JP2005252240A

JP2005252240A - Vertical cavity surface emitting semiconductor laser device

Info

Publication number: JP2005252240A
Application number: JP2005020968A
Authority: JP
Inventors: Ryoji Ishii; 亮次石井; Hideo Nakayama; 秀生中山; Yasuaki Kuwata; 靖章桑田; Hiroki Otoma; 広己乙間
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 2004-02-04
Filing date: 2005-01-28
Publication date: 2005-09-15
Anticipated expiration: 2025-01-28
Also published as: JP4815812B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical-cavity surface-emitting laser diode capable of protecting an internal device from high voltage such as ESD. <P>SOLUTION: A VCSEL (vertical cavity surface emitting semiconductor laser) 10 containing a mesa of a selective oxidation type has; a substrate 100; a first mesa 20 which is formed on the substrate 100, and contains at least one mesa that emits laser beams; and has a second mesa 30 which is formed on the substrate 100, and contains at least one mesa that suppresses the emission of the laser beams. The provision of the second mesa allows an oxidization aperture area to be increased to enhance resistance to ESD. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、面発光型半導体レーザ（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser diode 以下ＶＣＳＥＬという）に関し、特にＶＣＳＥＬの静電破壊電圧の向上に関する。 The present invention relates to a surface-emitting semiconductor laser (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser diode, hereinafter referred to as a VCSEL), and more particularly to an improvement in the electrostatic breakdown voltage of the VCSEL.

ＶＣＳＥＬは、しきい値電流が低く、消費電力が小さい、円形の光スポットが容易に得られる、光源の二次元アレイ化が可能であるなどの優れた特徴を持ち、光通信機器や電子機器等の光源としての利用が期待されている。 VCSEL has excellent features such as low threshold current, low power consumption, easy circular light spot, and two-dimensional array of light sources. Optical communication equipment, electronic equipment, etc. It is expected to be used as a light source.

ＶＣＳＥＬは、他の半導体装置と同様に、回路基板等への実装時に、静電気等の高電圧に晒されることがある。素子内部に静電放電（Electrostatic discharge 以下ＥＳＤという）が生じると、瞬時に大きなスパイク電流が流れるため、素子の破壊または劣化が生じ、正常な動作を行い得ない故障の原因となる。こうした問題に対処するべくいくつかの報告がなされている。 As with other semiconductor devices, the VCSEL may be exposed to high voltage such as static electricity when mounted on a circuit board or the like. When an electrostatic discharge (hereinafter referred to as ESD) occurs inside the element, a large spike current flows instantaneously, causing destruction or deterioration of the element and causing a failure that prevents normal operation. Several reports have been made to address these issues.

特許文献１は、耐圧が大きい半導体レーザ装置を提供するものであり、半導体レーザ装置のＧａＡｓ基板の面方位を（１００）から（０１−１）方向に５°傾けることにより、端面破壊光出力よりも低い光出力で光導波モードを変形させ、端面破壊に至る電流値を上昇させている。 Patent Document 1 provides a semiconductor laser device having a high withstand voltage. By tilting the surface orientation of the GaAs substrate of the semiconductor laser device by 5 ° from the (100) direction to the (01-1) direction, the output from the end face breaking light output is disclosed. However, the optical waveguide mode is deformed with a low light output, and the current value leading to the end face destruction is increased.

特許文献２は、半導体発光素子、特に窒化ガリウム系化合物半導体における逆方向の耐圧が５０Ｖ、順方向の耐圧が１５０Ｖと小さいことに鑑み、発光素子とは別個に保護素子を設けるものである。保護素子としては、例えばツエナーダイオードやトランジスタを用い、これにより発光素子に印加され得る逆方向電圧や動作電圧以上の順方向電圧を短絡またはショートさせている。 In Patent Document 2, a protective element is provided separately from a light emitting element in view of the fact that a semiconductor light emitting element, particularly a gallium nitride compound semiconductor, has a low withstand voltage of 50 V and a forward withstand voltage of 150 V. As the protective element, for example, a Zener diode or a transistor is used, whereby a reverse voltage that can be applied to the light emitting element or a forward voltage that is higher than the operating voltage is short-circuited or short-circuited.

さらに非特許文献１は、選択酸化型ＶＣＳＥＬの信頼性についての研究報告であり、ＥＳＤによる破壊耐圧と酸化アパーチャーとの関係を説明している。ここでは、ＥＳＤの破壊を、米国ＭＩＬ規格の人体モデルでテストし、５−２０μｍの酸化アパーチャー径をサンプルとして使用している。ＶＣＳＥＬに対して順方向と逆方向のパルス電圧を印加し、光出力が−２ｄＢ変化したときに、破壊もしくは故障と定義している。非特許文献１の図９にはＥＳＤ破壊のテスト結果が示されている。この結果によれば、ＥＳＤ破壊は酸化アパーチャー径もしくは面積の関数であることが予想され、酸化アパーチャー径が大きくなるにつれて、ＥＳＤ破壊電圧が高くなっている。 Furthermore, Non-Patent Document 1 is a research report on the reliability of the selective oxidation type VCSEL, and explains the relationship between the breakdown voltage due to ESD and the oxidation aperture. Here, ESD destruction was tested with a human body model of the US MIL standard, and an oxidized aperture diameter of 5-20 μm was used as a sample. When a pulse voltage in the forward direction and the reverse direction is applied to the VCSEL and the optical output changes by -2 dB, it is defined as a breakdown or failure. FIG. 9 of Non-Patent Document 1 shows a test result of ESD destruction. According to this result, ESD breakdown is expected to be a function of the oxidized aperture diameter or area, and the ESD breakdown voltage increases as the oxidized aperture diameter increases.

特開平５−２４３６６６号JP-A-5-243666 特開平１１−１１２０２６JP-A-11-112026 Robby M, Hawkings et al, Reliability of Various Size Oxide Aperture VCSELs, Honeywell, ２００２年Robby M, Hawkings et al, Reliability of Various Size Oxide Aperture VCSELs, Honeywell, 2002

上記特許文献１に示される基板の面方位を傾ける方法は、端面レーザ特有の静電破壊の防止策であり、垂直共振器型のＶＣＳＥＬにおいて必ずしも有効ではない。また、特許文献２に示される保護素子は、発光素子内において静電耐圧を向上させるものではないため、レーザ装置を構成する素子数が増加し、コスト高となってしまう。 The method of inclining the plane orientation of the substrate described in Patent Document 1 is a measure for preventing electrostatic breakdown peculiar to the end face laser, and is not necessarily effective in a vertical resonator type VCSEL. In addition, since the protective element disclosed in Patent Document 2 does not improve the electrostatic withstand voltage in the light emitting element, the number of elements constituting the laser device increases and the cost increases.

さらに、非特許文献１に示されるように、ＥＳＤ耐圧が酸化アパーチャー径に比例して高くなることが示唆されているが、酸化アパーチャー径を単純に大きくしただけでは、所望のレーザ基本特性を得ることができない。特に、シングルモードのＶＣＳＥＬでは、酸化アパーチャー径を小さくする傾向にあり、これはＥＳＤ耐圧を下げることに他ならない。 Furthermore, as shown in Non-Patent Document 1, it has been suggested that the ESD withstand voltage increases in proportion to the oxidized aperture diameter, but a desired laser basic characteristic can be obtained by simply increasing the oxidized aperture diameter. I can't. In particular, single mode VCSELs tend to reduce the oxidation aperture diameter, which is nothing but lowering the ESD withstand voltage.

本発明は、上記従来技術の課題を解決し、レーザ基本特性を満足しつつ、ＥＳＤ等の高電圧から内部素子を保護することが可能な面発光型半導体レーザを提供することを目的とする。
本発明はさらに、従来と比較してＥＳＤ耐圧が改善された面発光型半導体レーザを提供することを目的とする。
本発明はさらに、ＥＳＤ耐圧を向上させるとともに偏光制御の機能を併せ持つ構造の面発光型半導体レーザを提供することを目的とする。
本発明はさらに、ＥＳＤ耐圧が改善された、信頼性の高い光送信装置、光空間伝送装置、光空間伝送システム、光伝送装置および光伝送システムを提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-described problems of the prior art and to provide a surface emitting semiconductor laser capable of protecting an internal element from a high voltage such as ESD while satisfying basic laser characteristics.
A further object of the present invention is to provide a surface emitting semiconductor laser having an improved ESD withstand voltage as compared with the prior art.
Another object of the present invention is to provide a surface emitting semiconductor laser having a structure that improves the ESD withstand voltage and also has a polarization control function.
Another object of the present invention is to provide a highly reliable optical transmission device, optical space transmission device, optical space transmission system, optical transmission device, and optical transmission system with improved ESD withstand voltage.

本発明に係る選択酸化型のメサを含む面発光型半導体レーザは、基板と、前記基板上に形成され、レーザ光を出射する少なくとも１つのメサを含む第１のメサと、前記基板上に形成され、レーザ光の出射を抑制する少なくとも１つのメサを含む第２のメサとを有する。 A surface-emitting semiconductor laser including a selective oxidation type mesa according to the present invention is formed on a substrate, a first mesa formed on the substrate and including at least one mesa that emits laser light, and the substrate. And a second mesa including at least one mesa that suppresses emission of the laser light.

好ましくは、第１、第２のメサは、メサ頂部に形成された金属層とを含み、第１のメサの金属層にはレーザ光を出射するための開口が形成され、第２のメサの金属層はレーザ光の出射を遮蔽する。すなわち、第２のメサの金属層には、開口が形成されていない。 Preferably, the first and second mesas include a metal layer formed on the top of the mesa, and an opening for emitting laser light is formed in the metal layer of the first mesa. The metal layer shields the emission of laser light. That is, no opening is formed in the metal layer of the second mesa.

金属層は、好ましくは、メサ頂部から電流を注入するための金属電極（ｐ側電極層）であり、第１、第２のメサの金属電極は互いに接続されている。 The metal layer is preferably a metal electrode (p-side electrode layer) for injecting current from the top of the mesa, and the metal electrodes of the first and second mesas are connected to each other.

