JP2000121447A - 放射温度計を用いた温度測定方法 - Google Patents
放射温度計を用いた温度測定方法Info
- Publication number
- JP2000121447A JP2000121447A JP10288034A JP28803498A JP2000121447A JP 2000121447 A JP2000121447 A JP 2000121447A JP 10288034 A JP10288034 A JP 10288034A JP 28803498 A JP28803498 A JP 28803498A JP 2000121447 A JP2000121447 A JP 2000121447A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- intercept
- measurement
- straight line
- slope
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 61
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 92
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 62
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 43
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射温度計を用いて測定対象の温度を正確に
測定することができる温度測定方法を提供すること。 【解決手段】 その出力と測定対象の温度とが直線近似
可能であり、かつ直線の傾きとＹ切片とを適宜設定する
ことにより較正することが可能な放射温度計を用いて測
定対象の温度を測定するにあたり、測定対象における測
定対象を透過しない波長の光の反射率と、測定対象に対
し成膜処理を行った際の膜厚との関係から、測定対象に
対応する前記直線の傾きとＹ切片とを求め、これを複数
の測定対象について行って測定対象の反射率と前記直線
の傾きおよびＹ切片の値との関係を求め、これらの関係
に基づいて放射温度計の放射率の補正を行って測定対象
の温度を測定する。
測定することができる温度測定方法を提供すること。 【解決手段】 その出力と測定対象の温度とが直線近似
可能であり、かつ直線の傾きとＹ切片とを適宜設定する
ことにより較正することが可能な放射温度計を用いて測
定対象の温度を測定するにあたり、測定対象における測
定対象を透過しない波長の光の反射率と、測定対象に対
し成膜処理を行った際の膜厚との関係から、測定対象に
対応する前記直線の傾きとＹ切片とを求め、これを複数
の測定対象について行って測定対象の反射率と前記直線
の傾きおよびＹ切片の値との関係を求め、これらの関係
に基づいて放射温度計の放射率の補正を行って測定対象
の温度を測定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
対象物の温度を放射温度計を用いて測定する温度測定方
法に関する。
対象物の温度を放射温度計を用いて測定する温度測定方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、所定の不純物を注入した後のアニール等種々の熱処
理が存在し、また種々の膜の成膜工程やエッチング工程
等の熱が関与する処理が存在する。これらの処理におい
ては、その際の半導体ウエハの温度がその特性に大きな
影響を及ぼすため、半導体ウエハの温度制御が極めて重
要である。
は、所定の不純物を注入した後のアニール等種々の熱処
理が存在し、また種々の膜の成膜工程やエッチング工程
等の熱が関与する処理が存在する。これらの処理におい
ては、その際の半導体ウエハの温度がその特性に大きな
影響を及ぼすため、半導体ウエハの温度制御が極めて重
要である。
【０００３】比較的温度の高い領域における半導体ウエ
ハの温度測定は、放射温度計を用いて行われている。放
射温度計は測定対象の放射強度を検出し、検出された放
射強度に基づいて温度を測定する。しかしながら、放射
温度計で半導体ウエハの温度を測定する場合には、半導
体ウエハの表面の粗さや薄膜の厚さによってウエハの放
射率が変化し、また、放射温度計から照射するが温度測
定を正しく行うことができないという欠点がある。
ハの温度測定は、放射温度計を用いて行われている。放
射温度計は測定対象の放射強度を検出し、検出された放
射強度に基づいて温度を測定する。しかしながら、放射
温度計で半導体ウエハの温度を測定する場合には、半導
体ウエハの表面の粗さや薄膜の厚さによってウエハの放
射率が変化し、また、放射温度計から照射するが温度測
定を正しく行うことができないという欠点がある。
【０００４】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、放射温度計を用いて測定対象の温度を正確に
測定することができる温度測定方法を提供することを目
的とする。
であって、放射温度計を用いて測定対象の温度を正確に
測定することができる温度測定方法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく検討を重ねた結果、まず、測定対象に対し
て透過しない波長の光源を用いれば、その反射率と放射
率とが対応することを知見した。したがって、測定対象
表面の反射率と測定対象に貼り付けた熱電対の値とから
放射率の補正テーブルを作成し、これにより放射率の補
正を行うことを試みた。
を解決すべく検討を重ねた結果、まず、測定対象に対し
て透過しない波長の光源を用いれば、その反射率と放射
率とが対応することを知見した。したがって、測定対象
表面の反射率と測定対象に貼り付けた熱電対の値とから
放射率の補正テーブルを作成し、これにより放射率の補
正を行うことを試みた。
【０００６】しかしながら、熱電対を測定対象に固定す
る際の状態に再現性がなく、熱電対と測定対象の接触状
態が異なるため、温度誤差が生じ、正しい補正テーブル
を得ることができなかった。
る際の状態に再現性がなく、熱電対と測定対象の接触状
態が異なるため、温度誤差が生じ、正しい補正テーブル
を得ることができなかった。
【０００７】そこで、さらに検討を加えた結果、測定対
象に対して温度に対応する結果が得られる処理を施し、
その処理結果と測定対象の反射率とを用いれば正確な補
正テーブルを得ることができ、これを用いれば測定対象
の表面粗さ等の相違により放射率が変化しても放射温度
計を用いて測定対象の温度を正確に測定可能なことを知
見した。
象に対して温度に対応する結果が得られる処理を施し、
その処理結果と測定対象の反射率とを用いれば正確な補
正テーブルを得ることができ、これを用いれば測定対象
の表面粗さ等の相違により放射率が変化しても放射温度
計を用いて測定対象の温度を正確に測定可能なことを知
見した。
