JP2005236927A - 多帯域型携帯電話機 - Google Patents
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Abstract
【課題】 多帯域型携帯電話機において、電力増幅器の負バイアス電圧や駆動用回路等の障害時における電力増幅器の発熱を防止し、安全性を向上する。
【解決手段】 開示される多帯域型携帯電話機は、複数の使用帯域に対応する電力増幅器31,32と、各電力増幅器に負バイアス電圧を供給する負電圧発生回路33と、各電力増幅器と電源間に接続され、常時はその入力を抵抗36,37を介して電源にプルアップされてオフに制御されるPチャネルFET34,35と、複数の使用帯域に対応する帯域信号21,22によってオンになって対応する各PチャネルFET34,36をオンに制御するNチャネルFET38,39とを備えた多帯域型携帯電話機において、各NチャネルFETと接地間に接続され、負電圧発生回路から負バイアス電圧が発生しないときオンになって各NチャネルFET38,39をオフに制御するNチャネルJFET44,45を設けたものである。
【選択図】 図1
【解決手段】 開示される多帯域型携帯電話機は、複数の使用帯域に対応する電力増幅器31,32と、各電力増幅器に負バイアス電圧を供給する負電圧発生回路33と、各電力増幅器と電源間に接続され、常時はその入力を抵抗36,37を介して電源にプルアップされてオフに制御されるPチャネルFET34,35と、複数の使用帯域に対応する帯域信号21,22によってオンになって対応する各PチャネルFET34,36をオンに制御するNチャネルFET38,39とを備えた多帯域型携帯電話機において、各NチャネルFETと接地間に接続され、負電圧発生回路から負バイアス電圧が発生しないときオンになって各NチャネルFET38,39をオフに制御するNチャネルJFET44,45を設けたものである。
【選択図】 図1
Description
この発明は、送信電力を増幅するための電力増幅器を含む無線回路増幅部において、電力増幅器やその周辺回路に故障等が発生した場合に、電力増幅器の発熱を防止して装置の安全性を確保することが可能な、多帯域型携帯電話機に関する。
従来の多帯域型携帯電話機においては、電力増幅器およびその周辺回路に故障が発生した場合に、これを検出するための手段がなく、そのため、電力増幅器に過大電流が流れて発熱等の障害を発生する可能性が高かった。
図3は、従来の多帯域型携帯電話機における、電力増幅器およびその周辺回路の構成を例示したものであって、電池1と、送信制御回路2と、無線回路増幅部3とからなる概略構成が示されている。
図3は、従来の多帯域型携帯電話機における、電力増幅器およびその周辺回路の構成を例示したものであって、電池1と、送信制御回路2と、無線回路増幅部3とからなる概略構成が示されている。
電池1は、多帯域型携帯電話機の全体の回路に動作用電圧(正電圧)を供給する。送信制御回路2は、多帯域携帯電話機がデュアルモード端末である場合の第1の使用帯域または第2の使用帯域に対応して、それぞれ帯域信号21または帯域信号22を出力する。無線回路増幅部3は、帯域信号21または帯域信号22の出力に応じて、電力増幅器31または電力増幅器32が動作することによって、図示されないアンテナ結合回路を介して、アンテナに第1の使用帯域または第2の使用帯域の送信電力を供給する。
以下、図3を参照して、従来の多帯域型携帯電話機における、電力増幅器およびその周辺回路の構成を説明する。
電力増幅器31と電力増幅器32は、負電圧発生回路33から正常動作上必要な負バイアス電圧を供給されるとともに、電池1からの電流を、それぞれPチャネルFET34またはPチャネルFET35を介して受けるように構成されている。
さらに、PチャネルFET34のゲートとPチャネルFET35のゲートには、それぞれ抵抗36,抵抗37を介して電池1からの電圧が与えられるとともに、それぞれNチャネルFET38またはNチャネルFET39を介して、それぞれ帯域信号21または帯域信号22を供給されるように構成されている。