第１、第２のメサは、メサ内部に電流狭窄層を含み、当該電流狭窄層は、酸化領域と該酸化領域によって囲まれた酸化アパーチャーとを含んでいる。好ましくは、第２のメサの酸化アパーチャーの径が第１のメサの酸化アパーチャーの径よりも大きい。さらに、第２のメサの酸化アパーチャーの面積が第１のメサの酸化アパーチャーの面積よりも大きくてもよい。第２のメサが複数のメサを含んでいるとき、各メサの酸化アパーチャーの面積の総和が第１のメサの酸化アパーチャーの面積よりも大きい。 The first and second mesas include a current confinement layer inside the mesa, and the current confinement layer includes an oxidized region and an oxidized aperture surrounded by the oxidized region. Preferably, the diameter of the oxidized aperture of the second mesa is larger than the diameter of the oxidized aperture of the first mesa. Further, the area of the oxidized aperture of the second mesa may be larger than the area of the oxidized aperture of the first mesa. When the second mesa includes a plurality of mesas, the total area of the oxidized apertures of each mesa is larger than the area of the oxidized apertures of the first mesa.

第１のメサは、電流狭窄層の酸化アパーチャー径を小さくし、シングルモードのレーザ光を出射することができる。従来では、シングルモードを出射するために、その酸化アパーチャー径を小さくすることで、ＥＳＤ耐圧も小さくなっていたが、本発明では第２のメサにより実質的に酸化アパーチャー径が増加するため、レーザの基本特性を失うことなくＥＳＤ耐圧を高くすることができる。 The first mesa can reduce the oxidation aperture diameter of the current confinement layer and emit a single mode laser beam. Conventionally, in order to emit a single mode, by reducing the oxidation aperture diameter, the ESD withstand voltage is also reduced. However, in the present invention, the oxidation aperture diameter is substantially increased by the second mesa. The ESD withstand voltage can be increased without losing the basic characteristics.

さらに第２のメサが複数のメサを含んでいるとき、当該複数のメサは第１のメサの周囲にかつ第１のメサからほぼ等しい距離に位置するようにする。また複数のメサは、第１のメサを中心に放射状に配置され、あるいは第１のメサの中心に関し回転対称に配置される。 Further, when the second mesa includes a plurality of mesas, the plurality of mesas are positioned around the first mesa and at an approximately equal distance from the first mesa. The plurality of mesas are arranged radially about the first mesa, or are arranged rotationally symmetrically about the center of the first mesa.

さらに本発明に係る選択酸化型のメサを有する面発光型半導体レーザは、基板と、基板上に形成された少なくとも１つのメサと、少なくとも１つのメサ内に形成された少なくとも２つ以上の電流経路とを含み、少なくとも２つ以上の電流経路の内の少なくとも１つはレーザ光を放出する第１の部位にあり、かつ少なくとも１つの電流経路はレーザ光を放出しない第２の部位にある。 Furthermore, a surface emitting semiconductor laser having a selectively oxidized mesa according to the present invention includes a substrate, at least one mesa formed on the substrate, and at least two current paths formed in the at least one mesa. Wherein at least one of the at least two or more current paths is in a first portion that emits laser light and at least one current path is in a second portion that does not emit laser light.

好ましくは、第１の部位は、第１の活性領域と、メサ頂部に形成され第１の活性領域に電流を注入する第１の金属層とを含み、第２の部位は、第２の活性領域と、メサ頂部に形成され第２の活性領域に電流を注入する第２の金属層とを含む。第１の金属層にはレーザ光を放出するための開口が形成されているが、第２の金属層はレーザ光を遮蔽する。第１、第２の金属層は、第１、第２の部位へ電流を注入するための電極層であってもよい。 Preferably, the first portion includes a first active region and a first metal layer formed at the top of the mesa and injecting current into the first active region, and the second portion includes the second active region. A region and a second metal layer formed at the top of the mesa and injecting current into the second active region. An opening for emitting laser light is formed in the first metal layer, but the second metal layer shields the laser light. The first and second metal layers may be electrode layers for injecting current into the first and second portions.

第１の部位と第２の部位とは、架橋メサ部によって連結され、第１、第２の部位および架橋メサ部は、モノリシックなメサ内に形成することができる。架橋メサ部は酸化領域を含むが、当該酸化領域は完全に酸化されていなくともよい。例えば、酸化領域としてＡｌＡｓ層を用いる場合、ＡｌＡｓ層が完全に酸化されていなくとも、すなわち、ＡｌＡｓ層は一部に酸化領域を含み、酸化されていない領域を含むものであってもよい。第１、第２の部位の各活性領域は、酸化領域によって分離されるが、第１、第２の活性領域は電気的に絶縁されていない構造であってもよい。 The first portion and the second portion are connected by a cross-linked mesa portion, and the first and second portions and the cross-linked mesa portion can be formed in a monolithic mesa. The crosslinked mesa portion includes an oxidized region, but the oxidized region may not be completely oxidized. For example, when an AlAs layer is used as the oxidized region, the AlAs layer may not be completely oxidized, that is, the AlAs layer may include an oxidized region in part and an unoxidized region. The active regions of the first and second sites are separated by the oxidized region, but the first and second active regions may be not electrically insulated.

さらに好ましくは、架橋メサ部は、基板方位（１１０）または（１−１０）方向に延在する。架橋メサ部を上記の基板方位と合わせることで、屈折率および歪応力に異方性が生じ、放出されるレーザ光の偏光モードを安定化させることができる。 More preferably, the crosslinked mesa portion extends in the substrate orientation (110) or (1-10) direction. By aligning the cross-linked mesa portion with the above-mentioned substrate orientation, anisotropy occurs in the refractive index and strain stress, and the polarization mode of the emitted laser light can be stabilized.

さらに本発明に係るモジュールは、面発光型半導体レーザが形成された半導体チップを実装する。実装は、例えばステム上に固定された半導体素子を中空のキャップにより封止したり、光透過の樹脂により封止することができる。さらに、キャップには、ボールレンズ等を取り付け、放出されたレーザ光を集光するようにしてもよい。 Furthermore, a module according to the present invention mounts a semiconductor chip on which a surface emitting semiconductor laser is formed. For example, the semiconductor element fixed on the stem can be sealed with a hollow cap or can be sealed with a light-transmitting resin. Further, a ball lens or the like may be attached to the cap to collect the emitted laser light.

さらに本発明に係る光送信装置および光送信システムは、モジュールと、モジュールから発せられたレーザ光を送信する送信手段とを備える。送信手段としては、例えば、光ファイバを用いることができる。光送信装置は、光ファイバから送信された光信号を受信する機能を含むものであってもよい。 Furthermore, the optical transmission device and the optical transmission system according to the present invention include a module and a transmission unit that transmits laser light emitted from the module. As the transmission means, for example, an optical fiber can be used. The optical transmission device may include a function of receiving an optical signal transmitted from an optical fiber.

さらに本発明に係る光空間伝送装置および光空間伝送システムは、モジュールと、モジュールから発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備える。伝送手段として、例えば、回転楕円鏡のような反射ミラーを用いることができる。 Furthermore, an optical space transmission device and an optical space transmission system according to the present invention include a module and a transmission unit that spatially transmits light emitted from the module. As the transmission means, for example, a reflection mirror such as a spheroid mirror can be used.

本発明に係る面発光型半導体レーザによれば、レーザ光を出射する第１のメサに加えて、電流経路を有するがレーザ光を出射しない第２のメサを基板上に形成したので、全体としての酸化アパーチャーの径または面積を増加させることができ、その結果、面発光型半導体レーザのＥＳＤ等に対する耐圧を向上させることができる。同様に、少なくとも１つのメサ内に、少なくとも２つの電流経路を形成し、少なくとも１つの電流経路をレーザ光を放出する第１の部位に配し、少なくとも１つの電流経路をレーザ光を遮蔽する第２の部位に配するようにしたので、電流経路の面積を増加させ、ＥＳＤ等の耐圧を向上させることができる。また、メサの第１、第２の部位を連結する架橋メサ部を基板方位と合わせることで、放出されるレーザ光の偏光制御を行うことができる。 According to the surface emitting semiconductor laser of the present invention, in addition to the first mesa that emits laser light, the second mesa that has a current path but does not emit laser light is formed on the substrate. As a result, the withstand voltage against ESD or the like of the surface emitting semiconductor laser can be improved. Similarly, at least two current paths are formed in the at least one mesa, the at least one current path is disposed at a first portion that emits laser light, and at least one current path is shielded from the laser light. Since it is arranged in the second part, the area of the current path can be increased and the breakdown voltage such as ESD can be improved. In addition, the polarization of the emitted laser light can be controlled by aligning the bridging mesa portion connecting the first and second portions of the mesa with the substrate orientation.

以下、本発明の最良の実施の形態について図面を参照して説明する。本発明に係る面発光型半導体レーザは、好ましくは選択酸化型のメサを有するＶＣＳＥＬによって構成される。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. The surface emitting semiconductor laser according to the present invention is preferably constituted by a VCSEL having a selective oxidation type mesa.

図１は、本発明の第１の実施例に係るＶＣＳＥＬを示し、図１(ａ)は模式的な平面図、図１（ｂ）はそのＸ−Ｘ線断面矢視図である。本実施例に係るＶＣＳＥＬ１０は、レーザ光を出射するためのメサ２０（第１のメサ）と、レーザ光を出射しないメサ３０（第２のメサ）とを同一の基板上に形成している。このようなレーザ光を出射させない、いわゆるダミーとして機能するメサ３０を形成することで、実質的にＶＣＳＥＬの酸化アパーチャーの面積を増加させることができ、その結果、ＥＳＤ耐圧を高くすることができる。他方、メサ２０から出射されるレーザ光の酸化アパーチャーの面積を、例えばシングルモード用に小さくすることも可能であり、レーザ基本特性を何ら低減させることがない。 1A and 1B show a VCSEL according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a schematic plan view, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line XX. In the VCSEL 10 according to the present embodiment, a mesa 20 (first mesa) for emitting laser light and a mesa 30 (second mesa) that does not emit laser light are formed on the same substrate. By forming the mesa 30 that does not emit such laser light and functions as a so-called dummy, the area of the oxidation aperture of the VCSEL can be substantially increased, and as a result, the ESD withstand voltage can be increased. On the other hand, the area of the oxidation aperture of the laser light emitted from the mesa 20 can be reduced, for example, for single mode, and the basic laser characteristics are not reduced at all.

