JP2005240061A - 炭素膜積層体の製造方法、炭素膜製造装置及び表示装置用フィルム - Google Patents
炭素膜積層体の製造方法、炭素膜製造装置及び表示装置用フィルム Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明の炭素膜積層体の製造方法は、炭化水素系ガスと不活性ガスを混合して真空中に導入し、プラズマの点火・消滅を時間的に変調しながら真空中に置かれた物体表面に負の電圧を印加することを特徴とする。このような非晶質炭素膜積層体の製造方法は、被処理物体の表面改質を行うために真空に保持可能な真空槽10と真空槽10内へ原料ガスとしての混合ガスをパルス状に導入するガス供給装置20と真空槽10内の原料ガスを電離させる電力供給源としてのプラズマの点火・消滅を行う点火消滅装置30と物体表面に負の電圧を印加する電圧印加装置40とガス供給装置20と点火消滅装置30及び電圧印加装置40を同期させる制御装置50とを備えた成膜装置により行える。
【選択図】 図1
Description
(1)全光線透過率
全光線透過率の評価は、東京電色技術センター製全自動ヘーズメータ(TC−H111DPK)を用いて測定した。光源には、ハロゲンランプ(条件C光)を用いて行った。
(2)酸素透過度
ヤナコ社製ガス透過測定装置を使用して、40℃の酸素雰囲気で行った。
(3)硬さ:島津製作所社製の超微小硬度計(DUH200)を用いて測定した。
(4)可撓性
直径10mm、長さ150mmの長棒に積層フィルムを3回巻き、解除後のフィルム表面にクラックが生じるか否かで判定した。
(5)表面粗さ
表面粗さの評価は、原子間力顕微鏡装置(セイコーインスツルメンツ社製SPI−3700)を使用し、探針:SN−FF01(材質Si3N4)、走査モード:コンタクトモード、走査範囲:1μm×1μm、画素数:256×256、スキャン速度0.5Hzの条件で測定し、表面粗さRa(2乗平均粗さ)を算出した。
[実施例1]
キャスト法により製造した厚み200μmのポリカーボネートフィルム(PCフィルム:帝人社製:商品名「ピュアエース」)を用いた。
デューティー比;0.6
パルス幅TD;10μ秒
周期T;1秒
T2〜T4;0.5秒(500ミリ秒)
Td1;0.5秒(500ミリ秒)
Td2;0〜10ミリ秒
得られた積層体の物性を測定し、結果を表1に纏めた。
[実施例2]
実施例1で用いたと同じPCフィルムを用い、実施例1とは次の条件を変更することにより同様にしてPCフィルムの表面に厚み100nmのDLCを積層させた。
パルス電圧V;−1.0kV
デューティー比;0.1
パルス幅TD;10μ秒
周期T;1秒
T2〜T4;0.5秒
Td1;0.5秒
Td2;0〜10ミリ秒
得られた積層体の物性を測定し、結果を表1に纏めた。
[実施例3]
PCフィルムに代えて厚み50μmのPETフィルムを用い、実施例1と同様にしてPETフィルムの表面に厚み50nmのDLCを積層させた。
[実施例4]
実施例3で用いたと同じPETフィルムを用い、実施例2と同様にしてPETフィルムの表面に厚み100nmのDLCを積層させた。
[比較例1〜2]
実施例1と同一のPCフィルムを用い、特開2001−310412号公報の実施例1に記載されている条件に準じてPCフィルムへのダイヤモンド状薄膜の積層を行った。
[比較例3〜4]
実施例3と同一のPETフィルムを用い、比較例1に準じてPETフィルムへのダイヤモンド状薄膜の積層を行った。導入管8から高純度アセチレンガスを導入し、反応室の圧力を1Paにした後、周波数13.56MHzの高周波電力を印加することによって、膜厚50nm(比較例3)及び膜厚100nm(比較例4)のダイヤモンド状炭素膜を積層した。
10:真空槽
20:ガス供給装置
30:点火消滅装置
40:パルス電圧印加装置
50:制御装置
T1:(高周波発振器31の)オン時間
T2:(高周波発振器31の)オフ時間
T3:(コントロール弁23の)開時間
T4:(コントロール弁23の)閉時間
T5:(パルス電圧印加装置40の)オン時間
Td1:(高周波発振器31の)発振遅延時間
Td2:電源遅延時間
Claims (8)
- 炭化水素系ガスと不活性ガスとを成膜装置内に供給し、プラズマの点火・消滅を時間的に変調しながら成膜装置内に置かれた物体表面に負の電圧を印加しつつ物体表面に非晶質炭素膜を形成することを特徴とする炭素膜積層体の製造方法。
- 前記不活性ガスと前記炭化水素系ガスは、不活性ガス:炭化水素系ガスの混合比が1:1〜99:1の範囲内で導入されることを特徴とする請求項1記載の炭素膜積層体の製造方法。
- 前記負の電圧は、パルス電圧であることを特徴とする請求項1又は2記載の炭素膜積層体の製造方法。
- 前記パルス電圧は、パルス幅が20μ秒以下であることを特徴とする請求項3記載の炭素膜積層体の製造方法。
- 前記パルス電圧のデューティー比は、0.01〜5%の範囲内であることを特徴とする請求項4記載のガスバリア性に優れた炭素膜積層体の製造方法。
- 請求項1から5のいずれかに記載の炭素膜積層体の製造方法に用いられる装置であって、
被処理物体の表面改質を行うための真空槽と、該真空槽内へ原料ガスとしての混合ガスをパルス状に導入するガス供給装置と、真空槽内の原料ガスを電離させる電力供給源30としてのプラズマの点火・消滅を行う点火消滅装置と、物体表面に負の電圧を印加する電圧印加装置と、ガス供給装置、点火消滅装置及び電圧印加装置を同期させる制御装置とを備えていることを特徴とする炭素膜製造装置。 - 透明樹脂フィルムの一面に、請求項1〜5のいずれかの方法により炭素薄膜を設け、他面に反射防止膜を設けたことを特徴とする表示装置用フィルム。
- 透明樹脂フィルムの一面に、炭素薄膜を設け、他面に反射防止膜を設けて構成され、以下の諸特性を備えた表示装置用フィルム。
(1)酸素透過度10-3cc/m2・day以下。
(2)全光線透過率85%以上。
(3)水分透過度1g/m2・day以下。
(4)表面反射率は、1%以下。
(5)硬さは、ビッカース硬度(HV)で3000〜6000の範囲内。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004047503A JP4494824B2 (ja) | 2004-02-24 | 2004-02-24 | 表示装置用フィルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004047503A JP4494824B2 (ja) | 2004-02-24 | 2004-02-24 | 表示装置用フィルムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005240061A true JP2005240061A (ja) | 2005-09-08 |
JP4494824B2 JP4494824B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=35022103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004047503A Expired - Fee Related JP4494824B2 (ja) | 2004-02-24 | 2004-02-24 | 表示装置用フィルムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4494824B2 (ja) |
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|
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