【０００８】本発明は、このような知見に基づいてなさ
れたものであり、その出力と測定対象の温度とが直線近
似可能であり、かつ直線の傾きとＹ切片とを適宜設定す
ることにより較正することが可能な放射温度計を用いて
測定対象の温度を測定する温度測定方法であって、測定
対象における測定対象を透過しない波長の光の反射率
と、測定対象に対し処理結果が温度と対応する所定の処
理を行った際の処理結果との関係から、測定対象の前記
直線の傾きとＹ切片とを求め、これを複数の測定対象に
ついて行って測定対象の反射率と前記直線の傾きおよび
Ｙ切片の値との関係を求め、これらの関係に基づいて放
射温度計の放射率の補正を行って測定対象の温度を測定
することを特徴とする、放射温度計を用いた温度測定方
法を提供するものである。
れたものであり、その出力と測定対象の温度とが直線近
似可能であり、かつ直線の傾きとＹ切片とを適宜設定す
ることにより較正することが可能な放射温度計を用いて
測定対象の温度を測定する温度測定方法であって、測定
対象における測定対象を透過しない波長の光の反射率
と、測定対象に対し処理結果が温度と対応する所定の処
理を行った際の処理結果との関係から、測定対象の前記
直線の傾きとＹ切片とを求め、これを複数の測定対象に
ついて行って測定対象の反射率と前記直線の傾きおよび
Ｙ切片の値との関係を求め、これらの関係に基づいて放
射温度計の放射率の補正を行って測定対象の温度を測定
することを特徴とする、放射温度計を用いた温度測定方
法を提供するものである。
【０００９】また、本発明は、その出力と測定対象の温
度とが直線近似可能であり、かつ直線の傾きとＹ切片と
を適宜設定することにより較正することが可能な放射温
度計を用いて測定対象の温度を測定する温度測定方法で
あって、測定対象における測定対象を透過しない波長の
光の反射率と、測定対象に対し成膜処理を行った際の膜
厚との関係から、測定対象の前記直線の傾きとＹ切片と
を求め、これを複数の測定対象について行って測定対象
の反射率と前記直線の傾きおよびＹ切片の値との関係を
求め、これらの関係に基づいて放射温度計の放射率の補
正を行って測定対象の温度を測定することを特徴とす
る、放射温度計を用いた温度測定方法を提供するもので
ある。
度とが直線近似可能であり、かつ直線の傾きとＹ切片と
を適宜設定することにより較正することが可能な放射温
度計を用いて測定対象の温度を測定する温度測定方法で
あって、測定対象における測定対象を透過しない波長の
光の反射率と、測定対象に対し成膜処理を行った際の膜
厚との関係から、測定対象の前記直線の傾きとＹ切片と
を求め、これを複数の測定対象について行って測定対象
の反射率と前記直線の傾きおよびＹ切片の値との関係を
求め、これらの関係に基づいて放射温度計の放射率の補
正を行って測定対象の温度を測定することを特徴とす
る、放射温度計を用いた温度測定方法を提供するもので
ある。
【００１０】さらに、本発明は、その出力と測定対象の
温度とが直線近似可能であり、かつ直線の傾きとＹ切片
とを適宜設定することにより較正することが可能な放射
温度計を用いて測定対象の温度を測定する温度測定方法
であって、表面状態が異なる複数の測定対象を準備し、
測定対象を透過しない波長の光を照射してこれらの反射
率を測定する工程と、各測定対象について前記直線の傾
きとＹ切片とを複数設定し、各設定の放射温度計で温度
を測定しつつ２つのレシピにてこれら測定対象に対し処
理結果が温度と対応する所定の処理を行う工程と、各測
定対象の同一のレシピについて、処理結果を前記直線の
傾きおよびＹ切片の関数とした式で表す工程と、各測定
対象について、各レシピごとに基準となる処理結果の値
を決定して、それらの値を各レシピに対応する複数の式
に代入し、その際の直線の傾きとＹ切片とを求める工程
と、各測定対象の前記反射率の測定結果とこのようにし
て求めた直線の傾きおよびＹ切片の値とから測定対象の
反射率と前記直線の傾きおよびＹ切片の値との関係を求
める工程と、これらの関係に基づいて放射温度計の放射
率の補正を行って測定対象の温度を測定する工程とを具
備することを特徴とする、放射温度計を用いた温度測定
方法を提供するものである。
温度とが直線近似可能であり、かつ直線の傾きとＹ切片
とを適宜設定することにより較正することが可能な放射
温度計を用いて測定対象の温度を測定する温度測定方法
であって、表面状態が異なる複数の測定対象を準備し、
測定対象を透過しない波長の光を照射してこれらの反射
率を測定する工程と、各測定対象について前記直線の傾
きとＹ切片とを複数設定し、各設定の放射温度計で温度
を測定しつつ２つのレシピにてこれら測定対象に対し処
理結果が温度と対応する所定の処理を行う工程と、各測
定対象の同一のレシピについて、処理結果を前記直線の
傾きおよびＹ切片の関数とした式で表す工程と、各測定
対象について、各レシピごとに基準となる処理結果の値
を決定して、それらの値を各レシピに対応する複数の式
に代入し、その際の直線の傾きとＹ切片とを求める工程
と、各測定対象の前記反射率の測定結果とこのようにし
て求めた直線の傾きおよびＹ切片の値とから測定対象の
反射率と前記直線の傾きおよびＹ切片の値との関係を求
める工程と、これらの関係に基づいて放射温度計の放射
率の補正を行って測定対象の温度を測定する工程とを具
備することを特徴とする、放射温度計を用いた温度測定
方法を提供するものである。
【００１１】さらにまた、本発明は、その出力と測定対
象の温度とが直線近似可能であり、かつ直線の傾きとＹ
切片とを適宜設定することにより較正することが可能な
放射温度計を用いて測定対象の温度を測定する温度測定
方法であって、表面状態が異なる複数の測定対象を準備
し、測定対象を透過しない波長の光を照射してこれらの
反射率を測定する工程と、各測定対象について前記直線
の傾きとＹ切片とを複数設定し、各設定の放射温度計で
温度を測定しつつ２つのレシピにてこれら測定対象に成
膜処理を施す工程と、各測定対象の同一のレシピについ
て、形成された膜の膜厚を前記直線の傾きおよびＹ切片
の関数とした式で表す工程と、各測定対象について、各
レシピごとに基準となる膜厚の値を決定して、それらの
値を各レシピに対応する複数の式に代入し、その際の直
線の傾きとＹ切片とを求める工程と、各測定対象の前記
反射率の測定結果とこのようにして求めた直線の傾きお
よびＹ切片の値とから測定対象の反射率と前記直線の傾
きおよびＹ切片の値との関係を求める工程と、これらの
関係に基づいて放射温度計の放射率の補正を行って測定
対象の温度を測定する工程とを具備することを特徴とす
る、放射温度計を用いた温度測定方法を提供するもので
ある。
象の温度とが直線近似可能であり、かつ直線の傾きとＹ
切片とを適宜設定することにより較正することが可能な
放射温度計を用いて測定対象の温度を測定する温度測定
方法であって、表面状態が異なる複数の測定対象を準備
し、測定対象を透過しない波長の光を照射してこれらの
反射率を測定する工程と、各測定対象について前記直線
の傾きとＹ切片とを複数設定し、各設定の放射温度計で
