JP2002161189A - 金型離型回復樹脂組成物 - Google Patents
金型離型回復樹脂組成物Info
- Publication number
- JP2002161189A JP2002161189A JP2000358727A JP2000358727A JP2002161189A JP 2002161189 A JP2002161189 A JP 2002161189A JP 2000358727 A JP2000358727 A JP 2000358727A JP 2000358727 A JP2000358727 A JP 2000358727A JP 2002161189 A JP2002161189 A JP 2002161189A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- resin composition
- resin
- wax
- microcrystalline wax
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体封止用金型の離型回復性に優れた樹脂
組成物を提供すること。 【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）酸化マイクロクリスタリ
ンワックスと酸化ポリエチレンワックス及び／又は酸化
マイクロクリスタリンワックスと酸化ポリエチレンワッ
クスのウレタン化物及び（Ｅ）無機充填材からなること
を特徴とする半導体封止用金型離型回復樹脂組成物。
組成物を提供すること。 【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹
脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）酸化マイクロクリスタリ
ンワックスと酸化ポリエチレンワックス及び／又は酸化
マイクロクリスタリンワックスと酸化ポリエチレンワッ
クスのウレタン化物及び（Ｅ）無機充填材からなること
を特徴とする半導体封止用金型離型回復樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体封止用金型
離型回復樹脂組成物に関するものである。
離型回復樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化、軽量化、高性
能化の市場動向において、半導体素子の高集積化が年々
進み、又半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、
半導体封止用エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しい
ものとなってきている。この要求に対応する様々な樹脂
や添加剤が用いられた半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、連続成形時に金型汚れが発生し、金型取られ、未充
填等の成形不具合が起こりやすくなり、そのため定期的
に金型表面のクリーニングを行うことが通常となってき
ている。
能化の市場動向において、半導体素子の高集積化が年々
進み、又半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、
半導体封止用エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しい
ものとなってきている。この要求に対応する様々な樹脂
や添加剤が用いられた半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、連続成形時に金型汚れが発生し、金型取られ、未充
填等の成形不具合が起こりやすくなり、そのため定期的
に金型表面のクリーニングを行うことが通常となってき
ている。
【０００３】従来、半導体封止用金型のクリーニング材
は、アミノ系樹脂のような成形収縮率の大きい樹脂と結
晶破砕シリカ、ガラス繊維等の硬度の高い充填材等から
なり、このクリーニング材を用いて金型表面の汚れを削
り落とすというものが主体であった。クリーニング材を
使用した後は、金型表面が綺麗になる反面、金型表面の
離型剤も取り去られるため、クリーニングした直後に成
形された半導体装置は極端に離型性が悪くなるという問
題があった。そのためクリーニング材の使用後に、金型
離型回復樹脂組成物を用いて、金型表面に金型離型回復
樹脂組成物中の離型剤を移行させ、離型性を回復させる
必要がある。この金型離型回復樹脂組成物は、金型表面
に離型剤を移行させることにより速やかに離型性を回復
させるものである。従来、金型離型回復樹脂組成物とし
ては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進
剤、カルナバワックス、及びシリカ等の成分からなるも
のが用いられていたが、生産性向上等のため、より金型
離型回復性に優れた樹脂組成物が求められている。
は、アミノ系樹脂のような成形収縮率の大きい樹脂と結
晶破砕シリカ、ガラス繊維等の硬度の高い充填材等から
なり、このクリーニング材を用いて金型表面の汚れを削
り落とすというものが主体であった。クリーニング材を
使用した後は、金型表面が綺麗になる反面、金型表面の
離型剤も取り去られるため、クリーニングした直後に成
形された半導体装置は極端に離型性が悪くなるという問
題があった。そのためクリーニング材の使用後に、金型
離型回復樹脂組成物を用いて、金型表面に金型離型回復
樹脂組成物中の離型剤を移行させ、離型性を回復させる
必要がある。この金型離型回復樹脂組成物は、金型表面
に離型剤を移行させることにより速やかに離型性を回復
させるものである。従来、金型離型回復樹脂組成物とし
ては、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進
剤、カルナバワックス、及びシリカ等の成分からなるも
のが用いられていたが、生産性向上等のため、より金型
