JP2005236193A - 半導体製造装置、及び、半導体製造装置の使用方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 従来の半導体製造装置は、熱電対の取付けには、長時間有していた。その結果、生産性が悪くなるという問題があった。
【解決手段】 本発明に係る半導体製造装置は、半導体基板と、前記半導体基板に接触しない状態で前記半導体基板を測温するための非接触式温度計であって、前記非接触式温度計が測温可能な直線上に前記半導体基板が移動可能である前記非接触式温度計と、前記非接触式温度計を校正するための基準温度を、測定するために用いられる測定板と、前記測定板に接触した状態で前記測定板の基準温度を測定する接触式温度計とを有し、前記測定板は、前記非接触式温度計が測温可能な直線上における、前記非接触式温度計を基準に前記半導体基板より遠い位置に配置されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明に係る半導体製造装置は、半導体基板と、前記半導体基板に接触しない状態で前記半導体基板を測温するための非接触式温度計であって、前記非接触式温度計が測温可能な直線上に前記半導体基板が移動可能である前記非接触式温度計と、前記非接触式温度計を校正するための基準温度を、測定するために用いられる測定板と、前記測定板に接触した状態で前記測定板の基準温度を測定する接触式温度計とを有し、前記測定板は、前記非接触式温度計が測温可能な直線上における、前記非接触式温度計を基準に前記半導体基板より遠い位置に配置されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体製造装置、及び、当該製造装置の使用方法に関する。
従来の半導体製造装置は、特許文献1に記載のように、半導体基板の温度を測定するための放射温度計が備えられている。放射温度計は、測定の性能が経時的に悪化することから、定期的な校正を必要とする。図3に示されるように、放射温度計51を校正するには、基準温度が必要である。基準温度の測定は、半導体基板52に熱電対53を取り付けて行っていた。
しかしながら、上記従来の半導体製造装置では、熱電対53の取付けには、煩わしい作業があり長い時間を有していた。その結果、生産性が悪くなるという問題があった。
上記問題を解決するために、本発明に係る半導体製造装置は、半導体基板と、前記半導体基板に接触しない状態で前記半導体基板を測温するための非接触式温度計であって、前記非接触式温度計が測温可能な直線上に前記半導体基板が移動可能である前記非接触式温度計と、前記非接触式温度計を校正するための基準温度を測定するために用いられる測定板と、前記測定板に接触した状態で前記測定板の基準温度を測定する接触式温度計とを有し、前記測定板は、前記非接触式温度計が測温可能な直線上における、前記非接触式温度計を基準に前記半導体基板より遠い位置に配置されている。
本発明に係る半導体製造装置によれば、基準温度を測定するために用いられる接触式温度計が取り付けられた測定板は、非接触式温度計が測温可能な直線上における、前記非接触式温度計を基準に半導体基板より遠い位置に配置されている。よって、放射温度計は、校正のとき、すなわち、前記直線上に半導体基板がないとき、前記直線上に取り付けられた測定板を測定することができるので、半導体基板に接触式温度計を取り付ける作業が必要なくなる。その結果、生産性を向上させることが可能になる。
上記した本発明に係る半導体製造装置では、前記放射温度計は、前記半導体基板に熱処理を施すためのチャンバ内に載置された前記半導体基板と前記測定板の温度を測定する。
上記した本発明に係る半導体製造装置では、前記非接触式温度計は、放射温度計である。
上記した本発明に係る半導体製造装置では、前記接触式温度計は、熱電対である。
本発明に係る半導体製造装置の使用方法は、半導体基板に接触しない状態で前記半導体基板を測温するための非接触式温度計が測温可能な直線上にある前記半導体基板を測定する第1の工程と、前記直線上に前記半導体基板がないとき、前記非接触式温度計が測温可能な直線上における前記非接触式温度計を基準に前記半導体基板より遠い位置に配置されている測定板を前記非接触式温度計が測定する第2の工程と、前記非接触式温度計を、接触した状態で測温する接触式温度計によって測定された前記測定板の基準温度をもとにして、前記第2の工程で測定した値を校正する第3の工程とを有する。
本発明に係る半導体製造装置の使用方法によれば、基準温度を測定するために用いられる接触式温度計が取り付けられた測定板は、非接触式温度計が測温可能な直線上における、前記非接触式温度計を基準に半導体基板より遠い位置に配置されている。よって、放射温度計は、校正のとき、すなわち、前記直線上に半導体基板がないとき、前記直線上に取り付けられた測定板を測定することができるので、半導体基板に接触式温度計を取り付ける作業が必要なくなる。その結果、生産性を向上させることが可能になる。
以下、本発明に係る半導体製造装置の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、実施形態の半導体製造装置の構成を示す断面図である。図1(a)は、実施形態の非接触式温度計により、半導体基板の温度を測定するときの構造を示している。図1(b)は、実施形態の放射温度計を校正(キャリブレーション)するときの構造を示している。以下、実施形態の半導体製造装置を、図1(a)を参照しながら説明する。
実施形態の半導体製造装置である熱処理炉1は、図1(a)に示されるように、半導体基板であるウエハ2を熱処理するためのチャンバ3と、ウエハ2を載せるためのサセプター4と、ウエハ2の温度を測定するための非接触式温度計である放射温度計5と、基準温度を測定するために用いられる測定板6と、測定板6の温度を測定するための接触式温度計である熱電対7とを有する。
チャンバ3は、ウエハ2に熱処理を施すために用いられる。チャンバ3は、全体に横方向に延びた中空の空間に形成されている。前記中空の空間の上下には、複数の発熱するランプ8が設けられている。チャンバ3内の温度は、熱処理の種類によって異なり、例えば、700℃〜1200℃の範囲に設定され、誤差は±2℃程度に調整されている。
サセプター4は、ウエハ2をチャンバ3内に搬送するために用いられる。サセプター4は、ウエハ2を載せるために、ウエハ2と略同形状のリングを有する。リングには、ウエハ2を固定するため、爪4aが形成されている。サセプター4は、リング状に形成されているため、ウエハ2の外周近傍以外は、表裏面ともに剥き出しの状態になっている。ウエハ2は、ウエハ2への熱処理が終わると、サセプター4とともにチャンバ3の外に搬送される。
放射温度計5は、チャンバ3内に載置されたウエハ2に、接触しない状態で前記ウエハ2の温度を測定するために用いられる。放射温度計5は、例えば、赤外線放射温度計である。放射温度計5は、ランプ8からウエハ2に伝わる熱を遮らないために、チャンバ3の下方に配置されたランプ8より外側に設けられている。放射温度計5は、ウエハ2の表面から放出される赤外線エネルギー(赤外線の量)を、放射温度計5の入射口5aから入射して、放射温度計5内部の赤外線センサを用いて測定したあと、赤外線の量から温度に換算して温度表示している。放射温度計5の入射口5aは、前記放射温度計5が測温可能な直線上にあるウエハ2に向けられている。
測定板6は、前記放射温度計5を校正するための基準温度を測定するために用いられる。測定板6は、放射温度計5が測温可能な直線上における、前記放射温度計5を基準にウエハ2より遠い位置であり、かつ、ランプ8からウエハ2への熱が遮らない位置のチャンバ3内に配置されている。測定板6は、例えば、ウエハ2と同じ材質に相当するシリコン基板である。
熱電対7は、測定板6に接触した状態で前記測定板6の基準温度を測定するために用いられる。熱電対7による測定は、異なる金属材料を測定板6に接触させて、発生した起電力を温度に換算する方法により求められる。
図2は、実施形態の半導体製造装置の使用方法を示すフローチャートである。図2に示される一点鎖線内は、ウエハ2の温度測定を行っている工程である。二点鎖線内は、放射温度計5の校正を行っている工程である。以下、実施形態の熱処理炉1の使用方法を、図2および図1を参照しながら説明する。まず、ウエハ2をサセプター4に固定し、ウエハ2の温度測定を行う工程を開始する。
ステップS1では、ウエハ2をサセプター4とともにチャンバ3内へ挿入する。
ステップS2では、放射温度計5が測温可能な直線上にあるウエハ2の温度測定を行う。まず、チャンバ3に設けられたランプ8からの熱によってウエハ2を加熱し、熱処理を開始する。次に、放射温度計5は、ウエハ2から放出される赤外線エネルギーを入射する(図1(a)参照)。
ステップS3では、ウエハ2への熱処理が終了したあと、ウエハ2をチャンバ3から排出する。
ステップS4では、放射温度計5を校正(キャリブレーション)する時期であるか否かを判断する。校正(キャリブレーション)する時期であれば、ステップS5に移行する。校正(キャリブレーション)する時期でなければ、ステップS1に移行する。校正(キャリブレーション)は、放射温度計5の測定の性能が経時的に悪化したときであり、例えば、1週間に1回の頻度で行う。また、例えば、経時的な誤差を抑えて測定するために、ロット毎に校正を行っても良い。
ステップS5では、放射温度計5を校正するため、測定板6の基準温度を測定する(図1(b)参照)。まず、測定板6に取り付けられた熱電対7によって発生した起電力を計測する。次に、起電力の値を温度に換算する。
ステップS6では、放射温度計の校正(キャリブレーション)を行う。放射温度計5は、前記放射温度計5が測温可能な直線上にウエハ2がないため、前記直線上に取り付けられた測定板6を測定することができる。まず、放射温度計5は、測定板6の表面から放出される赤外線エネルギーを入射する。放射温度計5は、入射した赤外線エネルギーを温度に換算する。次に、熱電対7によって測定された温度(ステップS5)を放射温度計5にフィードバックして、放射温度計5によって測定された測定板6の温度が同じ値になるように整合する。