同図に示すように、ＶＣＳＥＬ１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１００上に、ｎ型のバッファ層１０２、ｎ型の下部ＤＢＲ(Distributed Bragg Reflector:分布ブラック型反射鏡)ミラー層１０３、アンドープの下部スペーサ層１０４とアンドープの量子井戸活性層１０５とアンドープの上部スペーサ層１０６とを含む活性領域１０７、ｐ型の上部ＤＢＲミラー層１０８、及びｐ型のコンタクト層１０９を順次積層して構成される。基板上の半導体層を異方性エッチングすることで２つのメサ２０、３０を同時に形成することができる。メサ２０、３０はそれぞれ円筒状を有し、その外形は同一サイズである。 As shown in the figure, the VCSEL 10 includes an n-type buffer layer 102, an n-type lower DBR (Distributed Bragg Reflector) mirror layer 103, an undoped lower spacer on an n-type GaAs substrate 100. The active region 107 including the layer 104, the undoped quantum well active layer 105, and the undoped upper spacer layer 106, the p-type upper DBR mirror layer 108, and the p-type contact layer 109 are sequentially stacked. Two mesas 20 and 30 can be formed simultaneously by anisotropically etching the semiconductor layer on the substrate. Each of the mesas 20 and 30 has a cylindrical shape, and the outer shape thereof is the same size.

メサ２０、３０は、上部ＤＢＲミラー層１０８の最下層に、ｐ型のＡｌＡｓ層１１０を有する。ＡｌＡｓ層１１０は、メサ２０、３０の側面から一部が酸化された酸化領域１１１と、酸化領域１１１によって囲まれた円形状の酸化アパーチャー（導電領域）１１２とを有する。ＡｌＡｓ層１１０は、酸化領域１１１によって光の閉じ込めおよび電流狭窄を行い、電流狭窄層として働く。 The mesas 20 and 30 have a p-type AlAs layer 110 in the lowermost layer of the upper DBR mirror layer 108. The AlAs layer 110 includes an oxidized region 111 partially oxidized from the side surfaces of the mesas 20 and 30 and a circular oxidized aperture (conductive region) 112 surrounded by the oxidized region 111. The AlAs layer 110 performs light confinement and current confinement by the oxidized region 111 and functions as a current confinement layer.

メサ２０、３０の側壁および上面は、層間絶縁膜１１３によって覆われる。層間絶縁膜１１３には、メサの一部であるコンタクト層１０９を露出するためのコンタクトホール１１４が形成されている。メサ２０において、層間絶縁膜１１３上にｐ側電極層１１５ａが形成され、ｐ側電極層１１５ａがコンタクトホール１１４を介してコンタクト層１０９にオーミック接続される。ｐ側電極層１１５ａの中央には、レーザ光を出射するためのレーザ出射窓１１６ａが形成されている。 The sidewalls and upper surfaces of the mesas 20 and 30 are covered with an interlayer insulating film 113. In the interlayer insulating film 113, a contact hole 114 for exposing the contact layer 109 which is a part of the mesa is formed. In the mesa 20, a p-side electrode layer 115 a is formed on the interlayer insulating film 113, and the p-side electrode layer 115 a is ohmically connected to the contact layer 109 through the contact hole 114. A laser emission window 116a for emitting laser light is formed in the center of the p-side electrode layer 115a.

一方、メサ３０において、層間絶縁膜１１３上にｐ側電極層１１５ｂが形成され、ｐ側電極層１１５ｂがコンタクトホール１１４を介してコンタクト層１０９にオーミック接続される。メサ２０と異なり、ｐ側電極層１１５ｂにはレーザ出射窓は形成されていない。従って、メサ３０には電流が注入されレーザ発振が生じるが、レーザ光はメサ３０の頂部から出射されない。ｐ側電極層１１５ｂは、メサ底部において金属層１１５ｃによってｐ側電極層１１５ａと接続される。金属層１１５ｃは、後述するようにｐ側電極層１１５ａ、１１５ｂをパターンニングするときに同時に形成される。ｐ側電極層１１５ａ、１１５ｂは、図示されない電極パッド（図中省略）に電気的に接続されている。一方、基板１００の裏面には、メサ２０、３０に共通にｎ側電極１１７が形成されている。 On the other hand, in mesa 30, p-side electrode layer 115 b is formed on interlayer insulating film 113, and p-side electrode layer 115 b is ohmically connected to contact layer 109 through contact hole 114. Unlike the mesa 20, no laser exit window is formed in the p-side electrode layer 115b. Therefore, although current is injected into the mesa 30 and laser oscillation occurs, the laser beam is not emitted from the top of the mesa 30. The p-side electrode layer 115b is connected to the p-side electrode layer 115a by the metal layer 115c at the mesa bottom. The metal layer 115c is formed simultaneously with patterning the p-side electrode layers 115a and 115b as will be described later. The p-side electrode layers 115a and 115b are electrically connected to electrode pads (not shown) that are not shown. On the other hand, an n-side electrode 117 is formed on the back surface of the substrate 100 in common with the mesas 20 and 30.

下部ＤＢＲミラー層１０３は、ｎ型のＡｌ_0.9Ｇａ_0.1Ａｓ層とｎ型のＡｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ層との複数層積層体で、各層の厚さはλ／４ｎ_ｒ（但し、λは発振波長、ｎ_ｒは媒質の屈折率）であり、これらを交互に４０．５周期で積層してある。ｎ型不純物であるシリコンをドーピングした後のキャリア濃度は３×１０¹⁸ｃｍ^-3である。 The lower DBR mirror layer 103 is a multi-layer stack of an n-type Al _0.9 Ga _0.1 As layer and an n-type Al _0.3 Ga _0.7 As layer, and the thickness of each layer is λ / 4n _r (where λ is the oscillation wavelength) , N _r are the refractive index of the medium), and these are alternately stacked in a 40.5 period. The carrier concentration after doping silicon, which is an n-type impurity, is 3 × 10 ¹⁸ cm ⁻³ .

活性領域１０７の下部スペーサ層１０４は、アンドープのＡｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ層であり、量子井戸活性層１０５は、アンドープＡｌ_0.１１Ｇａ_0.８９Ａｓ量子井戸層およびアンドープのＡｌ_0.３Ｇａ_0.７Ａｓ障壁層を含む。上部スペーサ層１０６は、アンドープのＡｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ層である。 The lower spacer layer 104 in the active region 107 is an undoped Al _0.6 Ga _0.4 As layer, and the quantum well active layer 105 is an undoped Al _0.11 Ga _0.89 As quantum well layer and an undoped Al _0.3 Ga ₀ layer. _.7 including an As barrier layer. The upper spacer layer 106 is an undoped Al _0.6 Ga _0.4 As layer.

上部ＤＢＲミラー層１０８は、ｐ型のＡｌ_0.9Ｇａ_0.1Ａｓ層とｐ型のＡｌ_0.3Ｇａ_0.7Ａｓ層との積層体で、各層の厚さはλ／４ｎ_ｒ（但し、λは発振波長、ｎ_ｒは媒質の屈折率）であり、これらを交互に３０周期積層してある。ｐ型不純物であるカーボンをドーピングした後のキャリア濃度は３×１０¹⁸ｃｍ^-3である。ｐ型のコンタクト層１０９はＧａＡｓ層で、膜厚２０ｎｍ、カーボン濃度は１×１０^２０ｃｍ^-3である。ｐ側電極１１５ａ、１１５ｂは、Ｔｉ／Ａｕの積層膜である。 The upper DBR mirror layer 108 is a stacked body of a p-type Al _0.9 Ga _0.1 As layer and a p-type Al _0.3 Ga _0.7 As layer, and the thickness of each layer is λ / 4n _r (where λ is an oscillation wavelength, n _r is the refractive index of the medium), and these are alternately laminated for 30 periods. The carrier concentration after doping with carbon, which is a p-type impurity, is 3 × 10 ¹⁸ cm ⁻³ . The p-type contact layer 109 is a GaAs layer and has a thickness of 20 nm and a carbon concentration of 1 × 10 ²⁰ cm ⁻³ . The p-side electrodes 115a and 115b are Ti / Au laminated films.

ＶＣＳＥＬを駆動するとき、ｐ側電極層１１５ａ、１１５ｂとｎ側電極１１７に順方向電圧が印加され、メサ２０およびメサ３０に電流が注入される。活性領域１０７の厚さに応じた波長のレーザ発振が生じ、メサ２０では発振されたレーザ光がｐ側電極層１１５ａのレーザ出射窓１１６ａから出射される。一方、メサ３０では、発振されたレーザ光がｐ側電極層１１５ｂによって遮蔽され、レーザ光の出射が抑制される。言い換えれば、メサ３０は、電極から注入される電流についての電流経路を有するが、レーザ光の出射機能を有していない。 When driving the VCSEL, a forward voltage is applied to the p-side electrode layers 115 a and 115 b and the n-side electrode 117, and current is injected into the mesa 20 and the mesa 30. Laser oscillation with a wavelength corresponding to the thickness of the active region 107 occurs, and the mesa 20 emits the oscillated laser beam from the laser emission window 116a of the p-side electrode layer 115a. On the other hand, in the mesa 30, the oscillated laser light is shielded by the p-side electrode layer 115b, and the emission of the laser light is suppressed. In other words, the mesa 30 has a current path for the current injected from the electrode, but does not have a laser beam emission function.

図２は、酸化アパーチャー面積と破壊電圧との関係を示すグラフであり、横軸は酸化アパーチャー面積（μｍ^２）、縦軸は破壊電圧（Ｖ）である。この実験結果は、シングルスポット（単一のメサ）の酸化アパーチャー径を変化させたときの破壊電圧（図中、四角のドットで表示）と、マルチスポット（複数のメサ）のときの破壊電圧（図中、三角のドットで表示）を示している。 FIG. 2 is a graph showing the relationship between the oxidized aperture area and the breakdown voltage, where the horizontal axis represents the oxidized aperture area (μm ² ) and the vertical axis represents the breakdown voltage (V). The experimental results show that the breakdown voltage (shown by square dots in the figure) when the oxidized aperture diameter of a single spot (single mesa) is changed, and the breakdown voltage (multiple mesa) breakdown voltage ( In the figure, it is indicated by triangular dots).

従来技術で引用した非特許文献１や、図２の実験結果からも明らかなように、酸化アパーチャーの面積と破壊電圧は比例関係にあり、酸化アパーチャーの面積が増加すれば、破壊電圧が向上する。第１の実施例では、メサ２０とメサ３０は、同一サイズの外形を用いているため、同一の酸化プロセス下において、それぞれの酸化アパーチャー１１２の面積が等しい。従って、メサ２０を単独で形成する場合と比較して、本実施例のＶＣＳＥＬでは酸化アパーチャーの面積が２倍となり、その分だけ破壊電圧を高くすることができる。例えば、単一のメサ２０が８μｍの酸化アパーチャー径を有するとき、酸化アパーチャー面積は約５０μｍ^２であり、破壊電圧は約１８０Ｖである。しかし、メサ３０を併設することで、酸化アパーチャー面積は約１００μｍ^２となり、破壊電圧を約２００Ｖにまで高くすることができる。 As is clear from the non-patent document 1 cited in the prior art and the experimental results of FIG. 2, the area of the oxidized aperture and the breakdown voltage are in a proportional relationship, and the breakdown voltage increases as the area of the oxidized aperture increases. . In the first embodiment, since the mesa 20 and the mesa 30 have the same size, the areas of the respective oxidation apertures 112 are equal under the same oxidation process. Therefore, compared with the case where the mesa 20 is formed alone, the VCSEL of the present embodiment doubles the area of the oxidation aperture, and the breakdown voltage can be increased accordingly. For example, when a single mesa 20 has an oxidized aperture diameter of 8 μm, the oxidized aperture area is about 50 μm ² and the breakdown voltage is about 180V. However, by providing the mesa 30, the oxidation aperture area becomes about 100 μm ² and the breakdown voltage can be increased to about 200V.