電力増幅器31と電力増幅器32は、負電圧発生回路33から正常動作上必要な負バイアス電圧を供給されるとともに、電池1からの電流を、それぞれPチャネルFET34またはPチャネルFET35を介して受けるように構成されている。
さらに、PチャネルFET34のゲートとPチャネルFET35のゲートには、それぞれ抵抗36,抵抗37を介して電池1からの電圧が与えられるとともに、それぞれNチャネルFET38またはNチャネルFET39を介して、それぞれ帯域信号21または帯域信号22を供給されるように構成されている。
次に、図3を参照して、従来の多帯域型携帯電話機における、電力増幅器およびその周辺回路の動作を説明する。
電池1から送信制御回路2と無線回路増幅部3に電圧が供給されると、PチャネルFET34とPチャネルFET35は、抵抗36,抵抗37を経てゲートに正電圧を供給されることによって、通常はオフとなっている。
送信制御回路2は、通常は帯域信号21と帯域信号22にロウレベルを出力しているが、多帯域携帯電話機がデュアルモード端末である場合の第1の帯域使用状態では、帯域信号21にハイレベルを出力し、第2の帯域使用状態では、帯域信号22にハイレベルを出力する。
ここで、帯域信号21は、デュアルモード端末における第1の帯域の送信バースト信号であり、帯域信号22は、デュアルモード端末における第2の帯域の送信バースト信号である。
電池1から送信制御回路2と無線回路増幅部3に電圧が供給されると、PチャネルFET34とPチャネルFET35は、抵抗36,抵抗37を経てゲートに正電圧を供給されることによって、通常はオフとなっている。
送信制御回路2は、通常は帯域信号21と帯域信号22にロウレベルを出力しているが、多帯域携帯電話機がデュアルモード端末である場合の第1の帯域使用状態では、帯域信号21にハイレベルを出力し、第2の帯域使用状態では、帯域信号22にハイレベルを出力する。
ここで、帯域信号21は、デュアルモード端末における第1の帯域の送信バースト信号であり、帯域信号22は、デュアルモード端末における第2の帯域の送信バースト信号である。
いま、第1の帯域使用時であって、帯域信号21がハイレベルの状態では、NチャネルFET38がオンになることによって、PチャネルFET34のゲートはロウレベルとなるので、PチャネルFET34がオンして、電力増幅器31に電源が供給されて動作状態となる。
一方、第2の帯域使用時であって、帯域信号22がハイレベルの状態では、NチャネルFET39がオンになることによって、PチャネルFET35のゲートはロウレベルとなるので、PチャネルFET35がオンして、電力増幅器32に電源が供給されて動作状態となる。
一方、第2の帯域使用時であって、帯域信号22がハイレベルの状態では、NチャネルFET39がオンになることによって、PチャネルFET35のゲートはロウレベルとなるので、PチャネルFET35がオンして、電力増幅器32に電源が供給されて動作状態となる。
このように、従来の多帯域型携帯電話機における、電力増幅器およびその周辺回路では、負電圧発生回路33から電力増幅器31および電力増幅器32を正常に動作させるために必要な負バイアス電圧が供給されなくなったり、または帯域信号によって電力増幅器31または電力増幅器32を動作させる回路に障害が発生したような場合には、電力増幅器31または電力増幅器32に過大な電流が流れて発熱等の障害を発生する恐れがあった。
これに対して、特許文献1においては、ノーマリオン型静電誘導トランジスタを備えて負荷をスイッチング駆動する駆動手段と、この駆動手段をスイッチング駆動時の過熱状態から保護するための過熱保護手段とを備えた半導体装置が開示されている。
また、特許文献2においては、送信機電力増幅器に接続され、送信制御信号に応答して送信機電力増幅器による送信を制御するように適合された直列トランジスタV1および、負バイアスを送信機電力増幅器に供給するための負バイアス生成手段とを有し、負バイアス生成手段が直列トランジスタの抵抗を削減するように直列トランジスタのゲートに印可される電圧を増加させるためにも用いられる小型無線送受信機において、負バイアス生成手段が、直列トランジスタV1のゲートに接続される第2のトランジスタV2 と、送信制御信号をゲートに受信するように適合された第3のトランジスタV3と、第2および第3のトランジスタの間に接続されたキヤパシタと、キヤパシタおよび第2のトランジスタV2と接地間に接続されたダイオード手段を有することが開示されている。
