP2005264040A (ja) | 2005-09-29 |
Family
ID=35088914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004080346A Pending JP2005264040A (ja) | 2004-03-19 | 2004-03-19 | 金型離型回復樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005264040A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007197627A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nec Electronics Corp | 光半導体封止用透明エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体集積回路装置 |
-
2004
- 2004-03-19 JP JP2004080346A patent/JP2005264040A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007197627A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nec Electronics Corp | 光半導体封止用透明エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体集積回路装置 |
KR100858967B1 (ko) | 2006-01-30 | 2008-09-17 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 광반도체를 성형하기 위한 투명 에폭시 수지 조성물과 이것을 사용한 광반도체 집적회로장치 |
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