次に、本発明の第２の実施例について図３を参照して説明する。第２の実施例において、ＶＣＳＥＬ１２は、シングルモードのレーザ光を出射するためのメサ２２と、耐圧向上用の口径の大きなメサ３２とが基板上に形成されている。それ以外の基本的なメサの構造は、第１の実施例と同様であり、すなわち、メサ２２の頂部のｐ側電極層１１５ａにはレーザ出射窓１１６ａが形成されているが、メサ３２のｐ側電極層１１５ｂにはレーザ出射窓が形成されていない。 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment, the VCSEL 12 has a mesa 22 for emitting a single mode laser beam and a mesa 32 having a large aperture for improving a withstand voltage formed on a substrate. The other basic mesa structure is the same as that of the first embodiment, that is, the laser emission window 116a is formed in the p-side electrode layer 115a at the top of the mesa 22, but the p of the mesa 32 is formed. No laser emission window is formed on the side electrode layer 115b.

メサ２２、３２は、基板上に同一のプロセスにより形成され、同一の条件により酸化が行われる。これにより、メサ２２におけるメサ側面からの酸化距離と、メサ３２におけるメサ側面からの酸化距離とが等しくなる。メサ２２の直径（層間絶縁膜の形成前）をＤ１、メサ３２の直径をＤ２、酸化距離をＳ１とすると、メサ２２の酸化アパーチャー１１２ａの直径はＤ１−Ｓ１であり、メサ３２の酸化アパーチャー１１２ｂの直径はＤ２−Ｓ１であり、
（Ｄ１−Ｓ１）＜（Ｄ２−Ｓ１）となる。 The mesas 22 and 32 are formed on the substrate by the same process, and are oxidized under the same conditions. Thereby, the oxidation distance from the mesa side surface in the mesa 22 is equal to the oxidation distance from the mesa side surface in the mesa 32. When the diameter of the mesa 22 (before the formation of the interlayer insulating film) is D1, the diameter of the mesa 32 is D2, and the oxidation distance is S1, the diameter of the oxidation aperture 112a of the mesa 22 is D1-S1, and the oxidation aperture 112b of the mesa 32 The diameter of D2-S1
(D1-S1) <(D2-S1).

メサ２２の酸化アパーチャー径をシングルモードが発振する程度（例えば５μｍ）に小さくする一方、メサ３２の酸化アパーチャー径をより大きくし、ＥＳＤの破壊電圧を大きくすることができる。 The oxidation aperture diameter of the mesa 22 can be reduced to such an extent that the single mode oscillates (for example, 5 μm), while the oxidation aperture diameter of the mesa 32 can be increased to increase the ESD breakdown voltage.

図４は、第３の実施例に係るＶＣＳＥＬの模式的な平面図である。第３の実施例に係るＶＣＳＥＬ１４は、基板１００の中央にレーザ光を出射する発光機能を備えたメサ２４と、このメサ２４の周囲に４つのメサ３４（破線にて表示）を配置している。メサ２４と４つのメサ３４とは同一サイズの円筒ポストを有している。メサ２４は、その頂部がｐ側金属層１１５ａで覆われているが、中央にレーザ出射窓１１６ａが形成されている。一方、メサ３４は、第1の実施例と同様に電流経路として機能はするが、ｐ側金属層１１５ｂにレーザ出射窓が形成されておらず、メサ頂部からレーザ光は出射されない。 FIG. 4 is a schematic plan view of a VCSEL according to the third embodiment. In the VCSEL 14 according to the third embodiment, a mesa 24 having a light emitting function for emitting laser light at the center of the substrate 100 and four mesas 34 (indicated by broken lines) are arranged around the mesa 24. . The mesa 24 and the four mesas 34 have cylindrical posts of the same size. The top of the mesa 24 is covered with the p-side metal layer 115a, but a laser emission window 116a is formed at the center. On the other hand, the mesa 34 functions as a current path as in the first embodiment, but no laser emission window is formed in the p-side metal layer 115b, and no laser light is emitted from the top of the mesa.

４つのメサ３４は、好ましくは、メサ２４を中心にその対角線上に配置され、かつ、メサ２４の中心から等しい距離にある。ＶＣＳＥＬを小型化するためには、各メサ３４をメサ２４に近接することが望ましいが、メサ３４による発熱の影響を最小限にするため、メサ３４をメサ２４に対して等距離に配置している。メサ２４のｐ側電極層１１５ａと、メサ３４のｐ側電極層１１５ｂは、基板１００の全面に形成された金属層パターン１１５ｄによって共通に接続されている。 The four mesas 34 are preferably arranged diagonally about the mesa 24 and at an equal distance from the center of the mesa 24. In order to reduce the size of the VCSEL, it is desirable that each mesa 34 be close to the mesa 24. However, in order to minimize the influence of heat generated by the mesa 34, the mesa 34 is arranged at an equal distance from the mesa 24. Yes. The p-side electrode layer 115 a of the mesa 24 and the p-side electrode layer 115 b of the mesa 34 are commonly connected by a metal layer pattern 115 d formed on the entire surface of the substrate 100.

図４（ｂ）は、ｐ側電極層の他の配線パターン例を示す図である。メサ３４の外形に対応する円形状のｐ側電極層１１５ｂを形成し、これらを連結パターン１１５ｅによってメサ２４のｐ側電極層１１５ａと連結するようにしてもよい。 FIG. 4B is a diagram illustrating another wiring pattern example of the p-side electrode layer. A circular p-side electrode layer 115b corresponding to the outer shape of the mesa 34 may be formed and connected to the p-side electrode layer 115a of the mesa 24 by a connection pattern 115e.

第３の実施例によれば、メサ３４を形成したことにより、メサ２４を単独で形成した場合と比較して、酸化アパーチャーの総面積を５倍にすることができ、ＶＣＳＥＬの破壊電圧を一層高くすることができる。なお、第３の実施例では、レーザ光を出射するメサは１つであるが、これに限らず、複数のメサからレーザ光を出射するマルチスポット構造であってもよく、それらの周囲にメサ３４を配置することもできる。 According to the third embodiment, since the mesa 34 is formed, the total area of the oxidized aperture can be increased five times as compared with the case where the mesa 24 is formed alone, and the breakdown voltage of the VCSEL is further increased. Can be high. In the third embodiment, there is one mesa that emits laser light. However, the present invention is not limited to this, and a multi-spot structure that emits laser light from a plurality of mesas may be used. 34 can also be arranged.

図５は、本発明の第４の実施例に係るＶＣＳＥＬの模式的な平面図である。第４の実施例に係るＶＣＳＥＬ１６は、中心に配置されるレーザ光を出射するメサ２６と、その周囲に放射状に配置される出射光を抑制する８つのメサ（破線で表示）３６とを有している。図５（ａ）では、中心のメサ２６の外形サイズが周囲に配置されるメサ３６よりも大きく、図５（ｂ）では、周囲に配置されるメサ３６の外形サイズがメサ２６よりも大きい例を示している。複数のメサ３６は、メサ２６の中心に関して点対称となるような位置に配置されるようにしてもよい。 FIG. 5 is a schematic plan view of a VCSEL according to the fourth embodiment of the present invention. The VCSEL 16 according to the fourth embodiment includes a mesa 26 that emits laser light arranged at the center and eight mesas (indicated by broken lines) 36 that suppress emitted light arranged radially around the mesa 26. ing. In FIG. 5A, the outer size of the central mesa 26 is larger than the mesa 36 arranged around, and in FIG. 5B, the outer size of the mesa 36 arranged around is larger than the mesa 26. Is shown. The plurality of mesas 36 may be arranged at positions that are point-symmetric with respect to the center of the mesa 26.

以上説明したように、電流経路としてのみ機能する複数のメサを適宜形成することで、所望の酸化アパーチャー面積を確保し、設計されたＶＣＳＥＬの破壊耐圧を得ることができる。また、電流経路として機能するメサを複数形成する場合、各メサが同一の外形サイズであってもよいし、各々が異なる外形サイズであってもよい。さらに、メサの形状は、円筒状に限らず、角柱状であってもよい。 As described above, by appropriately forming a plurality of mesas that function only as current paths, a desired oxidation aperture area can be secured and the breakdown voltage of the designed VCSEL can be obtained. When a plurality of mesas functioning as current paths are formed, each mesa may have the same outer size, or each may have a different outer size. Furthermore, the shape of the mesa is not limited to a cylindrical shape, and may be a prismatic shape.

次に、図１に示すＶＣＳＥＬの製造方法について図６を参照して説明する。図６（ａ）に示すように、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用い基板１００上に複数の半導体層を積層する。すなわち、ｎ型のＧａＡｓ基板１００上に、ｎ型のバッファ層１０２、ｎ型の下部ＤＢＲミラー層１０３、アンドープの下部スペーサ層１０４とアンドープの量子井戸活性層１０５とアンドープの上部スペーサ層１０６とを含む活性領域１０７、ＡｌＡｓ層（電流狭窄層）１１０、ｐ型の上部ＤＢＲミラー層１０８、及びｐ型のコンタクト層１０９が順次積層される。 Next, a method for manufacturing the VCSEL shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 6A, a plurality of semiconductor layers are stacked on the substrate 100 using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). That is, an n-type buffer layer 102, an n-type lower DBR mirror layer 103, an undoped lower spacer layer 104, an undoped quantum well active layer 105, and an undoped upper spacer layer 106 are formed on an n-type GaAs substrate 100. The active region 107, the AlAs layer (current confinement layer) 110, the p-type upper DBR mirror layer 108, and the p-type contact layer 109 are sequentially stacked.