また、特許文献2においては、送信機電力増幅器に接続され、送信制御信号に応答して送信機電力増幅器による送信を制御するように適合された直列トランジスタV1および、負バイアスを送信機電力増幅器に供給するための負バイアス生成手段とを有し、負バイアス生成手段が直列トランジスタの抵抗を削減するように直列トランジスタのゲートに印可される電圧を増加させるためにも用いられる小型無線送受信機において、負バイアス生成手段が、直列トランジスタV1のゲートに接続される第2のトランジスタV2 と、送信制御信号をゲートに受信するように適合された第3のトランジスタV3と、第2および第3のトランジスタの間に接続されたキヤパシタと、キヤパシタおよび第2のトランジスタV2と接地間に接続されたダイオード手段を有することが開示されている。
さらに、本出願人の先の出願(特願2003−165206)に記載した技術においては、電力増幅器に負バイアス電圧を供給するための負電圧発生回路から負バイアス電圧が出力されないとき、負電圧の不存在を検出してオフとなるNチャネルFETと、NチャネルFETがオフになったときオフになる第1のPチャネルFETとによって、電源と電力増幅器の間に設けられた第2のPチャネルFETに対する制御信号の供給を停止して電力増幅器を保護するとともに、電源と第2のPチャネルFETとの間にヒューズを挿入して電力増幅器の電流が過大になったとき電源を遮断するようにしている。
特開平10−200387
特表2002−539709
従来の単一帯域型携帯電話機においては、電力増幅器に負バイアス電圧を供給するための負電圧発生回路から負電圧が発生しないとき、これを検出して電力増幅器を保護する回路は知られているが、回路構成が複雑である。さらに、多帯域型携帯電話機の場合に、このような保護を行うことが可能な回路方式は知られていない。
また、携帯電話機において、電力増幅器の電流が過大になったとき、ヒューズによって電源を遮断して電力増幅器を保護することは知られているが、過電流に基づく電力増幅器の発熱を検出して電力増幅器の電流を制限することによって、より高精度に電力増幅器を保護する回路については知られていない。
また、携帯電話機において、電力増幅器の電流が過大になったとき、ヒューズによって電源を遮断して電力増幅器を保護することは知られているが、過電流に基づく電力増幅器の発熱を検出して電力増幅器の電流を制限することによって、より高精度に電力増幅器を保護する回路については知られていない。
この発明は上述の事情に鑑みてなされたものであって、多帯域型携帯電話機の場合に、電力増幅器に負バイアス電圧を供給するための負電圧発生回路から負電圧が発生しないとき、簡単な回路でこれを検出して電力増幅器を保護するとともに、過電流に基づく電力増幅器の発熱状態を検出して電力増幅器の電流を制限することによって、高精度に電力増幅器の保護を行うことが可能な、多帯域型携帯電話機を提供することを目的としている。
上記課題を解決するため、請求項1記載の発明は多帯域型携帯電話機に係り、複数の使用帯域に対応して設けられた複数個の電力増幅手段と、複数個の電力増幅手段にそれぞれ負バイアス電圧を供給する負電圧発生手段と、上記各電力増幅手段と電源間に接続され、常時はその入力をそれぞれ第1の抵抗を介して電源にプルアップされることによってオフ状態に制御されている複数個の第1のスイッチング手段と、上記複数の使用帯域に対応するそれぞれの帯域信号によってオンになって対応する上記各第1のスイッチング手段をオン状態に制御する複数個の第2のスイッチング手段とを備えた多帯域型携帯電話機において、上記各第2のスイッチング手段と接地間に接続され、上記負電圧発生手段から負バイアス電圧が発生しないときオンになって上記各第2のスイッチング手段をそれぞれオフ状態に制御する複数個の第3のスイッチング手段を設けたことを特徴としている。
