JP2005233960A - マイクロプローブ並びにその製造装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
表面に有用な保護層をもったマイクロプローブを実現する。
【解決手段】
プローブ芯材の表面に、炭化水素ガスをソースガスとして用いた高周波プラズマ化学気相析出法によって水素含有アモルファス状炭素(DLC)膜層を形成することにより、電気絶縁性、かつ高硬度性をもった均一な厚さの保護膜層を形成してなるマイクロプローブを実現できる。
【選択図】 図2
Description
図1(A)において、1は全体として針形状を有するマイクロプローブを示し、外形が1〔mm〕の本体部1Aの先端に比較的長いテーパを有する先端部1Bを有し、本体部1Aの後端から先端部1Bの先端までの長さL1が50〔mm〕に選定されている。
図1のマイクロプローブ1において、絶縁膜層であるDLC膜層4は図2に示すDLC膜層形成装置11によって成膜コーティングされる。
制御出力S2によって制御され、これにより、プローブ芯材16上に適正なDCL膜層4(図1(A))を成膜できるように構成されている。
以上の構成において、電圧出力制御回路23は制御出力S2によって高周波出力S1を制御することにより、カソード電極を構成するプローブ芯材16とアノード電極18との間に、図6に示す電極間成膜電圧VCを発生させる。
以上の構成によれば、マイクロプローブ1として、先端径が1〔μm〕程度に微小でかつ先端のテーパ部が比較的長い針形状の構成のものを得るのに際して、高周波プラズマ電源回路21が、プローブ芯材16及びアノード電極18間に、図6のように電圧レベルが切り換わる電極間成膜電圧VCを発生させるようにしたことにより、特に細い先端のテーパ部に対して膜厚が実用上十分に均一なDLC膜層4を形成することができる。
図9は第2の実施の形態を示すもので、マイクロプローブ31は、図9(A)に示すように、マイクロピペット31A上に順次ニッケル膜層31B、DLC膜層31C、コンスタンタン膜層31D及びDLC膜層31Eを順次積層することにより、熱電対型マイクロプローブを構成している。
DLC膜層形成装置11(図2)における電極取付構造(図3)の各部材の寸法を次のように選定したところ、良好なDLC膜層4を成膜することができた。
(a)上述の実施の形態においては、ガラス材料でなる中空のマイクロピペット2(図1)又は31A(図9)の表面に金属膜層を設けるようにしたが、マイクロピペットに代えて、中空をもたないガラス針を用いる場合にも、上述の場合と同様の効果を得ることができる。
上述のように、DLC膜層形成装置11(図2)によってプローブ芯材に成膜されるDLC膜層4又は31C、31Eは電気絶縁性をもっていると共に、高硬度性と生体適合性をもっているので、マイクロプローブ1、31を、例えば図10に示すように、マイクロピペット型電極として用いて、培養槽41の培養液42内において培養している細胞43(10〔μm〕程度の大きさをもつ)の電位を測定するような操作に使用できる。
Claims (6)
- 先端にテーパ部を有しかつ針形状のガラス材上に第1の金属膜層を形成してなる第1のプローブ芯材の表面に、炭化水素ガスをソースガスとして用いた高周波プラズマ化学気相析出法によって第1の水素含有アモルファス状炭素膜層を形成した
ことを特徴とするマイクロプローブ。 - さらに上記第1の水素含有アモルファス状炭素膜層上に、先端が上記第1の金属膜層に接触して熱電対を構成する第2の金属膜層を形成してなる第2のプローブ芯材の表面に、炭素水素ガスをソースガスとして用いた高周波プラズマ化学気相析出法によって形成した第2の水素含有アモルファス状炭素膜層を形成した
ことを特徴とする請求項1に記載のマイクロプローブ。 - 先端にテーパ部を有しかつ針形状のガラス材上に第1の金属膜層を成膜する第1のステップと、
上記ガラス材上に上記第1の金属膜層を形成してなる第1のプローブ芯材の表面に、炭化水素ガスをソースガスとして用いた高周波プラズマ化学気相析出法によって第1の水素含有アモルファス状炭素膜層を成膜する第2のステップと
を具えることを特徴とするマイクロプローブの製造方法。 - さらに、上記第1の金属膜層及び上記第1の水素含有アモルファス状炭素膜層を積層してなる上記ガラス材の先端を切り落す第3のステップと、
上記第1の水素含有アモルファス状炭素膜層上に、先端が上記第1の金属膜層の切落し端面に接触して当該第1の金属膜層と共に熱電対を構成する第2の金属膜層を成膜する第4のステップと、
上記第1のプローブ芯材上に上記第1の水素含有アモルファス状炭素膜層及び上記第2の金属膜層を形成してなる第2のプローブ芯材の表面に、炭化水素ガスをソースガスとして用いた高周波プラズマ化学気相析出法によって第2の水素含有アモルファス炭素膜層を成膜する第5のステップと
を具えることを特徴とするマイクロプローブの製造方法。 - 炭化水素ガスをソースガスとして導入する真空チャンバと、
上記真空チャンバ内にプローブ芯材を一方の電極として立設すると共に、高周波プラズマ電源回路の成膜駆動出力を上記プローブ芯材に供給する第1の電極部材と、
上記第1の電極部材を絶縁するように覆う電極設置盤と、
上記電極設置盤上に上記プローブ芯材を囲むように他方の電極として配設され、上記ソースガスを通過させる円筒状網目構造を有し、上記プローブ芯材との間にプラズマを発生させることにより上記プローブ芯材上に上記ソースガスを用いた高周波プラズマ化学気相析出法による水素含有アモルファス炭素膜層を成膜する第2の電極部材と
を具えることを特徴とする成膜装置。 - 上記高周波プラズマ電源回路は、順次繰り返す成膜周期ごとに、当該成膜周期の開始時点においてパルス波形状に放電開始電圧レベルとなり、続いて所定のプラズマ保持時間の間プラズマ保持電圧レベルとなり、続いて上記成膜周期の終了時点までの放電休止時間の間冷却電圧レベルとなる電極間成膜電圧を、プロープ芯材及び上記第2の電極部材間に与える
ことを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006292468A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Univ Of Electro-Communications | 検体動作制御装置及び方法 |
