JP2005263512A - Iii族窒化物の結晶成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 反応容器1内に設けられた融液保持容器2内に、アルカリ金属とIII族金属との混合融液3が収容されており、混合融液3をヒーター5によって加熱して、混合融液3中でIII族金属と窒素を反応させてIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長装置であって、窒素ガスに曝される部分が耐窒化性を有する物質または窒化物で形成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1の形態は、反応容器内に設けられた融液保持容器内に、アルカリ金属とIII族金属との混合融液が収容されており、混合融液をヒーターによって加熱して、混合融液中でIII族金属と窒素を反応させてIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長装置であって、窒素ガスに曝される部分が耐窒化性を有する物質または窒化物で形成されていることを特徴としている。
本発明の第2の形態は、反応容器内に設けられた融液保持容器内に、アルカリ金属とIII族金属との混合融液が収容されており、混合融液をヒーターによって加熱して、混合融液中でIII族金属と窒素を反応させてIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長装置であって、アルカリ金属蒸気もしくは窒素ガスに曝される部分が耐アルカリ金属性及び耐窒化性を有する物質で形成されていることを特徴としている。
本発明の第3の形態は、第1または第2の形態のIII族窒化物の結晶成長装置において、反応容器の内面は、Niで形成されていることを特徴としている。
本発明の第4の形態は、第1乃至第3のいずれかの形態のIII族窒化物の結晶成長装置において、ヒーターは、材質がパーマロイであることを特徴としている。
2 融液保持容器
3 混合融液
5 ヒーター
6 導入管
7 インナーチャンバー
Claims (4)
- 反応容器内に設けられた融液保持容器内に、アルカリ金属とIII族金属との混合融液が収容されており、混合融液をヒーターによって加熱して、混合融液中でIII族金属と窒素を反応させてIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長装置であって、窒素ガスに曝される部分が耐窒化性を有する物質または窒化物で形成されていることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長装置。
- 反応容器内に設けられた融液保持容器内に、アルカリ金属とIII族金属との混合融液が収容されており、混合融液をヒーターによって加熱して、混合融液中でIII族金属と窒素を反応させてIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長装置であって、アルカリ金属蒸気もしくは窒素ガスに曝される部分が耐アルカリ金属性及び耐窒化性を有する物質で形成されていることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長装置。
- 請求項1または請求項2記載のIII族窒化物の結晶成長装置において、反応容器の内面は、Niで形成されていることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のIII族窒化物の結晶成長装置において、ヒーターは、材質がパーマロイであることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長装置。
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JP2004074213A JP2005263512A (ja) | 2004-03-16 | 2004-03-16 | Iii族窒化物の結晶成長装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008297152A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体製造装置 |
JP2012072060A (ja) * | 2007-03-07 | 2012-04-12 | Ricoh Co Ltd | 結晶製造方法 |
-
2004
- 2004-03-16 JP JP2004074213A patent/JP2005263512A/ja active Pending
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JP2008297152A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体製造装置 |
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