また、請求項2記載の発明は、請求項1記載の多帯域型携帯電話機に係り、上記第3のスイッチング手段が、上記負バイアス電圧が0のとき、各帯域信号に直列に挿入された第2の抵抗を経て所定以上の電流を流すことによって、上記第2のスイッチング手段をオフ状態に制御することを特徴としている。
また、請求項3記載の発明は、請求項1または2記載の多帯域型携帯電話機に係り、上記各第1のスイッチング手段がPチャネルFETからなり、上記各第2のスイッチング手段がNチャネルFETからなり、上記各第3のスイッチング手段がNチャネルJFETからなることを特徴としている。
また、請求項4記載の発明は、請求項1ないし3のいずれか一記載の多帯域型携帯電話機に係り、上記各第1の抵抗に対して、対応する電力増幅器の近傍の温度が上昇したとき抵抗値が減少する可変抵抗素子を並列に接続したことを特徴としている。
また、請求項5記載の発明は、請求項4記載の多帯域型携帯電話機に係り、上記可変抵抗素子がサーミスタであることを特徴としている。
また、請求項6記載の発明は、請求項1ないし5のいずれか一記載の多帯域型携帯電話機に係り、上記複数の帯域が、多帯域型携帯電話機がデュアルモード端末である場合の2帯域からなることを特徴としている。
本発明の多帯域型携帯電話機によれば、複数の帯域に対応する各電力増幅器に負バイアス電圧を供給する負電圧発生回路の負電圧が発生しなくなった場合に、この状態を検出することによって、それぞれの電力増幅器を不動作にして送信停止状態に保つので、電力増幅器の発熱を防止して安全性を向上することができる。
また、負バイアス電圧の変化や回路的障害等に基づいて各電力増幅器の電流が増大して異状発熱した場合に、それぞれの電力増幅器近傍の温度の検出結果に基づいて、電源からそれぞれの電力増幅器に供給される電流を制限するので、電力増幅器の発熱を抑制して安全性を確保することができる。
また、負バイアス電圧の変化や回路的障害等に基づいて各電力増幅器の電流が増大して異状発熱した場合に、それぞれの電力増幅器近傍の温度の検出結果に基づいて、電源からそれぞれの電力増幅器に供給される電流を制限するので、電力増幅器の発熱を抑制して安全性を確保することができる。
複数の使用帯域に対応して設けられた複数個の電力増幅手段と、複数個の電力増幅手段にそれぞれ負バイアス電圧を供給する負電圧発生手段と、各電力増幅手段と電源間に接続され、常時はその入力をそれぞれ第1の抵抗を介して電源にプルアップされることによってオフ状態に制御されている複数個の第1のスイッチング手段と、複数の使用帯域に対応するそれぞれの帯域信号によってオンになって対応する各第1のスイッチング手段をオン状態に制御する複数個の第2のスイッチング手段とを備えた多帯域型携帯電話機において、各第2のスイッチング手段と接地間に接続され、負電圧発生手段から負バイアス電圧が発生しないときオンになって各第2のスイッチング手段をオフ状態に制御する複数個の第3のスイッチング手段を設ける。
図1は、本発明の一実施例である多帯域型携帯電話機における、電力増幅器およびその周辺回路の構成を示す回路図、図2は、送信制御回路の構成を示す回路図である。
この例の多帯域型携帯電話機の電力増幅器およびその周辺回路は、図1に示すように、電池1と、送信制御回路2と、無線回路増幅部3とから概略構成されている。
この例の多帯域型携帯電話機の電力増幅器およびその周辺回路は、図1に示すように、電池1と、送信制御回路2と、無線回路増幅部3とから概略構成されている。
電池1は、多帯域型携帯電話機の全体の回路に動作用電圧(正電圧)を供給する。送信制御回路2は、デュアルモード端末である多帯域携帯電話機における、第1の使用帯域または第2の使用帯域に対応して、帯域信号21または帯域信号22を出力する。無線回路増幅部3は、帯域信号21または帯域信号22の出力に応じて、電力増幅器31または電力増幅器32が動作することによって、図示されないアンテナ結合回路を介して、アンテナに第1の使用帯域または第2の使用帯域の送信電力を供給する。
以下、図1を参照して、この例の多帯域型携帯電話機における、電力増幅器およびその周辺回路の構成を説明する。