離型回復性に優れた樹脂組成物が求められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、金型離型回
復性に優れた半導体封止用金型離型回復樹脂組成物を提
供するものである。
復性に優れた半導体封止用金型離型回復樹脂組成物を提
供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）酸化マイクロクリスタリンワックスと酸化ポリエ
チレンワックス及び／又は酸化マイクロクリスタリンワ
ックスと酸化ポリエチレンワックスのウレタン化物、及
び（Ｅ）無機充填材からなることを特徴し、好ましくは
酸化マイクロクリスタリンワックスと酸化ポリエチレン
ワックス及び／又は酸化マイクロクリスタリンワックス
と酸化ポリエチレンワックスのウレタン化物が、全金型
離型回復樹脂組成物中に０．５〜１．５重量％含まれる
半導体封止用金型離型回復樹脂組成物である。
シ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）酸化マイクロクリスタリンワックスと酸化ポリエ
チレンワックス及び／又は酸化マイクロクリスタリンワ
ックスと酸化ポリエチレンワックスのウレタン化物、及
び（Ｅ）無機充填材からなることを特徴し、好ましくは
酸化マイクロクリスタリンワックスと酸化ポリエチレン
ワックス及び／又は酸化マイクロクリスタリンワックス
と酸化ポリエチレンワックスのウレタン化物が、全金型
離型回復樹脂組成物中に０．５〜１．５重量％含まれる
半導体封止用金型離型回復樹脂組成物である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明で用いられるエポキシ樹脂
としては、特に限定するものではないが、例えば、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラ
ルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ア
ルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリ
アジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性
フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独
でも混合して用いてもよい。
としては、特に限定するものではないが、例えば、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、
トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラ
ルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ア
ルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリ
アジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性
フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独
でも混合して用いてもよい。
【０００７】本発明で用いられるフェノール樹脂として
は、特に限定するものではないが、例えば、フェノール
ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトー
ルアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペ
ン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェ
ノール樹脂、フェニレン及び／又はジフェニレン骨格を
有するフェノールアラルキル樹脂等が挙げられ、これら
は単独でも混合して用いてもよい。エポキシ樹脂とフェ
ノール樹脂との配合割合は特に限定するものではない
が、エポキシ基／フェノール性水酸基比としては、０．
９〜１．２が好ましく、更に好ましくは０．９５〜１．
１５が望ましい。この範囲から大きく外れると、樹脂組
成物が充分に硬化せず離型性低下等の作業性の悪化が起
こるおそれがある。
は、特に限定するものではないが、例えば、フェノール
ノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトー
ルアラルキル樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペ
ン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェ
ノール樹脂、フェニレン及び／又はジフェニレン骨格を
有するフェノールアラルキル樹脂等が挙げられ、これら
は単独でも混合して用いてもよい。エポキシ樹脂とフェ
ノール樹脂との配合割合は特に限定するものではない
が、エポキシ基／フェノール性水酸基比としては、０．
９〜１．２が好ましく、更に好ましくは０．９５〜１．
１５が望ましい。この範囲から大きく外れると、樹脂組
成物が充分に硬化せず離型性低下等の作業性の悪化が起
こるおそれがある。
【０００８】本発明で用いられる硬化促進剤としては、
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒
となり得るものを指し、例えば、トリブチルアミン、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラ
フェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート塩等の
有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダ
ゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。又これらの硬化促進剤は単独でも混合して
用いてもよい。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒
となり得るものを指し、例えば、トリブチルアミン、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラ
フェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート塩等の
有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダ
ゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。又これらの硬化促進剤は単独でも混合して
用いてもよい。
【０００９】本発明で用いられる酸化マイクロクリスタ
リンワックスは、重油留分から得られるｎ−パラフィン
及び分岐炭化水素を含むマイクロクリスタリンワックス
を酸化することで得られ、カルボキシル基や水酸基を含
むものである。一般的に、ｎ−パラフィン及び分岐炭化
水素を含むマイクロクリスタリンワックスは、樹脂成分
との相溶性に乏しく、樹脂組成物の粘度が上昇し、更に
成形時に金型表面に過度に染み出し、金型離型回復効果
には優れるものの、離型性回復直後に成形した半導体装
置に油浮きや汚れが生じるという欠点がある。そこで酸
化マイクロクリスタリンワックスを用いると、樹脂成分
との適度な相溶性による半導体装置への油浮き、汚れの
防止と、更に流動性を付与でき、優れた金型離型回復性
を図ることができる。
リンワックスは、重油留分から得られるｎ−パラフィン
及び分岐炭化水素を含むマイクロクリスタリンワックス
を酸化することで得られ、カルボキシル基や水酸基を含
むものである。一般的に、ｎ−パラフィン及び分岐炭化
水素を含むマイクロクリスタリンワックスは、樹脂成分
との相溶性に乏しく、樹脂組成物の粘度が上昇し、更に
成形時に金型表面に過度に染み出し、金型離型回復効果
には優れるものの、離型性回復直後に成形した半導体装
置に油浮きや汚れが生じるという欠点がある。そこで酸
化マイクロクリスタリンワックスを用いると、樹脂成分
との適度な相溶性による半導体装置への油浮き、汚れの
防止と、更に流動性を付与でき、優れた金型離型回復性
を図ることができる。
【００１０】酸化ポリエチレンワックスは、エチレン重
合法やポリエチレンの熱分解物として得られるポリエチ
レンワックスを酸化することで得られ、カルボキシル基
や水酸基を含むものである。分子量１０００〜１０００
０程度のものが一般的である。分子量は特に限定するも
のではないが、離型回復樹脂組成物の低粘度化のために
は、低分子量のものを用いることが好ましい。一般的
に、ポリエチレンワックスは、融点が高く、樹脂成分と
の相溶性にも乏しく、成形時に金型表面に過度に染み出
し、離型性回復直後に成形した半導体装置に汚れが付着
するという欠点を有する。そこで酸化ポリエチレンワッ
クスを用いると、樹脂成分との適度な相溶性により、汚
れ防止を図ることができる。
合法やポリエチレンの熱分解物として得られるポリエチ
レンワックスを酸化することで得られ、カルボキシル基
や水酸基を含むものである。分子量１０００〜１０００
０程度のものが一般的である。分子量は特に限定するも
のではないが、離型回復樹脂組成物の低粘度化のために
は、低分子量のものを用いることが好ましい。一般的
に、ポリエチレンワックスは、融点が高く、樹脂成分と
の相溶性にも乏しく、成形時に金型表面に過度に染み出
し、離型性回復直後に成形した半導体装置に汚れが付着
するという欠点を有する。そこで酸化ポリエチレンワッ
クスを用いると、樹脂成分との適度な相溶性により、汚
れ防止を図ることができる。
【００１１】本発明では、更に前記の酸化マイクロクリ
スタリンワックス及び酸化ポリエチレンワックスのウレ
タン化物を用いることができる。これらは離型性回復直
後に成形した半導体装置への油浮き、汚れ防止と低粘度
化が図れ、離型性回復効果を発揮するものである。ウレ
タン化の方法は、特に限定するものではないが、例えば
メチレンジイソシアネート、トルエンジイソシアネート
等のイソシアネート類と、酸化マイクロクリスタリンワ
ックス及び酸化ポリエチレンワックスの水酸基、或いは
カルボキシル基とを反応させて行う。本発明では、酸化
マイクロクリスタリンワックスのウレタン化物と酸化ポ
リエチレンワックスのウレタン化物を用いても、或いは
酸化マイクロクリスタリンワックスと酸化ポリエチレン
ワックスとを予め混合して、ウレタン化物としたものを
離型剤として用いてもよい。ウレタン化の割合について
は、特に限定するものではないが、得られたワックス中
の窒素分で０．３〜５重量％程度の含有率が望ましい。
ウレタン化部分が多過ぎると、ワックス自体の粘度が上
昇し材料化が困難になる。ウレタン化部分が少な過ぎる
と樹脂成分と充分な相溶性が得られず、金型表面に過度
に染み出し、油浮きや汚れが発生するおそれがあり好ま
しくない。
スタリンワックス及び酸化ポリエチレンワックスのウレ
タン化物を用いることができる。これらは離型性回復直
後に成形した半導体装置への油浮き、汚れ防止と低粘度
化が図れ、離型性回復効果を発揮するものである。ウレ
タン化の方法は、特に限定するものではないが、例えば
メチレンジイソシアネート、トルエンジイソシアネート
等のイソシアネート類と、酸化マイクロクリスタリンワ
ックス及び酸化ポリエチレンワックスの水酸基、或いは
カルボキシル基とを反応させて行う。本発明では、酸化
マイクロクリスタリンワックスのウレタン化物と酸化ポ
リエチレンワックスのウレタン化物を用いても、或いは
酸化マイクロクリスタリンワックスと酸化ポリエチレン
ワックスとを予め混合して、ウレタン化物としたものを
離型剤として用いてもよい。ウレタン化の割合について
は、特に限定するものではないが、得られたワックス中
の窒素分で０．３〜５重量％程度の含有率が望ましい。
ウレタン化部分が多過ぎると、ワックス自体の粘度が上
昇し材料化が困難になる。ウレタン化部分が少な過ぎる
と樹脂成分と充分な相溶性が得られず、金型表面に過度
に染み出し、油浮きや汚れが発生するおそれがあり好ま
しくない。
【００１２】本発明で用いられる酸化マイクロクリスタ
