JP2005229183A - 弾性表面波装置および弾性表面波装置の製造方法ならびに弾性表面波装置を利用した携帯電話装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 全体を小型化できるとともに、周波数の変動を防止することができる弾性表面波装置とその製造方法、ならびに弾性表面波装置を利用した携帯電話装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】 圧電基板32の一面にすだれ状電極33が形成された弾性表面波チップ31と、この弾性表面波チップを気密に収容するパッケージ40とを備えた弾性表面波装置であって、前記弾性表面波チップが、前記圧電基板の前記一面に形成され、前記すだれ状電極と接続された引出し電極36と、前記引出し電極と接続されるとともに、前記圧電基板の側面を経由して引き回されて前記一面と反対面に位置する他面まで延長された導通部38とを有しており、前記パッケージの内面に設けた電極部43と、前記他面まで延長された前記導通部とが、前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域に設けた接合箇所61にて接合されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 圧電基板32の一面にすだれ状電極33が形成された弾性表面波チップ31と、この弾性表面波チップを気密に収容するパッケージ40とを備えた弾性表面波装置であって、前記弾性表面波チップが、前記圧電基板の前記一面に形成され、前記すだれ状電極と接続された引出し電極36と、前記引出し電極と接続されるとともに、前記圧電基板の側面を経由して引き回されて前記一面と反対面に位置する他面まで延長された導通部38とを有しており、前記パッケージの内面に設けた電極部43と、前記他面まで延長された前記導通部とが、前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域に設けた接合箇所61にて接合されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電気信号と弾性表面波との間の変換を行うすだれ状電極を有する弾性表面波装置とその製造方法の改良ならびに携帯電話装置および電子機器に関するものである。
近年、携帯電話やテレビ受像機等の電子部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等として弾性表面波装置(以下、「SAW(Surface Acoustic Wave)デバイスという」)が使用されている。
図10は、従来のSAWデバイス1を示す概略平面図であり、図11は、図10のA−A概略断面図である。
これらの図において、SAWデバイス1は、箱状のパッケージ2に、弾性表面波チップ3を収容し、窒素を封入して蓋体10で気密に封止した構成である。
SAWデバイス1の弾性表面波チップ3は、水晶などの圧電材料で形成した基板4の一面に、すだれ状電極である櫛形電極(IDT(Inter Digital Transducer))5,5及びすだれ状電極と同様の材料で形成された電極でなる反射器6,6が形成されている。ここで、IDT5及び反射器6は、基板4の表面に、アルミニウム等の導体金属により形成されている。
これらの図において、SAWデバイス1は、箱状のパッケージ2に、弾性表面波チップ3を収容し、窒素を封入して蓋体10で気密に封止した構成である。
SAWデバイス1の弾性表面波チップ3は、水晶などの圧電材料で形成した基板4の一面に、すだれ状電極である櫛形電極(IDT(Inter Digital Transducer))5,5及びすだれ状電極と同様の材料で形成された電極でなる反射器6,6が形成されている。ここで、IDT5及び反射器6は、基板4の表面に、アルミニウム等の導体金属により形成されている。
IDT5は、櫛歯状とされた複数の電極指が所定のピッチで並設されて長手方向の各端部が交互に短絡されるように形成されている。即ち、2つの櫛形状の電極の各櫛歯部分が、所定距離隔てて互い違いに入り込むように形成されている。
このIDT5は、電気的に接続されている外部端子を介して電気信号と弾性表面波(SAW)との間の変換を行う機能を有する。
このIDT5は、電気的に接続されている外部端子を介して電気信号と弾性表面波(SAW)との間の変換を行う機能を有する。
反射器6は、複数の導体ストリップが所定のピッチで並設されて長手方向の各両端部が短絡されるように形成されている。そして、例えば、同一構成の2つの反射器6,6が、その導体ストリップについてIDT5の電極指と平行になるように、かつIDT5を弾性表面波の伝搬方向、即ちIDT5の電極指の長手方向に直交する矢印X方向に所定距離隔てて挟み込むように形成されている。この反射器6は、IDT5から伝搬してくる弾性表面波を反射して、弾性表面波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有する。
このような構成でなる弾性表面波チップ3は、箱状のパッケージ2内に収容されている。
図11に示すように、弾性表面波チップ3は、パッケージ2内に収容されており、弾性表面波チップ3のIDT5が形成されている面と反対の他の面の中央付近は、例えば接着剤11により、パッケージ2の内側底面に対して固着されている。
パッケージ2の開口周辺には、上向き段部2aが形成されており、パッケージ2の底面に形成された外部端子と接続された電極部8が設けられている。
図11に示すように、弾性表面波チップ3は、パッケージ2内に収容されており、弾性表面波チップ3のIDT5が形成されている面と反対の他の面の中央付近は、例えば接着剤11により、パッケージ2の内側底面に対して固着されている。
パッケージ2の開口周辺には、上向き段部2aが形成されており、パッケージ2の底面に形成された外部端子と接続された電極部8が設けられている。
これに対して、弾性表面波チップ3の能動面には、IDT5と接続された端子部7が設けられており、この端子部7とパッケージ2側の電極部8とは、ボンディングワイヤ9によりワイヤボンディングされている。この状態で蓋体10がパッケージ2を気密に封止している。
したがって、パッケージ2の底面の外部端子を実装基板(図示せず)などに実装することにより、電気信号が、弾性表面波チップ3のIDT5に入力されると、圧電効果により弾性表面波に変換される。この弾性表面波は、IDT5の電極指の長手方向に対して直交方向(図10のX方向)に伝搬され、IDT5の両側から反射器6,6に放射される。この弾性表面波は、反射器6,6により多段反射されてIDT5に戻され、共振周波数付近の周波数(動作周波数)の電気信号に変換されてIDT5から端子部7を介して出力される。
したがって、パッケージ2の底面の外部端子を実装基板(図示せず)などに実装することにより、電気信号が、弾性表面波チップ3のIDT5に入力されると、圧電効果により弾性表面波に変換される。この弾性表面波は、IDT5の電極指の長手方向に対して直交方向(図10のX方向)に伝搬され、IDT5の両側から反射器6,6に放射される。この弾性表面波は、反射器6,6により多段反射されてIDT5に戻され、共振周波数付近の周波数(動作周波数)の電気信号に変換されてIDT5から端子部7を介して出力される。
ところで、上述した従来の構造では、パッケージ2に対して、弾性表面波チップ3を実装するにあたり、ワイヤボンディングにより行っている。そのため、ボンディングワイヤ9が突出する分だけ、パッケージ2の高さが必要となり、小型化の障害となる。