電力増幅器31と電力増幅器32は、負電圧発生回路33から正常動作上必要な負バイアス電圧を供給されるとともに、電池1からの電流を、それぞれPチャネルFET34またはPチャネルFET35を介して受けるように構成されている。
また、PチャネルFET34のゲートとPチャネルFET35のゲートには、それぞれ並列接続された抵抗36とサーミスタ40,抵抗37とサーミスタ41を介して電池1からの電圧が与えられるとともに、それぞれ直列接続された抵抗42とNチャネルFET38,抵抗43とNチャネルFET39を介して、それぞれ帯域信号21または帯域信号22を供給されるように構成されている。なお、サーミスタ40,41は、それぞれ電力増幅器31,32の近傍に配置されているものとする。
さらに、抵抗42とNチャネルFET38のゲートとの接続点と接地間には、ゲートを負電圧発生回路33に接続されたNチャネルJFET44が接続され、抵抗43とNチャネルFET39のゲートとの接続点と接地間には、ゲートを負電圧発生回路33に接続されたNチャネルJFET45が接続されている。
電力増幅器31と電力増幅器32は、負電圧発生回路33から正常動作上必要な負バイアス電圧を供給されるとともに、電池1からの電流を、それぞれPチャネルFET34またはPチャネルFET35を介して受けるように構成されている。
また、PチャネルFET34のゲートとPチャネルFET35のゲートには、それぞれ並列接続された抵抗36とサーミスタ40,抵抗37とサーミスタ41を介して電池1からの電圧が与えられるとともに、それぞれ直列接続された抵抗42とNチャネルFET38,抵抗43とNチャネルFET39を介して、それぞれ帯域信号21または帯域信号22を供給されるように構成されている。なお、サーミスタ40,41は、それぞれ電力増幅器31,32の近傍に配置されているものとする。
さらに、抵抗42とNチャネルFET38のゲートとの接続点と接地間には、ゲートを負電圧発生回路33に接続されたNチャネルJFET44が接続され、抵抗43とNチャネルFET39のゲートとの接続点と接地間には、ゲートを負電圧発生回路33に接続されたNチャネルJFET45が接続されている。
送信制御回路2は、図2に示すように、NチャネルFET23とPチャネルFET24とからなるC−MOS出力回路25と、NチャネルFET26とPチャネルFET27とからなるC−MOS出力回路28とを有している。
そして、第1の使用帯域に対応して図示されないCPUから、オフ時ロウレベルとなり、オン時ハイレベルとなる制御信号がC−MOS出力回路25に与えられたときは、制御信号のオン時ハイレベルとなり制御信号のオフ時ロウレベルとなる帯域信号21を出力する。また、第2の使用帯域に対応して同じ制御信号がC−MOS出力回路28に与えられたときは、制御信号のオン時ハイレベルとなり制御信号のオフ時ロウレベルとなる帯域信号22を出力する。
帯域信号21は、デュアルモード端末である場合の多帯域型携帯電話機の第1の帯域の送信バースト信号であり、帯域信号22は、デュアルモード端末である場合の多帯域型携帯電話機の第2の帯域の送信バースト信号である。
そして、第1の使用帯域に対応して図示されないCPUから、オフ時ロウレベルとなり、オン時ハイレベルとなる制御信号がC−MOS出力回路25に与えられたときは、制御信号のオン時ハイレベルとなり制御信号のオフ時ロウレベルとなる帯域信号21を出力する。また、第2の使用帯域に対応して同じ制御信号がC−MOS出力回路28に与えられたときは、制御信号のオン時ハイレベルとなり制御信号のオフ時ロウレベルとなる帯域信号22を出力する。
帯域信号21は、デュアルモード端末である場合の多帯域型携帯電話機の第1の帯域の送信バースト信号であり、帯域信号22は、デュアルモード端末である場合の多帯域型携帯電話機の第2の帯域の送信バースト信号である。
次に、図1,図2を参照して、この例の多帯域型携帯電話機における、電力増幅器およびその周辺回路の動作を説明する。
電池1から送信制御回路2と無線回路増幅部3に電圧が供給されると、PチャネルFET34とPチャネルFET35は、抵抗36,抵抗37から正電圧を供給されることによってオフとなる。サーミスタ40,41は、通常は高抵抗であって、この場合の動作には殆ど影響を与えない。