JP2008174793A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Nanotec Corp | 成膜装置及び成膜方法。 |
JP2009150658A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Tdk Corp | 電気化学センサ及び電気化学センサシステム |
WO2010004690A1 (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 日本電気株式会社 | 炭素電極、電気化学センサ、および炭素電極の製造方法 |
JP2011510311A (ja) * | 2008-01-25 | 2011-03-31 | ヘルムホルツ・ツェントルム・ミュンヘン・ドイチェス・フォーシュンクスツェントルム・フュア・ゲズントハイト・ウント・ウンベルト・ゲーエムベーハー | 微視的な、分離されたサンプルを輸送するための方法および装置、そのような装置を含む微細解剖システム(micro−dissectionsystem)およびナノ吸引手段(nano−suctionmeans)の製造方法 |
JP2018155728A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 学校法人東京理科大学 | 導電性ダイヤモンドライクカーボンマイクロ電極 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01100277A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-18 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 硬質炭素膜付着湾曲板、硬質炭素膜付着湾曲板の製造方法および硬質炭素膜付着湾曲板の製造装置 |
JP2002277376A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Toshiba Corp | 近接場光プローブおよび近接場光記録再生装置 |
JP2002335814A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-26 | Citizen Watch Co Ltd | 釣針および釣針への硬質被膜形成方法 |
-
2005
- 2005-02-17 JP JP2005041142A patent/JP2005233960A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01100277A (ja) * | 1987-10-12 | 1989-04-18 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 硬質炭素膜付着湾曲板、硬質炭素膜付着湾曲板の製造方法および硬質炭素膜付着湾曲板の製造装置 |
JP2002277376A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Toshiba Corp | 近接場光プローブおよび近接場光記録再生装置 |
JP2002335814A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-26 | Citizen Watch Co Ltd | 釣針および釣針への硬質被膜形成方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006292468A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Univ Of Electro-Communications | 検体動作制御装置及び方法 |
JP4677555B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2011-04-27 | 国立大学法人電気通信大学 | 検体動作制御装置及び方法 |
JP2008174793A (ja) * | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Nanotec Corp | 成膜装置及び成膜方法。 |
JP2009150658A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Tdk Corp | 電気化学センサ及び電気化学センサシステム |
JP2011510311A (ja) * | 2008-01-25 | 2011-03-31 | ヘルムホルツ・ツェントルム・ミュンヘン・ドイチェス・フォーシュンクスツェントルム・フュア・ゲズントハイト・ウント・ウンベルト・ゲーエムベーハー | 微視的な、分離されたサンプルを輸送するための方法および装置、そのような装置を含む微細解剖システム(micro−dissectionsystem)およびナノ吸引手段(nano−suctionmeans)の製造方法 |
US8573073B2 (en) | 2008-01-25 | 2013-11-05 | Helmholtz Zentrum Muenchen Deutsches Forschungszentrum Fur Gesundheit Und Umwelt Gmbh | Method and device for transferring a microscopic, isolated sample |
WO2010004690A1 (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | 日本電気株式会社 | 炭素電極、電気化学センサ、および炭素電極の製造方法 |
JP5120453B2 (ja) * | 2008-07-09 | 2013-01-16 | 日本電気株式会社 | 炭素電極、電気化学センサ、および炭素電極の製造方法 |
JP2018155728A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 学校法人東京理科大学 | 導電性ダイヤモンドライクカーボンマイクロ電極 |
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