リンワックスと酸化ポリエチレンワックス及び／又は酸
化マイクロクリスタリンワックスと酸化ポリエチレンワ
ックスのウレタン化物の添加量は、特に限定するもので
はないが全樹脂組成物中に０．１〜３重量％が好まし
く、更に好ましく０．５〜１．５重量％が望ましい。３
重量％を越えると金型に過度に染み出し、離型回復直後
の半導体装置に油浮きが生じるという問題がある。又
０．１重量％未満だと金型表面に離型剤が充分に移行せ
ず期待されるような離型性回復効果が得られないおそれ
がある。本発明で用いられる無機充填材としては、例え
ば溶融球状シリカ、結晶破砕シリカ等が挙げられる。
リンワックスと酸化ポリエチレンワックス及び／又は酸
化マイクロクリスタリンワックスと酸化ポリエチレンワ
ックスのウレタン化物の添加量は、特に限定するもので
はないが全樹脂組成物中に０．１〜３重量％が好まし
く、更に好ましく０．５〜１．５重量％が望ましい。３
重量％を越えると金型に過度に染み出し、離型回復直後
の半導体装置に油浮きが生じるという問題がある。又
０．１重量％未満だと金型表面に離型剤が充分に移行せ
ず期待されるような離型性回復効果が得られないおそれ
がある。本発明で用いられる無機充填材としては、例え
ば溶融球状シリカ、結晶破砕シリカ等が挙げられる。
【００１３】本発明の樹脂組成物には、（Ａ）〜（Ｅ）
成分の他に、必要に応じてカルナバワックス、ステアリ
ン酸、モンタン酸ワックスといった離型剤や、カップリ
ング剤、酸化防止剤、カーボンブラック等の着色剤等の
添加剤を用いてもよい。本発明の樹脂組成物は、各成分
をミキサー等を用いて混合後、加熱ニーダ、熱ロール、
押し出し機等を用いて加熱混練し、続いて冷却粉砕する
ことで得られる。
成分の他に、必要に応じてカルナバワックス、ステアリ
ン酸、モンタン酸ワックスといった離型剤や、カップリ
ング剤、酸化防止剤、カーボンブラック等の着色剤等の
添加剤を用いてもよい。本発明の樹脂組成物は、各成分
をミキサー等を用いて混合後、加熱ニーダ、熱ロール、
押し出し機等を用いて加熱混練し、続いて冷却粉砕する
ことで得られる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
配合割合は重量部とする。 実施例１ オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点６５℃、エポキシ当量 ２００） ２１．４重量部 フェノールノボラック樹脂（軟化点９１℃、水酸基当量１０５） １０．１重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ０．２重量部 球状溶融シリカ ６６．７重量部 酸化マイクロクリスタリンワックス（融点９０℃） ０．５重量部 酸化マイクロポリエチレンワックス（融点９２℃） ０．５重量部 カルナバワックス ０．３重量部 カーボンブラック ０．３重量部 をミキサーを用いて混合した後、表面温度が９５℃と２
５℃の２軸ロールを用いて２０回混練して得られたシー
トを冷却後粉砕し、樹脂組成物とした。得られた樹脂組
成物の特性を以下の方法で評価した。評価結果を表１に
示す。
配合割合は重量部とする。 実施例１ オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点６５℃、エポキシ当量 ２００） ２１．４重量部 フェノールノボラック樹脂（軟化点９１℃、水酸基当量１０５） １０．１重量部 １，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという ） ０．２重量部 球状溶融シリカ ６６．７重量部 酸化マイクロクリスタリンワックス（融点９０℃） ０．５重量部 酸化マイクロポリエチレンワックス（融点９２℃） ０．５重量部 カルナバワックス ０．３重量部 カーボンブラック ０．３重量部 をミキサーを用いて混合した後、表面温度が９５℃と２
５℃の２軸ロールを用いて２０回混練して得られたシー
トを冷却後粉砕し、樹脂組成物とした。得られた樹脂組
成物の特性を以下の方法で評価した。評価結果を表１に
示す。
【００１５】評価方法 スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイ
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で測定した。
単位はｃｍ。 離型回復性：金型表面をクリーニングするためのメラミ
ン樹脂系クリーニング材を用いて、離型時荷重評価用金
型で成形品を成形し、前記金型表面の離型剤成分を取り
除いた後、金型離型回復樹脂組成物を５回成形した後、
金型温度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時
間２分の成形条件で評価用材料をトランスファー成形
し、製品抜き出し時の離型荷重を測定した。単位はＮ。
離型時荷重評価用金型は、上型・中型・下型とからな
り、成形後に中型に付着した１４ｍｍΦで１．５ｍｍ厚
の円形の成形品に、中型の上部の穴からプッシュブルゲ
ージを当て、成形品を突き出した際にかかる荷重を測定
した。評価用材料としては、住友ベークライト（株）製
・半導体封止用エポキシ樹脂成形材料ＥＭＥ−７３５１
を用いた。 製品汚れ：金型離型回復樹脂組成物の使用直後に、成形
した評価用材料の成形品表面の油浮きと汚れ具合を確認
した。表面を拭いた時に拭き取れるものは油浮き、取れ
ないものは汚れと判定した。製品表面に汚れが発生した
ものは×、汚れはないが油浮きがあるものを△、いずれ
もないものは○と表現した。
ラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、
注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時間２分で測定した。
単位はｃｍ。 離型回復性：金型表面をクリーニングするためのメラミ
ン樹脂系クリーニング材を用いて、離型時荷重評価用金
型で成形品を成形し、前記金型表面の離型剤成分を取り
除いた後、金型離型回復樹脂組成物を５回成形した後、
金型温度１７５℃、注入圧力７０ｋｇ／ｃｍ2、硬化時
間２分の成形条件で評価用材料をトランスファー成形
し、製品抜き出し時の離型荷重を測定した。単位はＮ。
離型時荷重評価用金型は、上型・中型・下型とからな
り、成形後に中型に付着した１４ｍｍΦで１．５ｍｍ厚
の円形の成形品に、中型の上部の穴からプッシュブルゲ
ージを当て、成形品を突き出した際にかかる荷重を測定
した。評価用材料としては、住友ベークライト（株）製
・半導体封止用エポキシ樹脂成形材料ＥＭＥ−７３５１
を用いた。 製品汚れ：金型離型回復樹脂組成物の使用直後に、成形
した評価用材料の成形品表面の油浮きと汚れ具合を確認
した。表面を拭いた時に拭き取れるものは油浮き、取れ
ないものは汚れと判定した。製品表面に汚れが発生した
ものは×、汚れはないが油浮きがあるものを△、いずれ
もないものは○と表現した。
【００１６】実施例２〜５、比較例１〜５ 表１、表２の配合に従い、実施例１同様の組成物を得
た。実施例４、５、比較例４、５で用いたビフェニル型
エポキシ樹脂は、融点１０５℃、エポキシ当量１９５で
ある。実施例４、５、比較例４，５で用いたフェノール
アラルキル樹脂は、軟化点７２℃、水酸基当量１６５で
ある。実施例２、５のワックス１は、酸化マイクロクリ
スタリンワックス及び酸化ポリエチレンワックスの混合
物のトルエンジイソシアネート変性品（融点８９、酸価
１６、鹸化価６０） 実施例３のワックス２は、酸化マイクロクリスタリンワ
ックスと酸化ポリエチレンワックスの混合物のトルエン
ジイソシアネート変性品（融点８２、酸価１８、鹸化価
５０） 比較例１、４のマイクロクリスタリンワックスは、融点
９０℃、比較例１、２、５のポリエチレンワックスは、
融点９２℃である。
た。実施例４、５、比較例４、５で用いたビフェニル型
エポキシ樹脂は、融点１０５℃、エポキシ当量１９５で
ある。実施例４、５、比較例４，５で用いたフェノール
アラルキル樹脂は、軟化点７２℃、水酸基当量１６５で
ある。実施例２、５のワックス１は、酸化マイクロクリ
スタリンワックス及び酸化ポリエチレンワックスの混合
物のトルエンジイソシアネート変性品（融点８９、酸価
１６、鹸化価６０） 実施例３のワックス２は、酸化マイクロクリスタリンワ
ックスと酸化ポリエチレンワックスの混合物のトルエン
ジイソシアネート変性品（融点８２、酸価１８、鹸化価
５０） 比較例１、４のマイクロクリスタリンワックスは、融点
９０℃、比較例１、２、５のポリエチレンワックスは、
融点９２℃である。
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【発明の効果】本発明の半導体封止用金型離型回復樹脂
組成物を用いることにより、成形された半導体装置は油
浮きや汚れがなく、離型回復性に優れており生産性向上
に寄与する。
組成物を用いることにより、成形された半導体装置は油
浮きや汚れがなく、離型回復性に優れており生産性向上
に寄与する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｔ // Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｆターム(参考） 4F202 AA39 AD19 AH33 CA12 CB01 CB12 CM45 4J002 AE033 AE034 CC03X CC04X CC05X CD02W CD04W CD05W CD06W CD13W CE00X CK024 DJ017 EN026 EU096 EU116 EW016 EY016 FD017 FD090 FD14X FD156 FD160 GQ05 4J036 AC02 AC08 AC18 AD07 AD08 AD10 AE05 DC05 DC41 DC46 DD07 DD09 FA05 FB02 FB07 FB18 JA07 KA06 5F061 AA01 CA21 DA02 DC01 EA02
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）酸化マイクロクリスタ
リンワックスと酸化ポリエチレンワックス及び／又は酸
化マイクロクリスタリンワックスと酸化ポリエチレンワ
ックスのウレタン化物、及び（Ｅ）無機充填材からなる
ことを特徴とする半導体封止用金型離型回復樹脂組成
物。 - 【請求項２】 酸化マイクロクリスタリンワックスと酸
化ポリエチレンワックス及び／又は酸化マイクロクリス
タリンワックスと酸化ポリエチレンワックスのウレタン
化物が、全金型離型回復樹脂組成物中に０．５〜１．５
重量％含まれる請求項１記載の半導体封止用金型離型回
復樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000358727A JP2002161189A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 金型離型回復樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000358727A JP2002161189A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 金型離型回復樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002161189A true JP2002161189A (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=18830580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000358727A Pending JP2002161189A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 金型離型回復樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002161189A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002161190A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 金型離型回復樹脂組成物の製造方法 |