これに加えて、ボンディングワイヤ9の接合を確実にするために接合箇所に印加される超音波が逃げないようにするために、ボンディング部の直下には接着剤11を塗布して固く硬化させる必要がある。
ところが、図示されているように、接着剤11が塗布される箇所が、基板4の中央付近で、IDT5の直下になることから、接着剤11の硬化の過程で、基板4の接着剤11の塗布領域に応力が作用するため、基板4が変形し、歪みが生じる。すなわち、基板4が図10の矢印Xの方向に変形する。このためIDT5の電極指の間隔が接近・離間することから、周波数が変動してしまうという問題がある。
これに加えて、ボンディングワイヤ9の接合を確実にするために接合箇所に印加される超音波が逃げないようにするために、ボンディング部の直下には接着剤11を塗布して固く硬化させる必要がある。
ところが、図示されているように、接着剤11が塗布される箇所が、基板4の中央付近で、IDT5の直下になることから、接着剤11の硬化の過程で、基板4の接着剤11の塗布領域に応力が作用するため、基板4が変形し、歪みが生じる。すなわち、基板4が図10の矢印Xの方向に変形する。このためIDT5の電極指の間隔が接近・離間することから、周波数が変動してしまうという問題がある。
これに対して、本出願人は、基板4について、IDTと接続された導通部を基板4の側面から上記他の面まで引き回し、基板4の他の面、すなわち、図11の底面にて、導電性接着剤やバンプによりパッケージ側と接合する手法を提案している。
しかしながら、この場合には、ワイヤボンディングによらない実装方法であることから、パッケージの小型化を阻害しない利点はあるものの、なお、上述した基板4の変形による周波数の変動を防止することができない。
しかしながら、この場合には、ワイヤボンディングによらない実装方法であることから、パッケージの小型化を阻害しない利点はあるものの、なお、上述した基板4の変形による周波数の変動を防止することができない。
本発明の目的は、上記課題を解消して、全体を小型化できるとともに、周波数の変動を防止することができる弾性表面波装置とその製造方法、ならびに弾性表面波装置を利用した携帯電話装置および電子機器を提供することである。
上述の目的は、第1の発明にあっては、圧電基板の一面にすだれ状電極が形成された弾性表面波チップと、この弾性表面波チップを気密に収容するパッケージとを備えた弾性表面波装置であって、前記弾性表面波チップが、前記圧電基板の前記一面に形成され、前記すだれ状電極と接続された引出し電極と、前記引出し電極と接続されるとともに、前記圧電基板の側面を経由して引き回されて前記一面と反対面に位置する他面まで延長された導通部とを有しており、前記パッケージの内面に設けた電極部と、前記他面まで延長された前記導通部とが、前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域に設けた接合箇所にて接合されている弾性表面波装置により、達成される。
第1の発明の構成によれば、弾性表面波チップのすだれ状電極は、引出し電極を介して導通部と接続され、この導通部は圧電基板の側面を引き回されて、圧電基板の他面まで延長されているので、この延長された導通部とパッケージの内面の電極を対向させた位置で、例えば、導電性接着剤やバンプなどを介して弾性表面波チップとパッケージ側とを電気的に接続させることができる。これにより、ワイヤボンディングによらずに、電気的接続が可能となる。このため、弾性表面波装置の小型化の支障となるワイヤの引き回しが不要となるので、装置全体を小型に作る上で有利である。
しかも、この電気的接続のための前記接合箇所は、圧電基板の前記他面の前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域に設けられるので、導電性接着剤を用いた場合における硬化時の応力が、すだれ状電極を形成した領域に作用して、この部分を変形させることがないから、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
しかも、この電気的接続のための前記接合箇所は、圧電基板の前記他面の前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域に設けられるので、導電性接着剤を用いた場合における硬化時の応力が、すだれ状電極を形成した領域に作用して、この部分を変形させることがないから、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
第2の発明は、第1の発明の構成において、前記接合箇所が、前記圧電基板の弾性表面波の伝搬方向に沿って応力を作用させない位置に設けられていることを特徴とする。
第2の発明の構成によれば、前記接合箇所として、特に前記圧電基板の弾性表面波の伝搬方向に沿って応力を作用させない位置に設けられているので、複数の箇所について、接合した場合などにおいても、圧電基板のすだれ状電極を形成した領域に対応する箇所に変形をもたらすことがなく、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
第2の発明の構成によれば、前記接合箇所として、特に前記圧電基板の弾性表面波の伝搬方向に沿って応力を作用させない位置に設けられているので、複数の箇所について、接合した場合などにおいても、圧電基板のすだれ状電極を形成した領域に対応する箇所に変形をもたらすことがなく、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
第3の発明は、第2の発明の構成において、前記接合箇所が、矩形とした前記圧電基板の角隅部に設けられていることを特徴とする。
第3の発明の構成によれば、前記接合箇所を前記角隅部に設ければ、すだれ状電極が形成された領域を効果的に避けることができ、周波数変動に関与する領域への応力集中をより確実に回避することができる。
第3の発明の構成によれば、前記接合箇所を前記角隅部に設ければ、すだれ状電極が形成された領域を効果的に避けることができ、周波数変動に関与する領域への応力集中をより確実に回避することができる。
第4の発明は、第2の発明の構成において、前記接合箇所が、矩形とした前記圧電基板の長辺に近接した縁部に設けられていることを特徴とする。
第4の発明の構成によれば、前記接合箇所を矩形の圧電基板の長辺に近接した縁部、すなわち辺縁部に設けることにより、すだれ状電極が形成された領域を効果的に避けることができ、周波数変動に関与する領域への応力集中をより確実に回避することができる。
第4の発明の構成によれば、前記接合箇所を矩形の圧電基板の長辺に近接した縁部、すなわち辺縁部に設けることにより、すだれ状電極が形成された領域を効果的に避けることができ、周波数変動に関与する領域への応力集中をより確実に回避することができる。
第5の発明は、第4の発明の構成において、前記接合箇所が、矩形とした前記圧電基板の長辺に近接した中央縁部に設けられていることを特徴とする。
第5の発明の構成によれば、前記接合箇所が圧電基板の長辺に近接した中央縁部に設けるようにされているので、各長辺の中央縁部にそれぞれ接合箇所を設けて、複数の接合箇所とした場合にも、すだれ状電極の電極指と交叉する方向に応力が作用することがなく、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
第5の発明の構成によれば、前記接合箇所が圧電基板の長辺に近接した中央縁部に設けるようにされているので、各長辺の中央縁部にそれぞれ接合箇所を設けて、複数の接合箇所とした場合にも、すだれ状電極の電極指と交叉する方向に応力が作用することがなく、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