次に、図６（ｂ）に示すように、フォトリソ工程を用いて半導体層上にマスクパターン２００、２０２を形成する。マスクパターンは、ＳｉＯ_２やレジストを用いることができる。マスクパターン２００は、メサ２０の外形に対応する円形状のパターンであり、マスクパターン２０２は、メサ３０の外形に対応する円形状のパターンである。 Next, as shown in FIG. 6B, mask patterns 200 and 202 are formed on the semiconductor layer using a photolithography process. For the mask pattern, SiO ₂ or a resist can be used. The mask pattern 200 is a circular pattern corresponding to the outer shape of the mesa 20, and the mask pattern 202 is a circular pattern corresponding to the outer shape of the mesa 30.

マスクパターン２００、２０２を用い、積層された半導体層をリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングする。エッチングは、下部ミラー層１０３の一部が露出するまで行われる。これによって、メサ２０とメサ３０が形成される。 Using the mask patterns 200 and 202, the stacked semiconductor layers are etched by reactive ion etching (RIE). Etching is performed until a part of the lower mirror layer 103 is exposed. Thereby, the mesa 20 and the mesa 30 are formed.

次に、図６（ｃ）に示すように、基板１００を、窒素をキャリアガス（流量：２リットル／分）とする３５０℃の水蒸気雰囲気に３０分間晒す。ＡｌＡｓ層１１０は、上部ミラー層を構成するＡｌ_0.8Ｇａ_0.2Ａｓ層やＡｌ_0.1Ｇａ_0.9Ａｓ層に比べ著しく酸化速度が速い。これにより、ＡｌＡｓ層１１０がメサ側面から酸化を開始され、最終的にメサ外形を反映した酸化領域１１１ａ、１１１ｂが形成され、酸化領域１１１ａ、１１１ｂによって囲まれた酸化アパーチャー１１２ａ、１１２ｂが形成され、電流狭窄層となる。酸化領域１１１ａ、１１１ｂは、導電性が低下し電流狭窄部となるが、同時に周囲の半導体層に比べ光学屈折率が半分程度（〜１．６）である関係から、光閉じ込め領域としても機能し、酸化アパーチャー（非酸化領域）が電流注入部となる。 Next, as shown in FIG. 6C, the substrate 100 is exposed to a steam atmosphere at 350 ° C. using nitrogen as a carrier gas (flow rate: 2 liters / minute) for 30 minutes. The AlAs layer 110 has a significantly faster oxidation rate than the Al _0.8 Ga _0.2 As layer and the Al _0.1 Ga _0.9 As layer constituting the upper mirror layer. As a result, the AlAs layer 110 starts to be oxidized from the side surface of the mesa, and finally the oxidized regions 111a and 111b reflecting the mesa outline are formed, and the oxidized apertures 112a and 112b surrounded by the oxidized regions 111a and 111b are formed. It becomes a current confinement layer. The oxidized regions 111a and 111b are reduced in conductivity and become current confinement portions, but at the same time, the optical refractive index is about half (˜1.6) compared to the surrounding semiconductor layers, so that they also function as light confinement regions. The oxidized aperture (non-oxidized region) serves as a current injection portion.

次に、図６（ｄ）に示すように、マスクパターン２００、２０２を除去した後、露出したメサ側面を含む基板上面に層間絶縁膜１１３が着膜される。そして、メサ２０、３０の頂部において層間絶縁膜１１３にコンタクトホール１１４が形成される。続いて、基板上面にｐ側電極層が形成され、メサ２０、３０の頂部においてコンタクトホール１１４を介してコンタクト層１０９と接触される。 Next, as shown in FIG. 6D, after the mask patterns 200 and 202 are removed, an interlayer insulating film 113 is deposited on the upper surface of the substrate including the exposed mesa side surfaces. A contact hole 114 is formed in the interlayer insulating film 113 at the top of the mesas 20 and 30. Subsequently, a p-side electrode layer is formed on the upper surface of the substrate, and is brought into contact with the contact layer 109 through the contact hole 114 at the top of the mesas 20 and 30.

次に、図１（ｂ）に示すように、ｐ側電極層のパターンニングが行われる。メサ２０の頂部において、ｐ側電極層１１５ａにはレーザ出射窓１１６ａが形成されるが、メサ３０の頂部においてはｐ側電極層１１５ｂにはレーザ出射窓が形成されない。さらに、ｐ側電極層１１５とｐ側電極層１１５ｂとを連結するパターン１１５ｃも同時に形成される。そして、基板１００の裏面にｎ側電極１１７が形成される。 Next, as shown in FIG. 1B, the p-side electrode layer is patterned. At the top of the mesa 20, the laser emission window 116a is formed in the p-side electrode layer 115a, but at the top of the mesa 30, the laser emission window is not formed in the p-side electrode layer 115b. Further, a pattern 115c that connects the p-side electrode layer 115 and the p-side electrode layer 115b is formed at the same time. Then, an n-side electrode 117 is formed on the back surface of the substrate 100.

次に本発明の第５の実施例について図７を参照して説明する。図７(ａ)は、第５の実施例に係るＶＣＳＥＬの模式的な平面図、図７（ｂ）はＸ−Ｘ線断面矢視図である。第５の実施例に係るＶＣＳＥＬ１８は、第１の実施例のメサ２０とメサ３０とを架橋メサ部２１０によって連結するようにモノリシックに形成されたメサ２００を基板上に有している。なお、以降の説明において、第１ないし第４の実施例と同一構成については同一参照番号を付してある。 Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7A is a schematic plan view of a VCSEL according to the fifth embodiment, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line XX. The VCSEL 18 according to the fifth embodiment has a mesa 200 monolithically formed on the substrate so that the mesa 20 and the mesa 30 of the first embodiment are connected by the bridging mesa portion 210. In the following description, the same reference numerals are assigned to the same components as those in the first to fourth embodiments.

メサ２００は、第１の実施例のメサ２０に相当する円筒状の第１のメサ部２２０と、第１の実施例のメサ３０に相当する円筒状の第２のメサ部２３０と、第１、第２のメサ部２２０、２３０を連結する直方体状に延在する架橋メサ部２１０とを含んでいる。第１、第２のメサ部２２０、２３０および架橋メサ部２１０は、基板上に積層された半導体層を所定のマスクパターンを用いてエッチングすることにより、同時に形成することができる。 The mesa 200 includes a cylindrical first mesa portion 220 corresponding to the mesa 20 of the first embodiment, a cylindrical second mesa portion 230 corresponding to the mesa 30 of the first embodiment, and a first , And a cross-linking mesa portion 210 extending in a rectangular parallelepiped shape that connects the second mesa portions 220 and 230. The first and second mesa portions 220 and 230 and the bridging mesa portion 210 can be formed simultaneously by etching a semiconductor layer stacked on the substrate using a predetermined mask pattern.

第１のメサ部２２０の頂部は、ｐ側電極層２２２によって覆われ、その中央には円形状のレーザ出射窓２２４が形成されている。第２のメサ部２３０の頂部は、ｐ側電極層２３２によって覆われているが、レーザ出射窓は形成されていない。このｐ側電極層２３２は、図示しないコンタクトパッドに接続されている。架橋メサ部２１０の頂部は、層間絶縁膜１１３を介してｐ側電極層２１２によって覆われ、ｐ側電極層２１２は、第１、第２のメサ部のｐ側電極層２２２、２３２に接続される。これらのｐ側電極層は、１回のパターニングで同時に形成することができる。 The top of the first mesa portion 220 is covered with a p-side electrode layer 222, and a circular laser emission window 224 is formed at the center thereof. The top of the second mesa portion 230 is covered by the p-side electrode layer 232, but no laser emission window is formed. The p-side electrode layer 232 is connected to a contact pad (not shown). The top of the cross-linked mesa unit 210 is covered with the p-side electrode layer 212 via the interlayer insulating film 113, and the p-side electrode layer 212 is connected to the p-side electrode layers 222 and 232 of the first and second mesa units. The These p-side electrode layers can be formed simultaneously by one patterning.

架橋メサ部２１０は、基板上に、第１、第２のメサ部２２０、２３０と同一構成の半導体層を含んでいる。第１、第２のメサ部２２０、２３０のＡｌＡｓ層１１０が酸化されるとき、架橋メサ部２３０のＡｌＡｓ層１１０も同時に酸化され酸化領域２１４となる。この際、架橋メサ部２１０のＡｌＡｓ層１１０が側面からすべて酸化されるように、架橋メサ部２１０の幅Ｗを選択することが望ましい。これにより第１のメサ部２２０と第２のメサ部２３０とが分離され、単一のメサ２００内に、第１、第２のメサ部２２０、２３０のそれぞれ独立した活性領域を持たせることができる。但し、架橋メサ部２１０において、ＡｌＡｓ層１１０のすべてが酸化されなくても良く、その場合には、レーザの特性はやや劣るものの同様の機能を保持したデバイスとなり得る。 The cross-linked mesa unit 210 includes a semiconductor layer having the same configuration as the first and second mesa units 220 and 230 on the substrate. When the AlAs layer 110 of the first and second mesas 220 and 230 is oxidized, the AlAs layer 110 of the cross-linked mesa 230 is also oxidized and becomes an oxidized region 214. At this time, it is desirable to select the width W of the crosslinked mesa portion 210 so that the AlAs layer 110 of the crosslinked mesa portion 210 is entirely oxidized from the side surface. As a result, the first mesa unit 220 and the second mesa unit 230 are separated, and the single mesa 200 can have independent active regions of the first mesa unit 220 and the second mesa unit 230, respectively. it can. However, not all of the AlAs layer 110 may be oxidized in the cross-linked mesa portion 210. In that case, although the laser characteristics are somewhat inferior, a device having the same function can be obtained.

第５の実施例においても、ＶＣＳＥＬ１８の電流経路面積が増えるため、静電耐圧を向上させることができる。さらに、第５の実施例において、架橋メサ部２１０の伸長方向を、基板１００の方位に合わせることが望ましい。例えば、基板方位は、（１１０）または（１−１０）である。架橋メサ部２１０に電流が流れることで、架橋メサ部２１０およびレーザ光を出射しない第２のメサ部２３０の温度が上昇するため屈折率が変化するとともに、発熱による歪応力が生じる。架橋メサ部の伸長方向を適当な方向に設定することで、屈折率および歪応力に異方性が生じる。これらの作用によりＶＣＳＥＬの活性領域のレーザ光の偏光モードを安定化させることができる。 Also in the fifth embodiment, since the current path area of the VCSEL 18 increases, the electrostatic withstand voltage can be improved. Furthermore, in the fifth embodiment, it is desirable to match the extension direction of the bridging mesa portion 210 with the orientation of the substrate 100. For example, the substrate orientation is (110) or (1-10). When a current flows through the cross-linking mesa unit 210, the temperature of the cross-linking mesa unit 210 and the second mesa unit 230 that does not emit laser light rises, so that the refractive index changes and strain stress due to heat generation occurs. By setting the extension direction of the cross-linked mesa portion to an appropriate direction, anisotropy occurs in the refractive index and strain stress. By these actions, the polarization mode of the laser beam in the active region of the VCSEL can be stabilized.