温度を測定しつつ２つのレシピにてこれら測定対象に成
膜処理を施す工程と、各測定対象の同一のレシピについ
て、形成された膜の膜厚を前記直線の傾きおよびＹ切片
の関数とした式で表す工程と、各測定対象について、各
レシピごとに基準となる膜厚の値を決定して、それらの
値を各レシピに対応する複数の式に代入し、その際の直
線の傾きとＹ切片とを求める工程と、各測定対象の前記
反射率の測定結果とこのようにして求めた直線の傾きお
よびＹ切片の値とから測定対象の反射率と前記直線の傾
きおよびＹ切片の値との関係を求める工程と、これらの
関係に基づいて放射温度計の放射率の補正を行って測定
対象の温度を測定する工程とを具備することを特徴とす
る、放射温度計を用いた温度測定方法を提供するもので
ある。
【００１２】本発明においては、測定対象における測定
対象を透過しない波長の光の反射率と、測定対象に対し
処理結果が温度と対応する所定の処理を行った際の処理
結果との関係から、測定対象に対応する前記直線の傾き
とＹ切片とを求め、これを複数の測定対象について行っ
て測定対象の反射率と前記直線の傾きおよびＹ切片の値
との関係を求め、これらの関係に基づいて放射温度計の
放射率の補正を行うので、測定対象の表面状態等が異な
っても放射温度計を正確に補正することができ、かつ温
度に対応する処理結果を用いていることにより、熱電対
の接触状態の相違による温度誤差の問題を解消すること
ができる。したがって、放射温度計を用いて測定対象の
温度を正確に測定することができる。
対象を透過しない波長の光の反射率と、測定対象に対し
処理結果が温度と対応する所定の処理を行った際の処理
結果との関係から、測定対象に対応する前記直線の傾き
とＹ切片とを求め、これを複数の測定対象について行っ
て測定対象の反射率と前記直線の傾きおよびＹ切片の値
との関係を求め、これらの関係に基づいて放射温度計の
放射率の補正を行うので、測定対象の表面状態等が異な
っても放射温度計を正確に補正することができ、かつ温
度に対応する処理結果を用いていることにより、熱電対
の接触状態の相違による温度誤差の問題を解消すること
ができる。したがって、放射温度計を用いて測定対象の
温度を正確に測定することができる。
【００１３】具体的には、表面状態が異なる複数の測定
対象に対して、これらを透過しない波長の光を照射して
その反射率を測定するとともに、各測定対象について放
射温度計出力と測定対象の温度との関係を示す直線の傾
きとＹ切片とを複数設定し、各設定の放射温度計で温度
を測定しつつ２つのレシピにてこれら測定対象に対し処
理結果が温度と対応する所定の処理を行う。この場合
に、同一レシピであっても、傾きとＹ切片が異なる各直
線に基づいて補正された放射温度計によって温度を測定
するから、実際の処理温度は異なっており、その処理温
度に対応して異なった処理結果が得られる。したがっ
て、同一レシピについて、処理結果を前記直線の傾きお
よびＹ切片の関数とした式で表すことができる。ここ
で、ある測定対象について、各レシピごとに基準となる
処理結果の値、つまり各レシピの温度が一応正確に反映
されているとみなされる処理結果の値を決定して、それ
らの値を各レシピに対応する２つの式に代入し、その際
の直線の傾きとＹ切片の値を求めることにより、その測
定対象固有の直線の傾きとＹ切片とを求めることができ
る。これを複数の測定対象について行うことにより測定
対象の反射率と前記直線の傾きおよびＹ切片の値との関
係を求めることができる。したがって、これらの関係に
基づいて放射温度計の放射率の補正を行って測定対象の
温度を測定すれば、測定対象の表面状態にかかわらず、
かつ熱電対の接触状態の相違による温度誤差の問題を生
じることなく測定対象の温度を正確に測定することがで
きる。
対象に対して、これらを透過しない波長の光を照射して
その反射率を測定するとともに、各測定対象について放
射温度計出力と測定対象の温度との関係を示す直線の傾
きとＹ切片とを複数設定し、各設定の放射温度計で温度
を測定しつつ２つのレシピにてこれら測定対象に対し処
理結果が温度と対応する所定の処理を行う。この場合
に、同一レシピであっても、傾きとＹ切片が異なる各直
線に基づいて補正された放射温度計によって温度を測定
するから、実際の処理温度は異なっており、その処理温
度に対応して異なった処理結果が得られる。したがっ
て、同一レシピについて、処理結果を前記直線の傾きお
よびＹ切片の関数とした式で表すことができる。ここ
で、ある測定対象について、各レシピごとに基準となる
処理結果の値、つまり各レシピの温度が一応正確に反映
されているとみなされる処理結果の値を決定して、それ
らの値を各レシピに対応する２つの式に代入し、その際
の直線の傾きとＹ切片の値を求めることにより、その測
定対象固有の直線の傾きとＹ切片とを求めることができ
る。これを複数の測定対象について行うことにより測定
対象の反射率と前記直線の傾きおよびＹ切片の値との関
係を求めることができる。したがって、これらの関係に
基づいて放射温度計の放射率の補正を行って測定対象の
温度を測定すれば、測定対象の表面状態にかかわらず、
かつ熱電対の接触状態の相違による温度誤差の問題を生
じることなく測定対象の温度を正確に測定することがで
きる。
【００１４】この場合に、処理結果が温度に対応する処
理としては酸化膜を形成する酸化処理のような成膜処理
が好ましい。このような成膜処理は形成された膜の厚さ
が処理温度に正確に対応するので、膜厚と反射率との関
係から放射率を正確に補正することができ、測定対象の
温度を極めて正確に測定することができる。
理としては酸化膜を形成する酸化処理のような成膜処理
が好ましい。このような成膜処理は形成された膜の厚さ
が処理温度に正確に対応するので、膜厚と反射率との関
係から放射率を正確に補正することができ、測定対象の
温度を極めて正確に測定することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。ここでは、測定対象として半導体ウ
エハを用いた場合について説明する。
て詳細に説明する。ここでは、測定対象として半導体ウ
エハを用いた場合について説明する。
【００１６】図１は、本発明の温度測定方法を実施する
ためのランプアニーラーを示す概略断面図である。参照
符号１はプロセスチャンバーを示し、このプロセスチャ
ンバー１は上部チャンバー１ａおよび下部チャンバー１
ｂを有している。上部チャンバー１ａおよび下部チャン
バー１ｂの間には石英窓２が設けられている。上部チャ
ンバー１ａには、石英窓２に沿ってタングステンランプ
等のランプ３が複数配列されている。
ためのランプアニーラーを示す概略断面図である。参照
符号１はプロセスチャンバーを示し、このプロセスチャ
ンバー１は上部チャンバー１ａおよび下部チャンバー１
ｂを有している。上部チャンバー１ａおよび下部チャン
バー１ｂの間には石英窓２が設けられている。上部チャ
ンバー１ａには、石英窓２に沿ってタングステンランプ
等のランプ３が複数配列されている。