ステップS7では、引き続き、ウエハ2の温度測定を行うか否かを判断する。温度測定を行うのであれば、ステップS1に移行する。温度測定を行わないのであれば、ウエハ2の温度測定を行う工程を終了する。
以上詳述したように、本実施形態に係る半導体製造装置および半導体製造装置の使用方法によれば、基準温度を測定するために用いられる熱電対7が取り付けられた測定板6は、放射温度計5が測温可能な直線上における、前記放射温度計5を基準にウエハ2より遠い位置に配置されている。よって、放射温度計5は、校正のとき、すなわち、前記直線上にウエハ2がないとき、前記直線上に取り付けられた測定板6を測定することができるので、ウエハ2に熱電対7を取り付ける作業が必要なくなる。その結果、生産性を向上させることができる。
(変形例1)前記した放射温度計5とウエハ2と測定板6との位置関係において、放射温度計5と測定板6の間に挟まれているウエハ2の移動により、放射温度計5の校正を行っていたものを、放射温度計5とウエハ2の間に挟まれている熱電対7が取り付けられた測定板6の移動により、放射温度計5の校正を行うようにしてもよい。この場合も実施形態と同様に、生産性を向上することができる。
(変形例2)前記した測定板6の材質を、シリコン基板に代えて、被測定物に相当する材質にしてもよい。放射温度計5は、被測定物に相当する材質にすることで、シリコン基板以外の材料に対しても温度を測定することが可能になる。
1…熱処理炉、2…ウエハ、3…チャンバ、4…サセプター、5…放射温度計、6…測定板、7…熱電対。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に接触しない状態で前記半導体基板を測温するための非接触式温度計であって、前記非接触式温度計が測温可能な直線上に前記半導体基板が移動可能である前記非接触式温度計と、
前記非接触式温度計を校正するための基準温度を測定するために用いられる測定板と、
前記測定板に接触した状態で前記測定板の基準温度を測定する接触式温度計と
を有し、
前記測定板は、前記非接触式温度計が測温可能な直線上における、前記非接触式温度計を基準に前記半導体基板より遠い位置に配置されていることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1に記載の半導体製造装置であって、
前記放射温度計は、前記半導体基板に熱処理を施すためのチャンバ内に載置された前記半導体基板と前記測定板の温度を測定することを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1に記載の半導体製造装置であって、
前記非接触式温度計は、放射温度計であることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1に記載の半導体製造装置であって、
前記接触式温度計は、熱電対であることを特徴とする半導体製造装置。 - 半導体基板に接触しない状態で前記半導体基板を測温するための非接触式温度計が測温可能な直線上にある前記半導体基板を測定する第1の工程と、
前記直線上に前記半導体基板がないとき、前記非接触式温度計が測温可能な直線上における前記非接触式温度計を基準に前記半導体基板より遠い位置に配置されている測定板を前記非接触式温度計が測定する第2の工程と、
前記非接触式温度計を、接触した状態で測温する接触式温度計によって測定された前記測定板の基準温度をもとにして、前記第2の工程で測定した値を校正する第3の工程と
を有することを特徴とする半導体製造装置の使用方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004046317A JP2005236193A (ja) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | 半導体製造装置、及び、半導体製造装置の使用方法 |
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JP2004046317A Withdrawn JP2005236193A (ja) | 2004-02-23 | 2004-02-23 | 半導体製造装置、及び、半導体製造装置の使用方法 |
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JP (1) | JP2005236193A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016133384A (ja) * | 2015-01-19 | 2016-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
-
2004
- 2004-02-23 JP JP2004046317A patent/JP2005236193A/ja not_active Withdrawn
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