次に、本発明の第６の実施例について図８を参照して説明する。第６の実施例のＶＣＳＥＬにおいて、基板上の単一のメサ２０２は、レーザ出射機能を有する第１のメサ部２２０と、その両側にレーザ出射機能を有しない第２、第３のメサ部２３０、２４０を含んでいる。第１のメサ部２２０の対向する側から一対の架橋メサ部２１０、２５０が延在し、架橋メサ部２１０、２５０によって第２、第３のメサ部２３０、２４０が第１のメサ部２２０に接続されている。 Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the VCSEL of the sixth embodiment, the single mesa 202 on the substrate includes the first mesa portion 220 having a laser emission function and the second and third mesa portions 230 having no laser emission function on both sides thereof. , 240. A pair of bridging mesa units 210 and 250 extend from the opposite side of the first mesa unit 220, and the second and third mesa units 230 and 240 are formed into the first mesa unit 220 by the bridging mesa units 210 and 250. It is connected.

架橋メサ部２１０、２５０のＡｌＡｓ層１１０は、例えばすべてが酸化領域２１４、２５４となるように架橋メサ部２１０、２５０の幅が選択される。但し、第５の実施例と同様に、ＡｌＡｓ層１１０のすべてが酸化領域となる必要はなく、酸化されない部分が残存するような幅を選択してもよい。また、第３のメサ部２４０の頂部には、コンタクト層１０９とオーミック接続されるｐ側電極層２４２が形成されるが、レーザ出射窓は形成されない。架橋メサ部２５０の頂部には、層間絶縁膜１１３を介してｐ側電極層２５２が形成され、ｐ側電極層２５２は、ｐ側電極層２４２とｐ側電極層２２２とを接続する。 For the AlAs layer 110 of the cross-linked mesa portions 210 and 250, the width of the cross-linked mesa portions 210 and 250 is selected so that, for example, all become the oxidized regions 214 and 254. However, as in the fifth embodiment, it is not necessary that all of the AlAs layer 110 becomes an oxidized region, and the width may be selected so that a portion that is not oxidized remains. In addition, a p-side electrode layer 242 that is in ohmic contact with the contact layer 109 is formed on the top of the third mesa portion 240, but no laser emission window is formed. A p-side electrode layer 252 is formed on the top of the cross-linked mesa portion 250 via the interlayer insulating film 113, and the p-side electrode layer 252 connects the p-side electrode layer 242 and the p-side electrode layer 222.

第６の実施例に係るＶＣＳＥＬにおいても電流経路面積を増加させ、静電耐圧を向上させることができる。さらに、ｐ側電極層から電流を流すと、第２、第３のメサ部の電流通路および架橋メサ部２１０、２５０において発熱を生じる。図９に発熱領域を模式的に示す。同図に示すように、第２、第３のメサ部２３０、２４０の電流通路領域２３６、２４６（円形のハッチング領域）、および架橋メサ部２１０、２５０の酸化領域２１４、２５４より上方の領域２１６、２５６（楕円のハッチング領域）において発熱する。電流の印加および発熱により、それらの領域２３６、２４６、２１６、２５６の屈折率が変化し、かつ、熱により歪応力が発生する。屈折率変化および歪応力が、架橋メサ部２１０、２５０の伸長する方位に選択的に印加されるため、第１のメサ部２２０のレーザ光の偏光モード（方位）Ｐは、架橋メサ部の物性値（屈折率と歪応力）の影響を受けて安定化（固定化）される。 Also in the VCSEL according to the sixth embodiment, the current path area can be increased and the electrostatic withstand voltage can be improved. Furthermore, when a current is passed from the p-side electrode layer, heat is generated in the current paths of the second and third mesas and the bridge mesa portions 210 and 250. FIG. 9 schematically shows the heat generation region. As shown in the figure, the current path regions 236 and 246 (circular hatching regions) of the second and third mesas 230 and 240 and the regions 216 above the oxidized regions 214 and 254 of the bridging mesas 210 and 250 are shown. 256 (elliptical hatching area) generates heat. The application of electric current and heat generation change the refractive index of these regions 236, 246, 216, and 256, and strain stress is generated by heat. Since the refractive index change and the strain stress are selectively applied to the extending direction of the bridge mesa portions 210 and 250, the polarization mode (orientation) P of the laser light of the first mesa portion 220 is the physical property of the bridge mesa portion. It is stabilized (fixed) under the influence of values (refractive index and strain stress).

第５、第６の実施例は、単一のメサ内に複数の活性領域または電流通路を有する複数のメサ部を形成する例を示したが、メサ部の大きさ、数、位置は、これらに限定されるものではない。例えば、第２の実施例のように、第１のメサ部の外径と第２のメサ部の外径を異ならせ、電流通路面積または酸化アパーチャー径を可変してもよいし、第３の実施例のように、第１のメサ部の周囲に複数のメサ部を配置させることもできる。さらに、架橋メサ部２１０、２５０の形状を直方体状の梁としたが、これ以外の形状であってもよい。 In the fifth and sixth embodiments, an example in which a plurality of mesa portions having a plurality of active regions or current paths is formed in a single mesa is shown. It is not limited to. For example, as in the second embodiment, the outer diameter of the first mesa portion may be different from the outer diameter of the second mesa portion, and the current path area or the oxidation aperture diameter may be varied. As in the embodiment, a plurality of mesa portions can be arranged around the first mesa portion. Furthermore, although the shape of the bridge mesa portions 210 and 250 is a rectangular parallelepiped beam, other shapes may be used.

次に、本発明のＶＣＳＥＬを実装したパッケージ（モジュール）の概略断面を図１０に示す。同図に示すように、パッケージ３００は、ＶＣＳＥＬを含むチップ３１０を、導電性接着剤３２０を介して円盤状の金属ステム３３０上に実装する。チップ３１０は、単一のＶＣＳＥＬ（レーザ素子）であってもよいし、複数のＶＣＳＥＬをアレイ状に配置したマルチスポットタイプであってもよい。 Next, FIG. 10 shows a schematic cross section of a package (module) in which the VCSEL of the present invention is mounted. As shown in the figure, the package 300 mounts a chip 310 including a VCSEL on a disk-shaped metal stem 330 via a conductive adhesive 320. The chip 310 may be a single VCSEL (laser element) or a multi-spot type in which a plurality of VCSELs are arranged in an array.

導電性のリード３４０、３４２は、ステム３３０に形成された貫通孔（図示省略）内に挿入され、その貫通孔内においてステム３３０と絶縁されている。チップ３１０の裏面に形成されたｎ側電極は、導電性接着剤３２０を介して一方のリード３４０の端部に電気的に接続される。チップ３１０の表面に形成されたｐ側電極は、図示しないボンディングワイヤ等を介して他方のリード３４２の端部に電気的に接続される。 The conductive leads 340 and 342 are inserted into through holes (not shown) formed in the stem 330 and are insulated from the stem 330 in the through holes. The n-side electrode formed on the back surface of the chip 310 is electrically connected to the end of one lead 340 through the conductive adhesive 320. The p-side electrode formed on the surface of the chip 310 is electrically connected to the end of the other lead 342 through a bonding wire or the like (not shown).

チップ３１０を含むステム３３０上に矩形状の中空のキャップ３５０が固定される。キャップ３５０の中央には開口が形成され、開口内にボールレンズ３６０が固定されている。ボールレンズ３６０の光軸は、チップ３１０のほぼ中心と一致するように位置決めされる。例えば、第１、第２の実施例のようなＶＣＳＥＬ１０、１２のとき、レーザ出射機能を有するメサ２０、２２の中心が光軸と一致される。第３、第４の実施例のときも同様に、レーザ出射機能を有するメサ２４、２６の中心が光軸と一致される。第５、第６の実施例のときも同様に、レーザ出射機能を有する第１のメサ部２２０の中心が光軸と一致される。 A rectangular hollow cap 350 is fixed on the stem 330 including the tip 310. An opening is formed in the center of the cap 350, and a ball lens 360 is fixed in the opening. The optical axis of the ball lens 360 is positioned so as to substantially coincide with the center of the chip 310. For example, in the case of the VCSELs 10 and 12 as in the first and second embodiments, the centers of the mesas 20 and 22 having a laser emission function coincide with the optical axis. Similarly, in the case of the third and fourth embodiments, the centers of the mesas 24 and 26 having a laser emission function coincide with the optical axis. Similarly, in the fifth and sixth embodiments, the center of the first mesa unit 220 having a laser emission function is aligned with the optical axis.

リード３４０、３４２に順方向の電圧を印加すると、チップ３１０からレーザ光が出射される。チップ３１０とボールレンズ３６０との距離は、チップ３１０からのレーザ光の発散角度θ内にボールレンズ３６０が含まれるように調整する。 When a forward voltage is applied to the leads 340 and 342, laser light is emitted from the chip 310. The distance between the chip 310 and the ball lens 360 is adjusted so that the ball lens 360 is included within the divergence angle θ of the laser light from the chip 310.

図１１は、図１０に示すＶＣＳＥＬパッケージを光送信装置に適用したときの構成を示す断面図である。光送信装置４００は、ステム３３０に固定された円筒状の筐体４１０と、筐体４１０の端面に一体に形成されたスリーブ４２０と、スリーブ４２０の開口４２２内に保持されるフェルール４３０と、フェルール４３０によって保持される光ファイバ４４０とを含んで構成される。 FIG. 11 is a cross-sectional view showing a configuration when the VCSEL package shown in FIG. 10 is applied to an optical transmitter. The optical transmission device 400 includes a cylindrical housing 410 fixed to the stem 330, a sleeve 420 integrally formed on an end surface of the housing 410, a ferrule 430 held in the opening 422 of the sleeve 420, a ferrule And an optical fiber 440 held by 430.

ステム３３０の円周方向に形成されたフランジ３３２には、筐体４１０の端部が固定される。フェルール４３０は、スリーブ４２０の開口４２２に正確に位置決めされ、光ファイバ４４０の光軸がボールレンズ３６０の光軸に整合される。フェルール４３０の貫通孔４３２内に光ファイバ４４０の芯線が保持されている。 An end of the housing 410 is fixed to a flange 332 formed in the circumferential direction of the stem 330. The ferrule 430 is accurately positioned in the opening 422 of the sleeve 420 and the optical axis of the optical fiber 440 is aligned with the optical axis of the ball lens 360. The core wire of the optical fiber 440 is held in the through hole 432 of the ferrule 430.