【００１７】下部チャンバー１ｂの底部はウエハ支持部
材４で構成されており、この支持部材４から上方に突設
されたウエハ支持ピン５により半導体ウエハＷが支持さ
れる。なお、チャンバー１内は必要に応じて図示しない
排気装置により減圧可能となっている。
材４で構成されており、この支持部材４から上方に突設
されたウエハ支持ピン５により半導体ウエハＷが支持さ
れる。なお、チャンバー１内は必要に応じて図示しない
排気装置により減圧可能となっている。
【００１８】一方、ウエハ支持部材４の中央部には放射
温度計６が設けられており、半導体ウエハＷの裏面の放
射率を検出することにより温度の測定を行う。この放射
温度計は、波長が５μｍの光の放射率を検出する。
温度計６が設けられており、半導体ウエハＷの裏面の放
射率を検出することにより温度の測定を行う。この放射
温度計は、波長が５μｍの光の放射率を検出する。
【００１９】このようなランプアニーラーにおいては、
プロセスチャンバー１内に半導体ウエハＷをセットし、
必要に応じて排気装置により排気してその中を所望の圧
力に設定して、ランプ３を石英窓２を介して半導体ウエ
ハＷに照射することにより、半導体ウエハＷを加熱す
る。
プロセスチャンバー１内に半導体ウエハＷをセットし、
必要に応じて排気装置により排気してその中を所望の圧
力に設定して、ランプ３を石英窓２を介して半導体ウエ
ハＷに照射することにより、半導体ウエハＷを加熱す
る。
【００２０】この場合に、半導体ウエハＷの裏側の表面
状態が異なれば放射率が変化するため、それに対応して
放射率の較正を行う必要がある。このような放射率の較
正方法について以下に説明する。
状態が異なれば放射率が変化するため、それに対応して
放射率の較正を行う必要がある。このような放射率の較
正方法について以下に説明する。
【００２１】図２は、放射率の較正方法を示す図であ
り、横軸に放射温度計の出力をとり、縦軸に半導体ウエ
ハの温度をとったグラフである。この図で示すように、
ウエハに取り付けた熱電対の温度と放射温度計の出力と
が直線で近似することができるように回路等で線形化し
ている。そして、放射率を較正可能なように、この直線
の傾きとＹ切片とを自由に設定することができるように
なっている。
り、横軸に放射温度計の出力をとり、縦軸に半導体ウエ
ハの温度をとったグラフである。この図で示すように、
ウエハに取り付けた熱電対の温度と放射温度計の出力と
が直線で近似することができるように回路等で線形化し
ている。そして、放射率を較正可能なように、この直線
の傾きとＹ切片とを自由に設定することができるように
なっている。
【００２２】ここで、半導体ウエハの裏側の表面粗さ
（表面状態）による放射率が異なれば、上記直線の適正
な傾きとＹ切片が変化する。したがって、半導体ウエハ
Ｗの裏側の表面状態に応じてそれぞれ固有の適正な傾き
とＹ切片とを設定することが必要である。
（表面状態）による放射率が異なれば、上記直線の適正
な傾きとＹ切片が変化する。したがって、半導体ウエハ
Ｗの裏側の表面状態に応じてそれぞれ固有の適正な傾き
とＹ切片とを設定することが必要である。
【００２３】このような半導体ウエハＷ裏側の表面状態
の違い対応した放射率の変化を把握するためには、半導
体ウエハＷをチャンバーに搬送する前に、室温におい
て、図３のようにして半導体ウエハＷを透過しない波長
の光の反射率を測定する。光が透過しなければ、反射率
のみで放射率と対応をとることができる。この際の光源
としては、例えば波長が０．７８μｍの半導体レーザー
を用いる。この波長の光はＳｉウエハを透過しないので
上記目的に合致している。ただし、プロセス温度は、Ｓ
ｉウエハが全波長で不透明といわれている６００℃以上
が望ましい。
の違い対応した放射率の変化を把握するためには、半導
体ウエハＷをチャンバーに搬送する前に、室温におい
て、図３のようにして半導体ウエハＷを透過しない波長
の光の反射率を測定する。光が透過しなければ、反射率
のみで放射率と対応をとることができる。この際の光源
としては、例えば波長が０．７８μｍの半導体レーザー
を用いる。この波長の光はＳｉウエハを透過しないので
上記目的に合致している。ただし、プロセス温度は、Ｓ
ｉウエハが全波長で不透明といわれている６００℃以上
が望ましい。
【００２４】このようにして表面状態の異なる複数の半
導体ウエハについて反射率を測定する。それとともに、
各ウエハについて上記放射温度計の出力と半導体ウエハ
の温度との関係を示す直線（以下、放射率較正直線と記
す）の傾きとＹ切片とを複数設定し、各設定の放射温度
計で温度を測定しつつ２つのレシピにてこれら半導体ウ
エハに酸化処理を施す。
導体ウエハについて反射率を測定する。それとともに、
各ウエハについて上記放射温度計の出力と半導体ウエハ
の温度との関係を示す直線（以下、放射率較正直線と記
す）の傾きとＹ切片とを複数設定し、各設定の放射温度
計で温度を測定しつつ２つのレシピにてこれら半導体ウ
エハに酸化処理を施す。
【００２５】この場合に、同一レシピであっても、傾き
とＹ切片が異なる各直線に基づいて補正された放射温度
計によって温度を測定するから、実際の処理温度は異な
っており、その処理温度に対応して異なった酸化膜厚が
得られる。したがって、同一レシピについて、酸化膜厚
を上記放射率較正直線の傾きとＹ切片との関数とした式
で表すことができる。
とＹ切片が異なる各直線に基づいて補正された放射温度
計によって温度を測定するから、実際の処理温度は異な
っており、その処理温度に対応して異なった酸化膜厚が
得られる。したがって、同一レシピについて、酸化膜厚
を上記放射率較正直線の傾きとＹ切片との関数とした式
で表すことができる。
【００２６】例えば、ある表面状態の半導体ウエハにつ
いて、上記放射率較正直線の傾きとＹ切片とを変化させ
て、１１００℃で５０秒保持と１０５０℃で４０秒保持
の２つのレシピでアニール処理した場合に、図４に示す
ような関係が得られる。図４は、Ｙ切片を０で固定し、
横軸に直線の傾きをとり、縦軸に酸化膜の膜厚をとって
これらの関係を示す図であり、最小二乗法で求めたもの
である。この図に示すように、酸化膜の膜厚は、上記直
線の傾きに関して２次式で近似されることがわかる。
いて、上記放射率較正直線の傾きとＹ切片とを変化させ
て、１１００℃で５０秒保持と１０５０℃で４０秒保持
の２つのレシピでアニール処理した場合に、図４に示す
ような関係が得られる。図４は、Ｙ切片を０で固定し、
横軸に直線の傾きをとり、縦軸に酸化膜の膜厚をとって
これらの関係を示す図であり、最小二乗法で求めたもの
である。この図に示すように、酸化膜の膜厚は、上記直
線の傾きに関して２次式で近似されることがわかる。
【００２７】また、図５は、上記１１００℃で５０秒保
持のレシピでアニール処理した場合において、上記放射
率較正直線の傾きをそれぞれ０．３２、０．３３、０．
３４と固定した場合に、横軸にＹ切片をとり、縦軸に酸
化膜の膜厚をとってこれらの関係を示す図であり、最小
二乗法で求めたものである。この図に示すように、酸化
