JP2008222492A - 窒化ガリウム単結晶育成用融液組成物および窒化ガリウム単結晶を育成する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化ガリウム単結晶をフラックス法によって育成するために、ガリウム、ナトリウム、バリウムおよびリチウムを含有させた融液組成物を使用する。原料であるガリウムを除いたその組成比は、ナトリウムの量を100mol%としたとき、バリウムとリチウムとの合計量を0.02〜1.0mol%とする。
【選択図】なし
Description
Cs, Fr)-B(Ca, Sr, Ba, Ra)系の組成を有する融液を用いてフラックス法によってGaN単結晶を育成することが特許文献1に開示されている。ただし、ここで、A群の元素とB群の少なくとも一方の中から1個以上の元素を選択する。
Cs, Fr)-B(Ca, Sr, Ba, Ra) 系の組成を有する融液を用いてフラックス法によってGaN単結晶を育成することが特許文献2に開示されている。ただし、ここで、A群の元素とB群の少なくとも一方の中から1個以上の元素を選択する。
Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003)L565.
2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会予稿集I、7a-X-7
特許文献3では、ガリウムおよびバリウムを含有する融液を使用したGaN単結晶の育成は試みられているが、結晶からの発光については記載がなく、予測もできない。
mol%以下であることが好ましく、0.6mol%以下であることが更に好ましい。
金属ナトリウム0.88g(0.038モル)、金属ガリウム1g(0.014モル)(金属ナトリウム100モル%に対して37mol%)、金属リチウム(Na100mol%に対して0.5mol%)をグローブボックス内で秤量した。この原料を、内径φ17mmのアルミナ製ルツボ育成容器に充填した。この際、ルツボ育成容器の底部に種結晶基板を設置した。種結晶基板として、10mm角のGaNテンプレート基板を用いた。ルツボ育成容器の底に、テンプレートの単結晶薄膜が上向きとなるように基板を水平に配置した。
比較例1と同様にしてGaN単結晶を育成した。ただし、前記融液に対して、金属バリウムも添加した(Na100mol%に対してBa0.27mol%)。また、金属リチウムの量は、Na100mol%に対してLiを0.25mol%添加した。得られたGaN単結晶は、ほぼテンプレートと同じ形状であり、1周り大きくなっており、約11mm×11mm、厚さは約0.8mmであった。色はほとんど無色透明であった。クラックや雑晶の取り込みは見られなかった。この写真を図4に示す。
比較例1と同様にしてGaN単結晶を育成した。ただし、Liは添加せず、SrをNa100mol%に対して0.27mol%添加した。得られたGaN単結晶は、ほぼテンプレートと同じ形状であり、1周り大きくなっており、約11mm×11mm、厚さは約0.7mmであった。色は大部分は灰色を呈しており、エッジ部分は茶色く着色していた。クラックや雑晶の取り込みは見られなかった。この写真を図6に示す。
比較例1と同様にしてGaN単結晶を育成した。ただし、Liを添加せず、CaをNa100mol%に対して0.1mol%添加した。得られたGaN単結晶は、ほぼテンプレートと同じ形状であり、1周り大きくなっていた。厚さは約0.6mmであった。色は大部分は濃い灰色を呈していたが透明であった。クラックや雑晶の取り込みは見られなかった。この写真を図8に示す。
Claims (5)
- 窒化ガリウム単結晶をフラックス法によって育成するための融液組成物であって、
ガリウム、ナトリウム、バリウムおよびリチウムを含有することを特徴とする、融液組成物。 - ナトリウムの量を100mol%としたときのバリウムとリチウムとの合計量が0.02〜1.0mol%であることを特徴とする、請求項1記載の融液組成物。
- ナトリウムの量を100mol%としたときのバリウムの量が0.01〜0.5mol%であることを特徴とする、請求項1または2記載の融液組成物。
- ナトリウムの量を100mol%としたときのリチウムの量が0.01〜0.5mol%であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の融液組成物。
- 請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の融液組成物からフラックス法によって窒化ガリウム単結晶を育成する方法。
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