ＶＣＳＥＬを含むチップ３１０は、レーザ光の光源として機能し、チップ３１０の表面から出射されたレーザ光は、ボールレンズ３６０によって集光され、集光された光は、光ファイバ４４０の芯線に入射され、送信される。上記例ではボールレンズ３６０を用いているが、これ以外にも両凸レンズや平凸レンズ等の他のレンズを用いることができる。さらに、光送信装置４００は、リード３４０、３４２に電気信号を印加するための駆動回路を含むものであってもよい。さらに、光送信装置４００は、光ファイバ４４０を介して光信号を受信するための受信機能を含むものであってもよい。 The chip 310 including the VCSEL functions as a laser light source. The laser light emitted from the surface of the chip 310 is collected by the ball lens 360, and the collected light is incident on the core of the optical fiber 440. Sent. Although the ball lens 360 is used in the above example, other lenses such as a biconvex lens and a plano-convex lens can be used. Further, the optical transmission device 400 may include a drive circuit for applying an electrical signal to the leads 340 and 342. Furthermore, the optical transmission device 400 may include a reception function for receiving an optical signal via the optical fiber 440.

図１２は、図１０に示すＶＣＳＥＬパッケージを空間伝送システムに用いたときの構成を示す図である。空間伝送システム５００は、ＶＣＳＥＬパッケージ３００と、集光レンズ５１０と、拡散板５２０と、反射ミラー５３０とを含んでいる。空間伝送システム５００では、パッケージ３００に用いられたボールレンズ３６０を用いる代わりに、集光レンズ５１０を用いている。集光レンズ５１０によって集光された光は、反射ミラー５３０の開口５３２を介して拡散板５２０で反射され、その反射光が反射ミラー５２０へ向けて反射される。反射ミラー５２０は、その反射光を所定の方向へ向けて反射させ、光伝送を行う。 FIG. 12 is a diagram showing a configuration when the VCSEL package shown in FIG. 10 is used in a spatial transmission system. The spatial transmission system 500 includes a VCSEL package 300, a condenser lens 510, a diffusion plate 520, and a reflection mirror 530. In the spatial transmission system 500, instead of using the ball lens 360 used in the package 300, a condensing lens 510 is used. The light condensed by the condenser lens 510 is reflected by the diffusion plate 520 through the opening 532 of the reflection mirror 530, and the reflected light is reflected toward the reflection mirror 520. The reflection mirror 520 reflects the reflected light in a predetermined direction and performs optical transmission.

図１３は、ＶＣＳＥＬを光源に利用した光伝送システムの一構成例を示す図である。光伝送システム６００は、ＶＣＳＥＬを含む光源６１０と、光源６１０から放出されたレーザ光の集光などを行う光学系６２０と、光学系６２０から出力されたレーザ光を受光する受光部６３０と、光源６１０の駆動を制御する制御部６４０とを有する。 FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration example of an optical transmission system using a VCSEL as a light source. The optical transmission system 600 includes a light source 610 including a VCSEL, an optical system 620 that collects the laser light emitted from the light source 610, a light receiving unit 630 that receives the laser light output from the optical system 620, and a light source. And a control unit 640 for controlling the driving of 610.

光源６１０は、単一のＶＣＳＥＬまたは複数のＶＣＳＥＬが実装されたモジュールを含む。制御部６４０は、ＶＣＳＥＬを駆動するための駆動パルス信号を光源６１０に供給する。光源６１０から放出された光は、光学系６２０を介し、光ファイバや空間伝送用の反射ミラーなどにより受光部６３０へ伝送される。受光部６３０は、受光した光をフォトディテクターなどによって検出する。受光部６３０は、制御信号６５０により制御部６４０の動作（例えば光伝送の開始タイミング）を制御するようにしてもよい。 The light source 610 includes a module in which a single VCSEL or a plurality of VCSELs are mounted. The control unit 640 supplies a drive pulse signal for driving the VCSEL to the light source 610. Light emitted from the light source 610 is transmitted to the light receiving unit 630 via an optical system 620 by an optical fiber, a reflection mirror for spatial transmission, or the like. The light receiving unit 630 detects the received light with a photodetector or the like. The light receiving unit 630 may control the operation of the control unit 640 (for example, the start timing of optical transmission) by the control signal 650.

次に、光伝送システムに利用される光伝送装置の構成について説明する。図１４は、光伝送装置の外観構成を示す図であり、図１５はその内部構成を模式的に示す図である。光伝送装置７００は、ケース７１０を含み、ケース７１０の正面には、光信号送信／受信コネクタ接合部７２０、接合部７２０に接続された発光／受光素子７３０、および電気信号ケーブル接合部７４０が取り付けられている。ケース７１０の背面には、電源入力部７５０、動作中であることを表示するＬＥＤ７６０、異常発生を表示するＬＥＤ７７０、およびＤＶＩコネクタ７８０が取り付けられている。ケース７１０の内部には、図１５に示すように、信号の送受信を制御するための送信回路基板／受信回路基板７９０が設けられている。 Next, the configuration of an optical transmission device used in the optical transmission system will be described. FIG. 14 is a diagram illustrating an external configuration of the optical transmission apparatus, and FIG. 15 is a diagram schematically illustrating an internal configuration thereof. The optical transmission device 700 includes a case 710, and an optical signal transmission / reception connector joint 720, a light emitting / receiving element 730 connected to the joint 720, and an electric signal cable joint 740 are attached to the front of the case 710. It has been. On the rear surface of the case 710, a power input unit 750, an LED 760 that indicates that it is operating, an LED 770 that indicates that an abnormality has occurred, and a DVI connector 780 are attached. As shown in FIG. 15, a transmission circuit board / reception circuit board 790 for controlling transmission / reception of signals is provided inside the case 710.

光伝送装置７００は、発光素子７３０による光信号を送信する機能と受光素子７３０による光信号を受信する機能を含んでいる。発光素子７３０の光源としてＶＣＳＥＬが利用される。ＶＣＳＥＬは、例えば、図１０に示すようなパッケージ化されて実装される。 The optical transmission device 700 includes a function of transmitting an optical signal from the light emitting element 730 and a function of receiving an optical signal from the light receiving element 730. A VCSEL is used as a light source of the light emitting element 730. The VCSEL is packaged and mounted as shown in FIG. 10, for example.

光伝送装置７００を用いた映像伝送システムを図１６および図１７に示す。映像伝送システム８００は、映像信号発生装置８１０で発生された映像信号を、液晶ディスプレイなどの画像表示装置８２０に伝送する。図１４に示す光伝送装置を映像伝送システムの送信／受信モジュール８４０、８５０に利用することで、映像信号の光通信を可能にしている。 A video transmission system using the optical transmission apparatus 700 is shown in FIGS. The video transmission system 800 transmits the video signal generated by the video signal generator 810 to an image display device 820 such as a liquid crystal display. The optical transmission apparatus shown in FIG. 14 is used for the transmission / reception modules 840 and 850 of the video transmission system, thereby enabling optical communication of video signals.

映像信号発生装置８１０に接続されたＤＶＩ用電気ケーブル８３０は、送信モジュール８４０のＤＶＩコネクタ７８０（図１４参照）に接続される。送信モジュール８４０は、ＤＶＩコネクタ７８０から供給された映像信号に応答して発光素子７３０を駆動し、これにより映像信号を電気信号から光信号に変換する。 The DVI electric cable 830 connected to the video signal generator 810 is connected to the DVI connector 780 (see FIG. 14) of the transmission module 840. The transmission module 840 drives the light emitting element 730 in response to the video signal supplied from the DVI connector 780, thereby converting the video signal from an electrical signal to an optical signal.

送信モジュール８４０および受信モジュール８５０のそれぞれの光信号送信／受信コネクタ部７２０には、映像信号伝送光信号用コネクタ８６０が接続され、両コネクタ８６０間に光ファイバ８７０が接続されている。また、送信モジュール８４０および受信モジュール８５０の各電気信号ケーブル接合部７４０には、映像信号伝送用電気ケーブルコネクタ８８０が接続され、かつ電源入力部７５０には電源アダプタ８９０が接続されている。受信モジュール８５０のＤＶＩコネクタ７８０（図１４参照）は、ＤＶＩ用電気ケーブル９００を介して画像表示装置８２０に接続されている。 A video signal transmission optical signal connector 860 is connected to the optical signal transmission / reception connector portion 720 of each of the transmission module 840 and the reception module 850, and an optical fiber 870 is connected between both connectors 860. Further, an electric cable connector 880 for video signal transmission is connected to each electric signal cable joint portion 740 of the transmission module 840 and the reception module 850, and a power adapter 890 is connected to the power input portion 750. The DVI connector 780 (see FIG. 14) of the reception module 850 is connected to the image display device 820 via the DVI electric cable 900.

送信モジュール８４０から光ファイバ８７０を介して送信された光信号は、受信モジュール８５０の受光素子７３０において受光され、そこで電気信号に変換され、ＤＶＩ用電気ケーブル９００を介して画像表示装置８２０へ伝送される。 The optical signal transmitted from the transmission module 840 via the optical fiber 870 is received by the light receiving element 730 of the reception module 850, converted there into an electrical signal, and transmitted to the image display device 820 via the DVI electric cable 900. The

上記映像伝送システムでは、映像信号発生装置８１０と送信モジュール８４０、および受信モジュール８５０と画像表示装置８２０の間を電気ケーブル８３０、９００による電気信号の伝送としたが、勿論、こららの間の伝送を光信号により行うことも可能である。例えば、図１８に示すように、電気−光変換回路９１０および光−電気変換回路９２０をコネクタに含む信号送信用ケーブル９３０を、電気ケーブル８３０、９００の代わりに用いるようにしてもよい。 In the video transmission system described above, electrical signals are transmitted between the video signal generation device 810 and the transmission module 840, and between the reception module 850 and the image display device 820 using the electrical cables 830 and 900. Of course, transmission between these devices is performed. Can also be performed by optical signals. For example, as illustrated in FIG. 18, a signal transmission cable 930 including an electrical-optical conversion circuit 910 and an optical-electrical conversion circuit 920 in a connector may be used instead of the electrical cables 830 and 900.

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above. However, the present invention is not limited to the specific embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. Deformation / change is possible.