膜の膜厚は、上記直線のＹ切片に関して一次式で近似さ
れることがわかる。
持のレシピでアニール処理した場合において、上記放射
率較正直線の傾きをそれぞれ０．３２、０．３３、０．
３４と固定した場合に、横軸にＹ切片をとり、縦軸に酸
化膜の膜厚をとってこれらの関係を示す図であり、最小
二乗法で求めたものである。この図に示すように、酸化
膜の膜厚は、上記直線のＹ切片に関して一次式で近似さ
れることがわかる。
【００２８】このように、酸化膜の膜厚は、上記放射率
較正直線の傾きに関して２次式で表され、同直線のＹ切
片に関して１次式で表されるから、酸化膜の膜厚Ｄは上
記直線の傾きＳおよびＹ切片Ｆとにより以下の（１）式
で表すことができる。 Ｄ＝（ａ１・Ｓ＋ａ０）・Ｆ＋（ｂ２・Ｓ２＋ｂ１・Ｓ＋ｂ０） …（１） ただし、ａ０，ａ１，ｂ０，ｂ１，ｂ２は任意の定数で
ある。
較正直線の傾きに関して２次式で表され、同直線のＹ切
片に関して１次式で表されるから、酸化膜の膜厚Ｄは上
記直線の傾きＳおよびＹ切片Ｆとにより以下の（１）式
で表すことができる。 Ｄ＝（ａ１・Ｓ＋ａ０）・Ｆ＋（ｂ２・Ｓ２＋ｂ１・Ｓ＋ｂ０） …（１） ただし、ａ０，ａ１，ｂ０，ｂ１，ｂ２は任意の定数で
ある。
【００２９】そして、これらａ０，ａ１，ｂ０，ｂ１，
ｂ２の値は、上記図４、図５に示すように、実験で近似
したグラフから求めることができる。
ｂ２の値は、上記図４、図５に示すように、実験で近似
したグラフから求めることができる。
【００３０】ここで、この実験で用いた半導体ウエハに
ついて、各レシピごとに基準となる酸化膜厚の値、つま
り各レシピの温度が一応正確に反映されているとみなさ
れる酸化膜厚の値を決定して、それらの値を各レシピに
対応する２つの式に代入し、その際の直線の傾きとＹ切
片の値を求めることにより、その半導体ウエハ固有の直
線の傾きとＹ切片とを求めることができる。これを表面
状態の異なる複数の半導体ウエハについて行うことによ
り、半導体ウエハの反射率と前記直線の傾きおよびＹ切
片の値との関係を求めることができる。つまり、図６お
よび図７の関係を得ることができる。
ついて、各レシピごとに基準となる酸化膜厚の値、つま
り各レシピの温度が一応正確に反映されているとみなさ
れる酸化膜厚の値を決定して、それらの値を各レシピに
対応する２つの式に代入し、その際の直線の傾きとＹ切
片の値を求めることにより、その半導体ウエハ固有の直
線の傾きとＹ切片とを求めることができる。これを表面
状態の異なる複数の半導体ウエハについて行うことによ
り、半導体ウエハの反射率と前記直線の傾きおよびＹ切
片の値との関係を求めることができる。つまり、図６お
よび図７の関係を得ることができる。
【００３１】したがって、これらの関係に基づいて各半
導体ウエハに固有の、放射率較正直線の傾きおよびＹ切
片を求め、放射温度計の放射率の補正を行って測定対象
の温度を測定すれば、測定対象の表面状態にかかわら
ず、かつ熱電対の接触状態の相違による温度誤差の問題
を生じることなく測定対象の温度を正確に測定すること
ができる。
導体ウエハに固有の、放射率較正直線の傾きおよびＹ切
片を求め、放射温度計の放射率の補正を行って測定対象
の温度を測定すれば、測定対象の表面状態にかかわら
ず、かつ熱電対の接触状態の相違による温度誤差の問題
を生じることなく測定対象の温度を正確に測定すること
ができる。
【００３２】実際に、裏側の表面粗さが異なる複数の半
導体ウエハのそれぞれについて、このようにして放射率
較正直線の傾きおよびＹ切片を求め、それらの値に設定
した直線に基づいて放射温度計の放射率を補正してラン
プアニールを行った際の酸化膜厚のばらつきを、直線の
傾きおよびＹ切片を固定した場合（傾き＝０．３５５９
８、Ｙ切片＝−３１．１３）と比較した。この際のアニ
ール条件を１１００℃で５０秒保持とした。その結果を
図８に示す。図８は、横軸に半導体ウエハ裏側の表面粗
さの指標である散乱率をとり、縦軸に酸化膜の膜厚をと
って、これらの関係を示す図である。この図に示すよう
に、本発明に従って、各半導体ウエハごとに放射率較正
直線の傾きおよびＹ切片を設定した場合は、これらを固
定した場合よりも、ウエハ裏側の表面粗さの違いによる
酸化膜厚のばらつきが極めて少ないことが確認された。
ちなみに、各ウエハごとに傾きおよびＹ切片を設定した
場合の平均膜厚は８４．４Ａ、標準偏差が１．７８Ａ
（２．１１％）であったのに対し、傾きおよびＹ切片を
固定した場合の平均膜厚は１０９．０Ａ、標準偏差が１
７．４０Ａ（１５．９６％）であった。酸化膜厚はプロ
セス温度を正確に反映するものであるから、本発明を用
いることにより放射温度計を用いて正確に半導体ウエハ
の温度を測定できることが確認された。
導体ウエハのそれぞれについて、このようにして放射率
較正直線の傾きおよびＹ切片を求め、それらの値に設定
した直線に基づいて放射温度計の放射率を補正してラン
プアニールを行った際の酸化膜厚のばらつきを、直線の
傾きおよびＹ切片を固定した場合（傾き＝０．３５５９
８、Ｙ切片＝−３１．１３）と比較した。この際のアニ
ール条件を１１００℃で５０秒保持とした。その結果を
図８に示す。図８は、横軸に半導体ウエハ裏側の表面粗
さの指標である散乱率をとり、縦軸に酸化膜の膜厚をと
って、これらの関係を示す図である。この図に示すよう
に、本発明に従って、各半導体ウエハごとに放射率較正
直線の傾きおよびＹ切片を設定した場合は、これらを固
定した場合よりも、ウエハ裏側の表面粗さの違いによる
酸化膜厚のばらつきが極めて少ないことが確認された。
ちなみに、各ウエハごとに傾きおよびＹ切片を設定した
場合の平均膜厚は８４．４Ａ、標準偏差が１．７８Ａ
（２．１１％）であったのに対し、傾きおよびＹ切片を
固定した場合の平均膜厚は１０９．０Ａ、標準偏差が１
７．４０Ａ（１５．９６％）であった。酸化膜厚はプロ
セス温度を正確に反映するものであるから、本発明を用
いることにより放射温度計を用いて正確に半導体ウエハ
の温度を測定できることが確認された。
【００３３】次に、上述のように各ウエハごとに放射率
較正直線の傾きおよびＹ切片を設定し、プロセス温度を
９００℃、１１００℃、１２００℃と３段階に変化さ
せ、いずれも５０秒保持でランプアニールを行った。そ
の結果を図９に示す。図９も図８と同様、横軸に半導体
ウエハ裏側の表面粗さの指標である散乱率をとり、縦軸
に酸化膜の膜厚をとって、これらの関係を示す図であ
る。この図に示すように、いずれの温度でもウエハ裏側
の表面粗さの違いによる酸化膜厚のばらつきが極めて少
ないことが確認された。すなわち、本発明を用いること
により、レシピのプロセス温度によらず、放射温度計を
用いて正確に半導体ウエハの温度を測定できることが確
認された。
較正直線の傾きおよびＹ切片を設定し、プロセス温度を
９００℃、１１００℃、１２００℃と３段階に変化さ
せ、いずれも５０秒保持でランプアニールを行った。そ
の結果を図９に示す。図９も図８と同様、横軸に半導体
ウエハ裏側の表面粗さの指標である散乱率をとり、縦軸
に酸化膜の膜厚をとって、これらの関係を示す図であ