送信制御回路2は、通常は帯域信号21と帯域信号22にロウレベルを出力しているが、多帯域携帯電話機がデュアルモード端末である場合の第1の帯域使用状態では、帯域信号21にハイレベルを出力し、デュアルモード端末の第2の帯域使用状態では、帯域信号22にハイレベルを出力する。
電池1から送信制御回路2と無線回路増幅部3に電圧が供給されると、PチャネルFET34とPチャネルFET35は、抵抗36,抵抗37から正電圧を供給されることによってオフとなる。サーミスタ40,41は、通常は高抵抗であって、この場合の動作には殆ど影響を与えない。
送信制御回路2は、通常は帯域信号21と帯域信号22にロウレベルを出力しているが、多帯域携帯電話機がデュアルモード端末である場合の第1の帯域使用状態では、帯域信号21にハイレベルを出力し、デュアルモード端末の第2の帯域使用状態では、帯域信号22にハイレベルを出力する。
いま、負電圧発生回路33が正常に負バイアス電圧を発生しているものとする。この状態では、NチャネルJFET44とNチャネルJFET45は、ともにオンしていない。 第1の帯域使用時であって、帯域信号21がハイレベルの状態では、NチャネルFET38がオンになることによって、PチャネルFET34のゲートはロウレベルとなるので、PチャネルFET34がオンし、従って、電力増幅器31は電源が供給されて動作状態となる。
一方、第2の帯域使用時であって、帯域信号22がハイレベルの状態では、NチャネルFET39がオンになることによって、PチャネルFET35のゲートはロウレベルとなるので、PチャネルFET35がオンし、従って、電力増幅器32は電源が供給されて動作状態となる。
以上の動作は、図3に示された従来の多帯域型携帯電話機の場合と同様である。
一方、第2の帯域使用時であって、帯域信号22がハイレベルの状態では、NチャネルFET39がオンになることによって、PチャネルFET35のゲートはロウレベルとなるので、PチャネルFET35がオンし、従って、電力増幅器32は電源が供給されて動作状態となる。
以上の動作は、図3に示された従来の多帯域型携帯電話機の場合と同様である。
負電圧発生回路33から負バイアス電圧が発生しない場合には、NチャネルJFET44とNチャネルJFET45がオンとなるため、抵抗42とNチャネルFET38の接続点および抵抗43とNチャネルFET39の接続点は接地状態となって、帯域信号21と帯域信号22は、それぞれNチャネルFET38,NチャネルFET39のゲートに伝達されず、NチャネルFET38,NチャネルFET39はオフ状態となる。従って、PチャネルFET34,PチャネルFET35がオフとなるため、電力増幅器31,電力増幅器32は不動作となり、送信停止状態に保たれるので、電力増幅器の発熱を防止し、安全性を向上することができる。
この場合に、負バイアス電圧の変化を確実に検出して、帯域信号21,帯域信号22がNチャネルFET38,NチャネルFET39のゲートに伝達されないようにするためには、ゲート電圧が0の状態でも十分大きな電流を流すことが可能な、NチャネルJ(ジャンクション)FET44,45を用いることが必要である。
この場合に、負バイアス電圧の変化を確実に検出して、帯域信号21,帯域信号22がNチャネルFET38,NチャネルFET39のゲートに伝達されないようにするためには、ゲート電圧が0の状態でも十分大きな電流を流すことが可能な、NチャネルJ(ジャンクション)FET44,45を用いることが必要である。
また、電力増幅器31,電力増幅器32が異状発熱した場合には、電力増幅器31,電力増幅器32の近傍にそれぞれ配置されているサーミスタ40,サーミスタ41の抵抗値が温度上昇に基づいて減少するため、それぞれPチャネルFET34,PチャネルFET35のゲートがプルアップされるので、それぞれ電力増幅器31,電力増幅器32の電流が逓減されて発熱が減少し、安全性が確保される。