上記ＶＣＳＥＬの実施例では、電流狭窄層にＡｌＡｓ層を用いたが、これに限らず、ＡｌＧａＡｓ層を用いることもできる。さらに、上記実施例では、ＧａＡｓ系の化合物半導体レーザを示したが、これ以外にも窒化ガリウム系やガリウムインジウム系を用いた半導体レーザであってもよい。 In the embodiment of the VCSEL, the AlAs layer is used as the current confinement layer. However, the present invention is not limited to this, and an AlGaAs layer can also be used. Furthermore, although the GaAs compound semiconductor laser is shown in the above embodiment, a semiconductor laser using gallium nitride or gallium indium may be used.

本発明に係る面発光型半導体レーザは、光ファイバ等を利用した光通信機器やそれを用いた光通信システム、ならびに光学的な読み書きを行う電子装置、複写機等の光源などにおいて利用することができる。 The surface-emitting type semiconductor laser according to the present invention can be used in an optical communication device using an optical fiber or the like, an optical communication system using the same, an optical device that performs optical reading and writing, a light source of a copying machine, or the like. it can.

本発明の第1の実施例に係るＶＣＳＥＬを示し、同図（ａ）は模式的な平面図、同図（ｂ）はＸ−Ｘ線断面矢視図である。1 shows a VCSEL according to a first embodiment of the present invention, where FIG. 1A is a schematic plan view and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line XX. 酸化アパーチャー面積と破壊電圧との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between an oxidation aperture area and a breakdown voltage. 本発明の第２の実施例に係るＶＣＳＥＬを示し、同図（ａ）は模式的な平面図、同図（ｂ）はＸ−Ｘ線断面矢視図である。The VCSEL which concerns on 2nd Example of this invention is shown, The figure (a) is a typical top view, The figure (b) is a XX sectional view taken on the line. 本発明の第３の実施例に係るＶＣＳＥＬの模式的な平面図である。It is a typical top view of VCSEL concerning the 3rd example of the present invention. 本発明の第４の実施例に係るＶＣＳＥＬの模式的な平面図である。It is a typical top view of VCSEL concerning the 4th example of the present invention. 本発明の第１の実施例に係るＶＣＳＥＬの製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of VCSEL which concerns on the 1st Example of this invention. 本発明の第５の実施例に係るＶＣＳＥＬを示し、同図（ａ）は模式的な平面図、同図（ｂ）はＸ−Ｘ線断面矢視図である。5 shows a VCSEL according to a fifth embodiment of the present invention, where FIG. 5A is a schematic plan view, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line XX. 本発明の第６の実施例に係るＶＣＳＥＬを示し、同図（ａ）は模式的な平面図、同図（ｂ）はＸ−Ｘ線断面矢視図である。The VCSEL which concerns on the 6th Example of this invention is shown, The figure (a) is a typical top view, The figure (b) is a XX sectional view taken on the line. 第６の実施例に係るＶＣＳＥＬの発熱領域を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the heat_generation | fever area | region of VCSEL concerning a 6th Example. 本発明に係るＶＣＳＥＬを実装したパッケージの構成を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structure of the package which mounted VCSEL which concerns on this invention. 図９に示すパッケージを用いた光送信装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the optical transmission device using the package shown in FIG. 図９に示すＶＣＳＥＬパッケージを空間伝送システムに用いたときの構成を示す図である。It is a figure which shows a structure when the VCSEL package shown in FIG. 9 is used for a spatial transmission system. 光伝送システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of an optical transmission system. 光伝送装置の外観構成を示す図である。It is a figure which shows the external appearance structure of an optical transmission apparatus. 図１４の光伝送装置の内部構成を示す図であり、図１４(ａ)は上面を切り取り内部を示し、図１４（ｂ）は側面を切り取り内部を示している。FIGS. 14A and 14B are diagrams illustrating an internal configuration of the optical transmission device of FIG. 14, in which FIG. 14A illustrates a cut-out top surface and FIG. 図１４の光伝送装置を利用した映像伝送システムを示す図である。It is a figure which shows the video transmission system using the optical transmission apparatus of FIG. 図１６の映像伝送システムを裏側から示した図である。It is the figure which showed the video transmission system of FIG. 16 from the back side. 信号送信用ケーブルの他の構成を示す図である。It is a figure which shows the other structure of the cable for signal transmission.

Explanation of symbols

１０、１２、１４、１６：ＶＣＳＥＬ
２０、２２、２４、２６：メサ（第１のメサ）
３０、３２、３４、３６：メサ（第２のメサ）
１００：基板
１１０：ＡｌＡｓ層（電流狭窄層）
１１１ａ、１１１ｂ：酸化領域
１１２、１１２ａ、１１２ｂ：酸化アパーチャー
１１３：層間絶縁膜
１１４：コンタクトホール
１１５ａ、１１５ｂ：ｐ側電極層
１１６ａ：レーザ出射窓
１１７：ｎ側電極
２００、２０２：メサ
２１０、２５０：架橋メサ部
２２０：第１のメサ部
２３０：第２のメサ部
２４０：第３のメサ部
３００：ＶＣＳＥＬパッケージ
４００：光送信装置
５００：空間光伝送システム
６００：光伝送システム
７００：光伝送装置 10, 12, 14, 16: VCSEL
20, 22, 24, 26: Mesa (first mesa)
30, 32, 34, 36: Mesa (second mesa)
100: Substrate 110: AlAs layer (current confinement layer)
111a, 111b: oxidized regions 112, 112a, 112b: oxidized aperture 113: interlayer insulating film 114: contact hole 115a, 115b: p-side electrode layer 116a: laser emission window 117: n-side electrode 200, 202: mesa 210, 250: Cross-linked mesa unit 220: first mesa unit 230: second mesa unit 240: third mesa unit 300: VCSEL package 400: optical transmission device 500: spatial light transmission system 600: optical transmission system 700: optical transmission device

Claims

A surface emitting semiconductor laser including a selectively oxidized mesa,
A substrate,
A first mesa formed on the substrate and including at least one mesa that emits laser light;
A second mesa formed on the substrate and including at least one mesa for suppressing emission of laser light;
Surface emitting semiconductor laser.

The first and second mesas include a metal layer on the top of the mesa, an opening for emitting laser light is formed in the metal layer of the first mesa, and the metal layer of the second mesa shields the laser light. The surface emitting semiconductor laser according to claim 1.

The surface emitting semiconductor laser according to claim 1, wherein the metal layers of the first and second mesas are metal electrodes for injecting current.

4. The surface emitting semiconductor laser according to claim 1, wherein the metal layers of the first and second mesas are electrically connected to each other.

The first and second mesas include a current confinement layer in the mesa, the current confinement layer includes an oxidized region and an oxidized aperture surrounded by the oxidized region, and the diameter of the oxidized aperture of the second mesa is the first. The surface emitting semiconductor laser according to claim 1, wherein the surface emitting semiconductor laser is larger than a diameter of an oxidation aperture of one mesa.

6. The surface emitting semiconductor laser according to claim 5, wherein an area of the second mesa oxidized aperture is larger than an area of the first mesa oxidized aperture.

The surface emitting semiconductor laser according to claim 6, wherein when the second mesa includes a plurality of mesas, the sum of the areas of the oxidation apertures of each mesa is larger than the area of the oxidation aperture of the first mesa.

7. The device of claim 1, wherein when the second mesa includes a plurality of mesas, the plurality of mesas are located around the first mesa and at an approximately equal distance from the first mesa. Surface emitting semiconductor laser.

The surface-emitting type semiconductor laser according to claim 8, wherein the plurality of mesas are arranged radially around the first mesa.

The surface emitting semiconductor laser according to claim 8, wherein the plurality of mesas are disposed rotationally symmetrically with respect to a center of the first mesa.

The surface emitting semiconductor laser according to claim 6, wherein the first mesa emits a single mode laser beam.

12. The surface emitting semiconductor laser according to claim 1, wherein when the first mesa includes a plurality of mesas, the plurality of mesas are simultaneously driven to emit a multi-spot laser beam. .

The first and second mesas have a vertical resonator structure including a lower semiconductor mirror layer and an upper semiconductor mirror layer, and at least a current confinement layer and an active region are provided between the lower semiconductor mirror layer and the upper semiconductor mirror layer. The surface emitting semiconductor laser according to any one of claims 1 to 12, which is included.

The surface-emitting type semiconductor laser according to claim 1, wherein the first and second mesas are simultaneously formed on the substrate by anisotropic etching.

15. The surface emitting semiconductor laser according to claim 11, wherein the lower semiconductor mirror layer and the upper semiconductor mirror layer are made of an AlGaAs layer, and the current confinement layer is made of an AlAs layer.

A surface emitting semiconductor laser including a selectively oxidized mesa,
A substrate,
At least one mesa formed on the substrate;
At least two or more current paths formed in at least one mesa;
A surface-emitting type semiconductor laser in which at least one of at least two current paths is in a first part that emits laser light, and at least one current path is in a second part that does not emit laser light .

The first portion includes a first active region and a first metal layer formed on the top of the mesa and injecting current into the first active region, and the second portion includes the second active region, And a second metal layer that is formed on the top of the mesa and injects a current into the second active region. The first metal layer has an opening for emitting laser light, and the second metal layer is a laser. The surface emitting semiconductor laser according to claim 16, which shields light.

The surface emitting semiconductor laser according to claim 16 or 17, wherein the first part and the second part are connected by a cross-linking mesa part.

The first part and the second part are connected by a cross-linked mesa part, and the first active region of the first part and the second active region of the second part are separated by the cross-linked mesa part, The surface emitting semiconductor laser according to claim 17.

The surface emitting semiconductor laser according to claim 18, wherein the crosslinked mesa portion includes an oxidized region.

19. The surface emitting semiconductor laser according to claim 18, wherein the cross-linking mesa portion includes an oxidized region, and the first and second active regions are separated by the oxidized region.

The surface-emitting type semiconductor laser according to any one of claims 18 to 21, wherein the cross-linking mesa portion extends in a substrate orientation (110) or (1-10) direction.

A module on which a semiconductor chip on which the surface emitting semiconductor laser according to any one of claims 1 to 22 is formed is mounted.

An optical transmission device comprising: the module according to claim 23; and a transmission unit that transmits a laser beam emitted from the module.

An optical space transmission device comprising: the module according to claim 23; and transmission means for spatially transmitting light emitted from the module.

An optical transmission system comprising: the module according to claim 23; and a transmission unit that transmits a laser beam emitted from the module.

An optical space transmission system comprising: the module according to claim 23; and a transmission unit that spatially transmits light emitted from the module.