る。この図に示すように、いずれの温度でもウエハ裏側
の表面粗さの違いによる酸化膜厚のばらつきが極めて少
ないことが確認された。すなわち、本発明を用いること
により、レシピのプロセス温度によらず、放射温度計を
用いて正確に半導体ウエハの温度を測定できることが確
認された。
【００３４】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく種々変形が可能である。例えば上記実施の形
態では、処理結果が温度と対応する所定の処理としてア
ニール処理（酸化処理）を行って、酸化膜の膜厚と反射
率との関係から放射温度計の放射率を補正したが、これ
に限らず、例えばＣＶＤメタル成膜における金属膜や、
ＳｉＯ２，ＳｉＯＦ，ＣＦｘ等の絶縁膜、Ｔａ２Ｏ５等
の高誘電率膜等、他の膜を成膜する処理についても膜厚
が処理温度と対応するので適用可能である。また、成膜
処理に限らず、処理結果が温度と対応する処理であれば
よい。さらに、測定対象は半導体ウエハに限るものでは
ない。さらにまた、温度測定の対象となる処理も上述の
ようなアニールに限らず、他の種々の熱が関与する処理
に適用することができる。
ることなく種々変形が可能である。例えば上記実施の形
態では、処理結果が温度と対応する所定の処理としてア
ニール処理（酸化処理）を行って、酸化膜の膜厚と反射
率との関係から放射温度計の放射率を補正したが、これ
に限らず、例えばＣＶＤメタル成膜における金属膜や、
ＳｉＯ２，ＳｉＯＦ，ＣＦｘ等の絶縁膜、Ｔａ２Ｏ５等
の高誘電率膜等、他の膜を成膜する処理についても膜厚
が処理温度と対応するので適用可能である。また、成膜
処理に限らず、処理結果が温度と対応する処理であれば
よい。さらに、測定対象は半導体ウエハに限るものでは
ない。さらにまた、温度測定の対象となる処理も上述の
ようなアニールに限らず、他の種々の熱が関与する処理
に適用することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
測定対象における測定対象を透過しない波長の光の反射
率と、測定対象に対し処理結果が温度と対応する所定の
処理を行った際の処理結果との関係から、測定対象に対
応する前記直線の傾きとＹ切片とを求め、これを複数の
測定対象について行って測定対象の反射率と前記直線の
傾きおよびＹ切片の値との関係を求め、これらの関係に
基づいて放射温度計の放射率の補正を行うので、測定対
象の表面状態等が異なっても放射温度計を正確に補正す
ることができ、かつ温度に対応する処理結果を用いてい
ることにより、熱電対の接触状態の相違による温度誤差
の問題を解消することができる。したがって、放射温度
計を用いて測定対象の温度を正確に測定することができ
る。
測定対象における測定対象を透過しない波長の光の反射
率と、測定対象に対し処理結果が温度と対応する所定の
処理を行った際の処理結果との関係から、測定対象に対
応する前記直線の傾きとＹ切片とを求め、これを複数の
測定対象について行って測定対象の反射率と前記直線の
傾きおよびＹ切片の値との関係を求め、これらの関係に
基づいて放射温度計の放射率の補正を行うので、測定対
象の表面状態等が異なっても放射温度計を正確に補正す
ることができ、かつ温度に対応する処理結果を用いてい
ることにより、熱電対の接触状態の相違による温度誤差
の問題を解消することができる。したがって、放射温度
計を用いて測定対象の温度を正確に測定することができ
る。
【図１】本発明の温度測定方法を実施するためのランプ
アニーラーを示す概略断面図。
アニーラーを示す概略断面図。
【図２】放射率の較正方法を示す図。
【図３】半導体ウエハの裏側の反射率を測定する方法を
示す図。
示す図。
【図４】１１００℃×５０秒および１０５０℃×４０秒
のレシピでアニール処理した場合における放射率較正直
線の傾きと、酸化膜厚との関係を示す図。
のレシピでアニール処理した場合における放射率較正直
線の傾きと、酸化膜厚との関係を示す図。
【図５】１１００℃×５０秒のレシピでアニール処理し
た場合における放射率較正直線のＹ切片と酸化膜厚との
関係を示す図。
た場合における放射率較正直線のＹ切片と酸化膜厚との
関係を示す図。
【図６】半導体ウエハの裏側の反射率と放射率較正直線
の傾きとの関係を示す図。
の傾きとの関係を示す図。
【図７】半導体ウエハの裏側の反射率と放射率較正直線
のＹ切片との関係を示す図。
のＹ切片との関係を示す図。
【図８】表面粗さが異なる半導体ウエハごとに放射率較
正直線の傾きおよびＹ切片を設定した場合と、放射率較
正直線の傾きおよびＹ切片を固定した場合とで、ランプ
アニールを行った際の酸化膜厚のばらつきを比較して示
す図。
正直線の傾きおよびＹ切片を設定した場合と、放射率較
正直線の傾きおよびＹ切片を固定した場合とで、ランプ
アニールを行った際の酸化膜厚のばらつきを比較して示
す図。
【図９】表面粗さが異なる半導体ウエハごとに放射率較
正直線の傾きおよびＹ切片を設定し、温度を変化させて
ランプアニールを行った際の酸化膜厚のばらつきを示す
図。
正直線の傾きおよびＹ切片を設定し、温度を変化させて
ランプアニールを行った際の酸化膜厚のばらつきを示す
図。
１；チャンバー ２；石英窓 ３；ランプ ４；支持部材 ５；ウエハ支持ピン ６；放射温度計 Ｗ；半導体ウエハ
Claims (5)
- 【請求項１】 その出力と測定対象の温度とが直線近似
可能であり、かつ直線の傾きとＹ切片とを適宜設定する
ことにより較正することが可能な放射温度計を用いて測
定対象の温度を測定する温度測定方法であって、 測定対象における測定対象を透過しない波長の光の反射
率と、測定対象に対し処理結果が温度と対応する所定の
処理を行った際の処理結果との関係から、測定対象に対
応する前記直線の傾きとＹ切片とを求め、これを複数の
測定対象について行って測定対象の反射率と前記直線の
傾きおよびＹ切片の値との関係を求め、これらの関係に
基づいて放射温度計の放射率の補正を行って測定対象の
温度を測定することを特徴とする、放射温度計を用いた
温度測定方法。 - 【請求項２】 その出力と測定対象の温度とが直線近似
可能であり、かつ直線の傾きとＹ切片とを適宜設定する
ことにより較正することが可能な放射温度計を用いて測
定対象の温度を測定する温度測定方法であって、 測定対象における測定対象を透過しない波長の光の反射
率と、測定対象に対し成膜処理を行った際の膜厚との関
係から、測定対象に対応する前記直線の傾きとＹ切片と
を求め、これを複数の測定対象について行って測定対象
の反射率と前記直線の傾きおよびＹ切片の値との関係を
求め、これらの関係に基づいて放射温度計の放射率の補
正を行って測定対象の温度を測定することを特徴とす
る、放射温度計を用いた温度測定方法。 - 【請求項３】 その出力と測定対象の温度とが直線近似
可能であり、かつ直線の傾きとＹ切片とを適宜設定する
ことにより較正することが可能な放射温度計を用いて測
定対象の温度を測定する温度測定方法であって、 表面状態が異なる複数の測定対象を準備し、測定対象を