このような、電力増幅器31,電力増幅器32の異状発熱は、電力増幅器自体の故障や、なんらかの原因によって、例えば負電圧発生回路33からの負バイアス電圧が低下したり、または、NチャネルFET38とPチャネルFET34間またはNチャネルFET39とPチャネルFET35間に回路的障害が発生したために、PチャネルFET34,PチャネルFET35のゲート電圧が低下して、電力増幅器31,電力増幅器32の電流が増大したような場合に発生することが考えられる。
このような、電力増幅器31,電力増幅器32の異状発熱は、電力増幅器自体の故障や、なんらかの原因によって、例えば負電圧発生回路33からの負バイアス電圧が低下したり、または、NチャネルFET38とPチャネルFET34間またはNチャネルFET39とPチャネルFET35間に回路的障害が発生したために、PチャネルFET34,PチャネルFET35のゲート電圧が低下して、電力増幅器31,電力増幅器32の電流が増大したような場合に発生することが考えられる。
このように、この例の多帯域型携帯電話機では、電力増幅器31,電力増幅器32に負バイアス電圧を供給する負電圧発生回路33の負電圧が発生しなくなった場合に、この状態を検出することによって、電力増幅器31,電力増幅器32を不動作にして送信停止状態に保つので、電力増幅器の発熱を防止し、安全性を向上することができる。
また、回路的障害等に基づく電力増幅器31,電力増幅器32の電流の増大によって、電力増幅器31,電力増幅器32が異状発熱した場合に、電力増幅器31,電力増幅器32の近傍の温度上昇の検出結果に基づいて、電源から電力増幅器31,電力増幅器32に電流を供給するPチャネルFET34,PチャネルFET35のゲート電圧をプルアップするので、電力増幅器31,電力増幅器32の電流が逓減されて安全性が確保される。
また、回路的障害等に基づく電力増幅器31,電力増幅器32の電流の増大によって、電力増幅器31,電力増幅器32が異状発熱した場合に、電力増幅器31,電力増幅器32の近傍の温度上昇の検出結果に基づいて、電源から電力増幅器31,電力増幅器32に電流を供給するPチャネルFET34,PチャネルFET35のゲート電圧をプルアップするので、電力増幅器31,電力増幅器32の電流が逓減されて安全性が確保される。
以上、この発明の実施例を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られたものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、実施例においては、多帯域型携帯電話機がデュアルモード端末であって、第1の帯域と第2の帯域とを有する場合について説明したが、この場合に限るものではなく、例えば3帯域またはそれ以上等、さらに多数の帯域を有する場合であってもよい。
この発明の多帯域型携帯電話機における、複数の使用帯域に対応する電力増幅器の負バイアス電圧の欠落および異状発熱に対する保護方法は、携帯電話機に限らず、複数の使用チャネルを有する各種情報機器にも利用することが可能である。
1 電池
2 送信制御回路
21,22 帯域信号
3 無線回路増幅部
31,32 電力増幅器(電力増幅手段)
33 負電圧発生回路(負電圧発生手段)
34,35 PチャネルFET(第1のスイッチング手段)
38,39 NチャネルFET(第2のスイッチング手段)
40,41 サーミスタ(可変抵抗素子)
44,45 NチャネルJFET(第3のスイッチング手段)
36,37 抵抗(第1の抵抗)
42,43 抵抗(第2の抵抗)
2 送信制御回路
21,22 帯域信号
3 無線回路増幅部
31,32 電力増幅器(電力増幅手段)
33 負電圧発生回路(負電圧発生手段)
34,35 PチャネルFET(第1のスイッチング手段)
38,39 NチャネルFET(第2のスイッチング手段)
40,41 サーミスタ(可変抵抗素子)
44,45 NチャネルJFET(第3のスイッチング手段)
36,37 抵抗(第1の抵抗)
42,43 抵抗(第2の抵抗)
Claims (6)
- 複数の使用帯域に対応して設けられた複数個の電力増幅手段と、
前記複数個の電力増幅手段にそれぞれ負バイアス電圧を供給する負電圧発生手段と、
前記各電力増幅手段と電源間に接続され、常時はその入力をそれぞれ第1の抵抗を介して電源にプルアップされることによってオフ状態に制御されている複数個の第1のスイッチング手段と、