また、上記目的は、第6の発明にあっては、パッケージの内面に形成した電極部に対して、このパッケージに収容される弾性表面波チップを接合するようにした弾性表面波装置の製造方法であって、前記弾性表面波チップが、圧電ウエハの一面に、複数の前記弾性表面波チップに対応したすだれ状電極および引出し電極が、Alによりフォトリソグラフィの手法を用いて形成される電極形成工程と、前記圧電ウエハを個々の前記弾性表面波チップに対応する大きさに切断することにより側面を露出させる切断工程と、前記露出した側面および、前記一面と反対面に位置する他面の、少なくとも前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域を含むように、自然酸化膜が形成されにくい金属により導通部を形成する導通部形成工程とを含む製造工程により形成され、さらに、前記パッケージの前記弾性表面波チップを収容する空間の内側底面に設けた電極部に対して、前記弾性表面波チップの前記一面と反対面に位置する他面の、少なくとも前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域を接合する接合工程を有する弾性表面波装置の製造方法により、達成される。
第6の発明の構成によれば、すだれ状電極および引出し電極が、Alにより形成されることから、金などを用いる場合と比べて、周波数温度特性が良好であり、しかもフォトリソグラフィにより形成することから、蒸着などにより形成する場合と比べて、精密なパターンとすることができる。
しかも、前記接合工程では、その接合箇所が、前記圧電基板の前記他面の前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域に設けられるので、導電性接着剤を用いた場合における硬化時の応力が、すだれ状電極を形成した領域に作用して、圧電基板のこの部分を変形させることがないから、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
しかも、前記接合工程では、その接合箇所が、前記圧電基板の前記他面の前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域に設けられるので、導電性接着剤を用いた場合における硬化時の応力が、すだれ状電極を形成した領域に作用して、圧電基板のこの部分を変形させることがないから、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
さらに、上述の目的は、第7の発明にあっては、パッケージ内に弾性表面波チップが収容された弾性表面波装置を利用した携帯電話装置であって、前記弾性表面波チップが、前記圧電基板の前記一面に形成され、前記すだれ状電極と接続された引出し電極と、前記引出し電極と接続されるとともに、前記圧電基板の側面を経由して引き回されて前記一面と反対面に位置する他面まで延長された導通部とを有しており、前記パッケージの内面に設けた電極部と、前記他面まで延長された前記導通部とが、前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域に設けた接合箇所にて接合されている弾性表面波装置により、制御用のクロック信号を得るようにした携帯電話装置により、達成される。
さらに、上述の目的は、第8の発明にあっては、パッケージ内に弾性表面波チップが収容された弾性表面波装置を利用した電子機器であって、前記弾性表面波チップが、前記圧電基板の前記一面に形成され、前記すだれ状電極と接続された引出し電極と、前記引出し電極と接続されるとともに、前記圧電基板の側面を経由して引き回されて前記一面と反対面に位置する他面まで延長された導通部とを有しており、前記パッケージの内面に設けた電極部と、前記他面まで延長された前記導通部とが、前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域に設けた接合箇所にて接合されている弾性表面波装置により、制御用のクロック信号を得るようにした電子機器により、達成される。
図1は、本発明のSAWデバイスの第1の実施形態を示す概略断面図で、図2は図1のSAWデバイスの弾性表面波チップを示す概略平面図、図3は図2の弾性表面波チップの概略底面図である。
これらの図を参照しながら、第1の実施形態に係るSAWデバイス30の詳しい構成について説明する。
SAWデバイス30は、パッケージ40内に収容された弾性表面波チップ31を備えている。弾性表面波チップ31は、図2に示されているように、圧電基板32と、すだれ状電極であるIDT(櫛形電極)33及び反射器34,34を備えている。
圧電基板32は、圧電材料として、例えば、水晶,リチウムタンタレート(LiTaO3 ),リチウムナイオベート(LiNbO3 )等の単結晶基板やSi基板へZnO成膜した基板等の多層膜基板等を使用することができる。この実施形態では、例えば、レイリー波を伝搬する結晶構造となるように、圧電基板のカット角方位(φ、θ、ψ)が、(0,123,0)の水晶ウエハを用いることができる。
これらの図を参照しながら、第1の実施形態に係るSAWデバイス30の詳しい構成について説明する。
SAWデバイス30は、パッケージ40内に収容された弾性表面波チップ31を備えている。弾性表面波チップ31は、図2に示されているように、圧電基板32と、すだれ状電極であるIDT(櫛形電極)33及び反射器34,34を備えている。
圧電基板32は、圧電材料として、例えば、水晶,リチウムタンタレート(LiTaO3 ),リチウムナイオベート(LiNbO3 )等の単結晶基板やSi基板へZnO成膜した基板等の多層膜基板等を使用することができる。この実施形態では、例えば、レイリー波を伝搬する結晶構造となるように、圧電基板のカット角方位(φ、θ、ψ)が、(0,123,0)の水晶ウエハを用いることができる。
IDT33及び反射器34は、圧電基板32の表面に、アルミニウムやチタン等の導体金属を蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に形成した上で、後述するように、フォトリソグラフィ等により、すだれ状となるように形成されている。後述する製造工程では、アルミニウムの導電層を形成するようにしている。
具体的には、IDT33,33は、それぞれ複数の電極指33aが所定のピッチで並設されて長手方向の各端部が短絡するように形成されている。即ち、2つの櫛形状のIDT33,33の各櫛歯部分が、所定距離隔てて互い違いに入り込むように形成されている。このIDT33は、電気的に接続されている外部端子(後述)を介して電気信号と弾性表面波(SAW)との間の変換を行う機能を有する。
具体的には、IDT33,33は、それぞれ複数の電極指33aが所定のピッチで並設されて長手方向の各端部が短絡するように形成されている。即ち、2つの櫛形状のIDT33,33の各櫛歯部分が、所定距離隔てて互い違いに入り込むように形成されている。このIDT33は、電気的に接続されている外部端子(後述)を介して電気信号と弾性表面波(SAW)との間の変換を行う機能を有する。
IDT33の両側には、それぞれ所定のギャップを隔てて、反射器34,34が設けられている。反射器34は、複数の導体ストリップ34aが、IDT33と同じように、所定のピッチで並設されて長手方向の各両端部が短絡されるように形成されている。
そして、例えば、同一構成の2つの反射器34,34は、その導体ストリップ34aがIDT33の電極指33aと平行になるように、かつIDT33を弾性表面波の伝搬方向、即ち矢印Tで示すIDT33の電極指33aの長手方向に直交する方向に所定距離隔てて挟み込むように形成されている。この反射器34,34は、IDT33から伝搬してくる弾性表面波を反射して、弾性表面波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有する。
そして、例えば、同一構成の2つの反射器34,34は、その導体ストリップ34aがIDT33の電極指33aと平行になるように、かつIDT33を弾性表面波の伝搬方向、即ち矢印Tで示すIDT33の電極指33aの長手方向に直交する方向に所定距離隔てて挟み込むように形成されている。この反射器34,34は、IDT33から伝搬してくる弾性表面波を反射して、弾性表面波のエネルギーを内部に閉じこめる機能を有する。
このような構成において、電気信号が、上記外部端子を介してIDT33に入力されると、圧電効果により弾性表面波に変換される。この弾性表面波は、矢印T方向、すなわち、IDT33の電極指33aの長手方向に対して直交方向に伝搬され、IDT33の両側から反射器34,34に放射される。このとき、圧電基板32の材質、電極の厚みや電極の幅等で決定される伝搬速度とIDT33の電極指33aの電極周期d0 に等しい波長を持つ弾性表面波が、最も強く励振される。この弾性表面波は、反射器34,34により多段反射されてIDT33に戻され、共振周波数付近の周波数(動作周波数)の電気信号に変換されてIDT33から外部端子を介して出力される。
このように、外部端子を介して、IDT33に外部から電気信号を入力するために、パッケージ40および弾性表面波チップ31は、以下のように構成されている。
図2に示すように、弾性表面波チップ31の表面には、各IDT33の外部端子33b,33bは、引出し電極36,36と一体にされて、矩形の圧電基板32の各長辺52,53の辺縁部を通り、ひとつの短辺51に近接する位置で、導通部38,38と接続されている。各導通部38,38は、図1に示されているように、上記短辺側の側面51aに部分38aとして一体に引き回され、図3に示すように、圧電基板32の底面に回り込んで、少なくとも圧電基板32の能動面である表面側に形成されているIDT33が設けられた領域に対応した底面側の領域を避けた箇所、すなわち、IDT33の直下の箇所を避けた領域に延長されている。
具体的には、この実施形態では、導通部38,38が、図3に示されているように、圧電基板32の底面において、短辺51の両端付近の角隅部に接合箇所を設けるための接合部61,61となるように延長されている。
図2に示すように、弾性表面波チップ31の表面には、各IDT33の外部端子33b,33bは、引出し電極36,36と一体にされて、矩形の圧電基板32の各長辺52,53の辺縁部を通り、ひとつの短辺51に近接する位置で、導通部38,38と接続されている。各導通部38,38は、図1に示されているように、上記短辺側の側面51aに部分38aとして一体に引き回され、図3に示すように、圧電基板32の底面に回り込んで、少なくとも圧電基板32の能動面である表面側に形成されているIDT33が設けられた領域に対応した底面側の領域を避けた箇所、すなわち、IDT33の直下の箇所を避けた領域に延長されている。
具体的には、この実施形態では、導通部38,38が、図3に示されているように、圧電基板32の底面において、短辺51の両端付近の角隅部に接合箇所を設けるための接合部61,61となるように延長されている。
さらに、図1に示されているように、引出し電極36と導通部38との接合箇所には、これらの下層であって、圧電基板32の表面に導電パターン39が形成されている。この導電パターン39は、圧電基板32を構成する材料と密着性のよい下地層と、導電性に優れた金属であって、IDT33を構成する金属と比較して自然酸化膜を形成しにくい金属層を積層形成することにより設けられている。この場合の下地層としては、たとえば、クロム(Cr)またはニッケル(Ni)が使用でき、その上の金属層としては金(Au)または銀(Ag)を使用することができる。そして、上述した導通部38も、この導電パターン39と同じ金属により形成することができるので、導通部全体にわたって自然酸化膜を形成しにくい。
かくして、圧電基板32の能動面すなわち表面側においては、先ず導電パターン39が形成されており、その一部を露出するようにして、IDT33と同じ材料でなる引出し電極36が形成され、さらに、導電パターン39の上記露出した箇所に重ねるようにして、導通部38が形成されている。
これにより、IDT33の表面に自然酸化膜が形成されて導通抵抗が高くなっても、導電パターン39を介して、引出し電極36と導通部38との導通が図られるので、IDT33と導通部38との電気的接続が確実になる。
これにより、IDT33の表面に自然酸化膜が形成されて導通抵抗が高くなっても、導電パターン39を介して、引出し電極36と導通部38との導通が図られるので、IDT33と導通部38との電気的接続が確実になる。
次に、パッケージ40側の構造を説明する。
パッケージ40は、例えば、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して形成される第1の基板41と第2の基板42とを積層した後、焼結して形成されている。第2の基板42は、焼結前の成形の際に、その内側に所定の孔を形成することで、積層した場合に内側に所定の内部空間Sを形成するようにされている。この内部空間Sが弾性表面波チップ31を収容するための収容空間である。パッケージ40の上端には、ロウ材44を介して、蓋体45が接合されて気密に封止されている。
パッケージ40の内側底面46の図1において右側端部付近には、電極部43が形成されており、この電極部43は、例えば、第1の基板41に形成した図示しない導電スルーホールなどにより、パッケージ40の底面に露出させて形成した図示しない実装電極と接続されている。ここで、パッケージ40は、強度や気密性の向上をはかるために、金属により形成してもよく、この場合には、パッケージ40の内側底面46を絶縁した上で電極部43が形成される。
パッケージ40は、例えば、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して形成される第1の基板41と第2の基板42とを積層した後、焼結して形成されている。第2の基板42は、焼結前の成形の際に、その内側に所定の孔を形成することで、積層した場合に内側に所定の内部空間Sを形成するようにされている。この内部空間Sが弾性表面波チップ31を収容するための収容空間である。パッケージ40の上端には、ロウ材44を介して、蓋体45が接合されて気密に封止されている。
パッケージ40の内側底面46の図1において右側端部付近には、電極部43が形成されており、この電極部43は、例えば、第1の基板41に形成した図示しない導電スルーホールなどにより、パッケージ40の底面に露出させて形成した図示しない実装電極と接続されている。ここで、パッケージ40は、強度や気密性の向上をはかるために、金属により形成してもよく、この場合には、パッケージ40の内側底面46を絶縁した上で電極部43が形成される。
図1に示されているように、パッケージ40の電極部43には、例えば、導電性接着剤35が塗布され、その上に弾性表面波チップ31が載置されて接合される。つまり、図3を参照して理解されるように、弾性表面波チップ31の端部の角隅部の接合部61,61に対応して導電性接着剤35,35が塗布されることで、弾性表面波チップ31は、パッケージ40内で片持ち式に接合され支持される。
以上のような構造により、SAW共振子やSAWフィルタが構成され、さらには、パッケージ40内に弾性表面波チップと接続される発振回路素子である集積回路が収容されることにより、SAW発振器を構成することができる。SAWデバイスとはこれらを含み、名称のいかんを問わず、弾性表面波チップをパッケージ内に収容するデバイスを全て含むものである。
以上のような構造により、SAW共振子やSAWフィルタが構成され、さらには、パッケージ40内に弾性表面波チップと接続される発振回路素子である集積回路が収容されることにより、SAW発振器を構成することができる。SAWデバイスとはこれらを含み、名称のいかんを問わず、弾性表面波チップをパッケージ内に収容するデバイスを全て含むものである。
本実施形態は以上のように構成されており、弾性表面波チップ31のIDT33は、引出し電極36を介して導通部38と接続され、この導通部38は圧電基板32の側面51aを引き回されて、圧電基板32の他面まで延長されているので、この延長された導通部でなる接合部61とパッケージ40の内面の電極部43を対向させた位置で、例えば、導電性接着剤35やバンプなどを介して弾性表面波チップ31とパッケージ側とを電気的に接続させることができる。これにより、ワイヤボンディングによらずに、接続が可能となる。このため、SAWデバイス30の小型化の支障となるワイヤの引き回しが不要となるので、小型化に有利である。
ちなみに、ワイヤボンディングのボンディングワイヤのループ高さは0.1ないし0.3mmであり、その分だけ確実にパッケージ40の高さを小さくして、低背化をはかることができる。
具体的には、従来のSAWデバイスの高さは最小のものでも、0.98mm程度あるが、本実施形態のSAWデバイス30の高さは0.65mm程度である。
また、パッケージ40内では、ワイヤボンディングしていないので、セカンド電極を形成する必要がない。従来のパッケージでは、セカンド電極(図11の符号8参照)を必要として、その結果、パッケージの平面方向の大きさが3.2×2.5mm程度であったのに比べて、本実施形態のパッケージ40では、セカンド電極分として、平面方向の寸法を0.2ないし0.4mm程度小さくすることができる。
しかも、この電気的接続のための接合部61による接合箇所は、圧電基板32のIDT33の直下の位置を除く領域に設けられるので、導電性接着剤35を用いた場合における硬化時の応力が、IDT33を形成した領域に作用して、圧電基板32を変形させることがないから、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
具体的には、従来のSAWデバイスの高さは最小のものでも、0.98mm程度あるが、本実施形態のSAWデバイス30の高さは0.65mm程度である。
また、パッケージ40内では、ワイヤボンディングしていないので、セカンド電極を形成する必要がない。従来のパッケージでは、セカンド電極(図11の符号8参照)を必要として、その結果、パッケージの平面方向の大きさが3.2×2.5mm程度であったのに比べて、本実施形態のパッケージ40では、セカンド電極分として、平面方向の寸法を0.2ないし0.4mm程度小さくすることができる。
しかも、この電気的接続のための接合部61による接合箇所は、圧電基板32のIDT33の直下の位置を除く領域に設けられるので、導電性接着剤35を用いた場合における硬化時の応力が、IDT33を形成した領域に作用して、圧電基板32を変形させることがないから、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
ここで、上述した実施形態では、接合部61を、圧電基板32の図2に示した弾性表面波の伝搬方向Tに沿って応力を作用させない位置、すなわち、図3に示すように、方向Tと直交する方向に並ぶように設けたので、図示のように2箇所において接合した場合などにおいても、圧電基板32のIDT33を形成した領域に対応する箇所に変形をもたらすことがなく、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
特に、接合箇所として機能する接合部61,61が、矩形に形成されている圧電基板32の角隅部に設けられているので、IDT33が形成された領域を確実に避けることができ、周波数変動に関与する領域への応力集中をより確実に回避することができる。
また、この実施形態では、導電性接着剤35を用いて接合を行っているが、例えば金属バンプなどを用いて電気的、機械的な接合をおこなってもよい。この場合には、接合面積が小さくて済む利点があり、固定箇所をIDT33の直下の位置から避ける上では、位置の選択に自由度が大きくなる。しかしながら、十分な量の導電性接着剤を塗布した場合と比べると、接合強度が劣る。
特に、接合箇所として機能する接合部61,61が、矩形に形成されている圧電基板32の角隅部に設けられているので、IDT33が形成された領域を確実に避けることができ、周波数変動に関与する領域への応力集中をより確実に回避することができる。
また、この実施形態では、導電性接着剤35を用いて接合を行っているが、例えば金属バンプなどを用いて電気的、機械的な接合をおこなってもよい。この場合には、接合面積が小さくて済む利点があり、固定箇所をIDT33の直下の位置から避ける上では、位置の選択に自由度が大きくなる。しかしながら、十分な量の導電性接着剤を塗布した場合と比べると、接合強度が劣る。
(SAWデバイスの製造方法)
図4は、SAWデバイス30の製造方法に関する実施形態について、製造工程の概略を順次示した工程図である。図4(a)ないし図4(c)では、弾性表面波チップを形成する工程において、左側に圧電基板32の平面図を示し、右側にそのB−B線切断端面図を示している。
図4(a)において、所定の圧電材料で形成された圧電ウエハ(製品単位の圧電基板32が切断される前の材料)32―1について、図2で説明した短辺51に近接した角隅部近傍となる箇所に、それぞれ導電パターン39,39を形成する。すなわち、メタルマスクやレジストパターンを用いて、導電パターン39,39を形成する箇所だけが露出され、スパッタリングまたは蒸着により、下地層として、たとえば、クロム(Cr)またはニッケル(Ni)を成膜し、その上の金属層として金(Au)または銀(Ag)を成膜して、これに導電パターン39,39を形成する。なお、これらの金属膜を圧電基板32の全面に成膜し、フォトリソグラフィの手法によりエッチングで、導電パターン39,39を形成するようにしてもよい。
図4は、SAWデバイス30の製造方法に関する実施形態について、製造工程の概略を順次示した工程図である。図4(a)ないし図4(c)では、弾性表面波チップを形成する工程において、左側に圧電基板32の平面図を示し、右側にそのB−B線切断端面図を示している。
図4(a)において、所定の圧電材料で形成された圧電ウエハ(製品単位の圧電基板32が切断される前の材料)32―1について、図2で説明した短辺51に近接した角隅部近傍となる箇所に、それぞれ導電パターン39,39を形成する。すなわち、メタルマスクやレジストパターンを用いて、導電パターン39,39を形成する箇所だけが露出され、スパッタリングまたは蒸着により、下地層として、たとえば、クロム(Cr)またはニッケル(Ni)を成膜し、その上の金属層として金(Au)または銀(Ag)を成膜して、これに導電パターン39,39を形成する。なお、これらの金属膜を圧電基板32の全面に成膜し、フォトリソグラフィの手法によりエッチングで、導電パターン39,39を形成するようにしてもよい。
(電極形成工程)
次に、図4(b)に示すように、IDT33,33、反射器34,34、引出し電極36,36を形成する。この実施形態では、先ず、スパッタリングまたは蒸着により、アルミニウム(Al)またはアルミニウム合金を圧電基板32の全面に成膜する。
次いで、IDT33,33、反射器34,34、引出し電極36,36を形成する箇所に対応したレジストパターンを形成し、露光・現像することによって、フォトリソグラフィの手法を用いて、マスキングされていない箇所をエッチングプロセスにより除去し、IDT33,33、反射器34,34、引出し電極36,36を形成するアルミパターンを形成する。
上記レジストパターンを除去した後の状態では、右側の図に示すように、アルミの引出し電極36の先端側は、導電パターン39と重なり、導電パターン39のそれ以外の一部がアルミから露出している。
次に、図4(b)に示すように、IDT33,33、反射器34,34、引出し電極36,36を形成する。この実施形態では、先ず、スパッタリングまたは蒸着により、アルミニウム(Al)またはアルミニウム合金を圧電基板32の全面に成膜する。
次いで、IDT33,33、反射器34,34、引出し電極36,36を形成する箇所に対応したレジストパターンを形成し、露光・現像することによって、フォトリソグラフィの手法を用いて、マスキングされていない箇所をエッチングプロセスにより除去し、IDT33,33、反射器34,34、引出し電極36,36を形成するアルミパターンを形成する。
上記レジストパターンを除去した後の状態では、右側の図に示すように、アルミの引出し電極36の先端側は、導電パターン39と重なり、導電パターン39のそれ以外の一部がアルミから露出している。
(切断工程)
次に、図4(c)に示すように、上記圧電ウエハを切断して個々の圧電基板32の大きさ、すなわち、短辺51や長辺52,53を有する大きさに切断する。この状態で、所定の治具(図示せず)にセットすると、少なくとも圧電基板32の短辺51側の側面(図1で説明した側面51aおよび底面が露出する。
(導通部形成工程)
続いて、導通部38を形成するために、上記露出した面に形成すべき導通部38の形状に対応したマスクを施して、下地層と金属層とが上記側面51aおよび底面の全面に対して、スパッタリングまたは蒸着などの手法により順次成膜される。ここでも、導通部38を形成する金属として、IDT33よりも自然酸化しにくい材料として、下地層として、たとえば、クロム(Cr)またはニッケル(Ni)を成膜し、その上の金属層として金(Au)または銀(Ag)を成膜する。
これにより、導電パターン39の露出した領域には、導通部38の上端が覆う状態で、この導通部38は短辺51側の側面51aを引き回され、圧電基板32の底面の図3で説明した角隅部まで延長され、接合部61,61が形成される。これにより、弾性表面波チップ31が完成する。
次に、図4(c)に示すように、上記圧電ウエハを切断して個々の圧電基板32の大きさ、すなわち、短辺51や長辺52,53を有する大きさに切断する。この状態で、所定の治具(図示せず)にセットすると、少なくとも圧電基板32の短辺51側の側面(図1で説明した側面51aおよび底面が露出する。
(導通部形成工程)
続いて、導通部38を形成するために、上記露出した面に形成すべき導通部38の形状に対応したマスクを施して、下地層と金属層とが上記側面51aおよび底面の全面に対して、スパッタリングまたは蒸着などの手法により順次成膜される。ここでも、導通部38を形成する金属として、IDT33よりも自然酸化しにくい材料として、下地層として、たとえば、クロム(Cr)またはニッケル(Ni)を成膜し、その上の金属層として金(Au)または銀(Ag)を成膜する。
これにより、導電パターン39の露出した領域には、導通部38の上端が覆う状態で、この導通部38は短辺51側の側面51aを引き回され、圧電基板32の底面の図3で説明した角隅部まで延長され、接合部61,61が形成される。これにより、弾性表面波チップ31が完成する。
(接合工程)
以上の工程とは別工程により、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して、電極部等の必要な導電パターンを形成した上で、図1で示すように第1の基板41と第2の基板42とを積層した後、焼結してパッケージ40を形成しておく。
このパッケージ40の電極部43に対して、導電性接着剤35を塗布しておき、その上に、弾性表面波チップ31のIDT33が形成されている能動面を上にして、上記接合部61の箇所を載置する。
次いで、導電性接着剤35が硬化されることにより、弾性表面波チップ31は、パッケージ40内で片持ち式に支持され、同時に弾性表面波チップ31は、パッケージ40の電極部43に対して電気的に結合される。すなわち、パッケージ40の図示ないし実装端子から、電極部43、導電性接着剤35、弾性表面波チップ31の接合部61を含む導通部38、導電パターン39、引出し電極36を経て、IDT33が電気的に接合される。
以上の工程とは別工程により、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して、電極部等の必要な導電パターンを形成した上で、図1で示すように第1の基板41と第2の基板42とを積層した後、焼結してパッケージ40を形成しておく。
このパッケージ40の電極部43に対して、導電性接着剤35を塗布しておき、その上に、弾性表面波チップ31のIDT33が形成されている能動面を上にして、上記接合部61の箇所を載置する。
次いで、導電性接着剤35が硬化されることにより、弾性表面波チップ31は、パッケージ40内で片持ち式に支持され、同時に弾性表面波チップ31は、パッケージ40の電極部43に対して電気的に結合される。すなわち、パッケージ40の図示ないし実装端子から、電極部43、導電性接着剤35、弾性表面波チップ31の接合部61を含む導通部38、導電パターン39、引出し電極36を経て、IDT33が電気的に接合される。
次に、弾性表面波チップ31を接合したパッケージ40を図示しないチャンバー内に収容し、所定の真空度でエッチングガスを供給して、エッチングプラズマを生成して、圧電基板32の能動面もしくはIDT33をドライエッチングすることにより必要な周波数調整を行う。
最後に、例えば窒素雰囲気内で、ロウ材44を介して、蓋体45を接合して蓋封止することにより図1に示すようにSAWデバイス30を完成することができる。
最後に、例えば窒素雰囲気内で、ロウ材44を介して、蓋体45を接合して蓋封止することにより図1に示すようにSAWデバイス30を完成することができる。
かくして、上記製造方法によれば、IDT33および引出し電極36が、Alにより形成されることから、金などを用いる場合と比べて、周波数温度特性が良好である。また、IDT33およびこれと一体の引出し電極36をフォトリソグラフィにより形成することから、蒸着などにより形成する場合と比べて、精密なパターンとすることができる。
しかも、接合工程では、その接合箇所が、圧電基板32の底面であって、IDT33の直下の位置を除く領域に設けられるので、導電性接着剤35を用いた場合における硬化時の応力が、IDT33を形成した領域に作用して、圧電基板32のこの部分を変形させることがないから、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
また、この実施形態では、パッケージ40内で、弾性表面波チップ31を片持ち式に支持する構造としたので、弾性表面波チップ31の長辺方向に沿ってパッケージ40が変形した場合にも、その応力が弾性表面波チップ31に伝わることがなく、その性能を損なうことがない。
しかも、接合工程では、その接合箇所が、圧電基板32の底面であって、IDT33の直下の位置を除く領域に設けられるので、導電性接着剤35を用いた場合における硬化時の応力が、IDT33を形成した領域に作用して、圧電基板32のこの部分を変形させることがないから、周波数の変動を効果的に抑制することができる。
また、この実施形態では、パッケージ40内で、弾性表面波チップ31を片持ち式に支持する構造としたので、弾性表面波チップ31の長辺方向に沿ってパッケージ40が変形した場合にも、その応力が弾性表面波チップ31に伝わることがなく、その性能を損なうことがない。
さらに、導通部38は、IDT33に比べて自然酸化膜が形成されにくい金属で形成されていることから、この導通部38に自然酸化膜が形成されて導通抵抗が上がることを有効に防止することができる。例えば導通部38を金で形成した場合に、30MHzで共振するSAWデバイス30の場合のCI値(クリスタルインピーダンス値)が15ないし25Ω程度であるが、これをIDT33と同じアルミで形成すると、80Ω程度となる。
図5は、SAWデバイスの第2の実施形態に使用される弾性表面波チップであり、図1ないし図3で説明した第1の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
この弾性表面波チップ70は、図5(b)に示すように、各導通部38,38が、いずれかの長辺、例えば、長辺部53の辺縁付近までそれぞれ延長され、接合部61−1,61−2は、いずれも長辺部53の辺縁部に近接して設けられる。これにより、接合箇所は、IDT33の直下の位置を避けることができる点では、第1の実施形態と同じで、共通した作用効果を発揮する。
しかしながら、各接合部61−1,61−2が、図5(a)に矢印Tで示す、表面弾性波の伝搬方向に沿って配置されているため、導電性接着剤35,35の硬化時の応力が、圧電基板32の能動面に及び、周波数のシフトに影響する場合もある。つまり、この実施形態は、IDT33の完全な直下で接合する場合よりも上記応力の影響は受けにくいが、各接合部61−1,61−2間の距離が大きいと、圧電基板32を変形させるおそれがあるものである。
この弾性表面波チップ70は、図5(b)に示すように、各導通部38,38が、いずれかの長辺、例えば、長辺部53の辺縁付近までそれぞれ延長され、接合部61−1,61−2は、いずれも長辺部53の辺縁部に近接して設けられる。これにより、接合箇所は、IDT33の直下の位置を避けることができる点では、第1の実施形態と同じで、共通した作用効果を発揮する。
しかしながら、各接合部61−1,61−2が、図5(a)に矢印Tで示す、表面弾性波の伝搬方向に沿って配置されているため、導電性接着剤35,35の硬化時の応力が、圧電基板32の能動面に及び、周波数のシフトに影響する場合もある。つまり、この実施形態は、IDT33の完全な直下で接合する場合よりも上記応力の影響は受けにくいが、各接合部61−1,61−2間の距離が大きいと、圧電基板32を変形させるおそれがあるものである。
図6は、SAWデバイスの第3の実施形態に使用される弾性表面波チップであり、図1ないし図3で説明した第1の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
この弾性表面波チップ80は、図6(b)に示すように、各導通部38,38が、各長辺52,53の中央部の辺縁付近までそれぞれ延長され、接合部61−3,61−4は、いずれも長辺部52または53の辺縁部に近接して設けられる。これにより、接合箇所は、IDT33の直下の位置を避けることができる点では、第1の実施形態と同じで、共通した作用効果を発揮する。
しかしながら、各接合部61−3,61−4が設けられる箇所は、第1の実施形態と比べるとIDT33までの距離が比較的短く、導電性接着剤35,35の量が多いと、IDT33の直下の領域に及んでしまう場合がある。また、これを避けるためには、導電性接着剤を使用しないで、たとえば金属バンプなどを使用したフリップチップボンディングを利用するとよいが、この場合には、第1の実施形態と比べると、接合強度はやや低下する。
この弾性表面波チップ80は、図6(b)に示すように、各導通部38,38が、各長辺52,53の中央部の辺縁付近までそれぞれ延長され、接合部61−3,61−4は、いずれも長辺部52または53の辺縁部に近接して設けられる。これにより、接合箇所は、IDT33の直下の位置を避けることができる点では、第1の実施形態と同じで、共通した作用効果を発揮する。
しかしながら、各接合部61−3,61−4が設けられる箇所は、第1の実施形態と比べるとIDT33までの距離が比較的短く、導電性接着剤35,35の量が多いと、IDT33の直下の領域に及んでしまう場合がある。また、これを避けるためには、導電性接着剤を使用しないで、たとえば金属バンプなどを使用したフリップチップボンディングを利用するとよいが、この場合には、第1の実施形態と比べると、接合強度はやや低下する。
図7(a)は、第1の実施形態のSAWデバイス30について、その周波数シフトについて調べたグラフであり、図中処理前とは弾性表面波チップをマウントして導電性接着剤を硬化させる前であり、処理後とは導電性接着剤を加熱硬化させた後を示している。
図7(b)は、IDTの直下に導電性接着剤を塗布したSAWデバイスについて、その周波数シフトについて調べたグラフであり、図中処理前とは弾性表面波チップをマウントして導電性接着剤を硬化させる前であり、処理後とは導電性接着剤を加熱硬化させた後を示している。
これらの図を比較して理解されるように、本実施形態の場合、周波数変化が効果的に抑制されている。
図7(b)は、IDTの直下に導電性接着剤を塗布したSAWデバイスについて、その周波数シフトについて調べたグラフであり、図中処理前とは弾性表面波チップをマウントして導電性接着剤を硬化させる前であり、処理後とは導電性接着剤を加熱硬化させた後を示している。
これらの図を比較して理解されるように、本実施形態の場合、周波数変化が効果的に抑制されている。
図8は、第1の実施形態の変形例に係るSAWデバイス30−1を示す概略断面図である。図1ないし図3で説明した第1の実施形態と共通する構成には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
この例では、導電性接着剤35−1の塗布量を多くしており、パッケージ40の内側面40aの下部に付着する程度まで使用されている。これにより、第1の実施形態のSAWデバイス30と同一の作用効果を発揮する他、IDT33とは離れた領域を用いて(圧電基板の側面51a)接合面積を増大させることができ、接合強度を向上させることができる。
この例では、導電性接着剤35−1の塗布量を多くしており、パッケージ40の内側面40aの下部に付着する程度まで使用されている。これにより、第1の実施形態のSAWデバイス30と同一の作用効果を発揮する他、IDT33とは離れた領域を用いて(圧電基板の側面51a)接合面積を増大させることができ、接合強度を向上させることができる。
図9は、本発明の上述した実施形態に係るSAWデバイスを利用した電子機器の一例としてのデジタル式携帯電話装置の概略構成を示す図である。
図において、送信者の音声を受信するマイクロフォン308及び受信内容を音声出力とするためのスピーカ309を備えており、さらに、送受信信号の変調及び復調部に接続された制御部としての集積回路等でなるCPU(Central Processing Unit)301を備えている。
CPU301は、送受信信号の変調及び復調の他に画像表示部としてのLCDや情報入力のための操作キー等でなる情報の入出力部302や、RAM,ROM等でなる情報記憶手段(メモリ)303の制御を行うようになっている。このため、CPU301には、本発明の実施形態に係るSAWデバイス30等が取り付けられて、その出力周波数をCPU301に内蔵された所定の分周回路(図示せず)等により、制御内容に適合したクロック信号として利用するようにされている。
図において、送信者の音声を受信するマイクロフォン308及び受信内容を音声出力とするためのスピーカ309を備えており、さらに、送受信信号の変調及び復調部に接続された制御部としての集積回路等でなるCPU(Central Processing Unit)301を備えている。
CPU301は、送受信信号の変調及び復調の他に画像表示部としてのLCDや情報入力のための操作キー等でなる情報の入出力部302や、RAM,ROM等でなる情報記憶手段(メモリ)303の制御を行うようになっている。このため、CPU301には、本発明の実施形態に係るSAWデバイス30等が取り付けられて、その出力周波数をCPU301に内蔵された所定の分周回路(図示せず)等により、制御内容に適合したクロック信号として利用するようにされている。
CPU301は、さらに、温度補償水晶発振器(TCXO)305と接続され、温度補償水晶発振器305は、送信部307と受信部306に接続されている。これにより、CPU301からの基本クロックが、環境温度が変化した場合に変動しても、温度補償水晶発振器305により修正されて、送信部307及び受信部306に与えられるようになっている。
このように、制御部を備えたデジタル式携帯電話装置300のような電子機器に、上述した各実施形態に係るSAWデバイスを利用することができる。これらのSAWデバイスは、上述したように周波数変化が少なく、きわめて小型に形成できるので、製品の信頼性が向上する。
本発明は上述の実施形態に限定されない。実施形態の各構成はこれらを適宜省略したり、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、上述の実施形態では、反射器を伴う構成としたが、反射器はなくてもよい。また、導通部は圧電基板のひとつの側面に限らず、互いに異なる側面に引き回されてもよい。さらに導通部を用いて接続される端子の数は、実施形態の数に限るものではなく、ひとつでも、より多くてもよい。
また、上述の実施形態では、反射器を伴う構成としたが、反射器はなくてもよい。また、導通部は圧電基板のひとつの側面に限らず、互いに異なる側面に引き回されてもよい。さらに導通部を用いて接続される端子の数は、実施形態の数に限るものではなく、ひとつでも、より多くてもよい。
30・・・SAWデバイス、31・・・弾性表面波チップ、32・・・圧電基板、33・・・IDT、34・・・反射器、35・・・導電性接着剤、36・・・引出し電極、38・・・導通部、40・・・パッケージ、43・・・電極部、61・・・接合部。
Claims (8)
- 圧電基板の一面にすだれ状電極が形成された弾性表面波チップと、この弾性表面波チップを気密に収容するパッケージとを備えた弾性表面波装置であって、
前記弾性表面波チップが、
前記圧電基板の前記一面に形成され、前記すだれ状電極と接続された引出し電極と、
前記引出し電極と接続されるとともに、前記圧電基板の側面を経由して引き回されて前記一面と反対面に位置する他面まで延長された導通部と
を有しており、
前記パッケージの内面に設けた電極部と、前記他面まで延長された前記導通部とが、前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域に設けた接合箇所にて接合されている
ことを特徴とする弾性表面波装置。 - 前記接合箇所が、前記圧電基板の弾性表面波の伝搬方向に沿って応力を作用させない位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の弾性表面波装置。
- 前記接合箇所が、矩形とした前記圧電基板の角隅部に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の弾性表面波装置。
- 前記接合箇所が、矩形とした前記圧電基板の長辺に近接した縁部に設けられていることを特徴とする請求項2に記載の弾性表面波装置。
- 前記接合箇所が、矩形とした前記圧電基板の長辺に近接した中央縁部に設けられていることを特徴とする請求項4に記載の弾性表面波装置。
- パッケージの内面に形成した電極部に対して、このパッケージに収容される弾性表面波チップを接合するようにした弾性表面波装置の製造方法であって、
前記弾性表面波チップが、
圧電ウエハの一面に、複数の前記弾性表面波チップに対応したすだれ状電極および引出し電極が、Alによりフォトリソグラフィの手法を用いて形成される電極形成工程と、
前記圧電ウエハを個々の前記弾性表面波チップに対応する大きさに切断することにより側面を露出させる切断工程と、
前記露出した側面および、前記一面と反対面に位置する他面の、少なくとも前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域を含むように、自然酸化膜が形成されにくい金属により導通部を形成する導通部形成工程と
を含む製造工程により形成され、
さらに、前記パッケージの前記弾性表面波チップを収容する空間の内側底面に設けた電極部に対して、前記弾性表面波チップの前記一面と反対面に位置する他面の、少なくとも前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域を接合する接合工程を
有することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。 - パッケージ内に弾性表面波チップが収容された弾性表面波装置を利用した携帯電話装置であって、
前記弾性表面波チップが、
前記圧電基板の前記一面に形成され、前記すだれ状電極と接続された引出し電極と、
前記引出し電極と接続されるとともに、前記圧電基板の側面を経由して引き回されて前記一面と反対面に位置する他面まで延長された導通部と
を有しており、
前記パッケージの内面に設けた電極部と、前記他面まで延長された前記導通部とが、前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域に設けた接合箇所にて接合されている弾性表面波装置により、制御用のクロック信号を得るようにしたことを特徴とする、携帯電話装置。 - パッケージ内に弾性表面波チップが収容された弾性表面波装置を利用した電子機器であって、
前記弾性表面波チップが、
前記圧電基板の前記一面に形成され、前記すだれ状電極と接続された引出し電極と、
前記引出し電極と接続されるとともに、前記圧電基板の側面を経由して引き回されて前記一面と反対面に位置する他面まで延長された導通部と
を有しており、
前記パッケージの内面に設けた電極部と、前記他面まで延長された前記導通部とが、前記すだれ状電極の直下の位置を除く領域に設けた接合箇所にて接合されている弾性表面波装置により、制御用のクロック信号を得るようにしたことを特徴とする、電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004033488A JP2005229183A (ja) | 2004-02-10 | 2004-02-10 | 弾性表面波装置および弾性表面波装置の製造方法ならびに弾性表面波装置を利用した携帯電話装置および電子機器 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2005229183A true JP2005229183A (ja) | 2005-08-25 |
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