透過しない波長の光を照射してこれらの反射率を測定す
る工程と、 各測定対象について前記直線の傾きとＹ切片とを複数設
定し、各設定の放射温度計で温度を測定しつつ２つのレ
シピにてこれら測定対象に対し処理結果が温度と対応す
る所定の処理を行う工程と、 各測定対象の同一のレシピについて、処理結果を前記直
線の傾きおよびＹ切片の関数とした式で表す工程と、 各測定対象について、各レシピごとに基準となる処理結
果の値を決定して、それらの値を各レシピに対応する２
つの式に代入し、その際の直線の傾きとＹ切片とを求め
る工程と、 各測定対象の前記反射率の測定結果とこのようにして求
めた直線の傾きおよびＹ切片の値とから、測定対象の反
射率と前記直線の傾きおよびＹ切片の値との関係を求め
る工程と、 これらの関係に基づいて放射温度計の放射率の補正を行
って測定対象の温度を測定する工程とを具備することを
特徴とする、放射温度計を用いた温度測定方法。 - 【請求項４】 その出力と測定対象の温度とが直線近似
可能であり、かつ直線の傾きとＹ切片とを適宜設定する
ことにより較正することが可能な放射温度計を用いて測
定対象の温度を測定する温度測定方法であって、 表面状態が異なる複数の測定対象を準備し、測定対象を
透過しない波長の光を照射してこれらの反射率を測定す
る工程と、 各測定対象について前記直線の傾きとＹ切片とを複数設
定し、各設定の放射温度計で温度を測定しつつ２つのレ
シピにて測定対象に成膜処理を施す工程と、 各測定対象の同一のレシピについて、形成された膜の膜
厚を前記直線の傾きおよびＹ切片の関数とした式で表す
工程と、 各測定対象について、各レシピごとに基準となる膜厚の
値を決定して、それらの値を各レシピに対応する２つの
式に代入し、その際の直線の傾きとＹ切片とを求める工
程と、 各測定対象の前記反射率の測定結果とこのようにして求
めた直線の傾きおよびＹ切片の値とから測定対象の反射
率と前記直線の傾きおよびＹ切片の値との関係を求める
工程と、 これらの関係に基づいて放射温度計の放射率の補正を行
って測定対象の温度を測定する工程とを具備することを
特徴とする、放射温度計を用いた温度測定方法。 - 【請求項５】 前記成膜処理が酸化処理であり、形成さ
れた酸化膜の膜厚を前記直線の傾きおよびＹ切片の関数
とした式を以下の（１）式としたことを特徴とする請求
項４に記載の放射温度計を用いた温度測定方法。 Ｄ＝（ａ１・Ｓ＋ａ０）・Ｆ＋（ｂ２・Ｓ２＋ｂ１・Ｓ＋ｂ０） …（１） ただし、 Ｄ：酸化膜厚 Ｓ：直線の傾き Ｆ：直線のＹ切片 ａ０，ａ１，ｂ０，ｂ１，ｂ２：任意の定数
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28803498A JP4056148B2 (ja) | 1998-10-09 | 1998-10-09 | 放射温度計を用いた温度測定方法 |
| US09/414,888 US6283630B1 (en) | 1998-10-09 | 1999-10-08 | Temperature measuring method using radiation thermometer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28803498A JP4056148B2 (ja) | 1998-10-09 | 1998-10-09 | 放射温度計を用いた温度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000121447A true JP2000121447A (ja) | 2000-04-28 |
| JP4056148B2 JP4056148B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=17724977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28803498A Expired - Fee Related JP4056148B2 (ja) | 1998-10-09 | 1998-10-09 | 放射温度計を用いた温度測定方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6283630B1 (ja) |
| JP (1) | JP4056148B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000006981A1 (de) * | 1998-07-28 | 2000-02-10 | Steag Rtp Systems Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum kalibrieren von emissivitätsunabhängigen temperaturmessungen |
| KR101163682B1 (ko) | 2002-12-20 | 2012-07-09 | 맷슨 테크날러지 캐나다 인코퍼레이티드 | 피가공물 지지 장치 |
| US6976782B1 (en) * | 2003-11-24 | 2005-12-20 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for in situ substrate temperature monitoring |
| US7275861B2 (en) * | 2005-01-31 | 2007-10-02 | Veeco Instruments Inc. | Calibration wafer and method of calibrating in situ temperatures |
| US7407324B2 (en) * | 2005-08-10 | 2008-08-05 | Tokyo Electron, Ltd. | Method and apparatus for monitoring the thickness of a conductive coating |
| JP5967859B2 (ja) | 2006-11-15 | 2016-08-10 | マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド | 熱処理中の被加工物を支持するシステムおよび方法 |
| KR101610269B1 (ko) | 2008-05-16 | 2016-04-07 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 워크피스 파손 방지 방법 및 장치 |
| JP5781303B2 (ja) * | 2010-12-31 | 2015-09-16 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ製造方法およびシリカガラスルツボ製造装置 |