| JP2002249550A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002249549A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002265755A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 金型離型回復樹脂組成物の製造方法 |
| WO2015001998A1 (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | 住友ベークライト株式会社 | フェノール樹脂成形材料 |
-
2000
- 2000-11-27 JP JP2000358727A patent/JP2002161189A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002161190A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 金型離型回復樹脂組成物の製造方法 |
| JP2002249550A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002249549A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP4538971B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2010-09-08 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP4538972B2 (ja) * | 2001-02-26 | 2010-09-08 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002265755A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 金型離型回復樹脂組成物の製造方法 |
| JP4622123B2 (ja) * | 2001-03-09 | 2011-02-02 | 住友ベークライト株式会社 | 金型離型回復樹脂組成物の製造方法 |
| WO2015001998A1 (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | 住友ベークライト株式会社 | フェノール樹脂成形材料 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002161189A (ja) | 金型離型回復樹脂組成物 | |
| JP4788033B2 (ja) | 金型離型回復樹脂組成物の製造方法 | |
| US5416138A (en) | Epoxy resin composition | |
| JP5008222B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4710185B2 (ja) | 金型離型回復樹脂組成物の製造方法 | |
| JP2002161193A (ja) | 金型離型回復樹脂組成物 | |
| JP4590899B2 (ja) | 金型離型回復樹脂組成物及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4654550B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP4581455B2 (ja) | 金型離型回復樹脂組成物及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4765310B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2002265755A (ja) | 金型離型回復樹脂組成物の製造方法 | |
| JP2834460B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP4349054B2 (ja) | メディアカード封止用エポキシ樹脂組成物及びメディアカードシステム | |
| JP2006182803A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2005264040A (ja) | 金型離型回復樹脂組成物 | |
| JPH08176269A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2576701B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2004224849A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2947921B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2828784B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JP2001214030A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2703043B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2000309678A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH01113455A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPS6136771B2 (ja) |