前記複数の使用帯域に対応するそれぞれの帯域信号によってオンになって対応する前記各第1のスイッチング手段をオン状態に制御する複数個の第2のスイッチング手段とを備えた多帯域型携帯電話機において、
前記各第2のスイッチング手段と接地間に接続され、前記負電圧発生手段から負バイアス電圧が発生しないときオンになって前記各第2のスイッチング手段をそれぞれオフ状態に制御する複数個の第3のスイッチング手段を設けたことを特徴とする多帯域型携帯電話機。 - 前記第3のスイッチング手段が、前記負バイアス電圧が0のとき、各帯域信号に直列に挿入された第2の抵抗を経て所定以上の電流を流すことによって、前記第2のスイッチング手段をオフ状態に制御することを特徴とする請求項1記載の多帯域型携帯電話機。
- 前記各第1のスイッチング手段がPチャネルFETからなり、前記各第2のスイッチング手段がNチャネルFETからなり、前記各第3のスイッチング手段がNチャネルJFETからなることを特徴とする請求項1または2記載の多帯域型帯電話機。
- 前記各第1の抵抗に対して、対応する電力増幅器の近傍の温度が上昇したとき抵抗値が減少する可変抵抗素子を並列に接続したことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一記載の多帯域型携帯電話機。
- 前記可変抵抗素子がサーミスタであることを特徴とする請求項4記載の多帯域型携帯電話機。
- 前記複数の帯域が、多帯域型携帯電話機がデュアルモード端末である場合の2帯域からなることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一記載の多帯域型携帯電話機。
Priority Applications (1)
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JP2004047111A JP2005236927A (ja) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | 多帯域型携帯電話機 |
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JP2004047111A JP2005236927A (ja) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | 多帯域型携帯電話機 |
Publications (1)
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Cited By (2)
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JP2007096600A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Kyocera Corp | 無線通信端末 |
JP2008253067A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nec Corp | 携帯端末 |
-
2004
- 2004-02-23 JP JP2004047111A patent/JP2005236927A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007096600A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Kyocera Corp | 無線通信端末 |
JP4633592B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-02-16 | 京セラ株式会社 | 無線通信端末 |
JP2008253067A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Nec Corp | 携帯端末 |
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