| CN105701329B (zh) * | 2014-11-28 | 2018-04-06 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种利用痕量氢气法测量氟化氢激光器燃烧室温度的方法 |
| JP7370763B2 (ja) * | 2019-08-22 | 2023-10-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| CN113079230B (zh) * | 2021-03-18 | 2023-07-14 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5255286A (en) * | 1991-05-17 | 1993-10-19 | Texas Instruments Incorporated | Multi-point pyrometry with real-time surface emissivity compensation |
| US5265957A (en) * | 1992-08-11 | 1993-11-30 | Texas Instruments Incorporated | Wireless temperature calibration device and method |
-
1998
- 1998-10-09 JP JP28803498A patent/JP4056148B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-10-08 US US09/414,888 patent/US6283630B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6283630B1 (en) | 2001-09-04 |
| JP4056148B2 (ja) | 2008-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5114242A (en) | Bichannel radiation detection method | |
| KR100330139B1 (ko) | 기판온도 측정을 위한 방법 및 장치 | |
| EP1116011B1 (en) | Tuning a substrate temperature measurement system | |
| JP4056148B2 (ja) | 放射温度計を用いた温度測定方法 | |
| JP2002506988A (ja) | 基板温度測定法及び基板温度測定装置 | |
| US5783804A (en) | Reflectance method for accurate process calibration in semiconductor substrate heat treatment | |
| KR100615763B1 (ko) | 열처리 장치의 온도 교정 방법 | |
| US7368303B2 (en) | Method for temperature control in a rapid thermal processing system | |
| JP2007081348A (ja) | 熱処理温度の調整方法、基板熱処理方法、及び基板熱処理装置 | |
| US7169717B2 (en) | Method of producing a calibration wafer | |
| KR101547318B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 처리 방법과 이를 이용한 레이저 열처리 장치 및 레이저 열처리 방법 | |
| US6132081A (en) | Method for calibrating optical sensor used to measure the temperature of a substrate during rapid thermal process | |
| US5902504A (en) | Systems and methods for determining semiconductor wafer temperature and calibrating a vapor deposition device | |
| JPH07201765A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
| US6303397B1 (en) | Method for benchmarking thin film measurement tools | |
| JP2008098214A (ja) | 熱処理温度の補正方法及び熱処理方法 | |
| KR100396216B1 (ko) | 급속 열처리 장치 내의 웨이퍼 온도 측정방법 | |
| JPH02298829A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH10321539A (ja) | 半導体製造方法および製造装置 | |
| KR100399632B1 (ko) | 급속열처리 장치의 방사보정계수 추출 방법 | |
| JPH05299428A (ja) | 半導体ウェーハの熱処理方法及び熱処理装置 | |
| KR100234366B1 (ko) | 급속 열 처리 설비의 웨이퍼 온도 측정장치 및 이를 이용한 온도측정방법 | |
| JP2000218151A (ja) | 真空装置 | |
| JP2007036023A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
| JP3915679B2 (ja) | 半導体ウェハの熱処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051003 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070320 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070807 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071005 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071016 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071127 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071211 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131221 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |